TWM531659U - 具高隔離度低損耗微型雙工器 - Google Patents

Description

具高隔離度低損耗微型雙工器

本創作是關於一種雙工器，特別是指具高隔離度低損耗微型雙工器。

雙工器係具有三個訊號端並可雙向傳輸的濾波器，在通訊系統中係一重要的射頻電路元件，主要用來分離不同頻段之混合訊號，將不同頻帶的訊號送至不同的訊號端，或是從任一訊號端輸入一訊號再傳送至天線，傳統的雙工器係由一低通或帶通濾波器，搭配一高通或帶通濾波器所組成，透過低通濾波器、高通濾波器或帶通濾波器達到頻率分離的目的。一般來說，為了讓兩訊號端在傳送不同頻率訊號時互不影響且降低射頻系統輸出之功率，雙工器須具備良好的隔離度(Isolation)以及更小的介入損耗(Insertion Loss)。

是以，申請人係以從事此行業所累積之專業經驗，設計出本創作之具高隔離度低損耗微型雙工器。

本創作的主要目的是提供一種具高隔離度低損耗微型雙工器，具備良好的隔離度以及低介入損耗。

本創作具高隔離度低損耗微型雙工器是以多層基板堆疊形成一積層本體，該具高隔離度低損耗微型雙工器包含： 一訊號輸入端； 一低頻輸出端； 一高頻輸出端； 一隔離電感器，其一端連接該訊號輸入端； 一低頻濾波單元，係串接於該隔離電感器的另一端與該低頻輸出端之間； 一隔離電容器，其一端連接該訊號輸入端；以及 一高頻濾波單元，係串接於該隔離電容器的另一端與該高頻輸出端之間。

本創作之積層本體採用多層結構設計可達到元件縮小化之功效，且本創作除了由該低頻濾波單元與該高頻濾波單元進行濾波以外，在其前端進一步設有該隔離電感器與該隔離電容器進行高、低頻訊號濾波，藉此進一步增加高、低頻帶之間的隔離度，並分別提供其後端之該低頻濾波單元與該高頻濾波單元之阻抗匹配；再者，本創作在不同基板利用導通孔的電連接方式實現高品質因數(即：Q值)電感，大幅提升元件電氣特性。綜上所述，本創作之功效條列如下：

1.經由該隔離電感器與該隔離電容器提升該低頻濾波單元與該高頻濾波單元之間的隔離度並達到電路阻抗匹配。

2.採用導通孔的電性連接方式實現高Q值之電感器及耦合線，有助於降低損耗及高頻耦合效應。

3. 積層本體之結構達到體積微型化。

下列實施例係用以例示說明本創作，以令所請創作之範疇更為清楚。

本創作具高隔離度低損耗微型雙工器是以多層基板堆疊形成一積層本體，請參考圖1，本創作之等效電路包含一訊號輸入端RX、一低頻輸出端TX1、一高頻輸出端TX2、一隔離電感器Lin、一低頻濾波單元10、一隔離電容器Cin與一高頻濾波單元20。

該訊號輸入端RX供連接一天線30，該隔離電感器Lin的一端連接該訊號輸入端RX，該低頻濾波單元10係串接於該隔離電感器Lin的另一端與該低頻輸出端TX1之間，該隔離電容器Cin的一端連接該訊號輸入端RX，該高頻濾波單元20係串接於該隔離電容器Cin的另一端與該高頻輸出端TX2之間。

該低頻濾波單元10係選自一第一低通電路、一第二低通電路、一第一帶通電路與一第二帶通電路當中之一。請參考圖2，該第一低通電路11包含有一第一電感器L1、一第一電容器C1與兩第一接地電容器Cg1，其中該兩第一接地電容器Cg1的電容值可彼此不同，該第一電感器L1串接於該隔離電感器Lin與該低頻輸出端TX1之間，該第一電容器C1並聯於該第一電感器L1，該兩第一接地電容器Cg1分別連接於該第一電感器L1的兩端與接地之間。請參考圖3，該第二低通電路12包含有複數第二電感器L2、複數第二電容器C2與複數第二接地電容器Cg2，其中該等第二電感器L2的電感值可彼此不同，該等第二電容器C2的電容值可彼此不同，該等第二接地電容器Cg2的電容值可彼此不同，該等第二電感器L2串接於該隔離電感器Lin與該低頻輸出端TX1之間，該等第二電容器C2分別並聯於該等第二電感器L2，該等第二接地電容器Cg2分別連接於該等第二電感器L2的兩端與接地之間。請參考圖4，該第一帶通電路13包含有一第一耦合電容器Cc1、兩第一耦合線41與兩第三接地電容器Cg3，其中該兩第三接地電容器Cg3的電容值可彼此不同，該第一耦合電容器Cc1串接於該隔離電感器Lin與該低頻輸出端TX1之間，該兩第一耦合線41分別連接於該第一耦合電容器Cc1的兩端與接地之間，該兩第三接地電容器Cg3分別連接於該第一耦合電容器Cc1的兩端與接地之間。請參考圖5，該第二帶通電路14包含有複數第二耦合電容器Cc2、一第三耦合電容器Cc3、複數第二耦合線42與複數第四接地電容器Cg4，其中該等第二耦合電容器Cc2的電容值可彼此不同，該等第四接地電容器Cg4的電容值可彼此不同，該等第二耦合電容器Cc2串接於該隔離電感器Lin與該低頻輸出端TX1之間，該第三耦合電容器Cc3連接於該隔離電感器Lin與該低頻輸出端TX1之間，該等第二耦合線42分別連接於該等第二耦合電容器Cc2的一端部與接地之間以及該等第二耦合電容器Cc2的串接節點與接地之間，該等第四接地電容器Cg4分別連接於該等第二耦合電容器Cc2的一端部與接地之間以及該等第二耦合電容器Cc2的串接節點與接地之間。

該高頻濾波單元20係選自一第三帶通電路與一第四帶通電路當中之一。請參考圖6，該第三帶通電路21包含有一第四耦合電容器Cc4、兩第三耦合線43與兩第五接地電容器Cg5，其中該兩第五接地電容器Cg5的電容值可彼此不同，該第四耦合電容器Cc4串接於該隔離電容器Cin與該高頻輸出端TX2之間，該兩第三耦合線43分別連接於該第四耦合電容器Cc4的兩端與接地之間，該兩第五接地電容器Cg5分別連接於該第四耦合電容器Cc4的兩端與接地之間。請參考圖7，該第四帶通電路22包含有複數第五耦合電容器Cc5、一第六耦合電容器Cc6、複數第四耦合線44與複數第六接地電容器Cg6，其中該等第五耦合電容器Cc5的電容值可彼此不同，該等第六接地電容器Cg6的電容值可彼此不同，該等第五耦合電容器Cc5串接於該隔離電容器Cin與該高頻輸出端TX2之間，該第六耦合電容器Cc6連接於該隔離電容器Cin與該高頻輸出端TX2之間，該等第四耦合線44分別連接於該等第五耦合電容器Cc5的一端部與接地之間以及該等第五耦合電容器Cc5的串接節點與接地之間，該等第六接地電容器Cg6分別連接於該等第五耦合電容器Cc5的一端部與接地之間以及該等第五耦合電容器Cc5的串接節點與接地之間。

請參考圖8所示本創作之第一實施例，該低頻濾波單元為該第一低通電路11，該高頻濾波單元為該第四帶通電路22。請參考圖9，如前所述，本創作是以多層陶瓷材質的基板堆疊形成一積層本體50，在各層的基板上會形成適當的導電圖案以構成電容、電感與耦合線等元件，且各層的導電圖案是通過直的導通孔(via)而與其他層的導電圖案電性電性連接，以具有前述的等效電路架構，該積層本體50的兩相對側分別設有複數外部電極，分別為一輸入電極51、一第一輸出電極52、一第二輸出電極53、一第一接地電極54、一第二接地電極55與一第三接地電極56；該輸入電極51即對應於圖1的該訊號輸入端RX，該第一輸出電極52即對應於圖1的該低頻輸出端TX1，該第二輸出電極53即對應於圖1的該高頻輸出端TX2，該第一至該第三接地電極54~56即對應於圖1的接地端。

請配合參考圖10所示，為對應圖8所示第一實施例等效電路的積層結構，該積層本體的基板由上而下依序包含有一第1基板S1至一第15基板S15。

該第1基板S1設有一第1導電圖案601，該第1導電圖案601的一端延伸到該第1基板S1的邊緣以電性連接該輸入電極51。

該第2基板S2設有彼此分離的一第2導電圖案602、一第3導電圖案603、一第4導電圖案604與一第5導電圖案605，該第2導電圖案602位於該第1基板S1之第1導電圖案601之下方，且該第2導電圖案602的一端連接該第1導電圖案601的另一端；該第3至該第5導電圖案603~605為長形圖案，其位在相對於該第2導電圖案602的另側並彼此平行。

該第3基板S3設有彼此分離的一第6導電圖案606、一第7導電圖案607、一第8導電圖案608與一第9導電圖案609，該第6導電圖案606位於該第2基板S2的第2導電圖案602下方，且該第6導電圖案606的一端連接該第2導電圖案602的另一端；該第7至該第9導電圖案607~609分別為長形圖案，該第7導電圖案607位於該第3導電圖案603下方且其兩端分別連接該第3導電圖案603的兩端，該第8導電圖案608位於該第4導電圖案604下方且其兩端分別連接該第4導電圖案604的兩端，該第9導電圖案609位於該第5導電圖案605下方且其兩端分別連接該第5導電圖案605的兩端。

該第4基板S4為一絕緣基板，供所述導通孔穿過。

該第5基板S5設有一第10導電圖案610，該第10導電圖案610位於該第3基板S3之第6導電圖案606之下方，且該第10導電圖案610的一端連接該第6導電圖案606的另一端，其中，該第1導電圖案601、該第2導電圖案602、該第6導電圖案606與該第10導電圖案610整體而言呈現沿著一心軸捲繞之構造。

該第6基板S6設有一第11導電圖案611，其一端延伸到該第6基板S6的邊緣以電性連接該第一輸出電極52，該第11導電圖案611可位於該第10導電圖案610之下方。

該第7基板S7設有一第12導電圖案612，其可位於該第6基板S6之第11導電圖案611之下方，該第12導電圖案612的一端連接該第11導電圖案611的另一端。

該第8基板S8設有一第13導電圖案613，其可位於該第7基板S7的第12導電圖案612之下方，該第13導電圖案613的一第一端連接該第5基板S5之第10導電圖案610的另一端，該第13導電圖案613的一第二端連接該第7基板S7之第12導電圖案612的另一端。該第11至該第13導電圖案611~613整體而言呈現沿著另一心軸捲繞之構造。

該第9基板S9為一絕緣基板，供所述導通孔穿過。

該第10基板S10設有一第14導電圖案614，其位於該第3基板S3之第7至第9導電圖案607~609的下方並分別連接該第7至該第9導電圖案607~609的一端，且該第14導電圖案614的一端延伸到該第10基板S10的邊緣以電性連接該第一接地電極54。

該第11基板S11設有一第15導電圖案615，其分布在對應於該第10基板S10之第14導電圖案614的一側，且該第15導電圖案615連接該第3基板S3的第8導電圖案608的另一端。

該第12基板S12設有彼此分離的一第16導電圖案616與一第17導電圖案617，該第16導電圖案616與該第17導電圖案617分別位於該第11基板S11之第15導電圖案615下方，亦即，該第15導電圖案615分布區域涵蓋該第16導電圖案616與該第17導電圖案617。該第16導電圖案616的一端連接該第3基板S3的第7導電圖案607的另一端，該第17導電圖案617連接該第3基板S3的第9導電圖案609的另一端。

該第13基板S13設有彼此相對設置的一第18導電圖案618與一第19導電圖案619，該第19導電圖案619位於該第12基板S12之第16導電圖案612與第17導電圖案617的下方，該第18導電圖案618的一端延伸到該第13基板S13的邊緣而連接該第一輸出電極52。

該第14基板S14設有彼此分離的一第20導電圖案620、一第21導電圖案621、一第22導電圖案622與一第23導電圖案623，該第20導電圖案620位於該第13基板S13之第18導電圖案618下方且連接該第8基板S8的第13導電圖案613的第一端，該第21至該第23導電圖案621~623位於該第13基板S13之第19導電圖案619下方，其中該第21導電圖案621連接該第12基板S12的第16導電圖案616的另一端，該第22導電圖案622連接該第11基板S11的第15導電圖案615，該第23導電圖案623連接該第12基板S12的第17導電圖案617，且該第17導電圖案617的一端延伸到該第14基板S14的邊緣以連接該第二輸出電極53。

該第15基板S15設有彼此分離的一第24導電圖案624、一第25導電圖案625與一第26導電圖案626，該第24導電圖案624位於該第14基板S14的第20導電圖案620的下方並延伸到該第15基板S15的邊緣以連接該第二接地電極55，該第25導電圖案625位於該第14基板S14的第21導電圖案621下方並延伸到該第15基板S15邊緣以連接該輸入電極51，該第26導電圖案626分布於該第14基板S14的第21至第23導電圖案621~623下方，且該第26導電圖案626的相對兩端分別延伸到該第15基板S15的相對兩側邊緣以分別連接該第一接地電極54與該第三接地電極56。

依據前述第一實施例的積層結構，請配合參考圖8與圖10，該第1導電圖案601、該第2導電圖案602、該第6導電圖案606與該第10導電圖案610構成該隔離電感器Lin；該第11導電圖案611、該第12導電圖案612與該第13導電圖案613構成該第一電感器L1；該第20導電圖案620與該第18導電圖案618彼此耦合而構成該第一電容器C1；該第20導電圖案620與該第24導電圖案624彼此耦合而構成連接該隔離電感器Lin的該第一接地電容器Cg1，其電容值依據該第20導電圖案620與該第24導電圖案624的面積而定；該第18導電圖案618與該第24導電圖案624彼此耦合而構成連接該低頻輸出端TX1的該第一接地電容器Cg1，其電容值依據該第18導電圖案618與該第24導電圖案624的面積而定；是以，該兩第一接地電容器Cg1的電容值可彼此不同。該第25導電圖案625與該第21導電圖案621彼此耦合而構成該隔離電容器Cin；該第15導電圖案615與該第16導電圖案616彼此耦合而構成連接該隔離電容器Cin的該第五耦合電容器Cc5，其電容值依據該第15導電圖案615與該第16導電圖案616的面積而定；該第15導電圖案615與該第17導電圖案617彼此耦合而構成連接該高頻輸出端TX2的該第五耦合電容器Cc5，其電容值依據該第15導電圖案615與該第17導電圖案617的面積而定；是以，該兩第五耦合電容器Cc5的電容值可彼此不同；該第23導電圖案623、該第19導電圖案619與該第21導電圖案621彼此耦合而構成該第六耦合電容器Cc6；該第3導電圖案603與該第7導電圖案607構成連接該隔離電容器Cin的該第四耦合線44；該第5導電圖案605與該第9導電圖案609構成連接該高頻輸出端TX2的該第四耦合線44；該第4導電圖案604與該第8導電圖案608構成連接在該兩第五耦合電容器Cc5之串接節點的該第四耦合線44；該第21導電圖案621與該第26導電圖案626彼此耦合而構成連接該隔離電容器Cin的該第六接地電容器Cg6，其電容值依據該第21導電圖案621與該第26導電圖案626的面積而定；該第23導電圖案623與該第26導電圖案626彼此耦合而構成連接該高頻輸出端TX2的該第六接地電容器Cg6，其電容值依據該第23導電圖案623與該第26導電圖案626的面積而定；該第22導電圖案622與該第26導電圖案626彼此耦合而構成連接在該兩第五耦合電容器Cc5之串接節點的該第六接地電容器Cg6，其電容值依據該第22導電圖案622與該第26導電圖案626的面積而定；是以，該等第六接地電容器Cg6的電容值可彼此不同。

請參考圖11A，本創作第一實施例的該低頻濾波單元10之介入損耗(insertion loss)特性曲線圖，主要操作在2.4GHz的頻帶，圖11B為該高頻濾波單元20之介入損耗特性曲線圖，主要操作在5GHz的頻帶。圖11C為該低頻輸出端TX1與該高頻輸出端TX2相對於彼此的隔離度特性曲線圖，其顯示在低頻(約2.4GHz)或高頻(約5GHz)之操作頻率高具有良好的隔離效果(接近-30dB)，使該低頻輸出端TX1與該高頻輸出端TX2彼此的影響程度甚低。圖11D為反射損耗(return loss)的特性曲線圖，在低頻帶(約2.4GHz)與高頻帶(約5GHz)處皆在-20dB左右。

請參考圖12所示本創作之第二實施例，該低頻濾波單元為該第二帶通電路14，該高頻濾波單元為該第三帶通電路21。在第二實施例中，請參考圖13，該積層本體50’的兩相對側分別設有複數外部電極，分別為一輸入電極51’、一第一輸出電極52’、一第二輸出電極53’、一第一接地電極54’、一第二接地電極55’與一第三接地電極56’。圖14為對應該第二實施例等效電路的積層結構，該積層本體的基板由上而下依序包含有一第1基板T1至一第12基板T12；該輸入電極51’即對應於圖1的該訊號輸入端RX，該第一輸出電極52’即對應於圖1的該低頻輸出端TX1，該第二輸出電極53’即對應於圖1的該高頻輸出端TX2，該第一至該第三接地電極54’~56’即對應於圖1的接地端。

該第1基板T1設有彼此分離的一第1導電圖案701、一第2導電圖案702、一第3導電圖案703與一第4導電圖案704，該第1導電圖案701的一端延伸到該第1基板T1的邊緣以連接該輸入電極51’，該第2至該第4導電圖案702~704並排排列於該第1導電圖案701的一側。

該第2基板T2為一絕緣基板，供所述導通孔穿過。

該第3基板T3設有彼此分離的一第5導電圖案705、一第6導電圖案706、一第7導電圖案707、一第8導電圖案708與一第9導電圖案709，該第7至該第9導電圖案707~709分別位於該第1基板T1之第2至第4導電圖案702~704的下方，該第5導電圖案705與該第6導電圖案706位在相對於該第7至該第9導電圖案707~709的另側。該第7導電圖案707的一端連接該第2導電圖案702的一端，該第8導電圖案708的一端連接該第3導電圖案703的一端，該第9導電圖案709的一端連接該第4導電圖案704的一端。

該第4基板T4為一絕緣基板，供所述導通孔穿過。

該第5基板T5設有一第10導電圖案710，其位於該第1基板T1之第1導電圖案701下方，該第10導電圖案710的一第一端連接該第1導電圖案701的另一端，該第10導電圖案710的一第二端連接該第3基板T3之第9導電圖案709的另一端。

該第6基板T6為一絕緣基板，供所述導通孔穿過。

該第7基板T7設有一第11導電圖案711，其位於該第1基板T1之第1導電圖案701下方，該第11導電圖案711的一端延伸到該第7基板T7的邊緣以連接該輸入電極51’。

該第8基板T8設有一第12導電圖案712，其位於對應該第3基板T3之第7至第9導電圖案707~709的一側。

該第9基板T9設有分離設置的一第13導電圖案713與一第14導電圖案714，其分別位於該第8基板T8之第12導電圖案712的下方。第13導電圖案713的一端延伸到該第9基板T9的邊緣以連接該第一輸出電極52’，且該第13導電圖案713連接該第3基板T3的第7導電圖案707的另一端，而該第14導電圖案714的一端連接該第5基板T5的第10導電圖案710的該第二端。

該第10基板T10設有分離設置的一第15導電圖案715、一第16導電圖案716與一第17導電圖案717，該第15導電圖案715位於該第7基板T7之第11導電圖案711的下方，且該第15導電圖案715的一端連接該第11導電圖案711的另一端，該第16導電圖案716位於該第3基板T3之第6導電圖案706的下方並連接該第6導電圖案706的一端，該第17導電圖案717位於該第8基板T8之第12導電圖案712的下方並連接該第3基板T3的第8導電圖案708的另一端。

該第11基板T11設有分離設置的一第18導電圖案718、一第19導電圖案719、一第20導電圖案720、一第21導電圖案721與一第22導電圖案722，該第18導電圖案718與該第19導電圖案719分別位於該第10基板T10之第16導電圖案716與第15導電圖案715的下方，該第20至該第22導電圖案720~722並列排列於相對該第18導電圖案718與該第19導電圖案719的另一側。該第18導電圖案718連接該第3基板T3的第5導電圖案705的一端，該第19導電圖案719連接該第10基板T10的第16導電圖案716，該第20導電圖案720連接該第9基板T9的第13導電圖案713，該第21導電圖案721連接該第10基板T10的第17導電圖案717，該第22導電圖案722連接該第9基板T9的第14導電圖案714的另一端。

該第12基板T12設有一第23導電圖案723，其分布區域涵蓋該第11基板T11的第18至第22導電圖案718~722，且該第23導電圖案723具有三端分別延伸到該第12基板T12的邊緣以分別連接該第一接地電極54’、第二接地電極55’與第三接地電極56’，該第23導電圖案723分別連接該第1基板T1的第2至第4導電圖案702~704的另一端、第3基板T3之第6導電圖案706的另一端與第5導電圖案705的另一端。

據前述第二實施例的積層結構，請配合參考圖12與圖14，該第1導電圖案701與該第10導電圖案710構成該隔離電感器Lin；該第4導電圖案704與該第9導電圖案709構成連接該隔離電感器Lin的該第二耦合線42；該第3導電圖案703與該第8導電圖案708構成連接在該兩第二耦合電容器Cc2之串接節點的該第二耦合線42；該第2導電圖案702與該第7導電圖案707構成連接該低頻輸出端TX1的第二耦合線42；該第17導電圖案717與該第22導電圖案722彼此耦合構成連接該隔離電感器Lin的該第二耦合電容器Cc2，其電容值依據該第17導電圖案717與該第22導電圖案722的面積而定；該第17導電圖案717與該第20導電圖案720彼此耦合構成連接該低頻輸出端TX1的該第二耦合電容器Cc2，其電容值依據該第17導電圖案717與該第20導電圖案720的面積而定；是以，該等第二耦合電容器Cc2的電容值可彼此不同；該第12導電圖案712、該第13導電圖案713與該第14導電圖案714彼此耦合構成該第三耦合電容器Cc3；該第20導電圖案720、該第21導電圖案721與該第22導電圖案722分別與該第23導電圖案723耦合而分別構成連接該低頻輸出端TX1的第四接地電容器Cg4、連接在該兩第二耦合電容器Cc2之串接節點的第四接地電容器Cg4與連接該隔離電感器Lin的第四接地電容器Cg4，該等第四接地電容器Cg4的電容值依據其對應之導電圖案的面積不同而不同。該第15導電圖案715與該第19導電圖案719彼此耦合構成該隔離電容器Cin；該第6導電圖案706及其導通孔構成連接該隔離電容器Cin的該第三耦合線43；該第5導電圖案705及其導通孔構成連接該高頻輸出端TX2的該第三耦合線43；該第19導電圖案719與該第23導電圖案723彼此耦合構成連接該隔離電容器Cin的該第五接地電容器Cg5，其電容值依據該第19導電圖案719與該第23導電圖案723的面積而定；該第18導電圖案718與該第23導電圖案723彼此耦合構成連接該高頻輸出端TX2的該第五接地電容器Cg5，其電容值依據該第18導電圖案718與該第23導電圖案723的面積而定；是以，該等第五接地電容器Cg5的電容值可彼此不同；該第18導電圖案718與該第16導電圖案716彼此耦合構成該第四接地電容器Cg4。

請參考圖15A，本創作第二實施例的該低頻濾波單元10之介入損耗(insertion loss)特性曲線圖，主要操作在2.4GHz的頻帶，圖15B為該高頻濾波單元20之介入損耗特性曲線圖，主要操作在5GHz的頻帶。圖15C為該低頻輸出端TX1與該高頻輸出端TX2相對於彼此的隔離度特性曲線圖，其顯示在低頻(約2.5GHz)或高頻(約5GHz)之操作頻率高具有良好的隔離效果(皆低於-30dB)，使該低頻輸出端TX1與該高頻輸出端TX2彼此的影響程度甚低。圖15D為反射損耗(return loss)的特性曲線圖，本創作第二實施例在低頻帶(約2.4GHz)接近-40dB，而在高頻帶(約5GHz)接近-20dB左右。

10‧‧‧低頻濾波單元
11‧‧‧第一低通電路
12‧‧‧第二低通電路
13‧‧‧第一帶通電路
14‧‧‧第二帶通電路
20‧‧‧高頻濾波單元
21‧‧‧第三帶通電路
22‧‧‧第四帶通電路
30‧‧‧天線
41‧‧‧第一耦合線
42‧‧‧第二耦合線
43‧‧‧第三耦合線
44‧‧‧第四耦合線
50‧‧‧積層本體
51‧‧‧輸入電極
52‧‧‧第一輸出電極
53‧‧‧第二輸出電極
54‧‧‧第一接地電極
55‧‧‧第二接地電極
56‧‧‧第三接地電極
601‧‧‧第1導電圖案
602‧‧‧第2導電圖案
603‧‧‧第3導電圖案
604‧‧‧第4導電圖案
605‧‧‧第5導電圖案
606‧‧‧第6導電圖案
607‧‧‧第7導電圖案
608‧‧‧第8導電圖案
609‧‧‧第9導電圖案
610‧‧‧第10導電圖案
611‧‧‧第11導電圖案
612‧‧‧第12導電圖案
613‧‧‧第13導電圖案
614‧‧‧第14導電圖案
615‧‧‧第15導電圖案
616‧‧‧第16導電圖案
617‧‧‧第17導電圖案
618‧‧‧第18導電圖案
619‧‧‧第19導電圖案
620‧‧‧第20導電圖案
621‧‧‧第21導電圖案
622‧‧‧第22導電圖案
623‧‧‧第23導電圖案
624‧‧‧第24導電圖案
625‧‧‧第25導電圖案
626‧‧‧第26導電圖案
50’‧‧‧積層本體
51’‧‧‧輸入電極
52’‧‧‧第一輸出電極
53’‧‧‧第二輸出電極
54’‧‧‧第一接地電極
55’‧‧‧第二接地電極
56’‧‧‧第三接地電極
701‧‧‧第1導電圖案
702‧‧‧第2導電圖案
703‧‧‧第3導電圖案
704‧‧‧第4導電圖案
705‧‧‧第5導電圖案
706‧‧‧第6導電圖案
707‧‧‧第7導電圖案
708‧‧‧第8導電圖案
709‧‧‧第9導電圖案
710‧‧‧第10導電圖案
711‧‧‧第11導電圖案
712‧‧‧第12導電圖案
713‧‧‧第13導電圖案
714‧‧‧第14導電圖案
715‧‧‧第15導電圖案
716‧‧‧第16導電圖案
717‧‧‧第17導電圖案
718‧‧‧第18導電圖案
719‧‧‧第19導電圖案
720‧‧‧第20導電圖案
721‧‧‧第21導電圖案
722‧‧‧第22導電圖案
723‧‧‧第23導電圖案
RX‧‧‧訊號輸入端
TX1‧‧‧低頻輸出端
TX2‧‧‧高頻輸出端
Lin‧‧‧隔離電感器
Cin‧‧‧隔離電容器
L1‧‧‧第一電感器
L2‧‧‧第二電感器
C1‧‧‧第一電容器
C2‧‧‧第二電容器
Cc1‧‧‧第一耦合電容器
Cc2‧‧‧第二耦合電容器
Cc3‧‧‧第三耦合電容器
Cc4‧‧‧第四耦合電容器
Cc5‧‧‧第五耦合電容器
Cc6‧‧‧第六耦合電容器
Cg1‧‧‧第一接地電容器
Cg2‧‧‧第二接地電容器
Cg3‧‧‧第三接地電容器
Cg4‧‧‧第四接地電容器
Cg5‧‧‧第五接地電容器
Cg6‧‧‧第六接地電容器
S1‧‧‧第1基板
S2‧‧‧第2基板
S3‧‧‧第3基板
S4‧‧‧第4基板
S5‧‧‧第5基板
S6‧‧‧第6基板
S7‧‧‧第7基板
S8‧‧‧第8基板
S9‧‧‧第9基板
S10‧‧‧第10基板
S11‧‧‧第11基板
S12‧‧‧第12基板
S13‧‧‧第13基板
S14‧‧‧第14基板
S15‧‧‧第15基板
T1‧‧‧第1基板
T2‧‧‧第2基板
T3‧‧‧第3基板
T4‧‧‧第4基板
T5‧‧‧第5基板
T6‧‧‧第6基板
T7‧‧‧第7基板
T8‧‧‧第8基板
T9‧‧‧第9基板
T10‧‧‧第10基板
T11‧‧‧第11基板
T12‧‧‧第12基板

圖1：本創作的電路示意圖。 圖2：本創作的低頻濾波單元為第一低通電路的電路示意圖。 圖3：本創作的低頻濾波單元為第二低通電路的電路示意圖。 圖4：本創作的低頻濾波單元為第一帶通電路的電路示意圖。 圖5：本創作的低頻濾波單元為第二帶通電路的電路示意圖。 圖6：本創作的高頻濾波單元為第三帶通電路的電路示意圖。 圖7：本創作的高頻濾波單元為第四帶通電路的電路示意圖。 圖8：本創作第一實施例的電路示意圖。 圖9：本創作之元件立體示意圖。 圖10：本創作第一實施例之積層本體的立體分解示意圖。 圖11A：本創作第一實施例的低頻濾波單元的介入損耗特性曲線圖。 圖11B：本創作第一實施例的高頻濾波單元的介入損耗特性曲線圖。 圖11C：本創作第一實施例的隔離度特性曲線圖。 圖11D：本創作第一實施例的反射損耗特性曲線圖。 圖12：本創作第二實施例的電路示意圖。 圖13：本創作之元件立體示意圖。 圖14：本創作第二實施例之積層本體的立體分解示意圖。 圖15A：本創作第二實施例的低頻濾波單元的介入損耗特性曲線圖。 圖15B：本創作第二實施例的高頻濾波單元的介入損耗特性曲線圖。 圖15C：本創作第二實施例的隔離度特性曲線圖。 圖15D：本創作第二實施例的反射損耗特性曲線圖。

10‧‧‧低頻濾波單元

20‧‧‧高頻濾波單元

30‧‧‧天線

RX‧‧‧訊號輸入端

TX1‧‧‧低頻輸出端

TX2‧‧‧高頻輸出端

Lin‧‧‧隔離電感器

Cin‧‧‧隔離電容器

Claims (6)

1. 一種具高隔離度低損耗微型雙工器，是以多層基板堆疊形成一積層本體，該具高隔離度低損耗微型雙工器包含： 一訊號輸入端； 一低頻輸出端； 一高頻輸出端； 一隔離電感器，其一端連接該訊號輸入端； 一低頻濾波單元，係串接於該隔離電感器的另一端與該低頻輸出端之間； 一隔離電容器，其一端連接該訊號輸入端；以及 一高頻濾波單元，係串接於該隔離電容器的另一端與該高頻輸出端之間。
2. 如請求項1所述之具高隔離度低損耗微型雙工器，該低頻濾波單元係選自一第一低通電路、一第二低通電路、一第一帶通電路與一第二帶通電路當中之一； 該第一低通電路包含有一第一電感器、一第一電容器與兩第一接地電容器，該第一電感器串接於該隔離電感器與該低頻輸出端之間，該第一電容器並聯於該第一電感器，該兩第一接地電容器分別連接於該第一電感器的兩端與接地之間； 該第二低通電路包含有複數第二電感器、複數第二電容器與複數第二接地電容器，該等第二電感器串接於該隔離電感器與該低頻輸出端之間，該等第二電容器分別並聯於該等第二電感器，該等第二接地電容器分別連接於該等第二電感器的兩端與接地之間； 該第一帶通電路包含有一第一耦合電容器、兩第一耦合線與兩第三接地電容器，該第一耦合電容器串接於該隔離電感器與該低頻輸出端之間，該兩第一耦合線分別連接於該第一耦合電容器的兩端與接地之間，該兩第三接地電容器分別連接於該第一耦合電容器的兩端與接地之間； 該第二帶通電路包含有複數第二耦合電容器、一第三耦合電容器、複數第二耦合線與複數第四接地電容器，該等第二耦合電容器串接於該隔離電感器與該低頻輸出端之間，該第三耦合電容器連接於該隔離電感器與該低頻輸出端之間，該等第二耦合線分別連接於該等第二耦合電容器的一端部與接地之間以及該等第二耦合電容器的串接節點與接地之間，該等第四接地電容器分別連接於該等第二耦合電容器的一端部與接地之間以及該等第二耦合電容器的串接節點與接地之間； 該高頻濾波單元係選自一第三帶通電路與一第四帶通電路當中之一； 該第三帶通電路包含有一第四耦合電容器、兩第三耦合線與兩第五接地電容器，該第四耦合電容器串接於該隔離電容器與該高頻輸出端之間，該兩第三耦合線分別連接於該第四耦合電容器的兩端與接地之間，該兩第五接地電容器分別連接於該第四耦合電容器的兩端與接地之間； 該第四帶通電路包含有複數第五耦合電容器、一第六耦合電容器、複數第四耦合線與複數第六接地電容器，該等第五耦合電容器串接於該隔離電容器與該高頻輸出端之間，該第六耦合電容器連接於該隔離電容器與該高頻輸出端之間，該等第四耦合線分別連接於該等第五耦合電容器的一端部與接地之間以及該等第五耦合電容器的串接節點與接地之間，該等第六接地電容器分別連接於該等第五耦合電容器的一端部與接地之間以及該等第五耦合電容器的串接節點與接地之間。
3. 如請求項2所述之具高隔離度低損耗微型雙工器，該低頻濾波單元為該第一低通電路，該高頻濾波單元為該第四帶通電路。
4. 如請求項3所述之具高隔離度低損耗微型雙工器，該積層本體的兩相對側設有一輸入電極、一第一輸出電極、一第二輸出電極、一第一接地電極、一第二接地電極與一第三接地電極；該輸入電極對應於該訊號輸入端，該第一輸出電極對應於該低頻輸出端，該第二輸出電極對應於該高頻輸出端，該第一接地電極、該第二接地電極與該第三接地電極對應於所述接地； 該積層本體由上而下依序包含有： 一第1基板，設有一第1導電圖案，該第1導電圖案的一端延伸到該第1基板的邊緣以電性連接該輸入電極； 一第2基板，設有彼此分離的一第2導電圖案、一第3導電圖案、一第4導電圖案與一第5導電圖案，該第2導電圖案位於該第1基板之該第1導電圖案之下方，且該第2導電圖案的一端連接該第1導電圖案的另一端；該第3導電圖案、該第4導電圖案與該第5導電圖案為長形圖案，其位在相對於該第2導電圖案的另側並彼此平行； 一第3基板，設有彼此分離的一第6導電圖案、一第7導電圖案、一第8導電圖案與一第9導電圖案，該第6導電圖案位於該第2基板的該第2導電圖案下方，且該第6導電圖案的一端連接該第2導電圖案的另一端；該第7導電圖案、該第8導電圖案與該第9導電圖案分別為長形圖案，該第7導電圖案位於該第3導電圖案下方且其兩端分別連接該第3導電圖案的兩端，該第8導電圖案位於該第4導電圖案下方且其兩端分別連接該第4導電圖案的兩端，該第9導電圖案位於該第5導電圖案下方且其兩端分別連接該第5導電圖案的兩端； 一第4基板； 一第5基板，設有一第10導電圖案，該第10導電圖案位於該第3基板之該第6導電圖案之下方，且該第10導電圖案的一端連接該第6導電圖案的另一端，其中，該第1導電圖案、該第2導電圖案、該第6導電圖案與該第10導電圖案形成沿著一心軸捲繞之構造； 一第6基板，設有一第11導電圖案，其一端延伸到該第6基板的邊緣以電性連接該第一輸出電極，該第11導電圖案位於該第10導電圖案之下方； 一第7基板，設有一第12導電圖案，其位於該第6基板之該第11導電圖案之下方，該第12導電圖案的一端連接該第11導電圖案的另一端； 一第8基板，設有一第13導電圖案，其位於該第7基板的該第12導電圖案之下方，該第13導電圖案的一第一端連接該第5基板之該第10導電圖案的另一端，該第13導電圖案的一第二端連接該第7基板之該第12導電圖案的另一端，該第11導電圖案、該第12導電圖案與該第13導電圖案形成沿著另一心軸捲繞之構造； 一第9基板； 一第10基板，設有一第14導電圖案，其位於該第3基板之該第7導電圖案、該第8導電圖案與該第9導電圖案的下方並分別連接該第7導電圖案、該第8導電圖案與該第9導電圖案的一端，且該第14導電圖案的一端延伸到該第10基板的邊緣以電性連接該第一接地電極； 一第11基板，設有一第15導電圖案，其分布在對應於該第10基板之該第14導電圖案的一側，且該第15導電圖案連接該第3基板的該第8導電圖案的另一端； 一第12基板，設有彼此分離的一第16導電圖案與一第17導電圖案，該第16導電圖案與該第17導電圖案分別位於該第11基板之該第15導電圖案下方，即該第15導電圖案分布區域涵蓋該第16導電圖案與該第17導電圖案，該第16導電圖案的一端連接該第3基板的該第7導電圖案的另一端，該第17導電圖案連接該第3基板的該第9導電圖案的另一端； 一第13基板，設有彼此相對設置的一第18導電圖案與一第19導電圖案，該第19導電圖案位於該第12基板之該第16導電圖案與第17導電圖案的下方，該第18導電圖案的一端延伸到該第13基板的邊緣而連接該第一輸出電極； 一第14基板，設有彼此分離的一第20導電圖案、一第21導電圖案、一第22導電圖案與一第23導電圖案，該第20導電圖案位於該第13基板之該第18導電圖案下方且連接該第8基板的該第13導電圖案的第一端，該第21導電圖案、該第22導電圖案與該第23導電圖案位於該第13基板之該第19導電圖案下方，其中該第21導電圖案連接該第12基板的該第16導電圖案的另一端，該第22導電圖案連接該第11基板的該第15導電圖案，該第23導電圖案連接該第12基板的該第17導電圖案，且該第17導電圖案的一端延伸到該第14基板的邊緣以連接該第二輸出電極； 一第15基板，設有彼此分離的一第24導電圖案、一第25導電圖案與一第26導電圖案，該第24導電圖案位於該第14基板的該第20導電圖案的下方並延伸到該第15基板的邊緣以連接該第二接地電極，該第25導電圖案位於該第14基板的該第21導電圖案下方並延伸到該第15基板邊緣以連接該輸入電極，該第26導電圖案分布於該第14基板的該第21導電圖案、該第22導電圖案與該第23導電圖案下方，且該第26導電圖案的相對兩端分別延伸到該第15基板的相對兩側邊緣以分別連接該第一接地電極與該第三接地電極； 該第1導電圖案、該第2導電圖案、該第6導電圖案與該第10導電圖案構成該隔離電感器；該第11導電圖案、該第12導電圖案與該第13導電圖案構成該第一電感器；該第20導電圖案與該第18導電圖案彼此耦合而構成該第一電容器；該第20導電圖案與該第24導電圖案彼此耦合而構成連接該隔離電感器的該第一接地電容器；該第18導電圖案與該第24導電圖案彼此耦合而構成連接該低頻輸出端的該第一接地電容器；該第25導電圖案與該第21導電圖案彼此耦合而構成該隔離電容器；該第15導電圖案與該第16導電圖案彼此耦合而構成連接該隔離電容器的該第五耦合電容器；該第15導電圖案與該第17導電圖案彼此耦合而構成連接該高頻輸出端的該第五耦合電容器；該第23導電圖案、該第19導電圖案與該第21導電圖案彼此耦合而構成該第六耦合電容器；該第3導電圖案與該第7導電圖案構成連接該隔離電容器的該第四耦合線；該第5導電圖案與該第9導電圖案構成連接該高頻輸出端的該第四耦合線；該第4導電圖案與該第8導電圖案構成連接在該兩第五耦合電容器之串接節點的該第四耦合線；該第21導電圖案與該第26導電圖案彼此耦合而構成連接該隔離電容器的該第六接地電容器；該第23導電圖案與該第26導電圖案彼此耦合而構成連接該高頻輸出端的該第六接地電容器；該第22導電圖案與該第26導電圖案彼此耦合而構成連接在該兩第五耦合電容器之串接節點的該第六接地電容器。
5. 如請求項2所述之具高隔離度低損耗微型雙工器，該低頻濾波單元為該第二帶通電路，該高頻濾波單元為該第三帶通電路。
6. 如請求項5所述之具高隔離度低損耗微型雙工器，該積層本體的兩相對側設有一輸入電極、一第一輸出電極、一第二輸出電極、一第一接地電極、一第二接地電極與一第三接地電極；該輸入電極對應於該訊號輸入端，該第一輸出電極對應於該低頻輸出端，該第二輸出電極對應於該高頻輸出端，該第一接地電極、該第二接地電極與該第三接地電極對應於所述接地； 該積層本體由上而下依序包含有： 一第1基板、設有彼此分離的一第1導電圖案、一第2導電圖案、一第3導電圖案與一第4導電圖案，該第1導電圖案的一端延伸到該第1基板的邊緣以連接該輸入電極，該第2導電圖案、該第3導電圖案與該第4導電圖案並排排列於該第1導電圖案的一側； 一第2基板； 一第3基板、設有彼此分離的一第5導電圖案、一第6導電圖案、一第7導電圖案、一第8導電圖案與一第9導電圖案，該第7導電圖案、該第8導電圖案與該第9導電圖案分別位於該第1基板之該第2導電圖案、該第3導電圖案與該第4導電圖案的下方，該第5導電圖案與該第6導電圖案位在相對於該第7導電圖案、該第8導電圖案與該第9導電圖案的另側，該第7導電圖案的一端連接該第2導電圖案的一端，該第8導電圖案的一端連接該第3導電圖案的一端，該第9導電圖案的一端連接該第4導電圖案的一端； 一第4基板； 一第5基板，設有一第10導電圖案，其位於該第1基板之該第1導電圖案下方，該第10導電圖案的一第一端連接該第1導電圖案的另一端，該第10導電圖案的一第二端連接該第3基板之該第9導電圖案的另一端； 一第6基板； 一第7基板，設有一第11導電圖案，其位於該第1基板之該第1導電圖案下方，該第11導電圖案的一端延伸到該第7基板的邊緣以連接該輸入電極； 一第8基板，設有一第12導電圖案，其位於對應該第3基板之該第7導電圖案、該第8導電圖案與該第9導電圖案的一側； 一第9基板，設有分離設置的一第13導電圖案與一第14導電圖案，其分別位於該第8基板之該第12導電圖案的下方，該第13導電圖案的一端延伸到該第9基板的邊緣以連接該第一輸出電極，且該第13導電圖案連接該第3基板的第7導電圖案的另一端，而該第14導電圖案的一端連接該第5基板的該第10導電圖案的該第二端； 一第10基板，設有分離設置的一第15導電圖案、一第16導電圖案與一第17導電圖案，該第15導電圖案位於該第7基板之該第11導電圖案的下方，且該第15導電圖案的一端連接該第11導電圖案的另一端，該第16導電圖案位於該第3基板之該第6導電圖案的下方並連接該第6導電圖案的一端，該第17導電圖案位於該第8基板之該第12導電圖案的下方並連接該第3基板的該第8導電圖案的另一端； 一第11基板，設有分離設置的一第18導電圖案、一第19導電圖案、一第20導電圖案、一第21導電圖案與一第22導電圖案，該第18導電圖案與該第19導電圖案分別位於該第10基板之該第16導電圖案與第該15導電圖案的下方，該第20導電圖案、該第21導電圖案與該第22導電圖案並列排列於相對該第18導電圖案與該第19導電圖案的另一側；該第18導電圖案連接該第3基板的該第5導電圖案的一端，該第19導電圖案連接該第10基板的該第16導電圖案，該第20導電圖案連接該第9基板的該第13導電圖案，該第21導電圖案連接該第10基板的該第17導電圖案，該第22導電圖案連接該第9基板的該第14導電圖案的另一端； 一第12基板，設有一第23導電圖案，其分布區域涵蓋該第11基板的該第18導電圖案、該第19導電圖案、該第20導電圖案、該第21導電圖案與該第22導電圖案，且該第23導電圖案具有三端分別延伸到該第12基板的邊緣以分別連接該第一接地電極、該第二接地電極與該第三接地電極，該第23導電圖案分別連接該第1基板的該第2導電圖案、該第3導電圖案與該第4導電圖案的另一端、該第3基板之該第6導電圖案的另一端與該第5導電圖案的另一端； 該第1導電圖案與該第10導電圖案構成該隔離電感器；該第4導電圖案與該第9導電圖案構成連接該隔離電感器的該第二耦合線；該第3導電圖案與該第8導電圖案構成連接在該兩第二耦合電容器之串接節點的該第二耦合線；該第2導電圖案與該第7導電圖案構成連接該低頻輸出端的該第二耦合線；該第17導電圖案與該第22導電圖案彼此耦合構成連接該隔離電感器的該第二耦合電容器；該第17導電圖案與該第20導電圖案彼此耦合構成連接該低頻輸出端的該第二耦合電容器；該第12導電圖案、該第13導電圖案與該第14導電圖案彼此耦合構成該第三耦合電容器；該第20導電圖案、該第21導電圖案與該第22導電圖案分別與該第23導電圖案耦合而分別構成連接該低頻輸出端的該第四接地電容器、連接在該兩第二耦合電容器之串接節點的該第四接地電容器與連接該隔離電感器的該第四接地電容器；該第15導電圖案與該第19導電圖案彼此耦合構成該隔離電容器；該第6導電圖案及其導通孔構成連接該隔離電容器的該第三耦合線；該第5導電圖案及其導通孔構成連接該高頻輸出端的該第三耦合線；該第19導電圖案與該第23導電圖案彼此耦合構成連接該隔離電容器的該第五接地電容器；該第18導電圖案與該第23導電圖案彼此耦合構成連接該高頻輸出端的該第五接地電容器；該第18導電圖案與該第16導電圖案彼此耦合構成該第四接地電容器。