TWM595314U

TWM595314U - 抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置

Info

Publication number: TWM595314U
Application number: TW109202474U
Authority: TW
Inventors: 郭熙霖; 王威祥
Original assignee: 十銓科技股份有限公司
Priority date: 2020-03-06
Filing date: 2020-03-06
Publication date: 2020-05-11

Abstract

一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，包含：一印刷電路板；一記憶體單元，設置於該印刷電路板；一連接介面，設置於該印刷電路板且電連接於該記憶體單元，用以連接到一主機系統；一抗硫化抗高壓被動元件，設置於該印刷電路板且電連接於該連接介面及該記憶體單元，該抗硫化抗高壓被動元件係具有曲折的導電路徑以拉長電極間的距離、緩慢傾斜電位傾度，避免高壓突波對晶片造成損傷。藉由抗硫化抗高壓被動元件的設置，本創作的抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置能適用於戶外之環境。

Description

抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置

本創作相關於一種記憶體儲存裝置，特別是相關於一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置。

記憶體儲存裝置為電子裝置上的一重要元件，其可以儲存或是暫存電子裝置上之數位資料。一般的記憶體儲存裝置可以區分為DRAM模組UDIMM、RDIMM、SODIMM等及FLASH模組SSD等。由於電子裝置的普及化，其設置地點可能是位於戶外之場所，使得空氣中之化合物及水分子接觸到記憶體儲存裝置之機率大增，而造成記憶體儲存裝置的壽命縮短。舉例來說，習知的記憶體儲存裝置上的電阻均含有銀之成分，當於空氣中的硫分子接觸時，則電阻中含有銀之電極層將會起化學作用產生硫化銀。硫化銀的產生會導致電阻阻值增加，甚至形成開路而失效。因應於此，有記憶體儲存裝置使用抗硫化的電阻，改變電極層的材料以避免硫化。

然而，在戶外之場所中，記憶體儲存裝置除了有硫化的風險以外，還可能會受天空的雷擊與靜電產生的高壓突波破壞，而造成電阻失效。因此，記憶體儲存裝置上的被動元件僅有抗硫化仍不足以因應戶外的環境。

因此，本創作的目的即在提供一種記憶體儲存裝置，除了能抗硫化以外，還能抗高壓突波。

本創作為解決習知技術之問題所採用之技術手段係提供一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，包含：一印刷電路板；一記憶體單元，設置於該印刷電路板；一連接介面，設置於該印刷電路板且電連接於該記憶體單元，用以連接到一主機系統；一抗硫化抗高壓被動元件，設置於該印刷電路板且電連接於該連接介面及該記憶體單元，該抗硫化抗高壓被動元件係具有曲折的導電路徑。

在本創作的一實施例中係提供一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，該抗硫化抗高壓被動元件為抗硫化抗高壓電阻。

在本創作的一實施例中係提供一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，該抗硫化抗高壓被動元件為抗硫化抗高壓排阻。

在本創作的一實施例中係提供一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，該抗硫化抗高壓被動元件為複數個。

在本創作的一實施例中係提供一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，更包括一抗高壓電容，設置於該印刷電路板且電連接於該連接介面及該記憶體單元。

在本創作的一實施例中係提供一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，該記憶體儲存裝置為UDIMM。

在本創作的一實施例中係提供一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，該記憶體儲存裝置為RDIMM。

在本創作的一實施例中係提供一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，該記憶體儲存裝置為SODIMM。

在本創作的一實施例中係提供一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，該記憶體儲存裝置為SSD。

經由本創作的抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置所採用之技術手段，抗硫化抗高壓被動元件是在抗硫化被動元件的基礎上，將電極之間的導電路徑從直線改成曲折，以拉長電極間的距離、緩慢傾斜電位傾度，避免高壓突波對晶片造成損傷。因此，抗硫化抗高壓被動元件能同時抗硫化以及抗高壓。藉由抗硫化抗高壓被動元件的設置，本創作的抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置能適用於戶外之環境。

以下根據第1圖，而說明本創作的實施方式。該說明並非為限制本創作的實施方式，而為本創作之實施例的一種。

如第1圖所示，依據本創作的一實施例的一抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置100，包含：一印刷電路板1、一記憶體單元2、一連接介面3以及一抗硫化抗高壓被動元件。

抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置100可以是UDIMM（unbuffered dual in-line memory module）、RDIMM（registered dual in-line memory module）、SODIMM（small outline dual in-line memory module）或是SSD（solid-state drive）。

記憶體單元2、連接介面3以及抗硫化抗高壓被動元件4皆是設置在印刷電路板1上。

連接介面3為金手指，是在本創作的抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置100插入主機系統的記憶體插槽時，而與主機系統連接。連接介面3電連接於該記憶體單元2，以傳遞主機系統與記憶體單元2之間的訊號。

抗硫化抗高壓被動元件4電連接於該連接介面3及該記憶體單元2。抗硫化抗高壓被動元件4是以抗硫化被動元件為基礎，將電極之間的導電路徑設置曲折的路徑，高壓突波的高電位能分散到較大的範圍，緩慢傾斜電位傾度抵抗突波以免元件失效。藉此，本創作的抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置100能適用於戶外之環境。

詳細而言，抗硫化抗高壓被動元件為抗硫化抗高壓電阻。而在其他實施例中，抗硫化抗高壓被動元件為抗硫化抗高壓排阻。

再者，抗硫化抗高壓被動元件為複數個。詳細而言，本創作的實施例的抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置100的所有電阻，皆是抗硫化抗高壓被動元件。而在其他實施例中，也可以是抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置中的所有排阻，皆是抗硫化抗高壓被動元件。

除此之外，如第1圖所示，依據本創作的實施例的抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置100，印刷電路板1上還設有抗高壓電容5。抗高壓電容5電連接於該連接介面3及記憶體單元2。詳細而言，本創作的實施例的抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置100的所有電容，皆是抗硫化抗高壓被動元件為抗高壓電容5。

以上之敘述以及說明僅為本創作之較佳實施例之說明，對於此項技術具有通常知識者當可依據以下所界定申請專利範圍以及上述之說明而作其他之修改，惟此些修改仍應是為本創作之創作精神而在本創作之權利範圍中。

100:抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置 1:印刷電路板 2:記憶體單元 3:連接介面 4:抗硫化抗高壓被動元件 5:抗高壓電容

［第1圖］為顯示根據本創作的一實施例的抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置的平面示意圖。

100:抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置

1:印刷電路板

2:記憶體單元

3:連接介面

4:抗硫化抗高壓被動元件

5:抗高壓電容

Claims

一種抗硫化抗高壓之記憶體儲存裝置，包含：一印刷電路板；一記憶體單元，設置於該印刷電路板；一連接介面，設置於該印刷電路板且電連接於該記憶體單元，用以連接到一主機系統；一抗硫化抗高壓被動元件，設置於該印刷電路板且電連接於該連接介面及該記憶體單元，該抗硫化抗高壓被動元件係具有曲折的導電路徑。
如請求項1之記憶體儲存裝置，其中該抗硫化抗高壓被動元件為抗硫化抗高壓電阻。
如請求項1之記憶體儲存裝置，其中該抗硫化抗高壓被動元件為抗硫化抗高壓排阻。
如請求項1之記憶體儲存裝置，其中該抗硫化抗高壓被動元件為複數個。
如請求項1之記憶體儲存裝置，更包括一抗高壓電容，設置於該印刷電路板且電連接於該連接介面及該記憶體單元。
如請求項1之記憶體儲存裝置，其中該記憶體儲存裝置為UDIMM。
如請求項1之記憶體儲存裝置，其中該記憶體儲存裝置為RDIMM。
如請求項1之記憶體儲存裝置，其中該記憶體儲存裝置為SODIMM。
如請求項1之記憶體儲存裝置，其中該記憶體儲存裝置為SSD。