CN217119750U - 具有导流结构的水洗装置 - Google Patents
具有导流结构的水洗装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN217119750U CN217119750U CN202122743005.1U CN202122743005U CN217119750U CN 217119750 U CN217119750 U CN 217119750U CN 202122743005 U CN202122743005 U CN 202122743005U CN 217119750 U CN217119750 U CN 217119750U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- water
- fluid
- flow guide
- guide structure
- water spraying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Separation Of Particles Using Liquids (AREA)
Abstract
本申请提供一种具有导流结构的水洗装置,其包含:一壳体、导流结构、一淋水组件以及一洒水装置,该壳体的一内侧具有一容置空间,该导流结构设置于该容置空间,该淋水组件设置于该导流结构的一上方,而该洒水装置设置于该容置空间,并设置于该淋水组件的一上方;于本申请中,利用该导流结构稳定第一流体的气流,避免该淋水组件受流动的第一流体损坏,且接收该洒水装置喷至该淋水组件内的第二流体,以稳定气流的第一流体先与该第二流体接触,使第一流体先进行水洗,提高过滤效率。
Description
技术领域
本申请是关于一种具有导流结构的水洗装置,尤其是指一种设置于水洗装置及用于引导流体的结构。
背景技术
随着半导体组件尺寸的缩小,气态分子污染物(AMC)的管制及监控方式也逐渐受到重视。为了避免电子产品的电性受到影响,半导体及晶圆制造的过程均置于严格管控的环境,亦即无尘室(cleanroom)内。现有技术的无尘室空气质量控制,主要着重在微粒、气流及温湿度;然而近年来半导体业界已开始重新思考所谓无尘室的定义。随着半导体体积的缩小,静电破坏及气态分子污染物的影响日益明显,用于清除气态分子污染物的装置也逐渐进入市场。
其中,常见的清除气态分子污染物的装置,是设置淋水材料的装置,淋水材料使用于恒温恒湿微污染处理装置上,通过洒水装置淋水去除空气中微量的气态分子污染物。
但现有技术装置当欲去除微量的气态分子污染物的气体流经淋水材料时,由于其流速过快,导致淋水材料被高速移动的气体损毁,或因为气体的流场分布不均,导致淋水材料受力不平均损毁,为避免此情况发生,产业界需要一种能引导气流,以延长淋水材料寿命的具有导流结构的水洗装置。
有鉴于上述现有技术的问题,本申请提供一种具有导流结构的水洗装置,其是于装置的水洗装置内侧设置导流结构,以稳定气流,一壳体内侧的洒水装置喷洒液体至淋水组件后,通过该导流结构稳定通过的气体的气流,且使气体于淋水组件内与液体稳定混合,利用该导流结构稳定经过的气流,避免该淋水组件受高速流动的气体损毁。
实用新型内容
本申请所要解决的技术问题在于提供一种具有导流结构的水洗装置,其是壳体内侧设置导流结构,以洒水装置喷洒液体至淋水组件,并以导流结构稳定经过的气体的气流,避免该淋水组件受流动的气体损坏,且接收经过该淋水组件的液体,使稳定的气流先与该液体接触进行水洗,提高装置的过滤效率。
为达到上述所指称的各目的与功效,本申请提供一种具有导流结构的水洗装置,其包含:一壳体、一导流结构、一淋水组件以及一洒水装置,该壳体的一内侧具有一容置空间,该导流结构设置于该容置空间的一内侧,该导流结构的一上方设置多个集水槽,该些个集水槽各别穿设多个第一贯穿孔,该淋水组件设置于该容置空间,并设置于该导流结构的一上方,该洒水装置设置于该容置空间,并设置于该淋水组件的一上方,其中,该洒水装置喷洒一第一流体至该淋水组件,该第一流体经过该淋水组件流至该导流结构的该些个集水槽,该第一流体再由该第一贯穿孔流出;利用此结构引导流经导流结构的流体,避免淋水层的淋水材料受不稳定的流体损坏,且提供预先水洗的功效。
本申请的一实施例中,更包含一除水装置,该除水装置设置于该容置空间,并设置于该洒水装置的一上方。
本申请的一实施例中,其中该壳体的一上方一端设置一出风口,该壳体的一下方设置一入风口,一第二流体由该入风口进入至该壳体,该第二流体经过该导流结构后流至该淋水组件,该第二流体经过该淋水组件至该洒水装置后,由该出风口排出。
本申请的一实施例中,其中该入风口设置于该壳体下方的一侧。
本申请的一实施例中,其中该淋水组件包含多个淋水层,该些个淋水层互相叠设。
本申请的一实施例中,其中该些个淋水层设置多个第二贯穿孔,该第一流体流经该些个第二贯穿孔。
本申请的一实施例中,其中该些个第一贯穿孔的一径长由该导流结构的一端至该导流结构的另一端渐长。
本申请的一实施例中,其中该些个集水槽与该导流结构的表面具有一斜角,该斜角是介于5°至45°度之间。
本申请的一实施例中,其中该第一流体是水。
本申请的一实施例中,其中该第二流体是空气。
有关本申请的其它功效及实施例的详细内容,配合图式说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本申请的一实施例的结构示意图;
图2是本申请的一实施例的流体流动示意图;
图3是本申请的一实施例的结构放大示意图;
图4是本申请的一实施例的导流结构俯视图;以及
图5是本申请的另一实施例的导流结构俯视图。
符号说明
1具有导流结构的水洗装置
10壳体 11出风口 12容置空间
13入风口 20导流结构 22集水槽
24第一贯穿孔 30淋水组件 32淋水层
322第二贯穿孔 40洒水装置 50除水装置
A第二流体 D径长 D’径长
W第一流体 θ斜角
具体实施方式
在下文的实施方式中所述的位置关系,包括:上,下,左和右,若无特别指明,皆是以图式中组件绘示的方向为基准。
本申请是以一导流结构设置于一壳体的一容置空间,利用该导流结构稳定经过的第一流体的气流,避免一淋水组件受高速流动的流体损坏,且该导流结构接收经过该淋水组件的一第二流体,使该第二流体与稳定气流的该第一流体先行接触进行水洗,提高装置的过滤效率,并以此装置结构解决现有技术流经淋水材料的气体流速过快,导致淋水材被高速移动的气体损毁的问题。
请参阅图1,其为本申请的一实施例的结构示意图,如图所示,本实施例是一种具有导流结构的水洗装置1,其包含一壳体10、一导流结构20、一淋水组件30以及一洒水装置40;于本实施例中,该壳体10的一上方一端设置一出风口11,该壳体10下方的一侧设置一入风口13,而该壳体10的一内侧具有一容置空间12,该出风口11以及该入风口13连通该容置空间12,使流体可于流经该壳体10内侧。
再次参阅图1,如图所示,于本实施例中,该导流结构20设置于该容置空间12的一内侧,该导流结构20的一上方设置多个集水槽22,该些个集水槽22 向下凹设于该导流结构20的表面,以接收流体,该些个集水槽22再各别穿设多个第一贯穿孔24,即是每一该些个集水槽22穿设多个第一贯穿孔24;该淋水组件30设置于该容置空间12,并间隔设置于该导流结构20的一上方,该洒水装置 40设置于该容置空间12,并间隔设置于该淋水组件30的一上方,以对该淋水组件30喷洒一第一流体W。
接续上述,于本实施例中,该淋水组件30包含多个淋水层32,该些个淋水层32是一淋水填料,其设置多个第二贯穿孔322,该些个淋水层32用于接收并将该洒水装置40喷洒的该第一流体W(例如水),经多次溅散呈微细小水滴或水膜,增大该第一流体W的接触面积,延长液体与气体的接触时间,确保通过的气体能与该液体有效交换。
请参阅图1、图2以及图3,图2为本申请的一实施例的流体流动示意图,图 3为本申请的一实施例的结构放大示意图,如图所示,于本实施例中,该洒水装置40喷洒该第一流体W至该淋水组件30,该第一流体W经过该些个淋水层32 的该些个第二贯穿孔322后,该第一流体W流至该导流结构20的该些个集水槽22 内集中,该第一流体W再流至该些个集水槽22各别穿设的该些个第一贯穿孔24,并经过该些个第一贯穿孔24往下至集水槽,但本实施例不再此限制。
接续上述,于本实施例中,该导流结构20的该些个集水槽22与该导流结构 20的表面具有一斜角θ,该斜角θ是介于5°至45°度之间,用以使该第一流体W集中于该些个集水槽22,但本实施例不在此限制。
接续上述,于本实施例中,更包含一除水装置50,该除水装置50设置于该容置空间12,并间隔设置于该洒水装置40的一上方,用于去除通过的流体所包含的水气。
再次参阅图1、图2以及图3,如图所示,于本实施例中,一第二流体A(例如空气)经由该入风口13进入,该第二流体A流至该壳体10的该容置空间12内,再流进该些个第一贯穿孔24内与向下流动的该第一流体W进行混合,该第二流体A流出该些个第一贯穿孔24以及该些个集水槽22后,经过该淋水组件30的该些个淋水层32的该些个第二贯穿孔322,并再次与该第一流体W接触混合,以去除该第二流体A包含的气态分子污染物,该第二流体A再经过该除水装置50,进行除湿,最后该第二流体A流出该出风口11。
再次参阅图3以及请参阅图4,图4为本申请的一实施例的导流结构俯视图,如图所示,于本实施例中,该导流装置20的该些个集水槽22平均分布该些个第一贯穿孔24,其可快速将该第一流体W排除,并在该些个集水槽22的该斜角最低点流至下方时,形成水柱或水帘,使入该第二流体A预先接触水洗,提高装置的过滤效率,其中,该些个第一贯穿孔24各别的一径长D相同,其适用于该入风口13设置于该导流装置20的正下方,且该第二流体A由正下方进入的结构,但本实施例不再此限制。
请参阅图5,图5为本申请的另一实施例的导流结构俯视图,如图所示,本实施例进一步于该导流结构20,以梯度分布设置与入风方向相反的该些个集水槽22以及该些个第一贯穿孔24,即是该些个第一贯穿孔24的该径长D由该导流结构20的一端至该导流结构20的另一端渐长;如图所示,于该导流结构20的一端的该些个第一贯穿孔24其中之一该径长D小于该导流结构20的另一端的该些个第一贯穿孔24其中之一该径长D’,其可对应引导进入该壳体10的该第二流体 A的流场,例如该入风口13设置于该壳体下方的一侧时,进入该壳体10的该第二流体A的气流分布不均,因此以梯度分布的该些个集水槽22以及该些个第一贯穿孔24,使该第二流体A的流场均匀化,提升过滤的效率。
本实施例的一种具有导流结构的水洗装置1其需考虑内部流体的流场均匀性,即经过该淋水组件30截面积的风速需一致,由于该第二流体A进入该入风口13时,难以维持平稳流动,经常进入该壳体10后集中于一侧,导致气流分布不均,因此设置该导流结构20,以引导该第二流体A,因此改善该第二流体A 的流场分布不均情形。
综上所述,本申请提供一种具有导流结构的水洗装置,其是设置导流结构于装置的壳体内,利用导流结构稳定经过的气体的气流,避免淋水组件受高速流动的气体损坏,并使气体可均匀接触淋水组件,导流结构更接收经过淋水组件的液体,集中液体与稳定气流的气体先行接触,进行初步的水洗,进一步提高装置的过滤效率,以此装置结构解决现有技术流经淋水材料的气体流速过快,导致淋水材被高速移动的气体损毁的问题,以及气体的流场分布不均,导致淋水材料受力不平均损毁的问题。
以上所述的实施例及/或实施方式,仅是用以说明实现本申请技术的较佳实施例及/或实施方式,并非对本申请技术的实施方式作任何形式上的限制,任何本领域技术人员,在不脱离本申请内容所公开的技术手段的范围,当可作些许的更动或修饰为其它等效的实施例,但仍应视为与本申请实质相同的技术或实施例。
Claims (10)
1.一种具有导流结构的水洗装置,其特征在于,包含:
一壳体,其内侧具有一容置空间;
一导流结构,其设置于该容置空间的内侧,该导流结构的上方设置多个集水槽,该些个集水槽各别穿设多个第一贯穿孔;
一淋水组件,其设置于该容置空间,并设置于该导流结构的上方;以及
一洒水装置,其设置于该容置空间,并设置于该淋水组件的上方;
其中,该洒水装置喷洒一第一流体至该淋水组件,该第一流体经过该淋水组件流至该导流结构的该些个集水槽,该第一流体再由该些第一贯穿孔流出。
2.根据权利要求1所述的具有导流结构的水洗装置,其特征在于,更包含一除水装置,该除水装置设置于该容置空间,并设置于该洒水装置的上方。
3.根据权利要求1所述的具有导流结构的水洗装置,其特征在于,该壳体上方的一端设置一出风口,该壳体下方设置一入风口,一第二流体由该入风口进入至该壳体,该第二流体经过该导流结构后流至该淋水组件,该第二流体经过该淋水组件至该洒水装置后,由该出风口排出。
4.根据权利要求3所述的具有导流结构的水洗装置,其特征在于,该入风口设置于该壳体下方的一侧。
5.根据权利要求1所述的具有导流结构的水洗装置,其特征在于,该淋水组件包含多个淋水层,该些个淋水层互相叠设。
6.根据权利要求5所述的具有导流结构的水洗装置,其特征在于,该些个淋水层设置多个第二贯穿孔,该第一流体流经该些个第二贯穿孔。
7.根据权利要求1所述的具有导流结构的水洗装置,其特征在于,该些个第一贯穿孔的径长是由该导流结构的一端至该导流结构的另一端渐长。
8.根据权利要求1所述的具有导流结构的水洗装置,其特征在于,该些个集水槽与该导流结构的表面具有一斜角,该斜角是介于5°至45°度之间。
9.根据权利要求1所述的具有导流结构的水洗装置,其特征在于,该第一流体是水。
10.根据权利要求3所述的具有导流结构的水洗装置,其特征在于,该第二流体是空气。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202122743005.1U CN217119750U (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | 具有导流结构的水洗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202122743005.1U CN217119750U (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | 具有导流结构的水洗装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN217119750U true CN217119750U (zh) | 2022-08-05 |
Family
ID=82613754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202122743005.1U Active CN217119750U (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | 具有导流结构的水洗装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN217119750U (zh) |
-
2021
- 2021-11-10 CN CN202122743005.1U patent/CN217119750U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100517586C (zh) | 处理衬底的方法和设备 | |
KR101398759B1 (ko) | 노즐, 기판처리장치, 및 기판처리방법 | |
US20070234951A1 (en) | Methods and apparatus for cleaning a substrate | |
US20050126393A1 (en) | Dual-type air purification system | |
US20080135069A1 (en) | Method and apparatus for active particle and contaminant removal in wet clean processes in semiconductor manufacturing | |
CN217119750U (zh) | 具有导流结构的水洗装置 | |
KR20150125938A (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN105470177A (zh) | 晶圆清洗干燥装置 | |
CN115463876B (zh) | 碳化硅晶片单面清洗机和碳化硅晶片的清洗方法 | |
CN107342249B (zh) | 化学品供应单元和基板处理装置 | |
TWM626304U (zh) | 具有導流結構之水洗裝置 | |
CN216825437U (zh) | 具有温控装置的水洗过滤装置 | |
CN213244996U (zh) | 一种喷淋除油塔 | |
CN105244304B (zh) | 一种带静电液雾清洗装置和清洗方法 | |
CN210788335U (zh) | 一种基板清洗头及基板清洗装置 | |
CN202700856U (zh) | 一种清洗雾化喷射装置 | |
CN216988825U (zh) | 半导体清洗设备 | |
TWI728593B (zh) | 用於去除異物的基質處理裝置 | |
CN215876847U (zh) | 淋水装置的结构 | |
TWM638094U (zh) | 提升汙染物去除效率之洗滌裝置 | |
KR101935573B1 (ko) | 슬릿 타입의 분사구를 가지는 혼합 유체 분사 장치 | |
CN216677651U (zh) | 酸性制程废气的处理装置 | |
CN109037105B (zh) | 半导体清洗设备及利用该设备清洗助焊剂的方法 | |
TW202305982A (zh) | 半導體處理系統及在半導體製造製程中移除粒子之方法 | |
US6974505B2 (en) | Tool for cleaning substrates |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |