Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Харківський Фізико-Технічний Інститут, Харьковский физико-технический институтfiledCriticalХарківський Фізико-Технічний Інститут
Priority to UA4229980ApriorityCriticalpatent/UA13659A1/uk
Publication of UA13659A1publicationCriticalpatent/UA13659A1/uk
Mounting, Exchange, And Manufacturing Of Dies
(AREA)
Forging
(AREA)
Abstract
Пристрій надвисокого тиску і температури містить співвісно встановлені і скріплені підтримуючими кільцями матриці з центральними поглибленнями на обернених один до одного торцях, покриття з вольфраму (молібдену), нанесене на поверхню матриці. З метою підвищення терміну служби пристрою, покриття забезпечене додатковим шаром більш пластичного при температурах синтезу металу. Наприклад, ніобію, який розташований між шаром вольфраму (молібдену) і поверхнею матриці, при відношенні товщини зовнішнього шару до товщини внутрішнього шару, що дорівнює 5-10. Спосіб виготовлення пристрою надвисокого тиску і температури здійснюється шляхом нанесення покриття з тугоплавкого металу на поверхню матриці з твердого сплаву. З метою збільшення терміну служби пристрою, покриття, наприклад, з ніобію і вольфраму (молібдену) одержують (або проводять відпал після його одержання) при температурі не нижче 800 °С і не вище 1250 °С.
UA4229980A1987-04-131987-04-13Пристрій hадвисокого тиску та температури і спосіб його виготовлеhhя
UA13659A1
(uk)
Method of making 2, 6- dimethylnaphthalene from other dimethylnaphthalene isomers and from dimethyltetralins/ dimethyldecalins with a methyl group on each ring