TWM628734U - 通氣式晶片盒 - Google Patents

Abstract

本新型涉及一種通氣式晶片盒，其包括：上盒、下盒以及內盒。其中，所述上盒扣合在所述下盒上，以形成中空結構。所述內盒放置在該中空結構中。在所述上盒、下盒或上下盒的連接處設置有用於將所述中空結構和外部環境連通的至少一個通氣通道。本新型的通氣式晶片盒能在對半導體晶片進行的氣體保護工藝中保證氣體交換，從而防止了晶片盒由於壓力差而變形。優選地，所述通氣通道的內部設有防塵迷宮結構，從而防止了粉塵進入。

Description

通氣式晶片盒

本新型涉及一種通氣式晶片盒，特別是涉及一種用於半導體晶片並且具有防塵功能的通氣式晶片盒。

在半導體晶片生產行業中，晶片盒是一種常見的用於盛放半導體晶片的容器元件。在半導體晶片的生產過程中，需要在適當環節上對所述半導體晶片進行氣體保護。現有技術中對半導體晶片進行氣體保護的方法主要包括以下步驟：首先，將晶片盒連同半導體晶片放置在包裝袋中，隨後對該包裝袋進行抽真空處理；然後，使用保護氣體（氮氣、稀有氣體等）對所述包裝袋進行充氣。該操作有效地將所述半導體晶片周圍的空氣替換為了化學性質更為穩定的保護氣體，從而實現了氣體保護。

現有技術中常見的晶片盒包括上盒、下盒和內盒。其中，所述上盒扣合在下盒上從而形成中空結構，內盒放置在該中空結構中。當上下盒扣緊後，整個晶片盒近似密封，這將引起內外氣體交換不暢的技術問題。具體來說，在抽真空的過程中，晶片盒內部的氣體無法順暢的流出，從而使內壓大於外壓，晶片盒膨脹變形。在充氣的過程中，晶片盒外部的氣體無法順暢的流入，從而使外壓大於外壓，晶片盒壓縮變形。

因此，需要開發一種通氣式晶片盒。該通氣式晶片盒具有用於將所述中空結構和外部環境連通的至少一個通氣通道，從而解決了內外氣體交換不暢的技術問題，防止晶片盒變形。

本新型的目的是提供一種通氣式晶片盒，以克服現有技術的問題。

為此，本新型提供一種通氣式晶片盒，包括：上盒、下盒以及內盒；其中，所述上盒扣合在所述下盒上，以形成中空結構；所述內盒放置在所述中空結構中；在所述上盒、下盒或上下盒的連接處設置有用於將所述中空結構和外部環境連通的至少一個通氣通道。

在本新型的一個優選實施方案中，所述通氣通道還具有防塵功能。具體來說，所述通氣通道的內部設有防塵迷宮結構，從而使所述通氣通道在促進氣體通過的同時防止粉塵進入。所述防塵迷宮結構是機械設計領域中常見的防塵手段，其可以被描述為在間隙或通道內設置多個突起或障礙，從而使間隙或通道的內徑尺寸在其長度方向上不斷改變。這樣，當氣體通過所述間隙或通道時，不斷改變的內徑尺寸使得氣體的流速不斷改變。從而使得粉塵在內徑較大、流速較慢處沉降，進而實現了防塵的目的。

應理解的是，本文中所述的“底面、頂面、向上、向下”是以圖1所示的通氣式晶片盒的定向來進行劃分的，即上盒的底面與下盒的頂面相對設置。

還應理解的是，本新型的通氣式晶片盒不僅適用于盛放半導體晶片，還適用于盛放其他類型的片狀物。

本新型的通氣式晶片盒具有用於將中空結構和外部環境連通的至少一個通氣通道，從而解決了內外氣體交換不暢的技術問題，防止晶片盒變形。

本新型的通氣式晶片盒包括：上盒、下盒以及內盒；其中，所述上盒扣合在所述下盒上，以形成中空結構；所述內盒放置在所述中空結構中；在所述上盒、下盒或上下盒的連接處設置有用於將所述中空結構和外部環境連通的至少一個通氣通道。

本新型不僅適用於半導體晶片，也適用於任何其他有氣體保護需求的零件。

根據本新型所述的通氣式晶片盒，優選地，所述內盒呈三面敞開的長方體料盒形式。所述上盒呈底面敞開的箱體形式，並且設置有向下延伸的上盒凸緣，所述下盒呈頂面敞開的箱體形式，並且設置有向上延伸的下盒下部凸緣，在所述下盒下部凸緣上設置有同樣向上延伸的下盒上部凸緣。所述下盒下部凸緣的橫截面輪廓大於所述下盒上部凸緣的橫截面輪廓，所述下盒上部凸緣和下盒下部凸緣的交界處形成有階梯狀結構。所述上盒凸緣扣合在所述下盒上部凸緣上，所述上盒凸緣的邊緣安放在所述下盒上部凸緣和下盒下部凸緣的交界處所形成的階梯狀結構上，從而形成所述中空結構。

在一個優選實施方案中，內盒呈三面敞開的長方體料盒形式，內部設有平行的隔板，隔板在水平兩端與內盒的側板連接。借助隔板，形成多個容納半導體晶片或者片狀物的空間，以增加容納的半導體晶片或者片狀物的數量。各隔板之間的間距優選相等。優選地，隔板上緣與內盒邊緣高度齊平。在一個優選實施方案中，各隔板的下緣（以最低位置計）與內盒底面之間的距離占內盒高度的1/4-1/2，優選1/3-2/5，以節省材料。需要說明的是，在本說明書中，內盒是按未設置隔板的情形作介紹的，但是，設置隔板對於本領域的普通技術人員而言，在閱讀本說明書之後，屬於可以容易實施的方案。

根據本新型所述的通氣式晶片盒，優選地，所述通氣通道設置在所述上盒凸緣和下盒上部凸緣所形成的扣合結構上，所述通氣通道由所述上盒凸緣的內周向面和所述下盒上部凸緣的外周向面共同組成。更優選地，所述扣合結構的四個側面中的每一個均設置有至少一個所述通氣通道。所述多個通氣通道進一步促進了氣體流動，從而加強了本新型的技術效果。

根據本新型所述的通氣式晶片盒，優選地，所述通氣通道包括在所述下盒上部凸緣的外周向面上或在所述上盒凸緣的內周向面上設置的豎直地延伸通過整個凸緣的直凹槽。當所述直凹槽設置在所述下盒上部凸緣的外周向面上時，所述直凹槽在所述下盒上部凸緣的邊緣處和所述交界處的階梯狀結構上設置有用於方便氣體通過的凹口。當所述直凹槽設置在所述上盒凸緣的內周向面上時，所述直凹槽在所述上盒凸緣的邊緣處和所述上盒凸緣的內頂面上設置有用於方便氣體通過的凹口。更優選地，所述直凹槽的槽底上設置有多個突起，所述突起等間距佈置或不等間距佈置，所述突起的寬度與所述直凹槽相同，所述突起的高度小於所述直凹槽的深度。在這種情況下，所述直凹槽上的突起結構改變了所述通氣通道的內徑尺寸，使得通氣通道具有防塵迷宮結構，進而防止了粉塵進入。

根據本新型所述的通氣式晶片盒，優選地，所述通氣通道包括在所述下盒上部凸緣的外周向面上或在所述上盒凸緣的內周向面上設置的之字形凹槽，所述之字形凹槽具有兩個豎直延伸段和一個水平延伸段，並且所述之字形凹槽在豎直方向上延伸通過整個凸緣。當所述之字形凹槽設置在所述下盒上部凸緣的外周向面上時，所述之字形凹槽在所述下盒上部凸緣的邊緣處和所述交界處的階梯狀結構上設置有用於方便氣體通過的凹口。當所述之字形凹槽設置在所述上盒凸緣的內周向面上時，所述之字形凹槽在所述上盒凸緣的邊緣處和所述上盒凸緣的內頂面上設置有用於方便氣體通過的凹口。更優選地，所述之字形凹槽的槽底設置有多個突起，所述突起等間距佈置或不等間距佈置，所述突起的寬度與所述之字形凹槽相同，所述突起的高度小於所述之字形凹槽的深度。與上文所述的具有直凹槽的實施方案相比，所述之字形凹槽提供了更長的通氣通道長度，從而進一步提高了所述通氣通道的防塵性能。

在最簡單的情況下，本新型所述的通氣式晶片盒的通氣通道是槽底平坦的直凹槽。這種配置的通氣式晶片盒雖然具有較強的通氣性能，卻無法防止粉塵進入晶片盒內部。為此，本新型給出了三種更優選地實施方案。

本新型的第一優選實施方案具有帶有突起的直凹槽。所述突起形成了防塵迷宮結構，從而防止了粉塵進入。但是，所述通氣通道的防塵性能通常與其長度正相關。而由於所述直凹槽的長度與上部凸緣對應，因此不能任意延長。為此，如果希望該長度增加，則可以考慮本新型的第二優選實施方案。

所述第二優選實施方案與第一優選實施方案相比，其主要區別在於：所述通氣通道包括槽底平坦的之字形凹槽。這樣，就可以延長所述通氣通道的長度從而實現更好的防塵性能。如果希望在進一步加強所述通氣通道的防塵性能，則可以考慮本新型的第三優選實施方案。

所述第三優選實施方案與第二優選實施方案相比，其主要區別在於：所述之字形凹槽包括突起。所述突起形成了防塵迷宮結構，從而防止了粉塵進入。所述第三優選實施方案的通氣通道同時具有防塵迷宮結構和較長的長度，這進一步加強了所述通氣通道的防塵性能。

本新型的通氣式晶片盒可以採用塑膠、金屬等材質製造，並採用常用的加工成型方法製備。具體來說，所述塑膠材料可以是ABS、尼龍、聚氨酯等，所述金屬材料可以是鋼、鑄鐵、鋁、銅等。若採用塑膠材料，則所述常用的加工成型方法是注塑、模塑、擠壓成型等方法。若採用金屬材料，則所述常用的加工成型方法是機加工、鑄造、衝壓、彎折等方法。

使用時，將半導體晶片或者其他片狀物置於內盒，然後將內盒置於下盒中，隨後將上盒扣在下盒上。此後，可以繼續實施抽空氣、充保護氣體等操作。

以下結合附圖對本新型作示例性說明，其中附圖中各部件用塑膠作為示例材質，以注塑、模塑、擠壓成型等方法製備。

圖1示出了通氣式晶片盒100的一個實施方案的爆炸視圖的透視圖，該通氣式晶片盒整體用標號100表示。其中，通氣式晶片盒100包括上盒101、內盒102以及下盒103。上盒101呈底面敞開的箱體形式，並且設置有向下延伸的上盒凸緣101A，下盒103呈頂面敞開的箱體形式，並且設置有向上延伸的下盒下部凸緣103A，下盒下部凸緣103A上設置有同樣向上延伸的下盒上部凸緣103B。下盒下部凸緣103A的橫截面輪廓大於下盒上部凸緣103B的橫截面輪廓，下盒上部凸緣103B和下盒下部凸緣103A的交界處形成有階梯狀結構。上盒凸緣101A扣合在下盒上部凸緣103B上，上盒凸緣101A的邊緣安放在下盒上部凸緣103B和下盒下部凸緣103A的交界處所形成的階梯狀結構上，從而形成中空結構，內盒102設置在該中空結構中。此外，下盒上部凸緣103B的外周向面上設置有豎直地延伸通過整個凸緣的直凹槽103C。應理解的是，雖然在本實施方案中下盒上部凸緣103B的每個側面上設置有兩個直凹槽103C，設置更多或更少個直凹槽103C也是可以想到的。圖2是圖1的局部視圖，該局部視圖示出了直凹槽103C的細節。如圖2所示，直凹槽103C具有平坦的槽底，並且直凹槽103C在下盒上部凸緣103B的邊緣處和交界處的階梯狀結構上設置有用於方便氣體通過的凹口。圖3示出了圖1所述的通氣式晶片盒100在組合情況下的橫截面視圖，其中，將通氣式晶片盒100沿通過通氣通道的垂直平面刨開。如圖3所示，通氣式晶片盒100的通氣通道由位於下盒上部凸緣103B的外周向面上的直凹槽103C和上盒凸緣101A的內周向面共同組成。圖4是圖3的局部視圖，該局部視圖進一步示出了通氣通道的細節。如圖4所示，通氣通道連通了通氣式晶片盒100的內部和外部，使得氣體能輕鬆地流入通氣式晶片盒100或從通氣式晶片盒100流出。

圖5示出了通氣式晶片盒100的另一個實施方案的爆炸視圖的透視圖。應理解的是，該實施方案與圖1所示的實施方案相同的技術特徵不作贅述。圖5所示的實施方案與圖1所示的實施方案相比，其主要區別在於：直凹槽103C’的槽底設置有突起。圖6是圖5的局部視圖，該局部視圖示出了直凹槽103C’的細節。如圖6所示，突起是從直凹槽103C’的槽底開始延伸的3個長方形突起。長方形突起等間距排列，其寬度與直凹槽103C’的寬度相同，並且長方形突起的高度小於直凹槽103C’的深度。圖7示出了圖5所述的通氣式晶片盒100在組合情況下的橫截面視圖，其中，將通氣式晶片盒100沿通過通氣通道的垂直平面刨開。類似地，如圖7所示，通氣式晶片盒100的通氣通道由位於下盒上部凸緣103B的外周向面上的直凹槽103C’和上盒凸緣101A的內周向面共同組成。圖8是圖7的局部視圖，該局部視圖進一步示出了通氣通道的細節。如圖8所示，通氣通道不僅連通了通氣式晶片盒100的內部和外部，直凹槽103C’上的長方形突起結構還改變了通氣通道的內徑尺寸，使得通氣通道具有防塵迷宮結構，從而實現了防止粉塵進入的技術效果。

圖9示出了通氣式晶片盒100的另一個實施方案的爆炸視圖的透視圖。應理解的是，該實施方案與圖1所示的實施方案相同的技術特徵不作贅述。圖9所示的實施方案與圖1所示的實施方案相比，其主要區別在於：不具有直凹槽，替代地，通氣式晶片盒100具有槽底平坦的之字形凹槽103C”。圖10是圖9的局部視圖，該局部視圖示出了之字形凹槽103C”細節。如圖10所示，之字形凹槽103C”具有兩個豎直延伸段和一個水平延伸段，並且之字形凹槽103C”在豎直方向上延伸通過整個下盒上部凸緣103B。這樣，就可以延長通氣通道的長度，從而提升了通氣式晶片盒100的防塵性能。

圖11示出了通氣式晶片盒100的另一個實施方案的爆炸視圖的透視圖。應理解的是，該實施方案與圖9所示的實施方案相同的技術特徵不作贅述。圖11所示的實施方案與圖9所示的實施方案相比，其主要區別在於：字形凹槽103C’”的槽底上具有四個突起。圖12是圖11的局部視圖，該局部視圖示出了之字形凹槽103C’”的細節。如圖12所示，之字形凹槽103C’”的兩個豎直延伸段共設置有三個長方形突起，並且之字形凹槽103C’”的水平延伸段上設置有一個長方形突起。長方形突起的寬度與之字形凹槽103C’”相同，長方形突起的高度小於之字形凹槽103C’”的深度。長方形突起結構改變了通氣通道的內徑尺寸，使得通氣通道具有防塵迷宮結構，從而實現了防止粉塵進入的技術效果。

應理解的是，雖然在上述各圖所描述的實施方案中之字形凹槽或直凹槽設置在下盒上部凸緣的外周向面上，所述之字形凹槽或直凹槽可以同理的設置在上盒凸緣的內周向面上。在實際使用時，之字形凹槽或直凹槽可以僅僅設置在下盒或上盒之一上。

100:通氣式晶片盒 101:上盒 101A:上盒凸緣 102:內盒 103:下盒 103A:下盒下部凸緣 103B:下盒上部凸緣 103C、103C’:直凹槽 103C”、103C’”:之字形凹槽

現將參照附圖詳細地描述本新型的優點、特徵，在附圖中，各部件未必按比例繪製，其中：

圖1示出了通氣式晶片盒100的一個實施方案的爆炸視圖的透視圖。

圖2是圖1的局部視圖，該局部視圖示出了直凹槽103C的細節。

圖3示出了圖1所述的通氣式晶片盒100在組合情況下的橫截面視圖，其中，將所述通氣式晶片盒100沿通過通氣通道的垂直平面刨開。

圖4是圖3的局部視圖，該局部視圖進一步示出了通氣通道的細節。

圖5示出了通氣式晶片盒100的另一個實施方案的爆炸視圖的透視圖。

圖6是圖5的局部視圖，該局部視圖示出了直凹槽103C’的細節。

圖7示出了圖5所述的通氣式晶片盒100在組合情況下的橫截面視圖，其中，將所述通氣式晶片盒100沿通過通氣通道的垂直平面刨開。

圖8是圖7的局部視圖，該局部視圖進一步示出了通氣通道的細節。

圖9示出了通氣式晶片盒100的另一個實施方案的爆炸視圖的透視圖。

圖10是圖9的局部視圖，該局部視圖示出了之字形凹槽103C”的細節。

圖11示出了通氣式晶片盒100的另一個實施方案的爆炸視圖的透視圖。

圖12是圖11的局部視圖，該局部視圖示出了之字形凹槽103C’”的細節。

應理解，附圖僅出於示例目的來繪製，不應視為是對本新型的限制。

100:通氣式晶片盒

101:上盒

101A:上盒凸緣

102:內盒

103:下盒

103A:下盒下部凸緣

103B:下盒上部凸緣

103C:直凹槽

Claims (8)

1. 一種通氣式晶片盒，包括： 上盒； 下盒；以及 內盒； 其中，所述上盒扣合在所述下盒上，以形成中空結構；所述內盒放置在所述中空結構中；在所述上盒、所述下盒或所述上下盒的連接處之其一設置有用於將所述中空結構和外部環境連通的至少一個通氣通道。
2. 如請求項1所述的通氣式晶片盒，其中所述內盒呈三面敞開的長方體料盒形式；所述上盒呈底面敞開的箱體形式，並且設置有向下延伸的上盒凸緣；所述下盒呈頂面敞開的箱體形式，並且設置有向上延伸的下盒下部凸緣，在所述下盒下部凸緣上設置有同樣向上延伸的下盒上部凸緣；所述下盒下部凸緣的橫截面輪廓大於所述下盒上部凸緣的橫截面輪廓，所述下盒上部凸緣和所述下盒下部凸緣的交界處形成有階梯狀結構；所述上盒凸緣扣合在所述下盒上部凸緣上，所述上盒凸緣的邊緣安放在所述下盒上部凸緣和所述下盒下部凸緣的交界處所形成的所述階梯狀結構上，從而形成所述中空結構。
3. 如請求項2所述的通氣式晶片盒，其中所述通氣通道設置在所述上盒凸緣和所述下盒上部凸緣所形成的扣合結構上，所述通氣通道由所述上盒凸緣的內周向面和所述下盒上部凸緣的外周向面共同組成。
4. 如請求項3所述的通氣式晶片盒，其中所述扣合結構的四個側面中的每一個均設置有至少一個所述通氣通道。
5. 如請求項3或4所述的通氣式晶片盒，其中所述通氣通道包括在所述下盒上部凸緣的所述外周向面或在所述上盒凸緣的所述內周向面二者之一設置的豎直地延伸通過整個凸緣的直凹槽；當所述直凹槽設置在所述下盒上部凸緣的所述外周向面上時，所述直凹槽在所述下盒上部凸緣的邊緣處和所述階梯狀結構上設置有用於方便氣體通過的凹口；當所述直凹槽設置在所述上盒凸緣的所述內周向面上時，所述直凹槽在所述上盒凸緣的邊緣處和所述上盒凸緣的內頂面上設置有用於方便氣體通過的凹口。
6. 如請求項5所述的通氣式晶片盒，其中所述直凹槽的槽底上設置有多個突起，所述多個突起之間具有間距，所述突起的寬度與所述直凹槽相同，所述突起的高度小於所述直凹槽的深度。
7. 如請求項3或4所述的通氣式晶片盒，其中所述通氣通道包括在所述下盒上部凸緣的所述外周向面或在所述上盒凸緣的所述內周向面二者之一設置的之字形凹槽，所述之字形凹槽具有兩個豎直延伸段和一個水平延伸段，並且所述之字形凹槽在豎直方向上延伸通過整個凸緣；當所述之字形凹槽設置在所述下盒上部凸緣的所述外周向面上時，所述之字形凹槽在所述下盒上部凸緣的邊緣處和所述階梯狀結構上設置有用於方便氣體通過的凹口；當所述之字形凹槽設置在所述上盒凸緣的所述內周向面上時，所述之字形凹槽在所述上盒凸緣的邊緣處和所述上盒凸緣的內頂面上設置有用於方便氣體通過的凹口。
8. 如請求項7所述的通氣式晶片盒，其中所述之字形凹槽的槽底上設置有多個突起，所述多個突起之間具有間距，所述突起的寬度與所述之字形凹槽相同，所述突起的高度小於所述之字形凹槽的深度。

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