WO1990010730A1 - Sulfuric acid composition having low surface tension - Google Patents

Sulfuric acid composition having low surface tension Download PDF

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low surface
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composition
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Kiyoto Mori
Takao Shihoya
Hisao +Di Hara
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Nissan Chemical Industries, Ltd.
Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha
Hara, Misako +Hm
Hara, Eriko +Hm
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    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions

Definitions

  • the present invention particularly relates to a low surface tension sulfuric acid composition suitable for use in a semiconductor manufacturing process. More specifically, the present invention relates to a low surface tension sulfuric acid composition containing a specific fluoroalkylsulfone amide compound.
  • sulfuric acid is used alone or for other purposes, such as for cleaning silicon substrates, removing resist films, and forming part of an etching solution. It is used in combination with a substance.
  • surfactants Although the use of surfactants is expected to lower the surface tension of sulfuric acid, it is expected that high-temperature sulfuric acid, especially a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide with a very strong oxidizing power, will be used.
  • high-temperature sulfuric acid especially a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide with a very strong oxidizing power
  • surfactants that are stable in the environment their types are very limited, so that they can be put to practical use. It is difficult to find as many surfactants as possible.
  • the present inventors have conducted research on various surfactants.
  • a specific fluorine-based surfactant was prepared by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide at a high temperature. It was found to be stable in the liquid and reduce the surface tension.
  • the present invention has been made based on such knowledge. [Disclosure of the Invention]
  • An object of the present invention is to provide a sulfuric acid composition having low surface tension, good wettability, and extremely excellent properties in terms of heat resistance and oxidation resistance. It is a target.
  • the present invention particularly relates to a low surface tension sulfuric acid composition used in a semiconductor manufacturing process. That is, Honkiaki is a general formula,
  • a low surface tension sulfuric acid characterized by containing a fluorine-based surfactant consisting of a fluoroalkylsulfonamide compound represented by the formula: It is a product that provides an ancestor.
  • the fluoroalkylsulfonamide compound used in the present invention is described, for example, in US Pat. No. 2,803,656, and is commercially available. It is a substance that is being used and can be easily obtained. This sulfonamide compound Since the element does not contain metals such as sodium, potassium, and calcium, it has no adverse effect on semiconductors.
  • the amount of the sulfonamide compound to be added is from 0 to 001 to 0.1% by weight, more preferably from 0.005 to 0-05% by weight, based on sulfuric acid. If the amount is less than the above lower limit, no effect is obtained. On the other hand, if the amount exceeds the above upper limit, no further effect is obtained, so there is no meaning. .
  • the low surface tension sulfuric acid composition of the present invention has a surface tension about 1/4 smaller than that of conventional sulfuric acid, and a small contact angle with a silicon substrate. It is easy to penetrate into the fine grooves of the structure, so that the cleaning effect is remarkably improved. Further, even in a state of a mixed solution with hydrogen peroxide solution, that is, a state against a very large oxidizing power, it is stable, and its properties are retained.
  • New paper Was. For the composition, 80 ° C, 100 ° C, 130 respectively. Heat at each temperature of C, then sample at 25 ° C at 30 minutes, 60 minutes, 90 minutes, and 120 minutes after each, respectively. The surface tension was measured by the Wilhelmy method. In addition, for comparison, no fluorine-based surfactant was added and two other commercially available fluorine-based surfactants (labeled as F3 and F4 in Table 2). ) was also measured. Table 2 shows the results.
  • a bare silicon substrate is coated with a photoresist type OFPR-800 (manufactured by Tokyo Ohridi) to a thickness of 1.3 # ⁇ on a substrate with a 90 ° C
  • post-baking was performed at 150 ° C for 30 minutes.
  • fluorosurfactant fluoroalkylsnorreamide [in the formula (I), R 1 force; C ⁇ Ft 7 and 2 are C 3 H 7 , and A is H] was added to and dissolved in 0-01% by weight of sulfuric acid and 30% by weight of aqueous hydrogen peroxide in a ratio of 4: 1 (by volume) to prepare a test composition. Using this composition, the post-post-registration of the registry was performed.
  • the stripping conditions were 80 ° C for 5 minutes, 10 minutes, 15 minutes and 100, respectively. Each student spent 5 and 10 minutes at C. Re g DOO 3 ⁇ 4 Hanarego after blanking b over by Li down scan N 2 gas for 5 minutes with water, the surface inspection apparatus (Surfscan4500) Te on sheet re co down ⁇ ha over carbonochloridate over Te I click Le And the haze condition. For comparison, the peeling test was not performed even when the fluorine-based surfactant was not added. The state of particles and haze on silicon wafers was not changed. Examined. Table 3 shows the results.
  • Example 3 After processing under the same conditions as in Example 13 and forming a resist film on a silicon substrate with an oxide film, the same as in Example 3 was prepared, and the resist was peeled off. ⁇ ⁇ Conditions were 80 ° C and 100 ° C for 5 minutes, respectively. After the resist is peeled off, rinse with water for 5 minutes, dry with a spindle, and use a surface inspection device (Surfscan4500) to check the particles and particles on the silicon wafer. For the purpose of examining the state of the haze and for comparison, the case where no fluorine-based surfactant was added was used.
  • a surface inspection device Surfscan4500
  • the sulfuric acid composition having a low surface tension according to the present invention has an extremely high cleaning effect at the time of removing the photoresist.

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Description

明 細 低表面張力硫酸組成物
〔技術分野〕
本発明 は、 特に、 半導体製造工程で使用す るの に適 し た低表面張力硫酸組成物に 関す る 。 さ ら に詳 し く 言え ば , 本発明 は、 特定の フ ルォ ロ ア ル キ ル ス ル ホ ン ア ミ ドィ匕合 物 を含有 し て な る 低表面張力硫酸組成物に 関す る 。
〔技術的背景 と そ の問題点〕
半導体製造工程に おい て、 硫酸は、 シ リ コ ン基板の洗 浄、 レ ジ ス ト 膜の除去、 エ ッ チ ン グ液の耝成の一部な ど に単独で、 ま た は他の物質 と 組み合わせて使用 さ れて い る 。
近年、 集積回路の高密度化に と も な い、 パ タ ー ン の微 細化、 ト レ ン チ構造 (微細な深い溝) な どの複雑化が余 儀な く さ れて い る が、 こ の よ う な場合に おいて、 従来の 硫酸を使用 す る と 、 表面張力が大 き く 、 濡れ性が悪い た め 、 例え ば、 ト レ ン チ 内 に 浸透 し難 く 、 洗浄が不十分に な る な どの不都合があ り 、 従 っ て、 表面張力が小さ く 、 濡れ性の良い硫酸組成物の開発が強 く 望ま れて い る 現状 に あ る 。
界面活性剤を用 い る こ と に よ り 硫酸の表面張力を低下 さ せる こ と が期待さ れ る が、 高温の硫酸、 特に酸化力の 非常に強い、 硫酸 と 過酸化水素水の混合液中で安定な界 面活性剤は そ の種類が非常に限定さ れ る結果、 実用 に供 し得る ほ どの界面活性剤も なかなか見出す こ と は困難な 情況に あ る 。
本発明者 ら は、 種 々界面活性剤について研究を行 っ た 結果、 フ ッ 素系界面活性剤の なかでも 、 特定の フ ッ 素系 界面活性剤が硫酸 と 過酸化水素水の高温の混合液中で安 定であ り 、 表面張力を低下さ せ る こ と を見いだ し た。 本 発明は、 かかる 知見に基づいて な さ れた も のであ る 。 〔発明の開示〕
本発明は、 低表面張力で、 濡れ性が よ く 、 さ ら に耐熱 性、 耐酸化性の点に おい て も 極め て優れた性質 を有す る 硫酸組成物を提供す る こ と を 目 的 と-す る も の であ る 。
本発明 、 特に、 半導体製造工程で使用 さ れ る 低表面 張力硫酸組成物に 関す る 。 す な わ ち 、 本癸明 は、 一般 式、
R 1 S02 NR 2 C 2 H 40A 〔 I 〕
(式中、 は フ ルォ ロ ア ル キ ル基を表わ し、 R 2は水素原 子ま た は低級アル キ ル基を表わ し、 A は H ま た は S03 Hを 表わす。 ) で示さ れ る フ ル ォ ロ ア ル キ ル ス ル ホ ン ア ミ ド 化合物 よ り な る フ ッ 素系界面活性剤を硫酸に含有せ し め た こ と を特徵 と す る 低表面張力硫酸祖成物を提供す る も の であ る 。 以下に、 本発明 を詳細に説明す る 。
本発明の钽成稔に おいて使用 さ れる フ ル.ォ ロ ア ル キ ル ス ルホ ン ア ミ ド化合物は、 例えば、 米国特許 2 , 8 0 3 , 6 5 6 号に記載さ れ、 市販も さ れてい る 物質であ り 、 容易に入 手可能の も のであ る 。 こ の ス ル ホ ン ア ミ ド化合物は、 分 子中に ナ ト リ ウ ム 、 カ リ ウ ム 、 カ ル シ ウ ム等の金属を含 有 して い な い ので、 半導体に対 し、 何 らの悪影響を及ぼ す こ と がな い。
本発明の低表面張力硫酸耝成物に おいては、 上記の式 〔 I 〕で表わ さ れる ス ル ¾ ン ア ミ ドィヒ合物の適当 な量を 硫 酸に添加 し溶解 さ せ f> 。
上記の ス ル ホ ン ア ミ ド化合物の添加量は、 硫酸に対 し て 0 - 001 ~ 0. 1重量% であ り 、 よ り 好ま し く は 0.005〜 0-05重量%であ る 。 上記下限量 よ り 少な い場合は添加効 果が見 られず、 一方、 上記の上限量 を越えて使用 し て も , それ以上の効杲は得 ら れな い の で、 その意味がな い。
本発明の低表面張力硫酸組成物は、 従来の硫酸に比べ て表面張力が約 1 / 4 と 小さ く 、 ま た シ リ コ ン基板に対す る接触角 .も小 さ く 、 ト レ ン チ構造の微細な溝に浸透 し易 く な り 、 その ため洗浄効果が著 し く 向上する 。 ま た、 過 酸化水素水 と の混合液の状態、 すな わ ち非常に大 き な酸 化力 に対する 状態に おかれて も 安定であ り 、 そ の性質は 持铳 さ れ る 。
以下に、 本発明の実施例を比铰例 と 共に示す。
実施例 1 〜 4 : 表面張力
89重量%硫酸に フ ッ 素系界面活性剤 と して フ ルォ ロ ア ル キ ル ス ノレ ホ ン ァ ミ ド 〔式( I :)に お レ、 て R 1が C β F , 7、 R 2が C3H7、 Aが H ま た は SO 3 H〕を 0 - 005重量%含有せ し め た耝 成物な ら びに 同 じ く 0-01重量%含有せ し め た祖成物 を そ れぞれ調製 し、 そ の各組成物の 20。Cに おける 表面張力 を
新たな用紙 ウ ィ ルヘル ミ 一法に よ り 測定 した。 ま た、 比铰のた め フ -/ 素系界面活性剤 を添加 し ない場合およ び市販の他の フ フ 素系界面活性剤 2 種 (表 1 中、 Fl、 F2と し て表示さ れ てい る ) を使用 し た場合について も 測定 した。 結果を 表 1 に示す。
表 1
Figure imgf000006_0001
F1 : く一フ ジレ オ ロ ア ノレ キ ノレベ タ ィ ン
F2: パ ー フ ル ォ ロ ア ル キ ル ア ミ ン ォ キ サ イ ド 実施例 5〜 7 :安定性 '
フ ッ 素系界面活性剤 と し て フ ル ォ ロ ア ル キ ル ス ル ホ ン ア ミ ド 〔式( I )中、 が、 CeF17、 R2が C3H7、 A は H〕 を 0.01重量%添加溶解さ せた硫酸 と 30重量%過酸化水素水 と を 4 : 1 (容量比) に混合 して試験用組成物 を調製 し
新たな用紙 た。 そ の組成物について、 各 々 80°C、 100°C、 130。Cの各 温度で加温維持 し、 次に 、 各 々 、 30分後、 60分後、 90分 後、 120分後の それぞれの時点でサ ン プ リ ン グ して 25 °C に おけ る 表面張力 を ウ ィ ル ヘル ミ 一法に よ り 測定 し た。 ま た、 比較のため フ ッ 素系界面活性剤を添加 し な い場合 お よ び市販の他の フ ッ 素系界面活性剤 2 種 (表 2 中、 F3、 F4と し て表示 さ れて い る ) を使用 し た場合について も 測 定 し た。 結果を表 2 に示す。
表 2
Figure imgf000007_0001
F3: パーフルォロアルキルスルホン酸塩
F4: パーフルォロアルキルカルポン酸塩 実施例並びに比較例の結果か ら も 明 ら かな よ う に本発 明の低表面張力硫酸組成物は、 .加熱お よ び酸化に対す る 抵抗性の点において も 極め て優れた性質を有 し て い る 。 実施例 8〜 12 :洗浄効果 (1)
ベア シ リ コ ン ゥ ヱ ハ ー基板上に ポ ジ型フ ォ ト レ ジ ス ト OFPR-800 (東京応ィ匕製) を 1 .3#πの厚さに塗布し、 90°C, 1 0分間 ブ レベー キ ン グ したのち、 さ ら に 150 °C、 30分間 ポ ス ト べ一 ク を行 っ た。 フ ッ 素系界面活性剤 と して フ ル ォ ロ ア ル キ ル ス ノレ ホ ア ミ ド 〔式( I )中、 R 1力; C β F t 72 が C3H7、 A は H 〕 を 0-01重量%添加溶解さ せた硫酸 と 30 重量%過酸化水素水 と を 4 : 1 (容量比) に混合 し て試 験用組成物を調製 し た。 こ の組成物を用 いて、 ポ ス ト べ — ク 後の-レ ジ ス 卜 の剝雜をお こ な っ た。 剥離条件は、 80 °Cで各 々 5 分間、 10分間、 15分間、 100。Cで各 々 5 分間、 10分間お こ な っ た。 レ ジ ス ト ¾離後は水で 5 分間 リ ン ス N2ガ ス で ブ ロ ー後、 表面検査装置 ( Surfscan4500) に て シ リ コ ン ゥ ヱ ハ ー上のノく ー テ ィ ク ル及びヘ イ ズの状態を 調べた。 又、 比較のため フ ッ 素系界面活性剤 を添加 し な い場合に ついて も 剥離試験を お こ な い シ リ コ ン ゥ ヱ ハ ー 上のパー テ ィ ク ル及びヘ イ ズの状態 を調べた。 結果を表 3 に示す。
新た な 紙 表 3
Figure imgf000009_0001
実施例 13, 14 : 洗浄効果(2)
酸化膜付 シ リ コ ン ゥ ヱ ハ ー基板上に 、 実施例一 3 と 同 —条件で処理 し レ ジ ス ト 膜を形成 し た後、 実施例 3 と 同 —条件の試験用祖成物 を調製 し、 レ ジ ス ト の剥離を お こ な っ た。 剝齄条件は、 各 々 80 °C、 100 °Cで 5 分間お こ な つ た 。 レ ジ ス ト 剥離後は水で 5 分間 リ ン ス 、 ス ピ ン ド ラ ィ で乾燥後、 表面検査装置 ( Surf scan4500) に て シ リ コ ン ゥ ヱ ハ ー上のパー テ ィ ク ル及びヘ イ ズの状態を調べた ま た比較のた め に、 フ ッ 素系界面活性剤 を添加 し な い場 W
(8)
合について も 、 剥離試験を お こ な い、 シ リ コ ン ウ ェ ハー 上のパー テ ィ ク ル及びヘ イ ズの状態を調べた。 結果を表 4 に示す。
表 4 "
10
Figure imgf000010_0001
実施例並びに比較例の結果か ら も 明 ら かな よ う に、 本
15
発明の低表面張力硫酸組成物は ホ ト レ ジ ス 卜 の剥離時に おいて極め て高い洗浄効果があ る 。
20
25

Claims

請 求 の 範 囲
(1) 一般式 ,
Figure imgf000011_0001
C I 〕
(式中、 R1は フ ル ォ ロ ア ル キ ル基を表わ し、 R2は水素 原子 ま た は低級 ア ル キ ル基 を 表わ し 、 A は H ま た は S03Hを表わす。 ) で示 さ れ る フ ルォ ロ ア ル キ ル ス ル ホ ン ァ .ミ ド化合物 よ り な る フ ッ 素系界面活性剤を硫酸に 含有せ し め た こ と を 特徵 と す る 低表面張力硫酸組成 W。
(2) 前記の フ ル ォ ロ ア ル キ ル ス ル ホ ン ア ミ ド化合物の添 加量が、 硫酸に対 し て 0.001〜 0.1重量%であ る 請求項 1 に記載の低表面張力硫酸組成物。 -
(3) 前記硫酸を過酸化水素 と の混合液 と し た請求項 1 又 は請求項 2 に記載の低表面張力硫酸組成物。
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