TWM591620U - 晶片檢測機台 - Google Patents

Abstract

一種晶片檢測機台包括整列裝置、位移裝置及檢測裝置。整列裝置包括晶片盤收納架，晶片盤收納架包括複數個晶片盤，且各晶片盤包括複數個晶片；位移裝置連接於整列裝置，位移裝置可受操控地自晶片盤收納架取出晶片盤中之一者；檢測裝置連接於位移裝置，檢測裝置包括晶片提取機構及晶片掃描機構，當位移裝置將晶片盤移動靠近檢測裝置時，晶片提取機構提取晶片盤中的晶片之一者；晶片掃描機構可受操控地移動至晶片盤上方或被晶片提取機構提取的晶片的上方，對於晶片盤內的晶片或被晶片提取機構提取的晶片進行掃描。

Description

晶片檢測機台

本創作係與晶片檢測機台有關；特別是指一種能夠進行晶片背面檢測及側面檢測的機台。

普遍來說，半導體晶片是否存在缺陷，直接影響了包含該半導體晶片的電子產品的良率及可靠度，因此半導體晶片在出廠前通常會經過嚴格的晶片檢測過程，以提升半導體晶片的整體良率。

為了避免半導體晶片由晶片盤掉落，晶片盤一般具有多個凹槽，以便於穩固地容置半導體晶片。然而，當半導體晶片被放置於晶片盤時，半導體晶片只會有上表面暴露在外，其下表面及側面均被該晶片盤所遮蔽未暴露出來。

一般在檢測半導體晶片的缺陷時，因受限於半導體晶片放置於晶片盤而被遮蔽的既有困難，因此在傳統上，僅能檢測半導體晶片暴露在外的上表面，而無法檢測其被晶片盤遮蔽的下表面及側面。當半導體晶片的上表面存在缺陷時，利用上述傳統的檢測方法通常可以順利被檢測出來；然而，當半導體晶片被晶片盤遮蔽的下表面及側面存在缺陷時，則無法利用上述傳統的檢測方法檢測出來。如此一來，利用傳統檢測方法檢測合格的半導體晶片仍然可能存在缺陷，導致後續利用此半導體晶片所製成的電子產品存在良率降低或可靠度不佳的潛在問題。

因此，一般的晶片檢測機台及晶片檢測方法仍有明顯的缺陷，亟待解決方案。

有鑑於此，本創作之目的在於提供一種晶片檢測機台，其可透過提取及翻轉晶片，以使晶片被晶片盤遮蔽的第二表面及側面暴露出來，且朝向晶片掃描機構，因此可對於晶片的第二表面及側面直接進行檢測，進而提升半導體晶片的良率。

緣以達成上述目的，本創作提供的一種晶片檢測機台包括整列裝置、位移裝置及檢測裝置。整列裝置包括晶片盤收納架，晶片盤收納架包括複數個晶片盤，且各晶片盤包括複數個晶片。位移裝置連接於整列裝置，位移裝置可受操控地自晶片盤收納架取出晶片盤中之一者。檢測裝置連接於位移裝置，檢測裝置包括晶片提取機構及晶片掃描機構。當位移裝置將晶片盤移動靠近檢測裝置時，晶片提取機構提取晶片盤中的晶片之一者。晶片掃描機構可受操控地移動至晶片盤上方或被晶片提取機構提取的晶片的上方，對於晶片盤內的晶片或被晶片提取機構提取的晶片進行掃描。

根據本創作之實施例，位移裝置包括第一滑移載台機構及第二滑移載台機構，第一滑移載台機構可受操控地自晶片盤收納架取出晶片盤中之一者，再將晶片盤傳遞至第二滑移載台機構。

根據本創作之實施例，檢測裝置及位移裝置的第二滑移載台機構係設置於晶片檢測機台的檢測區內，使檢測裝置的晶片提取機構可受操控提取晶片盤中的晶片之一者，或使檢測裝置的晶片掃描機構可受操控地移動至晶片盤上方。

根據本創作之實施例，第一滑移載台機構可受操控地使晶片盤沿第一方向移動，而第二滑移載台機構可受操控地使晶片盤沿第二方向移動，第一方向與第二方向概呈垂直。

根據本創作之實施例，第二滑移載台機構包括定位夾持單元，定位夾持單元係用於夾持晶片盤。

根據本創作之實施例，晶片提取機構包括至少一吸頭，吸頭係用以吸住晶片的第一表面，且藉由晶片提取機構翻轉晶片，使晶片相背於第一表面的第二表面及四側表面向外暴露。

根據本創作之實施例，當晶片掃描機構受操控地移動至晶片提取機構上方，且晶片的第二表面及四側表面朝向晶片掃描機構時，晶片掃描機構掃描晶片的第二表面及四側表面。

根據本創作之實施例，當晶片掃描機構受操控地移動至晶片盤上方時，晶片盤內的各晶片的第一表面係朝向晶片掃描機構，且晶片掃描機構掃描各晶片的第一表面。

本創作的另一目的在於提供一種晶片檢測方法，其包括以下步驟： 提供第一晶片盤，第一晶片盤包括複數個第一晶片，且各第一晶片的第一表面係向外暴露； 利用晶片提取機構提取第一晶片盤中的第一晶片之一者，且利用晶片提取機構翻轉被提取的第一晶片，使被翻轉的第一晶片相背於第一表面的第二表面及四側表面向外暴露； 移動晶片掃描機構至被翻轉的第一晶片上方，且晶片掃描機構掃描被翻轉的第一晶片的第二表面及四側表面； 利用晶片提取機構將被翻轉的第一晶片回歸至第一晶片盤上；以及 移動晶片掃描機構至第一晶片盤上方，利用晶片掃描機構掃描第一晶片盤中的各第一晶片的第一表面。

根據本創作之實施例，上述晶片檢測方法更包括提供一第二晶片盤，第二晶片盤包括複數個第二晶片，且各第二晶片的第一表面係向外暴露；當利用晶片提取機構將被翻轉的第一晶片回歸至第一晶片盤上後，晶片提取機構提取第二晶片盤中的第二晶片之一者，且利用晶片提取機構翻轉被提取的第二晶片，使被翻轉的第二晶片相背於第一表面的第二表面及四側表面向外暴露；移動晶片掃描機構至被翻轉的第二晶片上方，且晶片掃描機構掃描被翻轉的第二晶片的第二表面及四側表面；利用晶片提取機構將被翻轉的第二晶片回歸至第二晶片盤上；移動晶片掃描機構至第二晶片盤上方，利用晶片掃描機構掃描第二晶片盤中的各第二晶片的第一表面。

根據本創作之實施例，上述晶片檢測方法更包括提供第三晶片盤；當利用晶片掃描機構掃描第二晶片盤中的各第二晶片的第一表面時，第一晶片盤受操作置換成第三晶片盤。

本創作之效果在於，藉由晶片提取機構自晶片盤提取及翻轉晶片，使晶片原本被晶片盤遮蔽的第二表面及側面暴露出來，以便於晶片掃描機構對於晶片的第二表面及側面進行檢測，進而提升半導體晶片的良率。

請參考圖１至圖２，為本創作一實施例之晶片檢測機台1。晶片檢測機台1包括整列裝置10、位移裝置20及檢測裝置30。

整列裝置10包括晶片盤收納架，晶片盤收納架包括複數個晶片盤40，且各晶片盤40包括複數個晶片401。在本創作實施例中，整列裝置10的數量為三個，但不以此為限制，整列裝置10的數量可依實際使用需求自由調整。

位移裝置20連接於整列裝置10，且位移裝置20可受操控地自晶片盤收納架取出晶片盤40中之一者。根據本創作之實施例，位移裝置20包括第一滑移載台機構20a及第二滑移載台機構20b。第一滑移載台機構20a可受操控地自晶片盤收納架取出晶片盤40中之一者，再將晶片盤40傳遞至第二滑移載台機構20b。

在本創作之實施例中，第一滑移載台機構20a可受操控地使晶片盤沿第一方向D1移動，而第二滑移載台機構20b可受操控地使晶片盤沿第二方向D2移動，第一方向D1與第二方向D2概呈垂直。

請參考圖６，第二滑移載台機構20b更包括定位夾持單元22。在本創作實施例中，二定位夾持單元22分別位於晶片盤40的兩端，其係用於夾持晶片盤40，使晶片盤40固定於第二滑移載台機構20b，避免晶片盤40滑動。

檢測裝置30連接於位移裝置20。在本創作實施例中，檢測裝置30包括晶片提取機構30a及晶片掃描機構30b。當位移裝置將晶片盤40移動靠近檢測裝置30時，晶片提取機構30a提取晶片盤40中的晶片401之一者。晶片掃描機構30b可受操控地移動至晶片盤40上方或被晶片提取機構30a提取的晶片401的上方，對於晶片盤40內的晶片401或被晶片提取機構30a提取的晶片401進行掃描。

根據本創作之實施例，檢測裝置30及位移裝置20的第二滑移載台機構20b係設置於晶片檢測機台1的檢測區內，使檢測裝置30的晶片提取機構20b可受操控提取晶片盤40中的晶片401之一者，或使檢測裝置30的晶片掃描機構30b可受操控地移動至晶片盤40上方。

請參考圖３Ａ至圖３Ｄ及圖４Ａ至圖４Ｄ，說明本創作實施例提供的一種晶片檢測方法。晶片檢測方法包括以下步驟： 提供第一晶片盤40a，第一晶片盤40a包括複數個第一晶片40a1，且各第一晶片40a1的第一表面41係向外暴露； 利用晶片提取機構30a提取第一晶片盤40a中的第一晶片40a1之一者，且利用晶片提取機構30a翻轉被提取的第一晶片40a1，使被翻轉的第一晶片40a1相背於第一表面41的第二表面42及四側表面44向外暴露； 移動晶片掃描機構30b至被翻轉的第一晶片40a1上方，且晶片掃描機構30b掃描被翻轉的第一晶片40a1的第二表面42及四側表面44； 利用晶片提取機構30a將被翻轉的第一晶片40a1回歸至第一晶片盤40a上；以及 移動晶片掃描機構30b至第一晶片盤40a上方，利用晶片掃描機構30b掃描第一晶片盤40a中的各第一晶片40a1的第一表面41。

請參考圖３Ａ及圖５，當晶片掃描機構30b受操控地移動至晶片提取機構30a上方，且第一晶片40a1的第二表面42及四側表面44朝向晶片掃描機構30b時，晶片掃描機構30b掃描第一晶片40a1的第二表面42及四側表面44。在本創作實施例中，晶片掃描機構30b具有一掃描範圍32，可分別針對第一晶片40a1的第二表面42及四側表面44進行四次掃描檢測，如此便能夠精確地判斷第一晶片40a1的第二表面42及四側表面44是否存在缺陷。

根據本創作之實施例，當晶片掃描機構30b受操控地移動至第一晶片盤40a上方時，第一晶片盤40a內的各晶片40a1的第一表面41係朝向晶片掃描機構30b，且晶片掃描機構30b由第一晶片盤40a的一端移動至另一端掃描各晶片40a1的第一表面41，如圖４Ａ及圖４Ｂ所示。在本創作實施例中，在晶片掃描機構30b掃描檢測第一晶片40a1的第二表面42及四側表面44之後，晶片掃描機構30b可再針對第一晶片40a1的進行檢測；如此，便能完整掃描檢測第一晶片40a1的所有表面，且全面性地判斷第一晶片40a1是否存在缺陷。

根據本創作之實施例，晶片提取機構30a包括至少一吸頭30a1。以第一晶片40a1為例說明，吸頭30a1係用以吸住第一晶片40a1的第一表面41，且藉由晶片提取機構30a翻轉第一晶片40a1，使第一晶片40a1相背於第一表面41的第二表面42及四側表面44向外暴露。

上述晶片檢測方法更包括提供一第二晶片盤40b，如圖２所示。第二晶片盤40b包括複數個第二晶片40b1，且各第二晶片40b1的第一表面41係向外暴露。

當利用晶片提取機構30a將被翻轉的第一晶片40a1回歸至第一晶片盤40a上後，晶片提取機構30a提取第二晶片盤40b中的第二晶片40b1之一者，且利用晶片提取機構30a翻轉被提取的第二晶片40b1，使被翻轉的第二晶片40b1相背於第一表面41的第二表面42及四側表面44向外暴露。移動晶片掃描機構30b至被翻轉的第二晶片40b1上方，且晶片掃描機構30b掃描被翻轉的第二晶片40b1的第二表面42及四側表面44。

利用晶片提取機構30a將被翻轉的第二晶片40b1回歸至第二晶片盤40b上。移動晶片掃描機構30b至第二晶片盤40b上方，利用晶片掃描機構30b由第二晶片盤40b的一端移動至另一端掃描第二晶片盤40b中的各第二晶片40b1的第一表面41，如圖４Ｃ及圖４Ｄ所示。

根據本創作之實施例，上述晶片檢測方法更包括提供第三晶片盤(圖未繪示)。當利用晶片掃描機構30b掃描第二晶片盤40b中的各第二晶片40b1的第一表面41時，第一晶片盤40a受操作退出檢測區，且置換成第三晶片盤，由第三晶片盤進入檢測區。

藉由本創作之設計，晶片提取機構可自晶片盤提取及翻轉晶片，使晶片原本被晶片盤遮蔽的第二表面及側面暴露出來，以便於晶片掃描機構對於晶片的第二表面及側面進行檢測，進而提升半導體晶片的良率。

以上所述僅為本創作較佳可行實施例而已，舉凡應用本創作說明書及申請專利範圍所為之等效變化，理應包含在本創作之專利範圍內。

［本創作］ 1:晶片檢測機台 10:整列裝置 20:位移裝置 20a:第一滑移載台機構 20b:第二滑移載台機構 22:定位夾持單元 30:檢測裝置 30a:晶片提取機構 30a1:吸頭 30b:晶片掃描機構 32:掃描範圍 40:晶片盤 40a:第一晶片盤 40b:第二晶片盤 401:晶片 40a1:第一晶片 40b1:第二晶片 41:第一表面 42:第二表面 44:側表面 D1:第一方向 D2:第二方向

圖１為本創作一實施例之晶片檢測機台的立體圖。 圖２為本創作一實施例之晶片檢測機台的上視圖。 圖３Ａ為圖２的局部放大圖。 圖３Ｂ為本創作一實施例之晶片檢測機台的側視圖。 圖３Ｃ為本創作一實施例之晶片的檢測示意圖，其係檢測該晶片的第二表面。 圖３Ｄ為本創作一實施例之晶片的檢測示意圖，其係檢測該晶片的一側表面。 圖４Ａ為本創作一實施例之晶片檢測機台的上視圖，其中晶片掃描機構係位於第一晶片盤之一端。 圖４Ｂ為本創作一實施例之晶片檢測機台的上視圖，其中晶片掃描機構係位於第一晶片盤之另一端。 圖４Ｃ為本創作一實施例之晶片檢測機台的上視圖，其中晶片掃描機構係位於第二晶片盤之一端。 圖４Ｄ為本創作一實施例之晶片檢測機台的上視圖，其中晶片掃描機構係位於第二晶片盤之另一端。 圖５為本創作一實施例之晶片提取機構的結構示意圖。 圖６為本創作一實施例之第二滑移載台機構的部分結構示意圖，其中該第二滑移載台機構包括一定位夾持單元。

1:晶片檢測機台

10:整列裝置

20:位移裝置

20a:第一滑移載台機構

20b:第二滑移載台機構

30:檢測裝置

30a:晶片提取機構

30b:晶片掃描機構

40:晶片盤

40a:第一晶片盤

40b:第二晶片盤

401:晶片

40a1:第一晶片

40b1:第二晶片

D1:第一方向

D2:第二方向

Claims (8)

1. 一種晶片檢測機台，包括： 一整列裝置，包括一晶片盤收納架，該晶片盤收納架包括複數個晶片盤，且各該晶片盤包括複數個晶片； 一位移裝置，連接於該整列裝置，該位移裝置可受操控地自該晶片盤收納架取出該些晶片盤中之一者；以及 一檢測裝置，連接於該位移裝置，該檢測裝置包括一晶片提取機構及一晶片掃描機構，當該位移裝置將該晶片盤移動靠近該檢測裝置時，該晶片提取機構提取該晶片盤中的該些晶片之一者；該晶片掃描機構可受操控地移動至該晶片盤上方或被該晶片提取機構提取的該晶片的上方，對於該晶片盤內的該些晶片或被該晶片提取機構提取的該晶片進行掃描。
2. 如請求項1所述之晶片檢測機台，其中該位移裝置包括一第一滑移載台機構及一第二滑移載台機構，該第一滑移載台機構可受操控地自該晶片盤收納架取出該些晶片盤中之一者，再將該晶片盤傳遞至該第二滑移載台機構。
3. 如請求項2所述之晶片檢測機台，其中該檢測裝置及該位移裝置的該第二滑移載台機構係設置於該晶片檢測機台的一檢測區內，使該檢測裝置的該晶片提取機構可受操控提取該晶片盤中的該些晶片之一者，或使該檢測裝置的該晶片掃描機構可受操控地移動至該晶片盤上方。
4. 如請求項2所述之晶片檢測機台，其中該第一滑移載台機構可受操控地使該晶片盤沿一第一方向移動，而該第二滑移載台機構可受操控地使該晶片盤沿一第二方向移動，該第一方向與該第二方向概呈垂直。
5. 如請求項2所述之晶片檢測機台，其中該第二滑移載台機構包括一定位夾持單元，該定位夾持單元係用於夾持該晶片盤。
6. 如請求項1所述之晶片檢測機台，其中該晶片提取機構包括至少一吸頭，該至少一吸頭係用以吸住該晶片的一第一表面，且藉由該晶片提取機構翻轉該晶片，使該晶片相背於該第一表面的一第二表面及四側表面向外暴露。
7. 如請求項6所述之晶片檢測機台，其中當該晶片掃描機構受操控地移動至該晶片提取機構上方，且該晶片的該第二表面及該四側表面朝向該晶片掃描機構時，該晶片掃描機構掃描該晶片的該第二表面及該四側表面。
8. 如請求項1所述之晶片檢測機台，其中當該晶片掃描機構受操控地移動至該晶片盤上方時，該晶片盤內的各該晶片的一第一表面係朝向該晶片掃描機構，且該晶片掃描機構掃描各該晶片的該第一表面。

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