TWI732679B

TWI732679B - 具無晶片之導電元件之記憶體模組及記憶體模組之改裝方法

Info

Publication number: TWI732679B
Application number: TW109131898A
Authority: TW
Inventors: 連世雄
Original assignee: 連世雄
Priority date: 2020-09-16
Filing date: 2020-09-16
Publication date: 2021-07-01
Also published as: TW202214052A

Abstract

本發明係揭露一種具無晶片之導電元件之記憶體模組，其包括：一印刷電路板；複數記憶體單元，該些記憶體單元係設置於該印刷電路板；一無晶片之導電元件，設置於該印刷電路板且與該些記憶體單元電性連接；以及一連接介面，設置於該印刷電路板且與該無晶片之導電元件電性連接，並用以連接到一電子裝置之主機系統。同時，更揭露一種記憶體模組之改裝方法，將現有的具暫存器之雙行記憶體模組的暫存器移除，而於移除暫存器後所形成之位置安裝無晶片之導電元件，進而以便於生產者將具暫存器之雙行記憶體模組改裝成具無晶片之導電元件之記憶體模組，不僅節省許多改裝工序與作業時間，同時也可避免資源上的浪費。

Description

具無晶片之導電元件之記憶體模組及記憶體模組之改裝方法

本發明係關於記憶體模組及改裝方法之技術領域，特別係指一種藉由無晶片之導電元件使印刷電路板與記憶體單元電性連接之具無晶片之導電元件之記憶體模組及透過具暫存器之雙行記憶體模組改裝成具無晶片之導電元件之記憶體模組的記憶體模組之改裝方法。

按，積體電路發展至今，為求將電子裝置的數位資料進行儲存或暫存，經常會於電子裝置設置記憶體模組。然而，眾多的記憶體模組中，動態隨機存取記憶體模組依功能大致可區分為非緩衝雙行記憶體模組(Unbuffered Dual Inlined Memory Module，UDIMM)、具暫存器之雙行記憶體模組(Registered Dual Inlined Memory Module，RDIMM)、小外形雙行記憶體模組(Small Outline Dual Inlined Memory Module，SODIMM)及低負載雙行記憶體模組(Load Reduced DIMM，LRDIMM)等。

其中，由於UDIMM主要是應用於桌上型電腦與筆記型電腦，而RDIMM主要是應用於工作站和伺服器，且RDIMM相較UDIMM更多了暫存器(Register)，使兩者在結構與功能上有所差異，如第1圖所示，具暫存器之雙行記憶體模組(RDIMM)20包括一印刷電路板21、複數記憶體單元22、暫存器23及連接介面24，其中該暫存器23係與該些記憶體單元22及該連接介面24電性連接。然而，隨著市場發展，有時會有RDIMM產量過剩的問題產生，因此生產者嘗試將RDIMM具有的暫存器23移除而改裝成UDIMM，但其設置於印刷電路板21的記憶體單元22與連接介面24卻無法達到電性連接的效果，故仍須將記憶體單元22拆除並裝配於另一印刷電路板，以使記憶體單元22與設置於另一印刷電路板的連接介面達到電性連接，如此才得以將RDIMM改裝成UDIMM。

但，若依據上述方式進行改裝，生產者不僅需花費龐大的作業時間進行拆裝組配，兩者間的印刷電路板也無法共用，無疑會造成成本上的增加與資源的浪費。

因此，綜觀以上所述，本發明之發明人經多年苦心潛心研究、思索並設計出一種具無晶片之導電元件之記憶體模組及記憶體模組之改裝方法，以期針對習知技術之缺失加以改善，進而增進產業上之實施利用。

本發明的主要目的，在於提供一種具無晶片之導電元件之記憶體模組及記憶體模組之改裝方法，藉由無晶片之導電元件使設置於印刷電路板之記憶體單元與連接介面達到電性連接之效果，進而可供生產者將現有的具暫存器之雙行記憶體模組的暫存器移除，而於移除暫存器後所形成之位置安裝無晶片之導電元件，進而以便於生產者將具暫存器之雙行記憶體模組改裝成具無晶片之導電元件之記憶體模組(例如：非緩衝雙行記憶體模組)，不僅節省許多改裝工序與作業時間，同時也可避免資源上的浪費。

因此，為達上述目的，本發明提供一種具無晶片之導電元件之記憶體模組，其包括：一印刷電路板；複數記憶體單元，該些記憶體單元係設置於該印刷電路板；一無晶片之導電元件，設置於該印刷電路板且與該些記憶體單元電性連接；以及一連接介面，設置於該印刷電路板且與該無晶片之導電元件電性連接，並用以連接到一電子裝置之主機系統。

承上所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該無晶片之導電元件，包括：一基板，該基板內佈設有一導電線路層；以及一封膠層，該封膠層係完全或部分包覆於該基板；其中，該基板與該封膠層之中並不具有一晶片。

承上所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該基板更與至少一連接件相連接。

承上所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該無晶片之導電元件之封裝係包括一球狀柵格陣列封裝(Ball Grid Array，BGA)系列、一小外形封裝(Small Out-Line Package，SOP)系列、一小型J形引腳封裝(Small Outline J-lead package，SOJ)系列、一塑膠晶片載體封裝(Plastic Leaded Chip Carrier，PLCC)系列、一塑膠四周平面封裝(Plastic Quad Flat Package，PQFP)系列或一四方扁平無引腳封裝(Quad Flat Non-lead package，QFN)系列。

承上所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該封膠層係為一樹脂。

承上所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該無晶片之導電元件之外觀造型與設置於一具暫存器之雙行記憶體模組之暫存器相同。

承上所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該無晶片之導電元件係為一電性連接器、一電性開關或一繼電器。

再者，本發明另提供一種記憶體模組之改裝方法，係改裝成具無晶片之導電元件之記憶體模組，其包括：將一現有的具暫存器之雙行記憶體模組所具有之暫存器移除，將該無晶片之導電元件設置於移除該暫存器所形成之位置，以使該無晶片之導電元件設置於該具暫存器之雙行記憶體模組之印刷電路板而與該具暫存器之雙行記憶體模組之記憶體單元及連接介面電性連接，藉以形成該具無晶片之導電元件之記憶體模組。

綜上所述，本發明將以特定實施例詳述於下。以下實施例僅為舉例之用，而非限定本發明之保護範圍。熟諳此技藝者，將可輕易理解各種非關鍵參數，其可改變或調整而產生實質相同的結果。

10:具無晶片之導電元件之記憶體模組

11:印刷電路板

12:記憶體單元

13:無晶片之導電元件

131:基板

1311:導電線路層

132:封膠層

133:連接件

14:連接介面

20:具暫存器之雙行記憶體模組

21:印刷電路板

22:記憶體單元

23:暫存器

24:連接介面

S1~S3:步驟

第1圖為現有具暫存器之雙行記憶體模組的平面示意圖。

第2圖為本發明之具無晶片之導電元件之記憶體模組的平面示意圖。

第3圖為第2圖中無晶片之導電元件之一實施例截面示意圖。

第4圖為第2圖中無晶片之導電元件之另一實施例截面示意圖。

第5圖為本發明之記憶體模組之改裝方法的流程圖。

以下根據第1至5圖所示，而說明本發明的實施方式。該說明並非為限制本發明的實施方式，而為本發明之實施例的一種。

首先，請參閱第2圖所示，本發明係提供一種具無晶片之導電元件之記憶體模組10，其包括：一印刷電路板11；複數記憶體單元12，該些記憶體單元12係設置於該印刷電路板11；一無晶片之導電元件13，設置於該印刷電路板11且與該些記憶體單元12電性連接；以及一連接介面14，設置於該印刷電路板11且與該無晶片之導電元件13電性連接，並用以連接到一電子裝置(圖未示)之主機系統。

其中，該連接介面14可以是金手指，當本發明之具無晶片之導電元件之記憶體模組10插入該電子裝置之主機系統所具有的插槽時，可與該主機系統連接，由於該連接介面14透過該無晶片之導電元件13與該些記憶體單元12電性連接，因此使該主機系統與該些記憶體單元12間的訊號得以傳輸。

接著，請參閱第3圖所示，詳細說明該無晶片之導電元件13之結構，其中該無晶片之導電元件13係包括：一基板131，該基板131內佈設有一導電線路層1311；以及一封膠層132，該封膠層132係完全或部分包覆於該基板131；其中，該基板131與該封膠層132之中並不具有一晶片。再者，該封膠層132係為一樹脂。因此，當該無晶片之導電元件13設置於該印刷電路板11時，可與該些記憶體單元12及該連接介面14電性連接，並使得該具無晶片之導電元件之記憶體模組10不具備暫存緩衝功能。

此外，該基板131更與至少一連接件133相連接，以使該導電元件13得以結合於該印刷電路板11上，舉例來說，該連接件133可如第3圖所示係為一球狀柵格陣列(Ball Grid Array；BGA)連接件，另外，該導電元件13之封裝不僅包括如第3圖所示之球狀柵格陣列封裝(Ball Grid Array，BGA)系列，更可包括如第4圖所示之小外形封裝(Small Out-Line Package，SOP)系列，或是其他未於圖式中所示之小型J形引腳封裝(Small Outline J-lead package，SOJ)系列、塑膠晶片載體封裝(Plastic Leaded Chip Carrier，PLCC)系列、塑膠四周平面封裝(Plastic Quad Flat Package，PQFP)系列或一四方扁平無引腳封裝(Quad Flat Non-lead package，QFN)系列等。

然而，該無晶片之導電元件13之外觀造型更可與設置於一具暫存器之雙行記憶體模組20之暫存器23相同，以便於生產者容易安裝，而該無晶片之導電元件13係為一電性連接器、一電性開關或一繼電器。

最後，請同時參閱第1至5圖所示，本發明更提供一種記憶體模組之改裝方法，係改裝成具無晶片之導電元件之記憶體模組10，其包括：步驟S1：將一現有的具暫存器23之雙行記憶體模組20所具有之暫存器23移除，步驟S2：將該無晶片之導電元件13設置於移除該暫存器23所形成之位置，以使該無晶片之導電元件13設置於該具暫存器之雙行記憶體模組20之印刷電路板21而與該具暫存器之雙行記憶體模組20之記憶體單元22及連接介面24電性連接，步驟S3：藉以形成該具無晶片之導電元件之記憶體模組10。因此，本發明確實可透過該無晶片之導電元件13設置於該印刷電路板21時，與該些記憶體單元22及該連接介面24電性連接。如此一來，可節省生產者將具暫存器之雙行記憶體模組20改裝成具無晶片之導電元件之記憶體模組10的許多改裝工序與作業時間，同時也無須另外設計印刷電路板及將具暫存器之雙行記憶體模組之印刷電路板丟棄。

其中，該無晶片之導電元件13設置於該具暫存器之雙行記憶體模組20之印刷電路板21時，更可透過線材互絞或是焊接等方式，使該無晶片之導電元件13結合於該印刷電路板21並與該些記憶體單元22及該連接介面24電性連接。

故本發明確實提供一種具無晶片之導電元件之記憶體模組及記憶體模組之改裝方法，藉由無晶片之導電元件使設置於印刷電路板之記憶體單元與連接介面達到電性連接之效果，進而可供生產者將現有的具暫存器之雙行記憶體模組的暫存器移除，而於移除暫存器後所形成之位置安裝無晶片之導電元件，進而以便於生產者將具暫存器之雙行記憶體模組改裝成具無晶片之導電元件之記憶體模組，不僅節省許多改裝工序與作業時間，同時也可避免資源上的浪費。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

10:具無晶片之導電元件之記憶體模組

11:印刷電路板

12:記憶體單元

13:無晶片之導電元件

14:連接介面

Claims

一種具無晶片之導電元件之記憶體模組，其包括：一印刷電路板；複數記憶體單元，該些記憶體單元係設置於該印刷電路板；一無晶片之導電元件，設置於該印刷電路板且與該些記憶體單元電性連接，該無晶片之導電元件係包括一基板及一封膠層，該基板內佈設有一導電線路層，該封膠層係完全或部分包覆於該基板，其中該基板與該封膠層之中並不具有一晶片；以及一連接介面，設置於該印刷電路板且與該無晶片之導電元件電性連接，並用以連接到一電子裝置之主機系統。
如請求項1所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該基板更與至少一連接件相連接。
如請求項2所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該無晶片之導電元件之封裝係包括一球狀柵格陣列封裝(Ball Grid Array，BGA)系列、一小外形封裝(Small Out-Line Package，SOP)系列、一小型J形引腳封裝(Small Outline J-lead package，SOJ)系列、一塑膠晶片載體封裝(Plastic Leaded Chip Carrier，PLCC)系列、一塑膠四周平面封裝(Plastic Quad Flat Package，PQFP)系列或一四方扁平無引腳封裝(Quad Flat Non-lead package，QFN)系列。
如請求項1至3中任一項所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該封膠層係為一樹脂。
如請求項4所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該無晶片之導電元件之外觀造型與設置於一具暫存器之雙行記憶體模組之暫存器相同。
如請求項5所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其中該無晶片之導電元件係為一電性連接器、一電性開關或一繼電器。
一種記憶體模組之改裝方法，係改裝成如請求項1至6中任一項所述之具無晶片之導電元件之記憶體模組，其包括：將一現有的具暫存器之雙行記憶體模組所具有之暫存器移除，將該無晶片之導電元件設置於移除該暫存器所形成之位置，以使該無晶片之導電元件設置於該具暫存器之雙行記憶體模組之印刷電路板而與該具暫存器之雙行記憶體模組之記憶體單元及連接介面電性連接，藉以形成該具無晶片之導電元件之記憶體模組。