TWM564041U - 熱硬化型複合膠帶 - Google Patents

Abstract

本創作係提供一種熱硬化型複合膠帶，係用以黏著於一被黏著物上，其包括有：一基材，其具有一第一表面及第二表面；一熱硬化型黏著劑，係塗佈於該基材之第一表面，用以黏著於該被黏著物上，其具有一初始黏著力為大於300gf/inch，將其加熱後降至常溫時黏著力為小於200gf/inch，用以降低與被黏著物之黏著力；及一離型層，其係覆蓋於該熱硬化型黏著劑上，可自其剝離。

Description

熱硬化型複合膠帶

本創作係關於一種熱硬化型複合膠帶，其係用以貼合於一被黏著物上，經加熱後降至常溫可降低黏著性，使其可自被黏著物剝離者。

在現有技術中，黏著材料諸如黏著片已被廣泛用於各種產品(例如半導體晶圓)的生產過程中。舉例而言，作為半導體晶圓切割時所用的黏著片。因此，使用黏著片以輔助半導體晶圓的切割工作時，黏著片的黏著力須足以與將半導體晶圓相互固定而不與半導體晶圓分離，即不發生剝離。另外，在半導體晶圓經過切割後，於進行拾取(pick-up)經切割的半導體晶圓的步驟中，則需要將黏著片與半導體晶圓分離。因此，用於半導體晶圓的生產過程的黏著片需要同時具備良好的黏著力，以及在經過處理後的易剝離的特性。

在現有的黏著片產品中，於進行所需的處理，例如經過高溫製程之後，黏著片與被黏附的物件之間的黏著力都會上升，因此，反而使得被黏附的物件上的剝離轉印污染量增多或產生殘膠等問題。

因此，為了解決上述問題，現有技術已發展出一種黏著片，其是在黏著片所使用的黏著材料的聚合物中加入具有光硬化特性的官能基。如此一來，在半導體晶圓經過切割後，只要對黏著片進行照光步驟，可以使得黏著片發生硬化而降低其黏著性。 據此，可以輕易地在所需的時點將黏著片自經過切割的半導體晶圓剝離。

在現有的黏著片產品中，於進行所需的處理，例如經過高溫製程之後，黏著片與被黏附的物件之間的黏著力都會上升，因此，反而使得被黏附的物件上的剝離轉印污染量增多或產生殘膠等問題

因此，為了解決上述問題，現有技術已發展出一種黏著片，其是在黏著片所使用的黏著材料的聚合物中加入具有光硬化特性的官能基。如此一來，在半導體晶圓經過切割後，只要對黏著片進行照光步驟，可以使得黏著片發生硬化而降低其黏著性。據此，可以輕易地在所需的時點將黏著片自經過切割的半導體晶圓剝離。

然而，對黏著片進行照光步驟，例如對光硬化型黏著片照射放射線需要額外添購放射線機台等設備，且在生產過程中需要新增站點，而增加生產成本與降低生產效率。除此之外，由於一般儲存或工作環境中仍或多或少存在有紫外線而影響光硬化黏著片的黏著力，因此，光硬化型黏著片具有不易保存的缺點。

因此，在現有技術中，用於保護或固定目標表面的黏著劑組合物仍然有改善的空間。

本創作熱硬化型複合膠帶，其包括有面膠帶，其包括有一基材，其具有一第一表面及第二表面；一熱硬化型黏著劑，係塗佈於該基材之第一表面，用以黏著於該被黏著物上，其具有一初始黏著力為大於300gf/inch，將其加 熱後降至常溫時黏著力為小於200gf/inch，用以降低與被黏著物之黏著力；及一離型層，其係覆蓋於該熱硬化型黏著劑上，可自其剝離。

10‧‧‧基板

12‧‧‧熱硬化型黏著劑

14、22‧‧‧離型層

16‧‧‧第一表面

18‧‧‧第二表面

20、24‧‧‧被黏著物

第1圖為本創作用熱硬化型複合膠帶的第一示意圖。

第2圖為本創作用熱硬化型複合膠帶的第二示意圖。

第3圖為本創作用熱硬化型複合膠帶的第三示意圖。

第4圖為本創作用熱硬化型複合膠帶的第三示意圖。

請參閱第1圖，本創作用熱硬化型複合膠帶之第一示意圖，其包括有一基板10、一熱硬化型黏著劑12及一離型層14。

基板10可為聚醯亞胺膜(PI)、聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚胺酯(PU)或矽橡膠，其具有一第一表面16及一第二表面18。

一熱硬化型黏著劑12係塗佈於基板10之第一表面16，其包括一主體聚合物、至少一熱硬化基團以及一熱硬化劑，所述主體聚合物包括衍生自一單體的至少一結構單元，所述單體是一含有可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或者是一含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基，此為習知技術，於此不予贅述。熱硬化型黏著劑12具有一初始黏著力為大於300gf/inch，將其加熱後降至常溫時黏著力為小200gf/inch。

一離型層14，其係覆蓋於熱硬化型黏著劑12上，可自其剝離。

請配合參閱第2圖，離型層14自基板10上之熱硬化型黏著劑12剝離後，熱硬化型黏著劑12係用以貼附於一被黏著物20上，如半導體元件，使基板10可穩固於離型層12上，當被黏著物20完成必要的高溫製程後降至常 溫時，熱硬化型粘著劑12黏著力將降低，使被黏著物20得以與熱硬化型黏著劑12剝離。

請參閱第3圖，基板10之第二表面18亦可塗佈熱硬化型黏著劑12或一般之黏著劑。

離型層14係覆蓋於基板10第一表面16之熱硬化型黏著劑12及離型層24係覆蓋於基板10第二表面之熱硬化型黏著劑12或一般黏著劑上。

請配合參閱第4圖，離型層14自基板10上第一表面19之熱硬化型黏著劑12剝離後，熱硬化型黏著劑12係用以貼附於一被黏著物20上，如半導體元件，使基板10可穩固於離型層12上，當被黏著物20完成必要的高溫製程後降至常溫時，熱硬化型粘著劑12黏著力將降低，使被黏著物20得以與熱硬化型黏著劑12剝離。

離型層22可自基板10上第二表面18之熱硬化型黏著劑12剝離，使熱硬化型黏著劑12貼附於一被黏著物24上，如半導體元件，使基板10可穩固於離型層12上，當被黏著物20完成必要的高溫製程後降至常溫時，熱硬化型粘著劑12黏著力將降低，使被黏著物20得以與熱硬化型黏著劑12剝離。

或者，離型層22可自基板10上第二表面18之一般黏著劑12剝離，使一般黏著劑貼附於一被黏著物24上。

上述特定實施例之內容係為了詳細說明本創作，然而，該等實施例係僅用於說明，並非意欲限制本創作。熟習本領域之技藝者可理解，在不悖離後附申請專利範圍所界定之範疇下針對本創作所進行之各種變化或修改係落入本創作之一部分。

Claims (5)

1. 一種熱硬化型複合膠帶，係用以黏著於一被黏著物上，其包括有：一基板，其具有一第一表面及第二表面；一熱硬化型黏著劑，係塗佈於該基板之第一表面，用以黏著於該被黏著物上，其具有一初始黏著力為大於300gf/inch，將其加熱後降至常溫時黏著力為小於200gf/inch，用以降低與被黏著物之黏著力；及一離型層，其係覆蓋於該熱硬化型黏著劑上，可自其剝離。
2. 如申請專利範圍第1項所述之熱硬化型複合膠帶，其中，該基板為聚醯亞胺膜(PI)、聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚胺酯(PU)或矽橡膠。
3. 如申請專利範圍第1項所述之熱硬化型複合膠帶，其中，該熱硬化型黏著劑包括一主體聚合物、至少一熱硬化基團以及一熱硬化劑，所述主體聚合物包括衍生自一單體的至少一結構單元，所述單體是一含有可聚合的碳-碳雙鍵的丙烯醯基或者是一含有可聚合的碳-碳雙鍵甲基丙烯醯基。
4. 如申請專利範圍第1項所述之熱硬化型複合膠帶，其中，該基板之第二表面更包括一黏著劑，一離型層係覆蓋於該黏著劑上。
5. 如申請專利範圍第4項所述之熱硬化型複合膠帶，其中，該黏著劑為熱硬化型黏著劑，其具有一初始黏著力為大於300gf/inch，將其加熱後降至常溫時黏著力為小於200gf/inch，一離型層係覆蓋於該熱硬化型黏著劑上。