TWM582962U - 用於承載晶片的軟質線路基板 - Google Patents

Abstract

本創作提供一種用於承載晶片的軟質線路基板，包含：具有配線圖案的一導電銅層於一絕緣基材上；一第一錫層位於該導電銅層上方；一第二錫層位於該第一錫層上方；一第一防焊層覆蓋未被該第一錫層及該第二錫層覆蓋的該導電銅層，且該第一防焊層部分地覆蓋該第二錫層；及一第二防焊層部分地覆蓋該第二錫層及至少部分地覆蓋該第一防焊層。

Description

用於承載晶片的軟質線路基板

本創作係有關於軟質線路基板，特別關於可承載半導體晶片的軟質線路基版。

承載晶片用的軟質線路基板多為捲軸狀薄膜。在業界軟質線路基板與晶片的結合依不同裝配模式有各種稱呼，例如TCP(Tape Carrier Package捲帶式載體封裝)或COF(Chip On Film薄膜覆晶封裝)。TCP及COF都是運用軟質線路基板作為封裝晶片的載體，透過熱壓合將晶片上的金凸塊(Gold Bump)與位在軟性基板電路上之銅配線圖案的內引腳(Inner Lead)接合。

為了使軟性基板電路與晶片之金凸塊連接，必須要有金錫共晶物的存在，其中金由晶片之金凸塊提供，錫就由形成在內引腳表面的錫供應，因此，內引腳的表面鍍有錫層。除了內引腳外，銅配線圖案還有外引腳等與其他電子元件連接的導電端子，這些端子通常也有鍍錫層。銅配線圖案上非引腳區會另以防焊油墨覆蓋來加以保護。

習知之軟性基板電路易產生以下問題，其一為鍍錫層表面形成晶鬚，導致相鄰線路短路；其二為防焊油墨及鍍錫層的界面產生凹洞，導致線路斷裂。專利文獻1(日本專利JP3061613)揭示的方案是在銅配線圖案上先全面地形成薄鍍錫層(a)，然後於配線圖案之非引腳區塗佈防焊油墨， 之後再於引腳區形成厚鍍錫層(b)。專利文獻1認為銅配線圖案全面形成的薄鍍錫層(a)可防止凹洞產生，厚鍍錫層(b)可防止產生晶鬚。專利文獻2(台灣專利TW531864)揭示另一種方法，係依序形成第一防焊油墨於非引腳區、形成薄鍍錫層於引腳區、再形成第二防焊油墨覆蓋第一防焊油墨及薄錫層之交界處、及最後形成厚鍍錫層於薄錫層上。

本案發明人經研究後發現上述習知技術在實務上仍存在許多問題。舉例而言，專利文獻1於銅配線圖案全面形成的薄鍍錫層，此對需要彎折的產品是不利的，因為鍍錫層的硬度通常偏高。再者，不論是專利文獻1或專利文獻2皆教示在最後塗佈防焊油墨之後形成厚鍍錫層，因此頂層的防焊油墨仍會浸泡在鍍錫槽中一段時間，特別是鍍厚錫的時間又較長，這使得頂層防焊油墨與厚鍍錫層的界面產生凹洞的機會增加。此外，專利文獻2有兩次施作防焊油墨後才進錫槽的製程，造成清洗被防焊油墨汙染錫槽的高成本。又，專利文獻2所教示兩次防焊油墨兩次鍍錫交錯實施製程，其實務上易混淆，造成生產動線安排的困擾。

有鑑於上述，於一方面，本創作提出一種新穎的軟質線路基板之製造方法，無兩次防焊油墨兩次鍍錫交錯實施製程。同時，本創作也在最後錫層完成後塗佈頂層防焊油墨，以免頂層防焊油墨浸泡在鍍錫槽中。

依據一實施例，本創作提供一種用於承載晶片之軟質線路基板的製造方法，依序包含以下步驟：(a)提供具有配線圖案的一導電銅層於一絕緣基材上；(b)形成一第一防焊層部分地覆蓋該配線圖案；(c)以該第一防焊層為遮罩形成一第一錫層於該導電銅層上；(d)以該第一防焊層為遮罩形成一第二錫層於該第一錫層上；及(e)形成一第二防焊層部分地覆蓋該第二錫層及至少部分地覆蓋該第一防 焊層。

依據一實施例，本創作提供如前述之製造方法，其中該步驟(c)及該步驟(d)之間沒有形成防焊層的步驟。

依據一實施例，本創作提供如前述之製造方法，其中經由該步驟(d)使得該第一防焊層至少部分地覆蓋該第二錫層。

依據一實施例，本創作提供如前述之製造方法，其中經由該步驟(d)使得該第一錫層與該第二錫層之界面共形於該第一錫層與該導電銅層的界面。

依據一實施例，本創作提供如前述之製造方法，其中該第二防焊層未與鍍錫液接觸。

於另一方面，本創作提供一種軟質線路基板的製造方法，係縮小第一防焊層或第二防焊層的塗佈面積以降低防焊油墨對錫槽的污染量。舉例而言，第一防焊層可選擇性地只塗佈軟質線路基板於產品應用端時會彎折的區域；或第二防焊層可選擇性地覆蓋住第一防焊層的外緣，而不需要將第一防焊層完全覆蓋。

依據一實施例，本創作提供一種用於承載晶片之軟質線路基板的製造方法，依序包含以下步驟：(a)提供具有配線圖案的一導電銅層於一絕緣基材上，其中該配線圖案具有一測試引腳區，一內引腳區及一外引腳區，；(b)形成一第一防焊層部分地覆蓋該配線圖案，該第一防焊層未覆蓋介於該測試引腳區與該內引腳區之間的配線圖案；(c)以該第一防焊層為遮罩形成一第一錫層於該導電銅層上；(d)以該第一防焊層為遮罩形成一第二錫層於該第一錫層上；及(e)形成一第二防焊層部分地覆蓋該第二錫層及至少部分地覆蓋該第一防焊層。

依據一實施例，本創作提供如前述之製造方法，其中於該步 驟(e)該第二防焊層未完全覆蓋該第一防焊層。

於另一方面，本創作提供一種軟質線路基板的製造方法，係使第二錫層具有一粗化錫面。粗化錫面可提供較大的表面積。當軟質線路基板外接至其他電子元件時，外引腳區域的粗化錫面可使其與異方性導電膜(ACF)結合面積變大，進而使軟質線路基板與電子裝置更加緊密的貼合。

依據一實施例，本創作提供如前述之製造方法，其中該步驟(a)更包含粗化該導電銅層以使該導電銅層具有一粗化銅面，其中該粗化銅面可例如以化學溶液處理該導電銅層而形成。由於錫層是鍍在粗化銅面，因此第一錫層及第二錫層也會因此有粗化表面。於此實施例，該第二錫層具有一粗化錫面，該粗化錫面之表面粗度Rz範圍為：0.045~0.5μm，較佳範圍為0.06~0.35μm，更佳範圍為0.1~0.3μm。

於更另一方面本創作更包含藉由上述之各種方法所形成之軟質線路基板的各種結構。

10‧‧‧軟質線路基板半成品

100‧‧‧絕緣基材

101‧‧‧傳動孔

110‧‧‧導電銅層

P‧‧‧配線圖案

1B‧‧‧參考圖

Lo‧‧‧外引腳區

Ps‧‧‧非引腳區

Ln‧‧‧內引腳區

Lt‧‧‧測試引腳區

121‧‧‧第一防焊層

121a‧‧‧第一邊緣

131‧‧‧第一錫層

131a‧‧‧第一側邊

Iss‧‧‧界面

Isc‧‧‧界面

132‧‧‧第二錫層

122‧‧‧第二防焊層

122a‧‧‧第二邊緣

132a‧‧‧第二側邊

X‧‧‧橫向距離

Y‧‧‧橫向距離

161‧‧‧錫層

161a‧‧‧縱向界面

162‧‧‧防焊層

162a‧‧‧邊緣

163‧‧‧露出部分

Z‧‧‧橫向距離

110’‧‧‧導電銅層

132’‧‧‧第二錫層

131’‧‧‧第一錫層

701‧‧‧粗化銅面

702‧‧‧粗化錫面

703‧‧‧粗化錫面

圖1A為本創作依據一實施例之軟質線路基板半成品俯視示意圖。

圖1B為圖1A之半成品中某特定區域之剖面示意圖。

圖1B及圖2至圖5顯示本創作依據一第一實施例之軟質線路基板製造過程各步驟剖面示意圖。

圖6為本創作依據一實施例之軟質線路基板的結構示意圖。

圖7為本創作依據一第二實施例之軟質線路基板的結構示意圖。

以下將參考所附圖式示範本創作之較佳實施例。為避免模糊 本創作之內容，以下說明亦省略習知之元件、相關材料、及其相關處理技術。同時，為清楚說明本創作，所附圖式中各元件未必按實際的尺寸或相對比例繪製。

本創作軟質線路基板的製造方法

依據第一實施例本創作之用於承載晶片之軟質線路基板的製造方法，依序包含：步驟(a) 提供具有配線圖案的一導電銅層於一絕緣基材上；步驟(b) 形成一第一防焊層部分地覆蓋該配線圖案；步驟(c) 以該第一防焊層為遮罩形成一第一錫層於該導電銅層上；步驟(d) 以該第一防焊層為遮罩形成一第二錫層於該第一錫層上；及步驟(e) 形成一第二防焊層部分地覆蓋該第二錫層及至少部分地覆蓋該第一防焊層。

步驟(a)提供具有配線圖案的一導電銅層於一絕緣基材上。

圖1A為本創作之軟質線路基板半成品10俯視示意圖。參考圖1A，軟質線路基板半成品10之薄膜帶狀的絕緣基材100之一面上連續地形成有複數個由導電銅層110構成的配線圖案P。絕緣基材100的上下兩側具有移送用的多個傳動孔101。導電銅層110(或配線圖案P)定義一非引腳區Ps(以虛線框起來的部分)，此區域將於後續由防焊層所覆蓋以保護線路。配線圖案P之非引腳區Ps以外的區域即引腳區，可再區分成內引腳區Ln、外引腳區Lo及視需要存在的測試引腳區Lt，內引腳區Ln將與晶片相接，外引腳區Lo將外接電路板或其他電子裝置，測試引腳區Lt則用於與量測儀器相接，以檢測封裝晶片的品質。圖1B為圖1A中箭頭1B所指之處(即配線圖案P其中一條線路)的剖面示意圖。參考圖1B，可清楚了解導電銅層110位於絕緣基材100上。絕緣基材100可使用軟性且具有耐藥品性及耐熱性的材料，例如聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺等。絕緣基材100的厚度一般為12至85μm，較佳為20至50μm。在絕緣基材100上形成具配線圖案P的導電銅層110是藉由習知的微影 法。導電銅層110的厚度例如2至20μm，較佳為5至12μm。

步驟(b)形成一第一防焊層部分地覆蓋該配線圖案。

參考圖1A及圖2，形成一第一防焊層121使其至少部分地覆蓋配線圖案P，例如覆蓋非引腳區Ps的一部分或全部。於較佳實施例，第一防焊層121只需施加於非引腳區Ps的某些特定區域，譬如只需施加於此軟質線路基板產品之後端應用時產生的彎折區域。此彎折區域的實際位置視後端應用產品的特性而變化，其中介於內引腳區Ln與外引腳區Lo之間的區域為現有常見的彎折區域。因此，於本創作之較佳實施例，第一防焊層121未覆蓋介於測試引腳區Lt與內引腳區Ln之間的非引腳區Ps，然本創作不以此為限。本創作也有第一防焊層121將所有非引腳區Ps完全覆蓋的實施例。可使用習知之環氧樹脂(o-Cresol Novalac/Phenol/DGEBA)類型的油墨或其他合適的油墨以網版印刷技術完成此步驟。第一防焊層121的厚度可在3至15μm的範圍。

步驟(c)以該第一防焊層為遮罩形成一第一錫層於該導電銅層上。

參考圖3，以第一防焊層121為遮罩形成一第一錫層131於導電銅層110上。藉由習知無電解電鍍(即化學電鍍)技術形成第一錫層131。例如將步驟(b)所形成之半成品浸泡於含硫酸、過硫酸鉀、或氟硼化錫之鍍錫液的錫槽中一段預定時間後水洗再吹乾，之後再入烤箱進行熱處理即可。在此步驟中，第一錫層131除鍍於導電銅層110沒有被第一防焊層121覆蓋的表面外，可進一步使鍍錫液侵入第一防焊層121之第一邊緣121a底下的導電銅層110，因此形成第一防焊層121的第一邊緣121a覆蓋了第一錫層131之第一側邊131a的結構。第一錫層131的厚度可在0.02至0.16μm的範圍，較佳實施例之第一錫層131的厚度為0.10μm。

步驟(d)：以該第一防焊層為遮罩形成一第二錫層於該第一錫層上。

參考圖4，以第一防焊層121為遮罩形成第二錫層133於第一錫層131上。較佳而言，步驟(c)及步驟(d)之間沒有額外形成防焊層的步驟。可如步驟(c)，藉由習知無電解電鍍(即化學電鍍)技術形成第二防焊層132。例如將步驟(c)所形成之半成品浸泡於含硫酸、過硫酸鉀、或氟硼化錫之鍍錫液的錫槽中一段預定時間後水洗再吹乾，之後再入烤箱進行熱處理即可。步驟(c)第一次鍍錫所獲得之錫銅合金層透過熱處理高溫會生成Cu₃Sn，此可減緩步驟(d)第二次鍍錫所產生的錫層之Cu₆Sn₅的生成擴散速率，進而減緩純錫層減損速率，提高線路與晶片間共晶接合良率，並避免產生錫鬚。在此步驟中，可進一步使鍍錫液侵入第一防焊層121之第一邊緣121a底下，形成第一防焊層121的第一邊緣121a覆蓋了第二錫層132之第一側邊132a的結構。第二錫層132的厚度可在0.12至0.5μm的範圍，較佳實施例之第一錫層132的厚度為0.28μm。因為步驟(c)與(d)都使用無電解電鍍(即化學電鍍)技術，且都以第一防焊層121為遮罩，因此在步驟(d)第一錫層131會被第二錫層132往銅密度高的區域推進，使得第一錫層131與第二錫層132之界面Iss與第一錫層131與導電銅層110的界面Isc共形(conformal)。

步驟(e)形成一第二防焊層部分地覆蓋該第二錫層及至少部分地覆蓋該第一防焊層。

參考圖5，形成一第二防焊層122部分地覆蓋第二錫層132及至少部分地覆蓋第一防焊層121。較佳而言，此步驟形成第二防焊層122至少覆蓋於步驟(d)第二錫層132與第一防焊層121所形成之接觸面。在步驟(d)，第一防焊層121浸泡在錫槽中，可能因此弱化第一防焊層121與第二錫層132的接觸面，因此利用第二防焊層122將此接觸面覆蓋可避免防焊層從錫層剝離。可使用習知之環氧樹脂(o-Cresol Novalac/Phenol/DGEBA型)類型油墨或其他合適的油墨以網版印刷技術完成此步驟。第二防焊層122的厚度可在3至20μm的範圍。在此實施例，第二防焊層122是對非引腳區Ps全區印刷因此完全覆蓋住第一防焊層121，然本創作不以此為限。本創作也包 含第二防焊層122只部分地覆蓋住第一防焊層121(只覆蓋其外緣)及部分地覆蓋住第二錫層132的實施例。

本創作軟質線路基板的結構

同時參考圖1A及圖5，於第一實施例本創作用於承載晶片的軟質線路基板包含具有配線圖案P的導電銅層110於絕緣基材100上；第一錫層131位於導電銅層110上方；第二錫層132位於第一錫層131上方；第一防焊層121覆蓋未被第一錫層131及第二錫層132覆蓋的導電銅層110，且第一防焊層121部分地覆蓋第二錫層132；及第二防焊層122部分地覆蓋第二錫層132及至少部分地覆蓋第一防焊層121。

於另一實施例，可參考圖5，本創作提供用於承載晶片的軟質線路基板，其中第一防焊層121具有一第一邊緣121a接觸第二錫層132。

於另一實施例，可參考圖5，本創作提供用於承載晶片的軟質線路基板，其中第一錫層131具有第一縱向界面131a接觸導電銅層110，第一防焊層121具有第一邊緣121a接觸第二錫層132，第一縱向界面131a與第一邊緣121a之橫向距離X大於第一錫層131的厚度。

於另一實施例，可參考圖5，本創作提供用於承載晶片的軟質線路基板，其中第二錫層132具有第二縱向界面132a接觸該第一錫層131，第一防焊層121覆蓋第二縱向界面132a。

於另一實施例，可參考圖5，本創作提供用於承載晶片的軟質線路基板，其中第二錫層132具有第二縱向界面132a接觸第一錫層131，第二防焊層122具有第二邊緣122a接觸第二錫層132，第二縱向界面132a與第二邊緣122a之橫向距離Y大於第二錫層132的厚度。

於另一實施例，可參考圖5，本創作提供用於承載晶片的軟質線路基板，其中第一錫層131與第二錫層132之界面Iss共形於第一錫層131與導電銅層110的界面Isc。

圖6顯示將上述第一錫層131及第二錫層132一起視為錫層161，將第一防焊層121及第二防焊層122一起視為防焊層162時，本創作用於承載晶片的軟質線路基板之結構特徵為包含一導電銅層110具有配線圖案P設置於絕緣基材100上；一錫層161位於導電銅層110上方，其中導電銅層110具有不被錫層161所覆蓋的一露出部分163；及一防焊層162覆蓋露出部分且部分地覆蓋錫層161，其中錫層161具有一縱向界面161a接觸導電銅層110，防焊層162具有一邊緣162a接觸錫層161，其中縱向界面161a與邊緣162a之橫向距離Z大於錫層161的厚度。該防焊層之厚度範圍從6μm至35μm。該錫層之厚度範圍從0.14μm至0.66μm。此外，本創作也有只執行步驟(c)而無步驟(d)之一實施例，在此實例錫層之厚度範圍從0.1μm至0.6μm。

本創作更有一第二實施例，其與第一實施例差別在於步驟(a)更包含『鍍錫前導電銅層粗化』以使導電銅層具有一粗化銅面之步驟，其餘步驟皆與第一實施例相同。導電銅層粗化可使用任何合適方法完成。舉例而言，可在圖案化導電銅層110形成配線圖案P之後，以化學溶液處理該導電銅層(配線圖案P)而形成。於此實施例，化學溶液可例如為過硫酸鉀(K₂S₂O₈)溶液，合適之濃度為30~40g/L，硫酸或鹽酸溶液，合適之濃度為20~30g/L。可在室溫下將導電銅層(配線圖案P)浸泡在化學溶液中10~30秒。與化學溶液的接觸時間越長表面粗度會更大。圖7為第二實施例之完成鍍錫與防焊層的結構示意圖。在粗化銅面上鍍錫也會使錫面產生相似於粗化銅面的粗化結構。如圖所示，經粗化的導電銅層110’具有粗化銅面701，後續形成的第一錫層131’及第二錫層132’均因此有相似的粗化表面，如粗化錫面702及703。如前述，粗化錫面可提供較大的表面積。當軟質線路基板外接至其他電子元件時，外引腳區域的粗化錫面可使其與異方性導電膜(ACF)結合面積變大，進而使軟質線路基板與電子裝置更加緊密的貼合。較佳而言，第二錫層132’之粗化錫面703之表面粗度Rz範圍為：0.045~0.5μm，較 佳範圍為0.06~0.35μm，更佳範圍為0.1~0.3μm。表面粗度Rz的量測係將完成鍍錫的樣品裁切成約為5cm×5cm大小，以非接觸式形狀測量雷射顯微鏡(KEYENCE台灣基恩斯之型號VK-X100)測定。測定時係使用雷射光點直徑約1μm，物鏡倍率設定10X，視野範圍1350μm x 1012μm、以及物鏡倍率設定20X，視野範圍67 5μm x 506μm，以掃描時間約10~20秒，線距pitch設定2μm作測定。

以上所述僅為本創作之較佳實施例而已，並非用以限定本創作之申請專利範圍；凡其它未脫離本創作所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。

Claims (17)

1. 一種用於承載晶片的軟質線路基板，包含：具有配線圖案的一導電銅層於一絕緣基材上；一第一錫層位於該導電銅層上方；一第二錫層位於該第一錫層上方；一第一防焊層覆蓋未被該第一錫層及該第二錫層覆蓋的該導電銅層，且該第一防焊層部分地覆蓋該第二錫層；及一第二防焊層部分地覆蓋該第二錫層及至少部分地覆蓋該第一防焊層。
2. 如請求項1所述之軟質線路基板，其中該第一防焊層具有一第一邊緣接觸該第二錫層。
3. 如請求項1所述之軟質線路基板，其中該第一錫層具有一第一縱向界面接觸該導電銅層，該第一防焊層具有一第一邊緣接觸該第二錫層，該第一縱向界面與該第一邊緣之橫向距離大於該第一錫層的厚度。
4. 如請求項1所述之軟質線路基板，其中該第二錫層具有一第二縱向界面接觸該第一錫層，該第一防焊層覆蓋該第二縱向界面。
5. 如請求項1所述之軟質線路基板，其中該第二錫層具有一第二縱向界面接觸該第一錫層，該第二防焊層具有一第二邊緣接觸該第二錫層，該第二縱向界面與該二邊緣之橫向距離大於該第二錫層的厚度。
6. 如請求項1所述之軟質線路基板，其中該第一錫層與該第二錫層之界面共形於該第一錫層與該導電銅層的界面。
7. 如請求項1所述之軟質線路基板，其中該配線圖案具有一測試引腳區，一內引腳區及一外引腳區，該第一防焊層未覆蓋介於該測試引腳區與該內引腳區之間的該配線圖案。
8. 如請求項1所述之軟質線路基板，其中該導電銅層具有一粗化銅面。
9. 如請求項1所述之軟質線路基板，其中該第二錫層具有一粗化錫面，該粗化錫面之表面粗度Rz範圍為：0.045~0.5μm。
10. 如請求項1所述之軟質線路基板，其中該第二錫層具有一粗化錫面，該粗化錫面之表面粗度Rz範圍為：0.06~0.35μm。
11. 如請求項1所述之軟質線路基板，其中該第二錫層具有一粗化錫面，該粗化錫面之表面粗度Rz範圍為：0.1~0.3μm。
12. 一種用於承載晶片之軟質線路基板，包含：一導電銅層具有一配線圖案設置於一絕緣基材上；一錫層位於該導電銅層上方，其中該導電銅層具有不被該錫層所覆蓋的一露出部分；及一防焊層覆蓋該露出部分且部分地覆蓋該錫層，其中該錫層具有一縱向界面接觸該導電銅層，該防焊層具有一邊緣接觸該錫層，其中該縱向界面與該邊緣之橫向距離大於該錫層的厚度。
13. 如請求項第12項所述之軟質線路基板，其中該防焊層之厚度範圍從6μm至35μm。
14. 如請求項第12項所述之軟質線路基板，其中該錫層之厚度範圍從0.1μm至0.6μm。
15. 如請求項12所述之軟質線路基板，其中該錫層具有一粗化錫面，該粗化錫面之表面粗度Rz範圍為：0.045~0.5μm。
16. 如請求項12所述之軟質線路基板，其中該錫層具有一粗化錫面，該粗化錫面之表面粗度Rz範圍為：0.06~0.35μm。
17. 如請求項12所述之軟質線路基板，其中該錫層具有一粗化錫面，該粗化錫面之表面粗度Rz範圍為：0.1~0.3μm。