TWM626304U - 具有導流結構之水洗裝置 - Google Patents

Abstract

本創作提供一種具有導流結構之水洗裝置，其包含：一殼體、導流結構、一淋水組件以及一灑水裝置，該殼體之一內側具有一容置空間，該導流結構設置於該容置空間，該淋水組件設置於該導流結構之一上方，而該灑水裝置設置於該容置空間，並設置於該淋水組件之一上方；於本創作中，利用該導流結構穩定第一流體之氣流，避免該淋水組件受流動之第一流體損壞，且接收該灑水裝置噴至該淋水組件內之第二流體，以穩定氣流之第一流體先與該第二流體接觸，使第一流體先進行水洗，提高過濾效率。

Description

具有導流結構之水洗裝置

本創作是關於一種具有導流結構之水洗裝置，尤其係指一種設置於水洗裝置及用於引導流體之結構。

隨著半導體元件尺寸的縮小，氣態分子污染物(AMC)的管制及監控方式也逐漸受到重視。為了避免電子產品的電性受到影響，半導體及晶圓製造之過程均置於嚴格管控的環境，亦即無塵室(cleanroom)內。習知的無塵室空氣品質控制，主要著重在微粒、氣流及溫溼度；然而近年來半導體業界已開始重新思考所謂無塵室的定義。隨著半導體體積的縮小，靜電破壞及氣態分子污染物的影響日益明顯，用於清除氣態分子污染物的裝置也逐漸進入市場。

其中，常見的清除氣態分子污染物之裝置，係設置淋水材料之裝置，淋水材料使用於恆溫恆濕微污染處理裝置上，透過灑水裝置淋水去除空氣中微量的氣態分子污染物。

但習知裝置當欲去除微量的氣態分子污染物之氣體流經淋水材料時，由於其流速過快，導致淋水材料被高速移動之氣體損毀，或因為氣體之流場分佈不均，導致淋水材料受力不平均損毀，為避免此情況發生，產業界需要一種能引導氣流，以延長淋水材料壽命之具有導流結構之水洗裝置。

有鑑於上述習知技術之問題，本創作提供一種具有導流結構之水洗裝置，其係於裝置之水洗裝置內側設置導流結構，以穩定氣流，一殼體內側之灑水裝置噴灑液體至淋水組件後，藉由該導流結構穩定通過之氣體之氣流，且使氣體於淋水組件內與液體穩定混合，利用該導流結構穩定經過之氣流，避免該淋水組件受高速流動之氣體損毀。

本創作之一目的在於提供一種具有導流結構之水洗裝置，其係殼體內側設置導流結構，以灑水裝置噴灑液體至淋水組件，並以導流結構穩定經過之氣體之氣流，避免該淋水組件受流動之氣體損壞，且接收經過該淋水組件之液體，使穩定之氣流先與該液體接觸進行水洗，提高裝置之過濾效率。

為達到上述所指稱之各目的與功效，本創作提供一種具有導流結構之水洗裝置，其包含：一殼體、一導流結構、一淋水組件以及一灑水裝置，該殼體之一內側具有一容置空間，該導流結構設置於該容置空間之一內側，該導流結構之一上方設置複數個集水槽，該些個集水槽各別穿設複數個第一貫穿孔，該淋水組件設置於該容置空間，並設置於該導流結構之一上方，該灑水裝置設置於該容置空間，並設置於該淋水組件之一上方，其中，該灑水裝置噴灑一第一流體至該淋水組件，該第一流體經過該淋水組件流至該導流結構之該些個集水槽，該第一流體再由該第一貫穿孔流出；利用此結構引導流經導流結構之流體，避免淋水層之淋水材料受不穩定之流體損壞，且提供預先水洗之功效。

本創作之一實施例中，更包含一除水裝置，該除水裝置設置於該容置空間，並設置於該灑水裝置之一上方。

本創作之一實施例中，其中該殼體之一上方一端設置一出風口，該殼體之一下方設置一入風口，一第二流體由該入風口進入至該殼體，該第二流體經過該導流結構後流至該淋水組件，該第二流體經過該淋水組件至該灑水裝置後，由該出風口排出。

本創作之一實施例中，其中該入風口設置於該殼體下方之一側。

本創作之一實施例中，其中該淋水組件包含複數個淋水層，該些個淋水層互相疊設。

本創作之一實施例中，其中該些個淋水層設置複數個第二貫穿孔，該第一流體流經該些個第二貫穿孔。

本創作之一實施例中，其中該些個第一貫穿孔之一徑長由該導流結構之一端至該導流結構之另一端漸長。

本創作之一實施例中，其中該些個集水槽與該導流結構之表面具有一斜角，該斜角係介於5°至45°度之間。

本創作之一實施例中，其中該第一流體係水。

本創作之一實施例中，其中該第二流體係空氣。

1:具有導流結構之水洗裝置

10:殼體

11:出風口

12:容置空間

13:入風口

20:導流結構

22:集水槽

24:第一貫穿孔

30:淋水組件

32:淋水層

322:第二貫穿孔

40:灑水裝置

50:除水裝置

A:第二流體

D:徑長

D’:徑長

W:第一流體

θ:斜角

第1圖：其為本創作之一實施例之結構示意圖；第2圖：其為本創作之一實施例之流體流動示意圖；第3圖：其為本創作之一實施例之結構放大示意圖；第4圖：其為本創作之一實施例之導流結構俯視圖；以及第5圖：其為本創作之另一實施例之導流結構俯視圖。

為使 貴審查委員對本創作之特徵及所達成之功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以實施例及配合說明，說明如後：

有鑑於上述習知技術之問題，本創作係以一導流結構設置於一殼體之一容置空間，利用該導流結構穩定經過之第一流體之氣流，避免一淋水組件受高速流動之流體損壞，且該導流結構接收經過該淋水組件之一第二流體，使該第二流體與穩定氣流之該第一流體先行接觸進行水洗，提高裝置之過濾效率，並以此裝置結構解決習知技術流經淋水材料之氣體流速過快，導致淋水材被高速移動之氣體損毀之問題。

請參閱第1圖，其為本創作之一實施例之結構示意圖，如圖所示，本實施例係一種具有導流結構之水洗裝置1，其包含一殼體10、一導流結構20、一淋水組件30以及一灑水裝置40；於本實施例中，該殼體10之一上方一端設置一出風口11，該殼體10下方之一側設置一入風口13，而該殼體10之一內側具有一容置空間12，該出風口11以及該入風口13連通該容置空間12，使流體可於流經該殼體10內側。

再次參閱第1圖，如圖所示，於本實施例中，該導流結構20設置於該容置空間12之一內側，該導流結構20之一上方設置複數個集水槽22，該些個集水槽22向下凹設於該導流結構20之表面，以接收流體，該些個集水槽22再各別穿設複數個第一貫穿孔24，即係每一該些個集水槽22穿設多個第一貫穿孔24；該淋水組件30設置於該容置空間12，並間隔設置於該導流結構20之一上方，該灑水裝置40設置於該容置空間12，並間隔設置於該淋水組件30之一上方，以對該淋水組件30噴灑一第一流體W。

接續上述，於本實施例中，該淋水組件30包含複數個淋水層32，該些個淋水層32係一淋水填料，其設置複數個第二貫穿孔322，該些個淋水層32用於接收並將該灑水裝置40噴灑之該第一流體W(例如水)，經多次濺散呈微細小水滴或水膜，增大該第一流體W之接觸面積，延長液體與氣體之接觸時間，確保通過之氣體能與該液體有效交換。

請參閱第1圖、第2圖以及第3圖，第2圖為本創作之一實施例之流體流動示意圖，第3圖為本創作之一實施例之結構放大示意圖，如圖所示，於本實施例中，該灑水裝置40噴灑該第一流體W至該淋水組件30，該第一流體W經過該些個淋水層32之該些個第二貫穿孔322後，該第一流體W流至該導流結構20之該些個集水槽22內集中，該第一流體W再流至該些個集水槽22各別穿設之該些個第一貫穿孔24，並經過該些個第一貫穿孔24往下至該些個集水槽22，但本實施例不再此限制。

接續上述，於本實施例中，該導流結構20之該些個集水槽22與該導流結構20之表面具有一斜角θ，該斜角θ係介於5°至45°度之間，用以使該第一流體W集中於該些個集水槽22，但本實施例不在此限制。

接續上述，於本實施例中，更包含一除水裝置50，該除水裝置50設置於該容置空間12，並間隔設置於該灑水裝置40之一上方，用於去除通過之流體所包含之水氣。

再次參閱第1圖、第2圖以及第3圖，如圖所示，於本實施例中，一第二流體A(例如空氣)經由該入風口13進入，該第二流體A流至該殼體10之該容置空間12內，再流進該些個第一貫穿孔24內與向下流動之該第一流體W進行混合，該第一流體W流出該些個第一貫穿孔24以及該些個集水槽22後，經過該淋水組件30之該些個淋水層32之該些個第二貫穿孔322，並再次與該第一流體W接觸混合，以去除該第二流體A包含之氣態 分子污染物，該第二流體A再經過該除水裝置50，進行除濕，最後該第二流體A流出該出風口11。

再次參閱第3圖以及請參閱第4圖，第4圖為本創作之一實施例之導流結構俯視圖，如圖所示，於本實施例中，該導流結構20之該些個集水槽22平均分布該些個第一貫穿孔24，其可快速將該第一流體W排除，並在該些個集水槽22之該斜角θ最低點流至下方時，形成水柱或水簾，使入該第二流體A預先接觸水洗，提高裝置之過濾效率，其中，該些個第一貫穿孔24各別之一徑長D相同，其適用於該入風口13設置於該導流結構20之正下方，且該第二流體A由正下方進入之結構，但本實施例不再此限制。

請參閱第5圖，第5圖為本創作之另一實施例之導流結構俯視圖，如圖所示，本實施例進一步於該導流結構20，以梯度分佈設置與入風方向相反之該些個集水槽22以及該些個第一貫穿孔24，即係該些個第一貫穿孔24之該徑長D由該導流結構20之一端至該導流結構20之另一端漸長；如圖所示，於該導流結構20之一端之該些個第一貫穿孔24其中之一之該徑長D小於該導流結構20之另一端之該些個第一貫穿孔24其中之一之該徑長D’，其可對應引導進入該殼體10之該第二流體A之流場，例如該入風口13設置於該殼體10下方之一側時，進入該殼體10之該第二流體A之氣流分佈不均，因此以梯度分佈之該些個集水槽22以及該些個第一貫穿孔24，使該第二流體A之流場均勻化，提升過濾之效率。

本實施例之一種具有導流結構之水洗裝置1其需考慮內部流體之流場均勻性，即經過該淋水組件30截面積之風速需一致，由於該第二流體A進入該入風口13時，難以維持平穩流動，經常進入該殼體10後集 中於一側，導致氣流分佈不均，因此設置該導流結構20，以引導該第二流體A，藉此改善該第二流體A之流場分佈不均情形。

綜上所述，本創作提供一種具有導流結構之水洗裝置，其係設置導流結構於裝置之殼體內，利用導流結構穩定經過之氣體之氣流，避免淋水組件受高速流動之氣體損壞，並使氣體可均勻接觸淋水組件，導流結構更接收經過淋水組件之液體，集中液體與穩定氣流之氣體先行接觸，進行初步之水洗，進一步提高裝置之過濾效率，以此裝置結構解決習知技術流經淋水材料之氣體流速過快，導致淋水材被高速移動之氣體損毀之問題，以及氣體之流場分佈不均，導致淋水材料受力不平均損毀之問題。

故本創作實為一具有新穎性、進步性及可供產業上利用者，應符合我國專利法專利申請要件無疑，爰依法提出創作專利申請，祈 鈞局早日賜准專利，至感為禱。

惟以上所述者，僅為本創作一實施例而已，並非用來限定本創作實施之範圍，故舉凡依本創作申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本創作之申請專利範圍內。

1:具有導流結構之水洗裝置

10:殼體

11:出風口

12:容置空間

13:入風口

20:導流結構

22:集水槽

24:第一貫穿孔

30:淋水組件

32:淋水層

322:第二貫穿孔

40:灑水裝置

50:除水裝置

W:第一流體

Claims (10)

1. 一種具有導流結構之水洗裝置，其包含： 一殼體，其內側具有一容置空間； 一導流結構，其設置於該容置空間之內側，該導流結構之上方設置複數個集水槽，該些個集水槽各別穿設複數個第一貫穿孔； 一淋水組件，其設置於該容置空間，並設置於該導流結構之上方；以及 一灑水裝置，其設置於該容置空間，並設置於該淋水組件之上方； 其中，該灑水裝置噴灑一第一流體至該淋水組件，該第一流體經過該淋水組件流至該導流結構之該些個集水槽，該第一流體再由該些第一貫穿孔流出。
2. 如請求項1所述之具有導流結構之水洗裝置，更包含一除水裝置，該除水裝置設置於該容置空間，並設置於該灑水裝置之上方。
3. 如請求項1所述之具有導流結構之水洗裝置，其中該殼體上方之一端設置一出風口，該殼體下方設置一入風口，一第二流體由該入風口進入至該殼體，該第二流體經過該導流結構後流至該淋水組件，該第二流體經過該淋水組件至該灑水裝置後，由該出風口排出。
4. 如請求項3所述之具有導流結構之水洗裝置，其中該入風口設置於該殼體下方之一側。
5. 如請求項1所述之具有導流結構之水洗裝置，其中該淋水組件包含複數個淋水層，該些個淋水層互相疊設。
6. 如請求項5所述之具有導流結構之水洗裝置，其中該些個淋水層設置複數個第二貫穿孔，該第一流體流經該些個第二貫穿孔。
7. 如請求項1所述之具有導流結構之水洗裝置，其中該些個第一貫穿孔之徑長係由該導流結構之一端至該導流結構之另一端漸長。
8. 如請求項1所述之具有導流結構之水洗裝置，其中該些個集水槽與該導流結構之表面具有一斜角，該斜角係介於5°至45°度之間。
9. 如請求項1所述之具有導流結構之水洗裝置，其中該第一流體係水。
10. 如請求項3所述之具有導流結構之水洗裝置，其中該第二流體係空氣。

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