TWM522462U - 具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具 - Google Patents

Description

具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具

本新型是有關於一種半導體加工治具，特別是指一種具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具。

參閱圖1，習知的一種吸附式治具1，包含一連接至一抽氣裝置（圖未示）並具有複數第一通孔（圖未示）的吸附頭座11，及一設置於該吸附頭座11橡膠層12，該橡膠層12具有複數分別連通該等第一通孔的第二通孔121。

在晶圓的切割製程中，該吸附式治具1架設於一切割機（圖未示）上，並連接該抽氣裝置，再將一晶圓（圖未示）設置於該橡膠層12上，切割過程中，該抽氣裝置吸氣，並透過該等第二通孔121吸附該晶圓，然而，由於該橡膠層12的邊緣無支撐物支撐，當該切割機的一切割刀（圖未示）通過該橡膠層12的邊緣時，該橡膠層12會晃動，使得該晶圓無法穩定地吸附於該吸附式治具1，容易發生飛落或旋轉的情形，並在進入下一台切割機時，會因移位而無法放置於另一吸附式治具1，或是切割後的小塊晶片無法被吸附，造成掉料或不良品的情形，進而降低生產的良率。

因此，本新型之目的，即在提供一種可提高產品良率的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具。

於是，本新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，適用於連接至一抽氣裝置，並包含一吸附頭座及一彈性接觸層。

該吸附頭座包括一連接至該抽氣裝置的基座本體、一形成於該基座本體底面並環繞界定出一中島的溝槽、複數分別貫穿該基座本體之兩相反側面且分布於該溝槽與該中島的第一通孔，及一形成於該基座本體的頂面且連通該等第一通孔的容置凹槽。

該彈性接觸層設置於該容置凹槽，並包括一呈水平的接觸面，及複數貫穿該接觸面且分別連通該等第一通孔的第二通孔。

本新型之功效在於：藉由在該基座本體的底面設置該溝槽，增加位於該溝槽的該等第一通孔上方的氣體流動空間，進而增強相對應的該等第二通孔的吸力，達到提高產品良率的效果。

參閱圖2至圖4，本新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具的一實施例，包含一吸附頭座2、一彈性接觸層3及一支撐單元4。

配合參閱圖5及圖6，該吸附頭座2包括一基座本體21、一形成於該基座本體21底面並環繞界定出一中島23的溝槽22、複數分別貫穿該基座本體21之兩相反側面且分布於該溝槽22與該中島23的第一通孔24，及一形成於該基座本體21的頂面且連通該等第一通孔24的容置凹槽25。

該彈性接觸層3以貼合的方式設置於該容置凹槽25，並包括一呈水平的接觸面31、複數貫穿該接觸面31並分別連通該等第一通孔24的第二通孔32、複數形成於該接觸面31並分別圍繞該等第二通孔32的氣槽33，及複數形成於該接觸面31且呈縱橫交錯地分別圍繞該等第二通孔32與該等氣槽33的主切割槽34。在本實施例中，該彈性接觸層3的材質為橡膠，但不以此為限。

位於該中島23的該等第一通孔24與相對應的該等第二通孔32及該等氣槽33共同界定出一內吸附區26，位於該溝槽22的該等第一通孔24與相對應的該等第二通孔32及該等氣槽33共同界定出一外吸附區27。

該支撐單元4包括複數設置於該基座本體21且緊抵於該彈性接觸層3邊緣的擋牆41，及複數分別將該等擋牆41鎖固於該基座本體21的鎖固件42。在本實施例中，該等鎖固件42分別為一螺絲，但不以此為限。

該等擋牆41呈L字形，並分別具有一設置於該基座本體21頂面的水平板部411、一由該水平板部411向上延伸且緊抵於該彈性接觸層3邊緣的垂直板部412，及複數形成於該垂直板部412且分別連通於該等主切割槽34的副切割槽413。

參閱圖5至圖7，實際使用時，將本實施例架設於一產線（圖未示）的切割機（圖未示）上，並將一抽氣裝置8連接至該基座本體21，再將一晶圓9設置於該彈性接觸層3的接觸面31上，接著，啟動該抽氣裝置8，透過該等第一通孔24、該等第二通孔32及該等氣槽33之間的氣體所形成的吸力吸附該晶圓9，切割過程中，一切割刀（圖未示）會行經該等擋牆41的副切割槽413與該彈性接觸層3的主切割槽34，將該晶圓9切割成小塊的晶片，以進行後續的加工程序。

吸氣過程中，往往靠近該吸附頭座2中央的吸力較大，越往邊緣的吸力漸弱，本實施例藉由在該基座本體21的底面設置該溝槽22，增加位於該溝槽22的該等第一通孔24附近的氣體流動空間，進而增強該外吸附區27的吸力，使該晶圓9能完整地吸附於該彈性接觸層3，進而提高產品的良率。

此外，藉由在該彈性接觸層3的邊緣設置該等擋牆41，當該切割刀通過該彈性接觸層3的邊緣時，該彈性接觸層3不容易晃動，使該晶圓9不會發生飛落或旋轉的情形，同樣提高產品的良率。

值得一提的是，本實施例適用於「全切」的晶圓切割工法，亦即切穿該晶圓9成複數完整的晶片，該等副切割槽413使該切割刀經過該彈性接觸層3的邊緣時不會被該等擋牆41阻擋，該等主切割槽34使該切割刀切割該晶圓9時不會被該接觸面31阻擋。然而，該彈性接觸層3也可以不設置該等主切割槽34，而應用於「半切」的晶圓切割工法，亦即未全完切穿該晶圓9，此時，該等擋牆41也不須設置該等副切割槽413。

綜上所述，本新型藉由在該基座本體21的底面設置該溝槽22，增加位於該溝槽22的該等第一通孔24附近的氣體流動空間，進而增強該外吸附區27的吸力，使該晶圓9能夠完整地吸附於該彈性接觸層3，達到提高產品良率的效果，故確實能達成本新型之目的。

惟以上所述者，僅為本新型之實施例而已，當不能以此限定本新型實施之範圍，凡是依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。

2‧‧‧吸附頭座
21‧‧‧基座本體
22‧‧‧溝槽
23‧‧‧中島
24‧‧‧第一通孔
25‧‧‧容置凹槽
26‧‧‧內吸附區
27‧‧‧外吸附區
3‧‧‧彈性接觸層
31‧‧‧接觸面
32‧‧‧第二通孔
33‧‧‧氣槽
34‧‧‧主切割槽
4‧‧‧支撐單元
41‧‧‧擋牆
411‧‧‧水平板部
412‧‧‧垂直板部
413‧‧‧副切割槽
42‧‧‧鎖固件
8‧‧‧抽氣裝置
9‧‧‧晶圓

本新型之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一立體圖，說明習知的一種吸附式治具； 圖2是一立體分解圖，說明本新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具的一實施例； 圖3是該實施例的一立體圖； 圖4是該實施例的一局部放大立體圖； 圖5是該實施例的一底視立體圖； 圖6是該實施例的一底視平面圖；及 圖7是沿圖6之剖線VII-VII的一局部剖視圖，說明一晶圓吸附於該實施例待切割的情形。

2‧‧‧吸附頭座

21‧‧‧基座本體

22‧‧‧溝槽

23‧‧‧中島

24‧‧‧第一通孔

26‧‧‧內吸附區

27‧‧‧外吸附區

Claims (9)

1. 一種具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，適用於連接至一抽氣裝置，包含： 一吸附頭座，包括一連接至該抽氣裝置的基座本體、一形成於該基座本體底面並環繞界定出一中島的溝槽、複數分別貫穿該基座本體之兩相反側面且分布於該溝槽與該中島的第一通孔，及一形成於該基座本體的頂面且連通該等第一通孔的容置凹槽；及 一彈性接觸層，設置於該容置凹槽，並包括一呈水平的接觸面，及複數貫穿該接觸面且分別連通該等第一通孔的第二通孔。
2. 如請求項1所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，還包含一支撐單元，該支撐單元包括複數設置於該基座本體且緊抵於該彈性接觸層邊緣的擋牆。
3. 如請求項2所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其中，該彈性接觸層還包括複數形成於該接觸面且呈縱橫交錯地分別圍繞該等第二通孔的主切割槽。
4. 如請求項3所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其中，該等擋牆呈L字形，並分別具有一設置於該基座本體頂面的水平板部，及一由該水平板部向上延伸且緊抵於該彈性接觸層邊緣的垂直板部。
5. 如請求項4所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其中，每一擋牆還具有複數形成於該垂直板部且分別連通於該等主切割槽的副切割槽。
6. 如請求項2所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其中，該支撐單元還包括複數分別將該等擋牆鎖固於該基座本體的鎖固件。
7. 如請求項1所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其中，該彈性接觸層還包括複數形成於該接觸面且分別圍繞該等第二通孔的氣槽。
8. 如請求項7所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其中，位於該中島的該等第一通孔與相對應的該等第二通孔及該等氣槽共同界定出一內吸附區，位於該溝槽的該等第一通孔與相對應的該等第二通孔及該等氣槽共同界定出一外吸附區。
9. 如請求項1至8中任一項所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其中，該彈性接觸層的材質為橡膠。