WO1990010730A1 - Sulfuric acid composition having low surface tension - Google Patents
Sulfuric acid composition having low surface tension Download PDFInfo
- Publication number
- WO1990010730A1 WO1990010730A1 PCT/JP1990/000345 JP9000345W WO9010730A1 WO 1990010730 A1 WO1990010730 A1 WO 1990010730A1 JP 9000345 W JP9000345 W JP 9000345W WO 9010730 A1 WO9010730 A1 WO 9010730A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- surface tension
- low surface
- acid composition
- composition
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/004—Surface-active compounds containing F
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
Definitions
- the present invention particularly relates to a low surface tension sulfuric acid composition suitable for use in a semiconductor manufacturing process. More specifically, the present invention relates to a low surface tension sulfuric acid composition containing a specific fluoroalkylsulfone amide compound.
- sulfuric acid is used alone or for other purposes, such as for cleaning silicon substrates, removing resist films, and forming part of an etching solution. It is used in combination with a substance.
- surfactants Although the use of surfactants is expected to lower the surface tension of sulfuric acid, it is expected that high-temperature sulfuric acid, especially a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide with a very strong oxidizing power, will be used.
- high-temperature sulfuric acid especially a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide with a very strong oxidizing power
- surfactants that are stable in the environment their types are very limited, so that they can be put to practical use. It is difficult to find as many surfactants as possible.
- the present inventors have conducted research on various surfactants.
- a specific fluorine-based surfactant was prepared by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide at a high temperature. It was found to be stable in the liquid and reduce the surface tension.
- the present invention has been made based on such knowledge. [Disclosure of the Invention]
- An object of the present invention is to provide a sulfuric acid composition having low surface tension, good wettability, and extremely excellent properties in terms of heat resistance and oxidation resistance. It is a target.
- the present invention particularly relates to a low surface tension sulfuric acid composition used in a semiconductor manufacturing process. That is, Honkiaki is a general formula,
- a low surface tension sulfuric acid characterized by containing a fluorine-based surfactant consisting of a fluoroalkylsulfonamide compound represented by the formula: It is a product that provides an ancestor.
- the fluoroalkylsulfonamide compound used in the present invention is described, for example, in US Pat. No. 2,803,656, and is commercially available. It is a substance that is being used and can be easily obtained. This sulfonamide compound Since the element does not contain metals such as sodium, potassium, and calcium, it has no adverse effect on semiconductors.
- the amount of the sulfonamide compound to be added is from 0 to 001 to 0.1% by weight, more preferably from 0.005 to 0-05% by weight, based on sulfuric acid. If the amount is less than the above lower limit, no effect is obtained. On the other hand, if the amount exceeds the above upper limit, no further effect is obtained, so there is no meaning. .
- the low surface tension sulfuric acid composition of the present invention has a surface tension about 1/4 smaller than that of conventional sulfuric acid, and a small contact angle with a silicon substrate. It is easy to penetrate into the fine grooves of the structure, so that the cleaning effect is remarkably improved. Further, even in a state of a mixed solution with hydrogen peroxide solution, that is, a state against a very large oxidizing power, it is stable, and its properties are retained.
- New paper Was. For the composition, 80 ° C, 100 ° C, 130 respectively. Heat at each temperature of C, then sample at 25 ° C at 30 minutes, 60 minutes, 90 minutes, and 120 minutes after each, respectively. The surface tension was measured by the Wilhelmy method. In addition, for comparison, no fluorine-based surfactant was added and two other commercially available fluorine-based surfactants (labeled as F3 and F4 in Table 2). ) was also measured. Table 2 shows the results.
- a bare silicon substrate is coated with a photoresist type OFPR-800 (manufactured by Tokyo Ohridi) to a thickness of 1.3 # ⁇ on a substrate with a 90 ° C
- post-baking was performed at 150 ° C for 30 minutes.
- fluorosurfactant fluoroalkylsnorreamide [in the formula (I), R 1 force; C ⁇ Ft 7 and 2 are C 3 H 7 , and A is H] was added to and dissolved in 0-01% by weight of sulfuric acid and 30% by weight of aqueous hydrogen peroxide in a ratio of 4: 1 (by volume) to prepare a test composition. Using this composition, the post-post-registration of the registry was performed.
- the stripping conditions were 80 ° C for 5 minutes, 10 minutes, 15 minutes and 100, respectively. Each student spent 5 and 10 minutes at C. Re g DOO 3 ⁇ 4 Hanarego after blanking b over by Li down scan N 2 gas for 5 minutes with water, the surface inspection apparatus (Surfscan4500) Te on sheet re co down ⁇ ha over carbonochloridate over Te I click Le And the haze condition. For comparison, the peeling test was not performed even when the fluorine-based surfactant was not added. The state of particles and haze on silicon wafers was not changed. Examined. Table 3 shows the results.
- Example 3 After processing under the same conditions as in Example 13 and forming a resist film on a silicon substrate with an oxide film, the same as in Example 3 was prepared, and the resist was peeled off. ⁇ ⁇ Conditions were 80 ° C and 100 ° C for 5 minutes, respectively. After the resist is peeled off, rinse with water for 5 minutes, dry with a spindle, and use a surface inspection device (Surfscan4500) to check the particles and particles on the silicon wafer. For the purpose of examining the state of the haze and for comparison, the case where no fluorine-based surfactant was added was used.
- a surface inspection device Surfscan4500
- the sulfuric acid composition having a low surface tension according to the present invention has an extremely high cleaning effect at the time of removing the photoresist.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)
Description
明 細 低表面張力硫酸組成物
〔技術分野〕
本発明 は、 特に、 半導体製造工程で使用す るの に適 し た低表面張力硫酸組成物に 関す る 。 さ ら に詳 し く 言え ば , 本発明 は、 特定の フ ルォ ロ ア ル キ ル ス ル ホ ン ア ミ ドィ匕合 物 を含有 し て な る 低表面張力硫酸組成物に 関す る 。
〔技術的背景 と そ の問題点〕
半導体製造工程に おい て、 硫酸は、 シ リ コ ン基板の洗 浄、 レ ジ ス ト 膜の除去、 エ ッ チ ン グ液の耝成の一部な ど に単独で、 ま た は他の物質 と 組み合わせて使用 さ れて い る 。
近年、 集積回路の高密度化に と も な い、 パ タ ー ン の微 細化、 ト レ ン チ構造 (微細な深い溝) な どの複雑化が余 儀な く さ れて い る が、 こ の よ う な場合に おいて、 従来の 硫酸を使用 す る と 、 表面張力が大 き く 、 濡れ性が悪い た め 、 例え ば、 ト レ ン チ 内 に 浸透 し難 く 、 洗浄が不十分に な る な どの不都合があ り 、 従 っ て、 表面張力が小さ く 、 濡れ性の良い硫酸組成物の開発が強 く 望ま れて い る 現状 に あ る 。
界面活性剤を用 い る こ と に よ り 硫酸の表面張力を低下 さ せる こ と が期待さ れ る が、 高温の硫酸、 特に酸化力の 非常に強い、 硫酸 と 過酸化水素水の混合液中で安定な界 面活性剤は そ の種類が非常に限定さ れ る結果、 実用 に供
し得る ほ どの界面活性剤も なかなか見出す こ と は困難な 情況に あ る 。
本発明者 ら は、 種 々界面活性剤について研究を行 っ た 結果、 フ ッ 素系界面活性剤の なかでも 、 特定の フ ッ 素系 界面活性剤が硫酸 と 過酸化水素水の高温の混合液中で安 定であ り 、 表面張力を低下さ せ る こ と を見いだ し た。 本 発明は、 かかる 知見に基づいて な さ れた も のであ る 。 〔発明の開示〕
本発明は、 低表面張力で、 濡れ性が よ く 、 さ ら に耐熱 性、 耐酸化性の点に おい て も 極め て優れた性質 を有す る 硫酸組成物を提供す る こ と を 目 的 と-す る も の であ る 。
本発明 、 特に、 半導体製造工程で使用 さ れ る 低表面 張力硫酸組成物に 関す る 。 す な わ ち 、 本癸明 は、 一般 式、
R 1 S02 NR 2 C 2 H 40A 〔 I 〕
(式中、 は フ ルォ ロ ア ル キ ル基を表わ し、 R 2は水素原 子ま た は低級アル キ ル基を表わ し、 A は H ま た は S03 Hを 表わす。 ) で示さ れ る フ ル ォ ロ ア ル キ ル ス ル ホ ン ア ミ ド 化合物 よ り な る フ ッ 素系界面活性剤を硫酸に含有せ し め た こ と を特徵 と す る 低表面張力硫酸祖成物を提供す る も の であ る 。 以下に、 本発明 を詳細に説明す る 。
本発明の钽成稔に おいて使用 さ れる フ ル.ォ ロ ア ル キ ル ス ルホ ン ア ミ ド化合物は、 例えば、 米国特許 2 , 8 0 3 , 6 5 6 号に記載さ れ、 市販も さ れてい る 物質であ り 、 容易に入 手可能の も のであ る 。 こ の ス ル ホ ン ア ミ ド化合物は、 分
子中に ナ ト リ ウ ム 、 カ リ ウ ム 、 カ ル シ ウ ム等の金属を含 有 して い な い ので、 半導体に対 し、 何 らの悪影響を及ぼ す こ と がな い。
本発明の低表面張力硫酸耝成物に おいては、 上記の式 〔 I 〕で表わ さ れる ス ル ¾ ン ア ミ ドィヒ合物の適当 な量を 硫 酸に添加 し溶解 さ せ f> 。
上記の ス ル ホ ン ア ミ ド化合物の添加量は、 硫酸に対 し て 0 - 001 ~ 0. 1重量% であ り 、 よ り 好ま し く は 0.005〜 0-05重量%であ る 。 上記下限量 よ り 少な い場合は添加効 果が見 られず、 一方、 上記の上限量 を越えて使用 し て も , それ以上の効杲は得 ら れな い の で、 その意味がな い。
本発明の低表面張力硫酸組成物は、 従来の硫酸に比べ て表面張力が約 1 / 4 と 小さ く 、 ま た シ リ コ ン基板に対す る接触角 .も小 さ く 、 ト レ ン チ構造の微細な溝に浸透 し易 く な り 、 その ため洗浄効果が著 し く 向上する 。 ま た、 過 酸化水素水 と の混合液の状態、 すな わ ち非常に大 き な酸 化力 に対する 状態に おかれて も 安定であ り 、 そ の性質は 持铳 さ れ る 。
以下に、 本発明の実施例を比铰例 と 共に示す。
実施例 1 〜 4 : 表面張力
89重量%硫酸に フ ッ 素系界面活性剤 と して フ ルォ ロ ア ル キ ル ス ノレ ホ ン ァ ミ ド 〔式( I :)に お レ、 て R 1が C β F , 7、 R 2が C3H7、 Aが H ま た は SO 3 H〕を 0 - 005重量%含有せ し め た耝 成物な ら びに 同 じ く 0-01重量%含有せ し め た祖成物 を そ れぞれ調製 し、 そ の各組成物の 20。Cに おける 表面張力 を
新たな用紙
ウ ィ ルヘル ミ 一法に よ り 測定 した。 ま た、 比铰のた め フ -/ 素系界面活性剤 を添加 し ない場合およ び市販の他の フ フ 素系界面活性剤 2 種 (表 1 中、 Fl、 F2と し て表示さ れ てい る ) を使用 し た場合について も 測定 した。 結果を 表 1 に示す。
表 1
F1 : く一フ ジレ オ ロ ア ノレ キ ノレベ タ ィ ン
F2: パ ー フ ル ォ ロ ア ル キ ル ア ミ ン ォ キ サ イ ド 実施例 5〜 7 :安定性 '
フ ッ 素系界面活性剤 と し て フ ル ォ ロ ア ル キ ル ス ル ホ ン ア ミ ド 〔式( I )中、 が、 CeF17、 R2が C3H7、 A は H〕 を 0.01重量%添加溶解さ せた硫酸 と 30重量%過酸化水素水 と を 4 : 1 (容量比) に混合 して試験用組成物 を調製 し
新たな用紙
た。 そ の組成物について、 各 々 80°C、 100°C、 130。Cの各 温度で加温維持 し、 次に 、 各 々 、 30分後、 60分後、 90分 後、 120分後の それぞれの時点でサ ン プ リ ン グ して 25 °C に おけ る 表面張力 を ウ ィ ル ヘル ミ 一法に よ り 測定 し た。 ま た、 比較のため フ ッ 素系界面活性剤を添加 し な い場合 お よ び市販の他の フ ッ 素系界面活性剤 2 種 (表 2 中、 F3、 F4と し て表示 さ れて い る ) を使用 し た場合について も 測 定 し た。 結果を表 2 に示す。
表 2
F3: パーフルォロアルキルスルホン酸塩
F4: パーフルォロアルキルカルポン酸塩 実施例並びに比較例の結果か ら も 明 ら かな よ う に本発 明の低表面張力硫酸組成物は、 .加熱お よ び酸化に対す る 抵抗性の点において も 極め て優れた性質を有 し て い る 。
実施例 8〜 12 :洗浄効果 (1)
ベア シ リ コ ン ゥ ヱ ハ ー基板上に ポ ジ型フ ォ ト レ ジ ス ト OFPR-800 (東京応ィ匕製) を 1 .3#πの厚さに塗布し、 90°C, 1 0分間 ブ レベー キ ン グ したのち、 さ ら に 150 °C、 30分間 ポ ス ト べ一 ク を行 っ た。 フ ッ 素系界面活性剤 と して フ ル ォ ロ ア ル キ ル ス ノレ ホ ア ミ ド 〔式( I )中、 R 1力; C β F t 7、 2 が C3H7、 A は H 〕 を 0-01重量%添加溶解さ せた硫酸 と 30 重量%過酸化水素水 と を 4 : 1 (容量比) に混合 し て試 験用組成物を調製 し た。 こ の組成物を用 いて、 ポ ス ト べ — ク 後の-レ ジ ス 卜 の剝雜をお こ な っ た。 剥離条件は、 80 °Cで各 々 5 分間、 10分間、 15分間、 100。Cで各 々 5 分間、 10分間お こ な っ た。 レ ジ ス ト ¾離後は水で 5 分間 リ ン ス N2ガ ス で ブ ロ ー後、 表面検査装置 ( Surfscan4500) に て シ リ コ ン ゥ ヱ ハ ー上のノく ー テ ィ ク ル及びヘ イ ズの状態を 調べた。 又、 比較のため フ ッ 素系界面活性剤 を添加 し な い場合に ついて も 剥離試験を お こ な い シ リ コ ン ゥ ヱ ハ ー 上のパー テ ィ ク ル及びヘ イ ズの状態 を調べた。 結果を表 3 に示す。
新た な 紙
表 3
実施例 13, 14 : 洗浄効果(2)
酸化膜付 シ リ コ ン ゥ ヱ ハ ー基板上に 、 実施例一 3 と 同 —条件で処理 し レ ジ ス ト 膜を形成 し た後、 実施例 3 と 同 —条件の試験用祖成物 を調製 し、 レ ジ ス ト の剥離を お こ な っ た。 剝齄条件は、 各 々 80 °C、 100 °Cで 5 分間お こ な つ た 。 レ ジ ス ト 剥離後は水で 5 分間 リ ン ス 、 ス ピ ン ド ラ ィ で乾燥後、 表面検査装置 ( Surf scan4500) に て シ リ コ ン ゥ ヱ ハ ー上のパー テ ィ ク ル及びヘ イ ズの状態を調べた ま た比較のた め に、 フ ッ 素系界面活性剤 を添加 し な い場
W
(8)
合について も 、 剥離試験を お こ な い、 シ リ コ ン ウ ェ ハー 上のパー テ ィ ク ル及びヘ イ ズの状態を調べた。 結果を表 4 に示す。
表 4 "
実施例並びに比較例の結果か ら も 明 ら かな よ う に、 本
15
発明の低表面張力硫酸組成物は ホ ト レ ジ ス 卜 の剥離時に おいて極め て高い洗浄効果があ る 。
20
25
Claims
(1) 一般式 ,
(式中、 R1は フ ル ォ ロ ア ル キ ル基を表わ し、 R2は水素 原子 ま た は低級 ア ル キ ル基 を 表わ し 、 A は H ま た は S03Hを表わす。 ) で示 さ れ る フ ルォ ロ ア ル キ ル ス ル ホ ン ァ .ミ ド化合物 よ り な る フ ッ 素系界面活性剤を硫酸に 含有せ し め た こ と を 特徵 と す る 低表面張力硫酸組成 W。
(2) 前記の フ ル ォ ロ ア ル キ ル ス ル ホ ン ア ミ ド化合物の添 加量が、 硫酸に対 し て 0.001〜 0.1重量%であ る 請求項 1 に記載の低表面張力硫酸組成物。 -
(3) 前記硫酸を過酸化水素 と の混合液 と し た請求項 1 又 は請求項 2 に記載の低表面張力硫酸組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE69027266T DE69027266T2 (de) | 1989-03-15 | 1990-03-15 | Schwefelsäurezusammensetzung mit niedriger oberflächenspannung |
US07/602,223 US5326490A (en) | 1989-03-15 | 1990-03-15 | Surface tension sulfuric acid composition |
KR1019900702174A KR100193345B1 (ko) | 1989-03-15 | 1990-03-15 | 저 표면장력 황산 조성물 |
EP90904682A EP0416126B1 (en) | 1989-03-15 | 1990-03-15 | Sulfuric acid composition having low surface tension |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1060765A JP2894717B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 低表面張力硫酸組成物 |
JP1/60765 | 1989-03-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO1990010730A1 true WO1990010730A1 (en) | 1990-09-20 |
Family
ID=13151700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP1990/000345 WO1990010730A1 (en) | 1989-03-15 | 1990-03-15 | Sulfuric acid composition having low surface tension |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5326490A (ja) |
EP (1) | EP0416126B1 (ja) |
JP (1) | JP2894717B2 (ja) |
KR (1) | KR100193345B1 (ja) |
DE (1) | DE69027266T2 (ja) |
WO (1) | WO1990010730A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3217116B2 (ja) * | 1992-03-06 | 2001-10-09 | 日産化学工業株式会社 | 低表面張力洗浄用組成物 |
KR100528266B1 (ko) * | 1996-03-22 | 2006-03-09 | 바스프 악티엔게젤샤프트 | 건식에칭후측벽잔류물제거용용액및제거방법 |
DE69729553T2 (de) * | 1996-03-22 | 2005-08-18 | Merck Patent Gmbh | Lösungen und verfahren zur entfernung der seitlichen ablagerungen nach einem trocknätzschritt |
US5861064A (en) * | 1997-03-17 | 1999-01-19 | Fsi Int Inc | Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries |
KR100848107B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
TWI304439B (en) * | 2003-01-30 | 2008-12-21 | Merck Kanto Advanced Chemical | Solution for removal residue of post dry etch |
US20040163681A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-08-26 | Applied Materials, Inc. | Dilute sulfuric peroxide at point-of-use |
JP4428995B2 (ja) | 2003-12-03 | 2010-03-10 | 関東化学株式会社 | 金属膜のエッチング液組成物 |
US7294610B2 (en) * | 2004-03-03 | 2007-11-13 | 3M Innovative Properties Company | Fluorinated sulfonamide surfactants for aqueous cleaning solutions |
WO2010074878A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | 3M Innovative Properties Company | Aqueous composition containing fluorinated sulfonamide and sulfonamidate compounds |
US11193059B2 (en) | 2016-12-13 | 2021-12-07 | Current Lighting Solutions, Llc | Processes for preparing color stable red-emitting phosphor particles having small particle size |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62109985A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Asahi Glass Co Ltd | エツチング用組成物 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3038985A1 (de) * | 1980-10-15 | 1982-05-27 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zum saeurepolieren von glas |
DE3583583D1 (de) * | 1984-11-17 | 1991-08-29 | Daikin Ind Ltd | Aetzzusammensetzung. |
JPS6345461A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-26 | Nissan Motor Co Ltd | デイ−ゼル機関の燃料噴射時期検出装置 |
GB8701759D0 (en) * | 1987-01-27 | 1987-03-04 | Laporte Industries Ltd | Processing of semi-conductor materials |
JPS63276774A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気ディスク装置 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1060765A patent/JP2894717B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-15 KR KR1019900702174A patent/KR100193345B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-03-15 WO PCT/JP1990/000345 patent/WO1990010730A1/ja active IP Right Grant
- 1990-03-15 EP EP90904682A patent/EP0416126B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-15 DE DE69027266T patent/DE69027266T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-15 US US07/602,223 patent/US5326490A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62109985A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Asahi Glass Co Ltd | エツチング用組成物 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
See also references of EP0416126A4 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0416126B1 (en) | 1996-06-05 |
JP2894717B2 (ja) | 1999-05-24 |
KR100193345B1 (ko) | 1999-06-15 |
KR920700279A (ko) | 1992-02-19 |
EP0416126A4 (en) | 1991-10-02 |
EP0416126A1 (en) | 1991-03-13 |
US5326490A (en) | 1994-07-05 |
JPH02240285A (ja) | 1990-09-25 |
DE69027266T2 (de) | 1996-10-02 |
DE69027266D1 (de) | 1996-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW527409B (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
TWI659088B (zh) | 蝕刻組成物 | |
KR900000739B1 (ko) | 부식제 조성물 | |
JP2007531006A (ja) | パターン化されたイオン注入フォトレジストのウエハーから裏面反射防止膜を除去するのに有用な組成物 | |
JP2008547050A (ja) | 硬化フォトレジスト、エッチング後残渣および/または下層反射防止コーティング層の除去のための濃厚流体組成物 | |
EP0159579A2 (en) | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions | |
TW201333171A (zh) | 選擇性蝕刻氮化鈦之組成物及方法 | |
JP3217116B2 (ja) | 低表面張力洗浄用組成物 | |
JP2007526944A (ja) | 水性クリーニング溶液のためのフッ素化スルホンアミド界面活性剤 | |
KR20010024201A (ko) | 수성 세정 조성물 | |
WO1990010730A1 (en) | Sulfuric acid composition having low surface tension | |
EP0470957A1 (en) | ETCHING SOLUTION FOR METAL LAYERS ENGRAVED BY A PHOTORESISTANT. | |
JPH0694596B2 (ja) | Nh4f/hf系の二酸化ケイ素エッチング液およびその製法 | |
WO2008071077A1 (fr) | Composé nettoyant pour éliminer un photorésist | |
JP3309392B2 (ja) | 濡れ性に優れた半導体用ウエットエッチング組成物 | |
JP2010536065A (ja) | 金属塩を含有する剥離液を用いる金属エッチレートの低減 | |
CN108431931A (zh) | 用于化学机械抛光后清洁的组合物 | |
JP2008538013A (ja) | 溶媒系中の自己組織化単分子膜を用いた高線量イオン注入フォトレジストの除去 | |
WO2019167970A1 (ja) | アルミナのダメージを抑制した組成物及びこれを用いた半導体基板の製造方法 | |
WO2010037263A1 (zh) | 一种光刻胶清洗剂 | |
JP2569574B2 (ja) | 半導体処理剤 | |
JPH05275406A (ja) | 硫酸組成物 | |
JPH09286999A (ja) | シリコンウェハ洗浄用組成物 | |
JP3261819B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
JPH05275407A (ja) | 硫酸組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AK | Designated states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): KR US |
|
AL | Designated countries for regional patents |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE FR GB IT NL |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 1990904682 Country of ref document: EP |
|
WWP | Wipo information: published in national office |
Ref document number: 1990904682 Country of ref document: EP |
|
WWG | Wipo information: grant in national office |
Ref document number: 1990904682 Country of ref document: EP |