TWM593417U - 基因擴增設備 - Google Patents

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施文暉
宋振安
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Abstract

一種基因擴增設備，適於處理至少一樣本，包括一支架、一中央控制模組、一中央控制模組線圈、一旋轉承座、一偵測模組以及一偵測模組感應線圈，中央控制模組設於支架，中央控制模組線圈耦接中央控制模組，樣本被設置於旋轉承座之上，偵測模組設於旋轉承座之上，偵測模組感應線圈耦接偵測模組，在一充電模態下，中央控制模組使中央控制模組線圈提供一感應電壓，偵測模組感應線圈依據感應電壓產生一感應電流，感應電流被供給至偵測模組，本創作實施例之基因擴增設備具有簡化的結構以及較高的可靠度。

Description

基因擴增設備
本創作實施例係有關於一種基因擴增設備，特別係有關於具有無線供電功能之基因擴增設備。
聚合酶連鎖反應(Polymerase chain reaction, PCR)是利用基因聚合酶對基因進行連鎖複製，其中，即時定量聚合酶連鎖反應(Real-Time PCR, qPCR)可即時監測整個聚合酶連鎖反應。聚合酶連鎖反應主要包含溫控部分及檢測部份。溫控部分提供聚合酶連鎖反應所需要的熱循環溫度。而檢測部分是利用特定激發光波長使螢光試劑釋放出螢光反應，再藉由光學感測器及濾鏡來擷取和檢測特定波段。執行一次聚合酶連鎖反應約可得到2倍的聚合酶連鎖反應產物，執行N次後約可得到2 N的聚合酶連鎖反應產物，而在聚合酶連鎖反應產物倍增時，螢光反應逐步增強累積，因此，即時定量聚合酶連鎖反應即時地監測整個聚合酶連鎖反應的溫度變化與螢光變化，紀錄循環數與螢光強度的變化值，即可對基因作量化分析。
在習知技術中，基因擴增設備具有旋轉承座以及溫度偵測模組，溫度偵測模組設置於旋轉承座，溫度偵測模組所提供的溫度資料以及所需要的電力必須以訊號線/電源線傳輸。由於訊號線/電源線之一端連接固定不動的中央控制模組，訊號線/電源線之另一端連接會轉動的溫度偵測模組，因此，訊號線/電源線的可靠度低，且基因擴增設備的整體機構設計也因此而複雜化。
本創作之實施例係有關於一種基因擴增設備，適於對至少一樣本進行基因擴增，包括一支架、一中央控制模組、一中央控制模組線圈、一旋轉承座、一偵測模組以及一偵測模組感應線圈。中央控制模組設於支架。中央控制模組線圈耦接中央控制模組。旋轉承座適於相對支架旋轉，其中，樣本被設置於旋轉承座之上。偵測模組設於旋轉承座之上。偵測模組感應線圈耦接偵測模組，其中，在一充電模態下，中央控制模組使中央控制模組線圈提供一感應電壓，偵測模組感應線圈依據感應電壓產生一感應電流，感應電流被供給至偵測模組。
應用本創作實施例之基因擴增設備，基於無線供電及無線傳輸可簡化基因擴增設備的整體機構設計，也提高了訊號以及電力傳輸的可靠度。
第1A圖係顯示本創作實施例之基因擴增設備的組合圖，第1B圖係顯示本創作實施例之基因擴增設備的爆炸圖，搭配參照第1A以及1B圖，在一實施例中，本創作實施例之基因擴增設備A為一種即時定量聚合酶連鎖反應(qPCR)設備，其主要包括溫控系統T、光學系統O及轉動系統R，溫控系統T對含有螢光試劑的試管提供聚合酶連鎖反應所需要的三階段熱循環溫度，每一次聚合酶連鎖反應須包括升溫至94°C之變性作用(Denaturation)、降溫至50°C ~60°C之煉合作用(Annealing)、及再升溫至72°C之延伸作用(Extension)。光學系統O對試管中的螢光試劑在每一次熱循環後所激發出的螢光反應進行擷取數值及定量分析。轉動系統R利用馬達轉動溫控系統之轉盤(在一實施例中，轉盤乘載有16個試管)，使16個含有螢光試劑的試管可分別對應不同之光學系統位置，利用光學系統O之特定激發光波長使螢光試劑釋放出螢光反應，接著光學系統O中的光電感測器(Photodiode)擷取螢光亮度及分析最後的基因濃度。上述各溫度值可視不同基因及不同試劑而變化調整。
第2A圖以及第2B圖係顯示本創作實施例之溫控系統的細部結構示意圖。搭配參照第2A以及2B圖，本創作實施例之溫控系統T利用熱電致冷晶片(Thermoelectric Cooling Module, TEC)進行加熱和冷卻以達到快速升降溫。溫控系統包含加熱盤(Heating block)T1、旋轉盤(Holder)T2、旋轉盤蓋(Cover)T3、熱電致冷晶片T4、加熱器(Heater)T5、散熱鰭片(Heat sink)T6、導風管(Fan Duct)T71 及風扇(Fan)T72。加熱盤(Heating block)T1 用以放置試管。旋轉盤(Holder)T2用以防止試管傾斜。旋轉盤蓋(Cover)T3用以施加壓力使試管接觸加熱盤T1。熱電致冷晶片(TEC)T4用以配合加熱器T5、散熱鰭片T6、導風管T71及風扇T72精確調控升降溫。聚合酶連鎖反應所需要的三階段熱循環溫度如第2C圖所示，一開始執行變性作用(Denaturation)，加溫至94°C的第一階段溫度，熱電致冷晶片T4的熱端接觸加熱盤T1使加熱盤T1升溫，此時加熱器T5開啟搭配熱電致冷晶片T4加熱，利用電腦程式控制維持聚合酶連鎖反應的第一階段溫度。加熱器T5的另一作用可使熱電致冷晶片T4兩端溫差維持在一定的數值，以維持升溫速率。接著執行煉合作用(Annealing)，降溫至55~60°C的第二階段溫度， 此時施加於熱電致冷晶片T4的電壓反轉，冷熱端互換，且此時加熱器T5關閉，風扇T72開啟，利用散熱鰭片T6將熱電致冷晶片T4熱端的熱傳導出去，利用風扇T72的強制對流將熱導出至機台外，並搭配熱電致冷晶片T4兩端溫差精確調控溫度。最後執行延伸作用(Extension)，再升溫至72°C的第三階段溫度。
第3圖係顯示本創作實施例之光學系統的細部結構示意圖。在本創作之一實施例中，光學系統O具有四個光學裝置，每一光學裝置包括一激發濾鏡(Excitation filter)、一發射濾鏡(Emission filter)及一光電感測器(Photodiode)。在一實施例中，上述光學裝置可用以偵測四種特定螢光:綠(激發波長494nm、發射波長520nm)、黃(激發波長550nm、發射波長570nm)、橘(激發波長575nm、發射波長602nm)、紅(激發波長646nm、發射波長662nm)。
就光學裝置的細部而言，在光學裝置中，由單色發光二極體(LED)發出之光線，穿過激發濾鏡(Excitation filter)，再被分光濾鏡(Dichroic filter)反射(分光濾鏡(Dichroic filter)能反射短波而使長波穿透)，向上照射在裝有螢光試劑的試管底部，螢光試劑受到激發後，所發射之螢光穿過分光濾鏡再穿過發射濾鏡(Emission filter)，篩選掉所有不需要的雜訊光源後被光電感測器(Photodiode)接收，在一連串的光路後觀測最終的螢光特性變化以進行分析。
第4圖係顯示本創作實施例之轉動系統R的示意圖。參照第4圖，轉動系統R之馬達R1直接轉動溫控系統T，使溫控系統T上含有螢光試劑的試管可分別對應四個光學裝置位置以進行偵測。在一實施例中，轉動系統R可以包括極限感測器(limit sensor)，其利用光遮斷方式偵測馬達R1轉動位置中的初始點(Home)和停止點(End)，並通過韌體和軟體區別目前正在偵測之試管。
第5A圖係顯示本創作第一實施例之基因擴增設備的立體圖。第5B圖係顯示本創作之第一實施例之偵測模組以及偵測模組感應線圈的示意圖。搭配參照第5A以及5B圖，在一實施例中，本創作實施例之基因擴增設備，適於對至少一樣本進行基因擴增，包括一支架8、一中央控制模組1、一中央控制模組線圈19、一旋轉承座2、一偵測模組3以及一偵測模組感應線圈39。中央控制模組1設於支架8。中央控制模組線圈19耦接中央控制模組1。旋轉承座2適於相對支架8旋轉，其中，樣本被設置於旋轉承座2之上。偵測模組3設於旋轉承座2之上。偵測模組感應線圈39耦接偵測模組3。其中，在一充電模態下，中央控制模組1使中央控制模組線圈19提供一感應電壓，偵測模組感應線圈39依據此感應電壓產生一感應電流，此感應電流被供給至偵測模組3。
搭配參照第2A以及2B圖，在一實施例中，旋轉承座2包括前述之加熱盤(Heating block)T1、旋轉盤(Holder)T2以及旋轉盤蓋(Cover)T3。
參照第5A圖，在一實施例中，基因擴增設備更包括一設備上蓋91以及一傳輸線191，中央控制模組線圈19設於設備上蓋91，傳輸線191連接中央控制模組線圈19以及中央控制模組1。
搭配參照第2A以及2B圖，在一實施例中，基因擴增設備更包括溫度控制模組(包含前述之熱電致冷晶片T4、加熱器T5、散熱鰭片T6、導風管T71及風扇T72)，溫度控制模組適於控制旋轉承座的溫度(包括升溫及降溫)，偵測模組3為一溫度偵測模組，偵測模組3偵測旋轉承座2之溫度並產生一溫度資訊。
搭配參照第2A以及2B圖，在一實施例中，旋轉承座2包括複數個容置槽21(設置於加熱盤T1之上)，數個容置槽21繞旋轉承座2之一旋轉軸心201呈環狀排列，樣本適於被放置於任一容置槽21中。
第5C圖係顯示本創作第一實施例之基因擴增設備的俯視圖。參照第5A、5C圖，在一實施例中，偵測模組3設於旋轉盤T2，並且，在一垂直投影面上，位於任一容置槽21之外側。
搭配參照第5A、5B以及5C圖，在一實施例中，偵測模組3包括一偵測模組基板31，偵測模組感應線圈39設於偵測模組基板31之上，在上述垂直投影面上，偵測模組感應線圈39重疊中央控制模組線圈19。
第6A以及6B圖係顯示本創作第二實施例之基因擴增設備，在此實施例中，偵測模組感應線圈39’設於旋轉承座2之上並位於容置槽21內側，在上述垂直投影面上，偵測模組感應線圈39’與中央控制模組線圈19同軸心。
在一實施例中，前述之偵測模組感應線圈39以及偵測模組感應線圈39’可同時被應用於單一基因擴增設備，例如，偵測模組感應線圈39’用於產生感應電流，偵測模組感應線圈39用於資料傳輸。
第7A圖係顯示本創作第三實施例之基因擴增設備的系統方塊圖。參照第7A圖，在實施例中，偵測模組3包括一充電接收單元321、一儲能單元322、一第一訊號調變單元331、一電流調變單元332、一溫度偵測控制單元341以及一溫度感測單元342， 電流調變單元332耦接偵測模組感應線圈39以及第一訊號調變單元331，溫度偵測控制單元341耦接溫度感測單元342以及第一訊號調變單元331。中央控制模組1包括一充電傳送單元11、一電流感測單元121、一第二訊號調變單元122以及一系統處理單元13，系統處理單元13耦接充電傳送單元11以及第二訊號調變單元122，電流感測單元121耦接第二訊號調變單元122以及中央控制模組線圈19。
第7B圖係顯示本創作第三實施例之基因擴增設備的充電模態的系統方塊圖。參照第7B圖，在充電模態下，充電傳送單元11使中央控制模組線圈19提供一感應電壓，偵測模組感應線圈39依據感應電壓而產生一感應電流，充電接收單元321以此感應電流為儲能單元322充電以供電給偵測模組3。
第7C圖係顯示本創作第三實施例之基因擴增設備的訊號回傳模態的系統方塊圖。在一訊號回傳模態下，溫度感測單元342偵測旋轉承座2之溫度並產生一溫度資訊，溫度偵測控制單元341將此溫度資訊傳遞至第一訊號調變單元331，第一訊號調變單元331依據此溫度資訊控制電流調變單元332的開閉，藉此偵測模組感應線圈39提供一磁場變化。電流感測單元121偵測中央控制模組線圈19依據磁場變化所產生之一電流感應訊號，第二訊號調變單元122將此電流感應訊號轉換為數位訊號並傳送至系統處理單元13。
參照第7A、7B以及7C圖，在一實施例中，偵測模組3更包括一記憶單元343，溫度資訊被存放於記憶單元343，溫度偵測控制單元341從記憶單元343讀取溫度資訊，並將溫度資訊傳遞至第一訊號調變單元331。
參照第7D圖，在本創作之第三實施例中，同前述訊號回傳模態的訊號調變原理，在一指令發送模態下，系統處理單元13可透過中央控制模組線圈19以及偵測模組感應線圈39控制溫度偵測控制單元341進入前述之訊號回傳模態。
搭配參照第4、7A圖，在一實施例中，基因擴增設備更包括前述之馬達R1，馬達R1轉動旋轉承座(換言之，同時旋轉偵測模組3)，中央控制模組1更包括一馬達驅動單元141，馬達驅動單元141耦接馬達R1以及系統處理單元13。
第8A圖係顯示本創作第四實施例之基因擴增設備的系統方塊圖。參照第8A圖，在一實施例中，偵測模組3’包括一充電接收單元321、一儲能單元322、一偵測模組天線351、一偵測模組傳輸單元352、一溫度偵測控制單元341以及一溫度感測單元342， 偵測模組天線351耦接偵測模組傳輸單元352，溫度偵測控制單元341耦接偵測模組傳輸單元352以及溫度感測單元342。中央控制模組1’包括一充電傳送單元11、一中央控制模組天線151、一中央控制模組傳輸單元152以及一系統處理單元13，系統處理單元13耦接充電傳送單元11以及中央控制模組傳輸單元152，中央控制模組天線151耦接中央控制模組傳輸單元152。
第8B圖係顯示本創作第四實施例之基因擴增設備的充電模態的系統方塊圖。參照第8B圖，在充電模態下，充電傳送單元11使中央控制模組線圈19提供一感應電壓，偵測模組感應線圈39依據感應電壓產生一感應電流，充電接收單元321以此感應電流為儲能單元322充電以供電給偵測模組3’。
第8C圖係顯示本創作第四實施例之基因擴增設備的訊號回傳模態的系統方塊圖。在一訊號回傳模態下，溫度感測單元342偵測旋轉承座2之溫度並產生一溫度資訊，溫度偵測控制單元341將溫度資訊傳遞至偵測模組傳輸單元352，偵測模組傳輸單元352將此溫度資訊透過偵測模組天線351而發出。中央控制模組傳輸單元152透過中央控制模組天線151接收偵測模組天線351所發出之溫度資訊，中央控制模組傳輸單元152並將此溫度資訊傳送至系統處理單元13。
參照第8D圖，在本創作之第四實施例中，在一指令發送模態下，系統處理單元13可透過中央控制模組天線151以及偵測模組天線351控制溫度偵測控制單元341進入前述之訊號回傳模態。
在本創作之第四實施例中，中央控制模組天線151以及偵測模組天線351可以為藍芽或其他通信規格之天線。
第9圖係顯示本創作實施例之基因擴增設備的控制流程圖。參照第9圖，針對中央控制模組方面，首先，充電傳送單元被啟動(S11)；接著，中央控制模組線圈提供一感應電壓(S12)；再，系統處理單元判斷是否有接收到溫度資料(S13)，如果沒有，持續回到步驟S12，如果已接收到溫度資料，則進行溫度資料的處理(S14)。針對偵測模組方面，首先，提供一偵測模組感應線圈(S31)；接著，當偵測模組感應線圈產生一感應電流時(S32)，感應電流進入儲能單元(S33)；若偵測模組感應線圈並未產生感應電流，則持續等待；接著，在儲能單元能量充足後，溫度感測單元進行溫度感測(S34)；最後，溫度資料被發送(S35)。
應用本創作實施例之基因擴增設備，基於無線供電及無線傳輸可簡化基因擴增設備的整體機構設計，也提高了訊號以及電力傳輸的可靠度。
雖然本創作已以具體之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，任何熟習此項技術者，在不脫離本創作之精神和範圍內，仍可作些許的更動與潤飾，因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
A:基因擴增設備 T:溫控系統 T1:加熱盤 T2:旋轉盤 T3:旋轉盤蓋 T4:熱電致冷晶片 T5:加熱器 T6:散熱鰭片 T71:導風管 T72:風扇 O:光學系統 R:轉動系統 R1:馬達 1、1’:中央控制模組 11:充電傳送單元 121:電流感測單元 122:第二訊號調變單元 13:系統處理單元 141:馬達驅動單元 151:中央控制模組天線 152:中央控制模組傳輸單元 19:中央控制模組線圈 191:傳輸線 2:旋轉承座 201:旋轉軸心 21:容置槽 3、3’:偵測模組 31:偵測模組基板 321:充電接收單元 322:儲能單元 331:第一訊號調變單元 332:電流調變單元 341:溫度偵測控制單元 342:溫度感測單元 343:記憶單元 351:偵測模組天線 352:偵測模組傳輸單元 39、39’:偵測模組感應線圈 8:支架 91:設備上蓋 S11、S12、S13、S14:步驟 S31、S32、S33、S34、S35:步驟
第1A圖係顯示本創作實施例之基因擴增設備的組合圖。 第1B圖係顯示本創作實施例之基因擴增設備的爆炸圖。 第2A圖以及第2B圖係顯示本創作實施例之溫控系統的細部結構示意圖。 第2C圖係顯示本創作實施例之聚合酶連鎖反應所需要的三階段熱循環溫度示意圖。 第3圖係顯示本創作實施例之光學系統的細部結構示意圖。 第4圖係顯示本創作實施例之轉動系統的示意圖。 第5A圖係顯示本創作第一實施例之基因擴增設備的立體圖。 第5B圖係顯示本創作之第一實施例之偵測模組以及偵測模組感應線圈的示意圖。 第5C圖係顯示本創作第一實施例之基因擴增設備的俯視圖。 第6A以及6B圖係顯示本創作第二實施例之基因擴增設備的示意圖。 第7A、7B、7C、7D圖係顯示本創作第三實施例之基因擴增設備的系統方塊圖。 第8A、8B、8C、8D圖係顯示本創作第四實施例之基因擴增設備的系統方塊圖。 第9圖係顯示本創作實施例之基因擴增設備的控制流程圖。
19:中央控制模組線圈
191:傳輸線
2:旋轉承座
3:偵測模組
8:支架
91:設備上蓋
T2:旋轉盤
1:中央控制模組

Claims (15)

  1. 一種基因擴增設備，適於對至少一樣本進行基因擴增，包括： 一支架； 一中央控制模組，設於該支架； 一中央控制模組線圈，耦接該中央控制模組； 一旋轉承座，適於相對該支架旋轉，其中，該樣本被設置於該旋轉承座之上； 一偵測模組，設於該旋轉承座之上； 一偵測模組感應線圈，耦接該偵測模組； 其中，在一充電模態下，該中央控制模組使該中央控制模組線圈提供一感應電壓，該偵測模組感應線圈依據該感應電壓產生一感應電流，該感應電流被供給至該偵測模組。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基因擴增設備，其更包括一設備上蓋以及一傳輸線，該中央控制模組線圈設於該設備上蓋，該傳輸線連接該中央控制模組線圈以及該中央控制模組。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基因擴增設備，其更包括一溫度控制模組，該溫度控制模組適於控制該旋轉承座之溫度，該偵測模組 一溫度偵測模組，該溫度偵測模組偵測該旋轉承座之溫度並產生一溫度資訊。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基因擴增設備，其中，該旋轉承座包括複數個容置槽，該等容置槽繞該旋轉承座之一旋轉軸心呈環狀排列，該樣本適於被置於其中之一該容置槽之中。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之基因擴增設備，其中，該旋轉承座更包括一旋轉盤，該偵測模組設於該旋轉盤，在一垂直投影面上，該偵測模組位於該等容置槽外側。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之基因擴增設備，其中，該偵測模組包括一偵測模組基板，該偵測模組感應線圈設於該偵測模組基板之上，在該垂直投影面上，該偵測模組感應線圈重疊該中央控制模組線圈。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之基因擴增設備，其中，該偵測模組感應線圈設於該旋轉承座之上並位於該等容置槽內側，在該垂直投影面上，該偵測模組感應線圈與該中央控制模組線圈同軸心。
  8. 如申請專利範圍第3項所述之基因擴增設備，其中，該偵測模組包括一充電接收單元、一儲能單元、一第一訊號調變單元、一電流調變單元、一溫度偵測控制單元以及一溫度感測單元， 該電流調變單元耦接該偵測模組感應線圈以及該第一訊號調變單元，該溫度偵測控制單元耦接該溫度感測單元以及該第一訊號調變單元，在該充電模態下，該偵測模組感應線圈依據該感應電壓產生該感應電流，該充電接收單元以該感應電流為該儲能單元充電以供電給該偵測模組，在一訊號回傳模態下，該溫度感測單元偵測該旋轉承座之溫度並產生該溫度資訊，該溫度偵測控制單元將該溫度資訊傳遞至該第一訊號調變單元，該第一訊號調變單元依據該溫度資訊控制該電流調變單元的開閉，藉此該偵測模組感應線圈提供一磁場變化。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基因擴增設備，其中，該中央控制模組包括一充電傳送單元、一電流感測單元、一第二訊號調變單元以及一系統處理單元，該系統處理單元耦接該充電傳送單元以及該第二訊號調變單元，該電流感測單元耦接該第二訊號調變單元以及該中央控制模組線圈，在該充電模態下，該充電傳送單元使該中央控制模組線圈提供該感應電壓，在該訊號回傳模態下，該電流感測單元偵測該中央控制模組線圈依據該磁場變化所產生之一電流感應訊號，該第二訊號調變單元將該電流感應訊號轉換為數位訊號並傳送至該系統處理單元。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基因擴增設備，其中，該偵測模組更包括一記憶單元，該溫度資訊被存放於該記憶單元，該溫度偵測控制單元從該記憶單元讀取該溫度資訊，並將該溫度資訊傳遞至該第一訊號調變單元。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之基因擴增設備，其更包括一馬達，該馬達轉動該旋轉承座，該中央控制模組更包括一馬達驅動單元，該馬達驅動單元耦接該馬達以及該系統處理單元。
  12. 如申請專利範圍第3項所述之基因擴增設備，其中，該偵測模組包括一充電接收單元、一儲能單元、一偵測模組天線、一偵測模組傳輸單元、一溫度偵測控制單元以及一溫度感測單元， 該偵測模組天線耦接該偵測模組傳輸單元，該溫度偵測控制單元耦接該偵測模組傳輸單元以及該溫度感測單元，在該充電模態下，該偵測模組感應線圈依據該感應電壓產生該感應電流，該充電接收單元以該感應電流為該儲能單元充電以供電給該偵測模組，在一訊號回傳模態下，該溫度感測單元偵測該旋轉承座之溫度並產生該溫度資訊，該溫度偵測控制單元將該溫度資訊傳遞至該偵測模組傳輸單元，該偵測模組傳輸單元將該溫度資訊透過該偵測模組天線而發出。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之基因擴增設備，其中，該中央控制模組包括一充電傳送單元、一中央控制模組天線、一中央控制模組傳輸單元以及一系統處理單元，該系統處理單元耦接該充電傳送單元以及該中央控制模組傳輸單元，該中央控制模組天線耦接該中央控制模組傳輸單元，在該充電模態下，該充電傳送單元使該中央控制模組線圈提供該感應電壓，在該訊號回傳模態下，該中央控制模組傳輸單元透過該中央控制模組天線接收該偵測模組天線所發出之該溫度資訊，該中央控制模組傳輸單元並將該溫度資訊傳送至該系統處理單元。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之基因擴增設備，其中，該偵測模組更包括一記憶單元，該溫度資訊被存放於該記憶單元，該溫度偵測控制單元從該記憶單元讀取該溫度資訊，並將該溫度資訊傳遞至該偵測模組傳輸單元。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之基因擴增設備，其更包括一馬達，該馬達轉動該旋轉承座，該中央控制模組更包括一馬達驅動單元，該馬達驅動單元耦接該馬達以及該系統處理單元。
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