CN205645280U - 抗硫化的内存存储装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型揭露一种抗硫化的内存存储装置，其包含一连接接口单元、多个挥发性内存单元以及一印刷电路板。连接接口单元可用以耦接至一主机系统。印刷电路板可包含多个抗硫化被动组件以及一保护膜，多个抗硫化被动组件可用以控制并传导一电流至多个挥发性内存单元，保护膜可用以覆盖印刷电路板，其中多个抗硫化被动组件可包含一抗硫化电阻及一抗硫化排阻。
Description
技术领域
本实用新型关于一种内存存储装置，特别是有关于一种可抗硫化的内存存储装置。
背景技术
内存装置为电子装置上的一主要组件，其可以存储或是暂存电子装置上的数字数据，一般的内存装置可以区分为Unbuffered Dual Inlined Memory Module(UDIMM)、Registered Dual Inlined Memory Module(RDIMM)以及Small OutlineDual Inlined Memory Module(SODIMM)。而无论是何种内存装置，其中都包含着一PCB、至少一挥发性内存单元以及多个被动组件，其中挥发性内存单元及被动组件置于PCB上，而被动组件则是用来控制由主机传输而来的电流大小。而在正常使用的情况之下，内存模块的寿命可维持五至十年，更甚者，十年以上亦所在多有。
由于目前电子装置的普及化，其设置的地点极有可能是位于户外的场所，使得空气中的化合物或是水分子接触到内存装置的机率大增，而造成内存装置的寿命减短。举例来说，目前内存装置上的电阻均含有银的成份，当其与空气中的硫分子接触到时，则原有含银的传导层将会起化学作用而产生硫化银，使得此传导层渐渐成为一绝缘体，而最后将导致电流无法通过此电阻并使此内存装置无法再被使用，此硫化银的示意图可参考图1。又或者，当空气中的水汽过多时，也可能造成内存装置上的被动组件受潮而无法使用。
实用新型内容
有鉴于上述习知技艺的问题，本实用新型的目的就是在提供一种抗硫化的内存存储装置，以解决以上的问题。
基于上述目的，本实用新型提供一种抗硫化的内存存储装置，其包含一连接接口单元、多个挥发性内存单元以及一印刷电路板。连接接口单元可用以耦接至一主机系统。印刷电路板可包含多个抗硫化被动组件以及一保护膜，多个抗硫化被动组件可用以控制并传导一电流至多个挥发性内存单元，保护膜可用以覆盖印刷电路板，其中多个抗硫化被动组件可包含一抗硫化电阻及一抗硫化排阻。
优选地，抗硫化电阻的一最佳电阻值为240奥姆。
优选地，抗硫化电阻的电阻值的误差值介于240奥姆的上下5％区间内。
优选地，抗硫化电阻的电阻值的误差值介于240奥姆的上下3％区间内。
优选地，抗硫化电阻的电阻值的误差值介于240奥姆的上下1％区间内。
优选地，抗硫化排阻的一最低电阻值为15奥姆。
优选地，抗硫化排阻的一最高电阻值为39奥姆。
优选地，连接接口单元可为金手指，且金手指的厚度介于20至30微米。
优选地，连接接口单元可为金手指，且金手指的厚度介于35至45微米。
承上所述，依本实用新型的抗硫化的内存存储装置，其可具有一或多个下述优点：
(1)本实用新型的抗硫化的内存存储装置可防止被动组件与空气中的化合物产生化学反应，而使得此内存存储装置的寿命得以延长。
(2)本实用新型的抗硫化的内存存储装置的保护膜具有防潮、防尘、防污的功能。
(3)本实用新型的抗硫化的内存存储装置的连接接口单元具有耐磨及耐插拔的特性，并可使讯号传输更为稳定。
(4)本实用新型的抗硫化的内存存储装置的电阻的误差值缩小至1％上下，可使流经过此电阻的电流的一大小更为精准。
附图说明
图1为被动组件产生硫化银的示意图。
图2为本实用新型的抗硫化的内存存储装置的前视图。
图3为本实用新型的本实用新型的抗硫化的内存存储装置的后视图。
具体实施方式
为利贵审查员了解本实用新型的技术特征、内容与优点及其所能达成的功效，兹将本实用新型配合附图，并以实施例的表达形式详细说明如下，而其中所使用的图式，其主旨仅为示意及辅助说明书的用，未必为本实用新型实施后的真实比例与精准配置，故不应就所附的图式的比例与配置关系解读、局限本实用新型于实际实施上的权利范围，合先叙明。
请参阅图2及图3，其为本实用新型的抗硫化的内存存储装置的前视图及后视图。在本实施例中，抗硫化的内存存储装置100以一SODIMM来举例实施，其可以包含一连接接口单元10、多个挥发性内存单元20以及一印刷电路板30。其中此多个挥发性内存单元20可以为多个内存颗粒，连接接口单元10可以为一金手指，其中此多个挥发性内存单元20与连接接口单元10位于印刷电路板30上。
值得一提的是，上述的内存存储装置以SODIMM来举例实施，但不以此为限，亦可以以ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module(ECCUDIMM)、ECC Small Outline Dual In-Line Memory Module、Load ReducedDIMM(LRDIMM)、UDIMM、RDIMM来举例实施。
如图所示，连接接口单元10可用以耦接至一主机系统，其耦接的方式将连接接口单元10插入至主机系统上主板上的内存插槽，进而进行电力或是数据的传送。其中，此连接接口单元10的厚度可介于20～30微米之间，而优选的情况是，此连接接口单元10的厚度可介于35～45微米之间，以具备耐磨与耐插拔的功能。
此外，此印刷电路板30包含多个抗硫化被动组件31以及一保护膜32，其中多个抗硫化被动组件31可包含一抗硫化电阻311及一抗硫化排阻312，其可用以控制并传导一电流至挥发性内存单元20，其中此电流是由主机系统透过连接接口单元10所提供。
保护膜32用以覆盖印刷电路板30。更进一步地说明，此保护膜32可以利用一涂层防护(conformal coating)技术来覆盖在印刷电路板30上，以提供防潮、防尘、防污以及增加印刷电路板30上组件耐磨的能力。
在一实施例中，当抗硫化被动组件31为一抗硫化电阻311时，在温度25度C下，则抗硫化电阻311的一最佳电阻值为240奥姆，且抗硫化电阻311的电阻值的误差值介于240奥姆的上下5％区间内。
在一优选的实施例中，当抗硫化被动组件31为一抗硫化电阻311时，在温度25度C下，则抗硫化电阻311的一最佳电阻值为240奥姆，且抗硫化电阻311的电阻值的误差值介于240奥姆的上下3％区间内。
在一优选的实施例中，当抗硫化被动组件31为一抗硫化电阻311时，在温度25度C下，则抗硫化电阻311的一最佳电阻值为240奥姆，抗硫化电阻311的电阻值的误差值介于240奥姆的上下1％区间内。
在一优选的实施例中，当抗硫化被动组件31为一抗硫化排阻312时，在温度25度C下，则抗硫化排阻312的一最低电阻值为15奥姆且其最高电阻值为39奥姆，其中此抗硫化排阻312包含四个相同的电阻。更进一步的说明，此抗硫化排阻312的规格可以为8P4R或是4P2R。在本实施例中，抗硫化排阻312内的四个电阻个数仅为举例实例，并不以此为限，在实际应用上可视使用者的需求来设计包含多个电阻的一抗硫化排阻。
值得一提的是，本实用新型的抗硫化的内存存储装置采用了误差值极低的抗硫化电阻或是抗硫化排阻，其可以有效地避免较大的电流流通经过内存存储装置，进而造成内存存储装置的损坏。
由上述可以得知，本实用新型的抗硫化的内存存储装置使用抗硫化被动组件以取代传统的被动组件，并利用保护膜来加强防尘及防水的功效，进而有效地维持内存存储装置上的导电性，故可有效地延长使用寿命。
以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本实用新型的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于后附的权利要求书中。
Claims (9)
1.一种抗硫化的内存存储装置，其特征在于，所述内存存储装置包含：
连接接口单元，用以耦接至主机系统；
多个挥发性内存单元；以及
印刷电路板，包含多个抗硫化被动组件以及保护膜，所述多个抗硫化被动组件用以控制并传导电流至所述多个挥发性内存单元，所述保护膜系用以覆盖所述印刷电路板；
其中所述多个抗硫化被动组件包含抗硫化电阻及抗硫化排阻。
2.如权利要求1所述的内存存储装置，其特征在于，所述抗硫化电阻的最佳电阻值为240奥姆。
3.如权利要求1所述的内存存储装置，其特征在于，所述抗硫化电阻的电阻值的误差值介于240奥姆的上下5％区间内。
4.如权利要求1所述的内存存储装置，其特征在于，所述抗硫化电阻的电阻值的误差值介于240奥姆的上下3％区间内。
5.如权利要求1所述的内存存储装置，其特征在于，所述抗硫化电阻的电阻值的误差值介于240奥姆的上下1％区间内。
6.如权利要求1所述的内存存储装置，其特征在于，所述抗硫化排阻的最低电阻值为15奥姆。
7.如权利要求1所述的内存存储装置，其特征在于，所述抗硫化排阻的最高电阻值为39奥姆。
8.如权利要求1所述的内存存储装置，其特征在于，所述连接接口单元为金手指，且所述金手指的厚度介于20至30微米。
9.如权利要求1所述的内存存储装置，其特征在于，所述连接接口单元为金手指，且所述金手指的厚度介于35至45微米。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201620478703.XU CN205645280U (zh) | 2016-05-24 | 2016-05-24 | 抗硫化的内存存储装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN205645280U true CN205645280U (zh) | 2016-10-12 |
Family
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN205645280U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105931663A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-09-07 | 宇瞻科技股份有限公司 | 抗硫化的内存存储装置 |
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2016
- 2016-05-24 CN CN201620478703.XU patent/CN205645280U/zh not_active Withdrawn - After Issue
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN105931663A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-09-07 | 宇瞻科技股份有限公司 | 抗硫化的内存存储装置 |
| CN105931663B (zh) * | 2016-05-24 | 2019-03-01 | 宇瞻科技股份有限公司 | 抗硫化的内存存储装置 |
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| AV01 | Patent right actively abandoned |
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