TWM591693U

TWM591693U - 用於積體電路元件的電感器

Info

Publication number: TWM591693U
Application number: TW108216204U
Authority: TW
Inventors: 祁幼銘; 郭淳文; 陳昭宏; 邱宇宸; 蔡宗憲; 張啟邦
Original assignee: 宏捷科技股份有限公司
Priority date: 2019-12-05
Filing date: 2019-12-05
Publication date: 2020-03-01

Abstract

本新型為提供一種用於積體電路元件的電感器，包含一基板，及一導線單元。該基板由絕緣材料構成，具有兩列彼此相對並間隔設置的穿孔列，每一穿孔列具有多個彼此間隔並貫穿該基板的兩相反表面的貫孔。導線單元具有多數設置於該等貫孔並由導電材料構成的電連接段，及多數分別位於該基板的兩相反表面的第一導線及第二導線，每一條第一導線的兩端分別連接位於不同穿孔列且彼此相對的貫孔的電連接段，每一條第二導線的一端連接位於其中一穿孔列的貫孔的電連接段，另一端連接位於不同穿孔列且與該貫孔位於對鄰位的貫孔的電連接段，從而令該等第二導線彼此平行，且該等第一導線及第二導線藉由該等電連接段共同構成一導通線路

Description

用於積體電路元件的電感器

本新型是有關於一種電感器，特別是指一種用於積體電路元件的電感器。

一般射頻電路的設計應用，需要有高Q值的電感器，以提升整體電路特性。而根據Q值的公式：Q=

，可知，需要降低寄生電阻並增加電感量，才可有效提升Q值。

傳統是利用增加電感器的內徑及金屬線的圈數來提升電感量，並藉由增加金屬線的寬度以降低寄生電阻，以提升Q值。然而，增加金屬線的圈數雖然可提升電感量，但會造成寄生電阻值及面積增大的問題，反而會導致Q值下降。而增加金屬線的寬度，為了避免線圈之間間隙不足，又需要增加線圈之間的距離，則會造成電感器的面積增大的問題。

現今的射頻電路晶片，除了有電路特性要求之外，還需要微縮面積以搭配其他的通訊模組，而傳統的電感器架構容易因為面積較大，而造成電路晶片IC設計佈局的不便。

因此，本新型之目的，即在提供一種易於整合於單片微波積體電路元件(MMIC)，並可具有較佳Q值特性的電感器。

於是，本新型用於該積體電路元件的電感器包含一基板，及一導線單元。

該基板由絕緣材料構成，具有兩列彼此相對並間隔設置的穿孔列，每一穿孔列具有多個彼此間隔並貫穿該基板的兩相反表面的貫孔。

該導線單元具有多數設置於該等貫孔並由導電材料構成的電連接段，及多數分別位於該基板的兩相反表面的第一導線及第二導線，定義一與該穿孔列垂直相交的第一方向，每一條第一導線的兩端分別連接位於不同穿孔列且彼此相對的貫孔而與該第一方向平行，每一條第二導線的一端連接位於其中一穿孔列的貫孔，另一端連接位於不同穿孔列且與該貫孔位於對鄰位的貫孔，從而令該等第二導線沿一與該第一方向成一角度相交的第二方向彼此平行，且該等第一導線及第二導線通過位於該等貫孔的電連接段電連接，而共同構成一導通線路。

本新型之功效在於，透過令導線單元以貫穿基板方式，分別設於基板的兩相反表面而形成3D立體走線，除了可有效提升電感量，並可透過擴寬第一、二導線的寬度及增加第一、二導線的金屬厚度以降低寄生電阻，並可減小電感面積。

在本新型被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。此外，圖式中僅為表示元件及膜層之間的空間關係，並非各元件及膜層的實質厚度、尺寸或相對比例關係。

本新型的電感器可應用於一般微波元件，特別是可整合於單片微波積體電路元件(MMIC)。

參閱圖1、2，本新型電感器的一實施例，包含一基板2，及一導線單元3。

該基板2由絕緣材料構成。以本新型該電感器是用於整合於砷化鎵(GaAs)MIMC電路元件為例，本實施例中該電感器的基板2為單層，且選自高絕緣性的砷化鎵為材料構成。

較佳地，該基板2的厚度介於50~250μm。

詳細的說，該基板2具有彼此反向的一第一表面21及一第二表面22，以及兩列彼此相對並間隔設置的穿孔列23、24，且每一穿孔列23、24具有多個彼此間隔並貫穿該基板2的第一表面21及第二表面22的貫孔231、241。

該導線單元3具有多數設置於該等貫孔231、241並由導電材料構成的電連接段31，及多數分別位於該基板2的第一表面21及第二表面22的第一導線32及第二導線33。

每一條第一導線32的兩端分別連接位於相對位置的穿孔列23、24且彼此相對的貫孔231、241，而令該等第一導線32彼此平行。

每一條第二導線33的一端連接位於其中一穿孔列23的貫孔231，另一端連接位於另一穿孔列24且與該貫孔231位於對鄰位的貫孔241，從而令該等第二導線33彼此平行且與相連接的該等第一導線32的投影成一角度相交，而讓該等第一導線32及第二導線33藉由該等電連接段31共同構成一以立體Z字型重複延伸的導通線圈迴路。

要說明的是，該導線單元3由低阻值的金屬材料，例如金、銀、銅等構成即可，並無需特限定。以與MMIC線路整合為例，該第一導線32可選自與MMIC線路材料相同的金，以更易於與MMIC線路整合，而該第二導線33則可使用與該第一導線32相同的導電材料(金)，或是不同的導電材料(銀、銅)等均可，無需特別限定。

本新型利用透過貫穿該基板2並以Z字型的走線方式佈設於該基板2兩相反的該第一表面21及第二表面22的該導線單元3，不僅可減小該電感器的面積，此外，還可易於利用增加該導線單元3的厚度及寬度降低寄生電阻，以有效提升該電感器的Q值特性。

綜上所述，本新型藉由將電感器的金屬導線(導線單元3)透過貫穿該基板2，並以Z字型的走線方式佈設於該基板2兩相反的該第一表面21及第二表面22，因此，可由該導線單元3產生的自感及互感共同定義而得以提升電感器的電感量。此外，因為該導線單元3的第一導線32及第二導線33是以交錯方式分設於該基板2兩相反的該第一表面21及第二表面22，因此，還可利用增加該第一導線32及/或第二導線33的厚度或寬度降低寄生電阻，而可在不影響/增加電感器面積的條件下，達成降低寄生電阻、提升Q質的目的，並可有效縮小面積，而可更利於空間整合。此外，因為本新型該電感器是經由貫孔231、241直接形成於高絕緣且特性極佳的砷化鎵單層基板2，因此，相較一般積層型的電感元件可具有更薄的厚度(本新型電感器厚度：50~250μm，積層型電感器厚度約~0.6mm)，而更易於整合在砷化鎵高頻MMIC電路作應用，確實可達成本新型之目的。

惟以上所述者，僅為本新型之實施例而已，當不能以此限定本新型實施之範圍，凡是依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。

2:基板 3:導線單元 21:第一表面 31:電連接段 22:第二表面 32:第一導線 23、24:穿孔列 33:第二導線 231、241:貫孔

本新型之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一立體示意圖，說明本新型電感器的實施例；及圖2是一剖視圖，說明圖1中沿II-II割面線的剖視結構。

2:基板

21:第一表面

22:第二表面

23、24:穿孔列

231、241:貫孔

3:導線單元

32:第一導線

33:第二導線

Claims

一種用於積體電路元件的電感器，包含：一基板，由絕緣材料構成，具有兩列彼此相對並間隔設置的穿孔列，每一穿孔列具有多個彼此間隔並貫穿該基板的兩相反表面的貫孔；及一導線單元，具有多數設置於該等貫孔並由導電材料構成的電連接段，及多數分別位於該基板的兩相反表面的第一導線及第二導線，定義一與該穿孔列垂直相交的第一方向，每一條第一導線的兩端分別連接位於不同穿孔列且彼此相對的貫孔而與該第一方向平行，每一條第二導線的一端連接位於其中一穿孔列的貫孔，另一端連接位於不同穿孔列且與該貫孔位於對鄰位的貫孔，從而令該等第二導線沿一與該第一方向成一角度相交的第二方向彼此平行，且該等第一導線及第二導線通過位於該等貫孔的電連接段電連接，而共同構成一導通線路。
如請求項第1項所述的電感器，其中，該基板為單層結構。
如請求項第2項所述的電感器，其中，該基板的厚度介於50~250μm。
如請求項第1項所述的電感器，其中，該基板選自砷化鎵。
如請求項第1項所述的電感器，其中，該第一導線及該第二導線可選自相同或不同的導電材料構成。