UA73816C2 - Magnetic field strength transducer - Google Patents

Magnetic field strength transducer Download PDF

Info

Publication number
UA73816C2
UA73816C2 UA2003065532A UA2003065532A UA73816C2 UA 73816 C2 UA73816 C2 UA 73816C2 UA 2003065532 A UA2003065532 A UA 2003065532A UA 2003065532 A UA2003065532 A UA 2003065532A UA 73816 C2 UA73816 C2 UA 73816C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
magnetic field
semiconductor layer
terminals
converter
field strength
Prior art date
Application number
UA2003065532A
Other languages
English (en)
Inventor
Inesa Antonivna Bolshakova
Roman Liubomyrovych Holiaka
Original Assignee
Inesa Antonivna Bolshakova
Roman Liubomyrovych Holiaka
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inesa Antonivna Bolshakova, Roman Liubomyrovych Holiaka filed Critical Inesa Antonivna Bolshakova
Priority to UA2003065532A priority Critical patent/UA73816C2/uk
Publication of UA73816C2 publication Critical patent/UA73816C2/uk

Links

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

Опис винаходу
Винахід стосується напівпровідникових сенсорів магнітного поля, що використовують ефект Холла. 2 Відомий вимірювальний перетворювач магнітного поля, який містить напівпровідникову область, типово прямокутної форми, та чотири виводи - по одному на кожній стороні напівпровідникової області. Два навпроти розміщені виводи є струмовими, а два інші - потенційними (К.5. Ророміс, Наїї Еб/есі ЮОемісез, Адат Ніїдег,
Вгізіо!ї, Рпїадеї!рніа апа Мем/ Могк, 1991. Р.61). Такий перетворювач дозволяє вимірювати індукцію магнітного поля. В першому наближенні холлівська напруга перетворювача М, (вихідний сигнал) визначається як
МНЕК.І.В.віпо, де К - коефіцієнт пропорційності; І - робочий струм перетворювача; В - індукція магнітного поля; віпо, - синус кута між вектором індукції та площиною напівпровідникового шару.
Однак, недоліком такого перетворювача є, по-перше, неможливість вимірювати просторовий розподіл магнітного поля без відповідного просторового переміщення перетворювача, і по-друге, неможливість т вимірювати магнітне поле, вектор індукції якого лежить в паралельній до напівпровідникової області площині.
Найближчим аналогом є відомий вимірювальний перетворювач магнітного поля, що містить напівпровідниковий шар прямокутної форми, два струмові контакти та декілька пар потенційних контактів, сформованих по периметру напівпровідникового шару, причому потенційні контакти знаходяться між струмовими контактами та є попарно симетричними відносно осі напівпроводникового шару, тобто лінії, що проходить через його центр і є паралельною його довшій стороні |Большакова І.А., Гумен І.С., Мороз А.П., Московець Т.А.
Магнітний мультисенсор. Патент на винахід Мо52637. Україна. Бюл. Мо1, 2003р.). Різниця напруг на кожній парі потенційних виводів такого перетворювача є пропорційною значенню струму через струмові виводи та індукції магнітного поля в області напівпровідникового шару, яка знаходиться між потенційними виводами.
Маючи декілька пар потенційних виводів, такий перетворювач дозволяє проводити вимірювання магнітного сч поля одночасно в декількох точках простору, тобто, вимірювати просторовий розподіл магнітного поля без Го) переміщення перетворювача відносно магнітного поля.
Однак, цей перетворювач дозволяє вимірювати лише компоненту магнітного поля, направлену перпендикулярно до напівпровідникового шару, що обмежує його функціональні можливості. Частковим вирішенням проблеми вимірювання магнітних полів з вектором індукції, який знаходиться в паралельній площині ї-о до напівпровідникового шару перетворювача є використання принаймні двох перетворювачів, напівпровідникові че шари яких є взаємно повернуті в просторі (переважно під прямим кутом). Принциповим недоліком такого рішення є те, що внаслідок наявності виводів, які розміщені по периметру перетворювачів - наведених вище аналогів, їх со напівпровідникові шари не можуть бути просторово суміщеними. Це істотно погіршує просторову роздільну «9 здатність та точність вимірювання магнітних полів. Тому можна вважати, що використання декількох повернутих в просторі вище розглянутих перетворювачів, і, зокрема, перетворювача - найближчого аналога, не має ге практичного сенсу.
В основу винаходу поставлено задачу створити вимірювальний перетворювач магнітного поля, в якому введення нових елементів та зв'язків дозволяє розширити його функціональні можливості, а саме - забезпечити « дю вимірювання двох ортогональних проекцій вектора індукції магнітного поля, що, в свою чергу, підвищує з просторову роздільну здатність та точність вимірювання високоградієнтних магнітних полів. с Поставлене завдання досягається тим, що вимірювальний перетворювач магнітного поля, який містить :з» напівпровідниковий шар та декілька виводів, сформованих по периметру напівпровідникового шару, і в якому, згідно винаходу, напівпровідниковий шар виконано у вигляді просторового елемента, що складається з двох дзеркально симетричних плоских ділянок, причому площини цих ділянок та всіх виводів, приєднаних до них, -1 15 утворюють двогранний кут.
Таке виконання напівпровідникового шару дозволяє створити вимірювальний перетворювач магнітного поля, (95) який здатний вимірювати дві складові вектора індукції поля. Це розширює функціональні можливості со вимірювального перетворювача, зокрема, дає можливість вимірювання двох ортогональних проекцій вектора індукції магнітного поля. На відміну від найближчого аналога, завдяки тому, що дві по різному орієнтовані -о 70 чутливі до магнітного поля ділянки напівпровідникового шару перетворювача безпосередньо межують одна з
Ф одною по ребру утвореного ними двогранного кута, забезпечується висока просторова роздільна здатність та точність вимірювання високоградієнтних магнітних полів.
На Фіг. зображена схема вимірювального перетворювача магнітного поля, на якій показано напівпровідниковий шар 1. Напівпровідниковий шар має дві плоскі ділянки, які межують по ребру двогранного кута (вісь 7), утвореного ними, і до яких по їх периметру сформовано виводи 1х-5х та Ту-5у, причому ці дві
ГФ) ділянки симетричні відносно площини, що проходить по бісектрисі двогранного кута. Величина цього кута. р
Ге переважно становить 902. Ділянка напівпровідникового шару з виводами 1х, 2х, Зх, 4х та 5х лежить в площині
ХІ, а друга ділянка з виводами Ту, 2у, Зу, 4у та бу - в площині ХУ7. На Фіг. також зображено також вектор во індукції вимірюваного магнітного поля В та його проекції на осі Х та У.
В процесі вимірювання чутливу ділянку перетворювача, яка прилягає до ребра двогранного кута, розміщують в магнітному полі, просторовий розподіл якого вздовж осі 7 є предметом дослідження. По відношенню до відомих перетворювачів вищенаведених аналогів, процес вимірювання вихідних сигналів перетворювача згідно винаходу має принципову відмінність. 65 При проходженні через напівпровідниковий шар струму живлення вимірювального перетворювача на його вихідних (потенційних) виводах формуються напруги, які мають дві складові. Перша складова, яка зумовлена перерозподілом носіїв заряду, що дрейфують в електричному полі під дією сили Лоренца, є корисним сигналом.
Ця складова (холлівська напруга Мн) є функцією індукції магнітного поля в чутливій ділянці вимірювального перетворювача. Друга складова (синфазна складова Ме), яка дорівнює спаду напруги на напівпровідниковому шарі, є паразитною.
В перетворювачах - аналогах вихідний сигнал формується на парі потенційних виводів в диференційній формі, що дозволяє вважати синфазну складову сигналу М 5 рівною нулю, а вихідний сигнал рівним холлівській напрузі Мн. На відміну від цього, вихідні сигнали перетворювача згідно винаходу формуються на потенційних виводах, які не мають своєї пари. Таким чином, ці вихідні сигнали мають обидві вищезгадані складові, 7/0. Мошт-Мв"Мн, а тому потребують компенсації синфазної складової сигналу Ма. Для компенсації формують ряд опорних напруг Мо. Враховуючи дрейф синфазної складової Ме, який обумовлений магніторезистивним та терморезистивним ефектами опорні напруги Мо також повинні відповідно змінюватися.
Живлення вимірювального перетворювача, формування опорних напруг М о та вимірювання вихідних напруг здійснюється в такий спосіб. При кожному вимірюванні вибирають трійку суміжно розміщених виводів і струм /5 Живлення пропускають через крайні виводи трійки. На цих же виводах вимірюють напругу М, яка служить для формування опорної напруги М 0). Типово при однакових розмірах виводів та однаковій відстані між ними
Мо-М/у2. Вихідна напруга Моут, що є сумою холлівської та синфазної напруг, вимірюється як напруга між середнім виводом та одним з виводів трійки. Є очевидним, що синфазна складова Ме становить половину від напруги між крайніми виводами трійки Ме- Му2. Таким чином, результатом вимірювання буде 20. МоштМоМавяМн-Мо-мугМ н-Му2 М н, тобто холлівська напруга.
В таблиці наведено комбінації виводів перетворювача (Фіг.), спосіб формування його корисних сигналів та інформативне магнітне поле, яке обумовлює корисний сигнал. Перетворювач дозволяє виміряти дві ортогональні складові магнітного поля В у, Ву в трьох ділянках простору, які відповідають ділянкам напівпровідникового шару між виводами 2х-2у, Зх-Зу та 4х-4у. сч щі о о » й со 111111 Музрмвдує) 00 Ва со
Зо Виготовляють вимірювальний перетворювач використовуючи технологію об'ємних або тонкоплівкових - структур. При виготовленні перетворювача на тонкоплівкових структурах його напівпровідниковий шар та виводи наносять на підкладку, після чого здійснюють розділення на дзеркально симетричні ділянки та їх поворот на потрібний кут разом з підкладкою. «
На відміну від найближчого аналога, завдяки безпосередній просторовій близькості чутливих ділянок напівпровідникового шару перетворювача згідно винаходу забезпечується висока просторова роздільна в) с здатність, а отже точність вимірювання високоградієнтних магнітних полів. Просторова роздільна здатність "» такого перетворювача залежить від ширини ділянок напівпровідникового шару між виводами та ребром " двогранного кута ними утвореного. Ця ширина може бути зроблена малою (типово менше декількох десятків мікрометрів, що визначається параметрами фотолітографії та травлення плівки).
Таким чином, просторова роздільна здатність вимірювального перетворювача згідно винаходу не перевищує - декілька десятків мікрометрів. Як вище відзначалось, наявність виводів, які розміщені по периметру відомого со перетворювача, не дозволяє просторово сумістити напівпровідникові шари до відстані менше декількох міліметрів. Таким чином, просторова роздільна здатність та і обумовлена нею точність вимірювального со перетворювача згідно винаходу покращені на два порядки. - 50
Ф

Claims (1)

  1. Формула винаходу
    Вимірювальний перетворювач магнітного поля, що містить напівпровідниковий шар та декілька виводів,
    сформованих по периметру напівпровідникового шару, який відрізняється тим, що напівпровідниковий шар о виконаний на просторовому елементі, який складається з двох дзеркально симетричних плоских ділянок, причому площини цих ділянок та всіх виводів, приєднаних до них, утворюють двогранний кут. іме) 60 б5
UA2003065532A 2003-06-13 2003-06-13 Magnetic field strength transducer UA73816C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA2003065532A UA73816C2 (en) 2003-06-13 2003-06-13 Magnetic field strength transducer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA2003065532A UA73816C2 (en) 2003-06-13 2003-06-13 Magnetic field strength transducer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA73816C2 true UA73816C2 (en) 2005-09-15

Family

ID=35518200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA2003065532A UA73816C2 (en) 2003-06-13 2003-06-13 Magnetic field strength transducer

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA73816C2 (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109212439B (zh) 磁场传感器
KR101429356B1 (ko) 3개의 접점을 갖는 홀 효과 영역을 포함하는 전자 디바이스
US9599681B2 (en) Magnetic sensor and magnetic detecting method of the same
KR100846078B1 (ko) 방위계
JPH0611358A (ja) 位置測定装置
US10338105B2 (en) Current detector that prevents fluctuatons in detection sensitivity
JP2016194527A (ja) ホールセンサおよびセンサ配列体
JPH09119823A (ja) 位置センサ
JP2015078949A (ja) ホール起電力信号検出回路
JP6126348B2 (ja) 磁気センサ及びその磁気検出方法
CN111220935B (zh) 磁传感器装置
UA73816C2 (en) Magnetic field strength transducer
JP2014081318A (ja) 磁気センサ及びその磁気検出方法
JPS63212803A (ja) 変位計測装置
UA74628C2 (en) Multiposition three-dimensional magnetic field strength transducer
JP7141825B2 (ja) 磁気センサ
JP7249865B2 (ja) 磁気センサ及び磁気センサモジュール
JP7341454B2 (ja) 磁気センサ
WO2006028426A1 (fr) Capteur de mesure de champ magnetique
WO2006028425A1 (fr) Capteur de mesure de champ magnetique
JPS62289725A (ja) 磁電変換装置
RU2307427C2 (ru) Магниторезистивный датчик поля
CN110857951B (zh) 电流传感器
JPH0329875A (ja) 強磁性体磁気抵抗素子
JP3729116B2 (ja) 方位計