UA49103C2 - Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода - Google Patents
Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углеродаInfo
- Publication number
- UA49103C2 UA49103C2 UA2000084947A UA2000084947A UA49103C2 UA 49103 C2 UA49103 C2 UA 49103C2 UA 2000084947 A UA2000084947 A UA 2000084947A UA 2000084947 A UA2000084947 A UA 2000084947A UA 49103 C2 UA49103 C2 UA 49103C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- ingot
- separation
- concentration
- carbon
- silicon
- Prior art date
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title abstract 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title abstract 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Данное изобретение относится к области выращивания монокристаллов кремния, в частности, к выделению отдельных частей слитков монокристаллов, в которых концентрация примеси углерода имеет заданные значения. В основу изобретения положена задача создания способа выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода, в котором путем введения новых операций обеспечивается более точное определение длины части слитка, которую необходимо отрезать, и за счет этого достигается упрощение процесса, уменьшается продолжительность и трудоемкость процесса, а также экономия кремния. Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода включает отделение нижней конусной части слитка, определение концентрации углерода на нижнем торце слитка, который образовался, и последующее отделение нижней части слитка с концентрацией углерода, превышающей заданную. Такое отделение части слитка осуществляют на расстоянии от нижнего торца, равном: EMBED Equation.3 , (1) где C1 - концентрация примеси углерода на нижнем торце слитка, который образовался, С2 - заданная концентрация примеси углерода с учетом доверительного интервала, M1 - масса слитка от его начала до нижнего торца слитка, Мзагрузки - масса загрузки шихты для выращивания слитка монокристалла, К - эффективный коэффициент распределения примеси углерода, D - средний диаметр слитка, р - плотность кремния. Доверительный интервал ± EMBED Equation.3 определяют в соответствии с неравенством EMBED Equation.3 (2), где С2 - заданная концентрация примеси углерода с учетом доверительного интервала, равная разности заданной концентрации примеси углерода и произведения EMBED Equation.3 , С - концентрация примеси углерода на нижнем торце слитка после отрезания части слитка, EMBED Equation.3 - корень квадратный из дисперсии, найденной из сравнения расчетных и экспериментальных данных, EMBED Equation.3 - положительное число, которое для заданной вероятности, Р= EMBED Equation.3 , вычисляется по формуле EMBED Equation.3 (3). Способ, который заявляется, обеспечивает достаточно точное, соответственно заданной вероятности, определение длины слитка монокристалла кремния, которую необходимо отрезать. При этом процесс значительно упрощается за счет снижения продолжительности и трудоемкости; снижаются также возможные потери кремния.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2000084947A UA49103C2 (ru) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода |
| RU2000127391A RU2193611C2 (ru) | 2000-08-21 | 2000-11-01 | Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2000084947A UA49103C2 (ru) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA49103C2 true UA49103C2 (ru) | 2002-09-16 |
Family
ID=34391001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2000084947A UA49103C2 (ru) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2193611C2 (ru) |
| UA (1) | UA49103C2 (ru) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6094722A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-05-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | シリコン・ウエハ |
| DE3485093D1 (de) * | 1984-12-28 | 1991-10-24 | Ibm | Zuechtungsverfahren und vorrichtung zur herstellung von siliciumkristallen mit hohem und kontrolliertem kohlenstoffgehalt. |
| DE4123707A1 (de) * | 1990-08-20 | 1992-02-27 | Motorola Inc | Halbleiterkristall und verfahren zur gleichmaessigeren verunreinigungsausscheidung |
| JP2903916B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1999-06-14 | 信越半導体株式会社 | 半導体インゴット加工方法 |
| CN1936112B (zh) * | 1997-04-09 | 2011-05-11 | Memc电子材料有限公司 | 低缺陷浓度的硅 |
-
2000
- 2000-08-21 UA UA2000084947A patent/UA49103C2/ru unknown
- 2000-11-01 RU RU2000127391A patent/RU2193611C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2193611C2 (ru) | 2002-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200515488A (en) | Group III nitride crystal, method of its manufacture, and equipment for manufacturing group III nitride crystal | |
| WO2000000674A3 (en) | Process for growth of defect free silicon crystals of arbitrarily large diameters | |
| WO2002059400A3 (en) | Low defect density silicon substantially free of oxidation induced stacking faults having a vacancy-dominated core | |
| EP1498516B8 (en) | Single crystal silicon producing method, single crystal silicon wafer and ingot produced thereby | |
| EP1209259A3 (en) | Low defect density, self-interstitial dominated silicon | |
| PL375231A1 (en) | Method for preparing rare-earth halide blocks | |
| TW200501462A (en) | Method to produce semiconductor-chips | |
| EP2418307A3 (en) | Method and apparatus for forming single crystals | |
| MY130844A (en) | Process of stacking and melting polycrystalline silicon for high quality single crystal production | |
| EP2145858A3 (en) | Method of manufacturing polycrystalline silicon rod | |
| EP1493848A4 (en) | IMPF CRYSTAL OF SILICON CARBIDE MONK CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING A STAIN THEREFOR | |
| JP2004307305A (ja) | シリコン単結晶及び単結晶育成方法 | |
| EP0732427A3 (en) | A method and apparatus for the growth of a single crystal | |
| UA49103C2 (ru) | Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода | |
| JPS647040B2 (ru) | ||
| TW200722562A (en) | Si-doped GaAs single crystal ingot and process for producing the same, and si-doped GaAs single crystal wafer produced from said si-doped gaas single crystal ingot | |
| US5769941A (en) | Method of forming semiconductor material | |
| DK1866466T3 (da) | Fremgangsmåde til fremstilling af en monokrystallinsk skive med tilnærmelsesvis polygonalt tværsnit | |
| JPH05139880A (ja) | シリコン単結晶の種結晶 | |
| WO2001063022A3 (en) | Controlled neck growth process for single crystal silicon | |
| TW200506113A (en) | Process for producing P doped silicon single crystal and P doped N type silicon single crystal wafer | |
| EP1321544A3 (en) | Seed crystal for production of slicon single crystal and method for production of silicon single crystal | |
| MY133116A (en) | Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions | |
| US6267815B1 (en) | Method for pulling a single crystal | |
| EP0947611A3 (en) | A method for producing a silicon single crystal and the silicon single crystal produced thereby |