TWM517941U - 用於雷射二極體之封裝結構 - Google Patents

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Description

用於雷射二極體之封裝結構
本創作係有關一種用於一雷射二極體之封裝結構，尤其係有關一種使安裝雷射二極體晶片之支架與導熱基座的接合面有更大的導熱面積之導熱構件的封裝結構，俾利於將雷射二極體晶片產生之熱予以快速而有效地傳導散逸。
如圖1所示，一習知雷射二極體之封裝結構10，包含：一雷射二極體晶片110，可發射一角錐形之雷射光束100之光束中心之一光軸101；一支架120；及一導熱基座130，其中該支架120和該導熱基座130皆是以銅合金製成，該雷射晶片110則是半導體晶片，兩者之間常用黏劑118接合，該支架120承載安裝該雷射二極體晶片110、並將熱傳導到該導熱基座130，其中導熱基座本身並不大，與空氣的接觸面積不夠大，所以本身無法將熱逸散至空氣，只能藉由一主要導熱基座面192接觸更大的一外部散熱機構191(例如鋁製的機構外殼或專用的散熱鰭片)。為求良好散熱效果，該主要導熱基座面192要力求平整及大面積，因此常見該主要導熱基座面192與聚光鏡105鏡面呈平行(即兩者皆與光軸垂直)，方便安裝該主要導熱基座面192與該聚光鏡105的機構，以利該主要導熱基座面192與該外部散熱機構有較大的接觸面積，有較好的導熱效果，上述機構常見於 中低功率之雷射二極體封裝。而上述之封裝結構難以實施於高功率之雷射二極體封裝結構中，因為對高功率之雷射二極體而言會產生極大的熱量，其支架旁邊還有兩支或三支接腳柱，用金線以wire-bonding連接雷射晶片，必須很靠近晶片，故支架無空間可以擴大，因而形成整個熱傳導路徑上其導熱面積最狹窄的瓶頸，即圖1中所示支架120與導熱基座130之一接合面(截面A-A)190過於小且導熱面積無法擴大。圖2，包含圖2A及圖2B，圖示尺寸單位為mm，顯示雷射二極體之封裝結構20。如圖2A所示，一習用具TO-5之雷射二極體之封裝結構20，包含：一雷射二極體晶片210，可發射具一光軸201之雷射光束200；一支架220；一導熱基座230；及接腳柱227，其中，其支架220與導熱基座230之接合面(截面A-A)290最大為1.3mm×3.3mm=4.29mm2，不超過6mm2，因支架與導熱基座之間的接合面(A-A)290面積太小成為導熱瓶頸，難將熱自雷射二極體晶片210傳導至散熱體，即經由導熱基座130，透過一主要導熱基座面292而傳導至一外部散熱機構。
又如圖2B所示，雷射二極體晶片的另一習用C-Mount封裝結構20’，大致具有與圖2A所示之主要構成元件(惟圖號由1xx改成2xx)，其導熱之接合面(截面A-A)290為1.8mm×2.0mm=3.6mm2，不超過6mm2。
根據物理學，本行領域者應知，熱傳導速度正比於其導熱面積，由於習知雷射二極體的封裝其支架導熱面積(即如上所述之接合面之面積)過小，不能將雷射二極體晶片所產生的高熱量經由支架傳導至該封裝的導熱基座予以散逸導出；此外，因該支架導熱面積係在有限空間內設 置者，無法視需要加大，提升導熱效果，此為目前雷射二極體封裝導熱的最大瓶頸-支架導熱面積太小。
進而言之，如圖1、2所示，習知雷射二極體均採圓柱體狀之單顆封裝，其內部除如上所述無法擴大支架外，亦完全沒有空間容納另一個以上之雷射二極體晶片及/或其他電子零件，故其封裝顯然無法適用於一使用雷射二極體之設備中需使用一個以上之雷射二極體以及無空間備置提高性能之其它電子零件。
又如圖1、2所示，習有的雷射二極體晶片封裝結構10、20，其雷射光束100、200，其一光軸101、201，係與主要導熱基座面192、292成垂直射出，而非平行射出。此外，由於現有雷射二極體之封裝方式，無法在現有封裝結構中提供可提升雷射二極體性能之額外空間，如額外配置一偵測雷射二極體發光功率之感光二極體及提供一靜電保護二極體及/或逆向偏壓保護二極體的構件。另外，本行者亦了解到LED二極體晶片為正面發光，故LED二極體容易採平板狀式之封裝方式以利大功率的散熱，但雷射二極體晶片絕大多數為側面發光，其在發光方式與LED正面發光是不同的，不容易採平板狀式之封裝。故習有側面發光的雷射二極體晶片封裝並未採平板式的封裝，致無法提供大的導熱構件。
因此，亟待開發一種可解決上述習用雷射二極體封裝結構，尤其是對中高功率側面發光的雷射二極體晶片所產生高熱之導熱問題的封裝結構。
於本創作中，具有一絕緣導熱基板，其在封裝上此構件近似 於一習用雷射二極體封裝之支架(submount，用以固定安裝雷射二極體晶片的構件)，惟其在配置方式、形狀及面積大小上均迥異於支架。
本創作之一目的在提供一種用於雷射二極體晶片之封裝結構，尤其是使用於中高功率雷射二極體，具有一較大之絕緣導熱基板與導熱基座之接合面，且該接合面之面積大小可視雷射二極體晶片之功率大小任意調整，而其等之形狀可為長方形、正方形或不規則形，可有效而迅速地將雷射二極體晶片產生之熱量予以導出散逸，以提升雷射二極體之使用壽命，又因散熱改善，在同等的驅動電流可增加該雷射二極體的光輸出功率。
本創作之另一目的為提供一種用於雷射二極體之封裝結構，其雷射二極體晶片發光之光軸係依大致平行於絕緣導熱基板之表面，其組裝更簡單，且可降低封裝成本。
本創作之又一目的為提供一種用於雷射二極體之封裝結構，可在其封裝架構中具有空間來額外配置一偵測雷射二極體發光功率之感光二極體、一逆向偏壓保護二極體，及/或一靜電保護之二極體等元件，以提升雷射二極體之性能及壽命。
本創作之再一目的為提供一種用於雷射二極體之封裝結構，其絕緣導熱基板與散熱基座可疊合而為一單獨之絕緣導熱構件，可迅速有效地傳導散熱和降低封裝成本。
依據本創作之一種用於一雷射二極體之封裝結構，包含：一絕緣導熱基板，其上具有一電子迴路；一雷射二極體晶片，安裝於該絕緣導熱基板之電子迴路上，具有一正極及一負極，經由該電子迴路分別連接 一外接焊點，以供外部電連接；以及一導熱基座，安裝於該絕緣導熱基板之一表面，用以將該雷射二極體晶片產生之熱量經由該絕緣導熱基板傳導至該導熱基座而予以散逸，其中，該雷射二極體晶片為自該絕緣導熱基板之側面發光，且其中該絕緣導熱基板與該導熱基座之一接合面的面積較佳為6~5,000mm2，但仍可依該雷射二極體的一功率之需要予以調整大小。 本創作亦有關一種用於一雷射二極體之封裝結構，包含：一絕緣導熱基板，其上具有一電子迴路；一雷射二極體晶片，安裝於該電子迴路上，具有一正極及一負極，經由該電子迴路分別連接一外接焊點，以供外部電連接；以及一導熱基座，安裝於平行該絕緣導熱基板之一表面，一用以將該雷射二極體晶片產生之熱量經由該絕緣導熱板傳導至該導熱基座而予以散逸，其中，該雷射二極體晶片為自該絕緣導熱基板之側面發光，且其中該雷射二極體晶片之一光軸係大致平行於該絕緣導熱基板之表面。
10、20、30、40、40’‧‧‧雷射二極體之封裝結構
100、200、300、400‧‧‧雷射光束
101、201、301、401‧‧‧光軸
105‧‧‧聚光鏡
110、210、310、410‧‧‧雷射二極體晶片
118‧‧‧黏劑
120、220‧‧‧支架
127、227‧‧‧接腳柱
320、420‧‧‧絕緣導熱基板
321、421‧‧‧電子迴路
322、422‧‧‧絕緣導熱基板之表面
130、230、330、430‧‧‧導熱基座
440‧‧‧感光二極體
450‧‧‧逆向偏壓保護二極體
460‧‧‧靜電保護二極體
411、412‧‧‧雷射二極體正極、負極焊接點
313、314、413、414‧‧‧雷射二極體正極、負極外接焊點
216‧‧‧導線
441、442‧‧‧感光二極體外接焊點
270、470‧‧‧定位孔
480‧‧‧空隙
190、290‧‧‧支架與導熱基座之接合面(截面A-A)
390、490‧‧‧絕緣導熱基板與導熱基座之接合面(截面A’-A’)
191、391‧‧‧外部散熱機構
192、292、392、492‧‧‧主要導熱基座面(導熱基座與外部散熱機構之接合面)
圖1為習用雷射二極體封裝結構10之整體結構示意圖。
圖2A、2B分別為習用雷射二極體之TO-5封裝結構20及C-Mount封裝封裝結構20’的整體結構示意圖。
圖3A為依據本創作雷射二極體之封裝結構之一實施例之整體結構示意圖。
圖3B為依據本創作雷射二極體之封裝結構之另一實施例之示意圖。
圖4A為圖3A所示雷射二極體之封裝結構之實體結構圖。
圖4B為圖4A所示雷射二極體之封裝結構之一實施態樣之 結構圖。
圖4C為依據圖4A所示雷射二極體之封裝結構之另一實施態樣之結構圖。
本創作可能以不同的形式來實施，並不僅限於下列文所提及的實例。下列實施例僅作為本創作不同樣態及特點中的代表。所述實施例不限制在申請權利範圍中所描述的本創作的範圍。
為改善習見技藝之導熱瓶頸，即支架與導熱基座的接合面之面積過小，不能視雷射二極體功率大小而予以調整大小，本創作採用如圖3A所示之封裝結構30，具有：一絕緣導熱基板320，其上具有一電子迴路321；一雷射二極體晶片310，安裝於該絕緣導熱基板320之電子迴路321上，具有一正極及一負極之焊接點411、412(詳示於圖4A)，經由該電子迴路321分別連接一外接焊點313、314，以供外部電連接；以及一導熱基座330，安裝於平行該絕緣導熱基板320之一表面322，用以將該雷射二極體晶片310產生之熱量經由該絕緣導熱板320傳導至該導熱基座330而予以傳遞，其中，該雷射二極體晶片310為自該絕緣導熱基板320之側面發光，且其中該雷射二極體晶片310所射出一雷射光束300為一角錐形，其光束中心為一光軸301係大致平行於該絕緣導熱基板320之表面322及/或大致平行於一主要導熱基座面392，其中該絕緣導熱基板330在封裝上近似於習用雷射二極體封裝結構之支架，但實際結構不同，該絕緣導熱基板大小可視功率大小作大幅延伸，例如可任意延伸其長乘寬為2.4mm×2.4mm，使其導熱面積為5.76mm2；或延伸長乘寬為2mm×3mm或3mm×2 mm，使其導熱面積為6mm2；或延伸長乘寬為6mm×6mm，使其導熱面積為36mm2；或延伸長乘寬為70mm×70mm，使其導熱面積5,000mm2(即後述之接合面，截面A’-A’)，亦即本創作之接合面之面積任意調整為6~5,000mm2該絕緣導熱基板320與導熱基座330之間的一接合面390(截面A’-A’)，因有足夠大的導熱面積，就不再是導熱瓶頸了。又該絕緣導熱基板330得以用電路板製作技術製作一電子迴路321及焊點311、312，用以連接雷射二極體晶片正極、負極到該電子迴路，該絕緣導熱基板330就不會受到接腳柱所限，而能任意延伸。例如，就單個1W雷射二極體而言，絕緣導熱基板之長寬在較佳實施例可各為10mm已足夠，主要導熱基座面392面積在100mm2已足夠。又，本創作之絕緣導熱基板320能大幅延伸，除了大幅提高導熱能力之外，還有下列優點：1.以本創作之結構，絕緣導熱基板足夠大到可以設多個螺絲孔，即可改用螺絲而非焊接固著在導熱基座上，如此大幅擴增機構設計之靈活度，又降低組裝成本；甚至，本創作不需要習用的導熱基座，即可將已封裝妥雷射二極體晶片的絕緣導熱基板直接固著在鋁製的外部散熱體上。2.由於習用雷射二極體之支架可用以安裝零件之表面積甚小(例如TO-18封裝其表面積已知最大值為1.3mm×1.85mm=2.4mm2)，只能放得下雷射二極體晶片本身，難以置放其他電子元件；依據本創作之結構，該絕緣導熱基板則可輕易容納其他元件，例如保護雷射晶片不受靜電或逆向偏壓傷害的保護二極體，監測雷射光功率的感光二極體等等，都可以同一次製程一起安裝在絕緣導熱基板上，即可大幅提升雷射壽命、降低成本、縮小體積。
圖3B為依據本創作圖3A所示雷射二極體之封裝結構之另 一實施例之示意圖，在該另一實施例之雷射二極體封裝結構30’中，其構成元件與圖3A所示者均同，惟該絕緣導熱基板320與一主要導熱基座面392可不一定要如圖3A所示之平行，該導熱基座330可以視光軸301應用上的需求而設計與外部散熱機構391成一梯形或其它形狀，使該絕緣導熱基板320與該主要導熱基座面392之夾角，即該光軸301與該主要導熱基座面392之夾角隨之而變，該夾角可在0°~180°，另本創作可視該雷射二極體晶片功率大小提供足夠的導熱面積，就可以有良好的導熱效果，且光軸可視需要變更調整角度。如前所述，習有的封裝結構光軸均大致垂直於主要導熱基座面而無法作調整。
實施例：圖4A所示為依本創作用於一雷射二極體之封裝結構之一實施例的實體結構圖(圖3A為其示意圖)。如圖4A之實施例所示，本創作之一種用於一雷射二極體之封裝結構40，用以發射一具一光軸401之雷射光束400，包含：一絕緣導熱基板420〔如前所述，此構件近似於習用雷射二極體封裝之支架(submount)〕，其上具有一電子迴路421；一雷射二極體晶片410，安裝於該電子迴路421上，具有一正極及一負極焊接點411，412，經由該電子迴路421分別連接一外接焊點413，414，以供外部電連接；以及一導熱基座430，安裝於該絕緣導熱基板420之一表面422，用以將該雷射二極體晶片410產生之熱量經由該絕緣導熱板420傳導至該散熱基座430而予以傳遞，其中，該雷射二極體晶片410為自該絕緣導熱基板420之側面發光，且其中該絕緣導熱基板420與該導熱基座430之接合面490(即截面A’-A’)依該雷射二極體之功率大小之需要可予以調整，其接合面的面積大小可為6~5,000mm2。如上所述，本創作雷射二極體之 該絕緣導熱基板420與導熱基座430之接合面的面積(截面A’-A’)可遠大於習用雷射二極體支架120、220與導熱基座130、230之接合面的面積(截面A-A)，且其形狀、大小均可調整以解決習有封裝導熱的瓶頸-熱傳導路徑上，其導熱面積最狹窄。
於本創作中，如圖4B之雷射二極體之封裝結構40所示，該導熱基座430與該雷射二極體晶片410係分別安裝於該絕緣導熱基板420之不同面；另如圖4C之雷射二極體之封裝結構40'所示，該導熱基座430與該雷射二極體晶片410亦可分別安裝於該絕緣導熱基板420之相同面，且其中該導熱基座430具有複數個空隙480，用以安裝該雷射二極體晶片410及暴露該等外接焊點，以供外部電連接。
於本創作中，該導熱基座之面積大小依該雷射二極體的功率大小之需要調整，其導熱之接合面之面積(截面A’-A’)為6~5,000mm2，當然，此一最大面積仍可視該雷射二極體的功率大小而予以擴充或減小。
另如圖3B所示，於本創作之雷射二極體之封裝結構30’中，一絕緣導熱基板320與一導熱基座330係疊合為一體。在一實施態樣中，該絕緣導熱基板320與該導熱基座330之一接合面390係與一主要導熱基座面392成一角度，該角度為0°~180°，其中該主要導熱基座面392為該導熱基座330與一外部散熱機構391之接合面。
依據本創作，該絕緣導熱基板320、420與該導熱基座330、430可為一長方形、正方形或不規則形。
再如圖4A所示，於本創作之雷射二極體之封裝結構40，該雷射二極體晶片410可為複數個，安裝於該電子迴路上，各雷射二極體晶 片之正極、負極，經由該電子迴路421連接至外接焊點，以供外部電連接。
除了可安裝複數個雷射二極體晶片外，本創作之用於一雷射二極體之封裝結構40，可進而包含一感光二極體440，該感光二極體440安裝於該雷射二極體晶片410主要發光方向之後方，用以偵測該雷射二極體之光度，並結合一迴授電路(未示於圖中)而控制該雷射二極體之發光功率。並進而包含一與該雷射二極體並聯且逆向配置之逆向偏壓保護二極體450，俾於跨越該雷射二極體兩極間之逆向電壓超越一額定值時導通，以保護該雷射二極體；以及包含一與該雷射二極體並聯配置之靜電保護二極體460，俾於施加於該雷射二極體兩極間之電壓超越一額定值時導通，以保護該雷射二極體。其中該感光二極體440具有一正極及一負極，分別連接至另一外接焊點441、442，該二另一外接焊點配置於該電子迴路上，以供外部電連接。
此外，於本創作之雷射二極體之封裝結構中，該導熱基座430進而包含另外複數個空隙480，用以安裝額外配置的電子元件，其中該額外配置之電子元件為一感光二極體440，一逆向偏壓保護二極體450及/或一靜電保護二極體460。
於本創作之雷射二極體之封裝結構，該絕緣導熱基板420可為一陶瓷基板、絕緣導熱石墨基板或鋁電路基板；該導熱基座可為一銅合金板、鋁合金板、鐵合金板或石墨導熱基板；且該陶瓷基板為一氮化鋁基板或氧化鋁基板。
於本創作中，圖4A、圖4B與圖4C中具有相同之符號者代表相同之元件。
綜合圖3A、3B及圖4A，本創作用於一雷射二極體之封裝結構30或40，包含：一絕緣導熱基板320或420，其上具有一電子迴路321或421；一雷射二極體晶片310或410，安裝於該絕緣導熱基板320或420之電子迴路321或421上，具有一正極及一負極之焊點411、412，經由該電子迴路421分別連接一外接焊點313、314、413或414，以供外部電連接；以及一導熱基座330或430，安裝於該絕緣導熱基板320或420之一表面322或422(示於圖4C)，用以將該雷射二極體晶片310或410產生之熱量經由該絕緣導熱板320或420傳導至該導熱基座330或430而予以傳遞，其中，該雷射二極體晶片410為自該絕緣導熱基板420之側面發光，且其中該雷射二極體晶片之一光軸301或401係大致平行於該絕緣導熱基板320或420之表面322或422。
於此雷射二極體之封裝結構中，如圖4A、4B所示，該導熱基座430與該雷射二極體晶片410係分別安裝於該絕緣導熱基板420之不同面；另如圖4C所示，該導熱基座430與該雷射二極體晶片410亦可分別安裝於該絕緣導熱基板420之相同面422，且其中該導熱基座430具有複數個空隙480，用以容納該雷射二極體晶片410及/或其它電子零件及暴露該等外接焊點，以供外部電連接。
另，於此雷射二極體之封裝結構中，該雷射二極體晶片為複數個，安裝於該電子迴路上，各雷射二極體晶片之一正極、負極，經由該電子迴路連接至外接焊點，以供外部電連接。
又，在此雷射二極體之封裝結構，可進而包含一感光二極體440，具有接點441、442，該感光二極體440安裝於該雷射二極體晶片410 主要發光方向之後方，用以偵測該雷射二極體之光度，並結合一迴授電路(未示於圖中)而控制該雷射二極體之發光功率；或進而包含一與該雷射二極體並聯且逆向配置之逆向偏壓保護二極體450，俾於跨越該雷射二極體兩極間之逆向電壓超越一額定值時導通，以保護該雷射二極體；亦或可進而包含一與該雷射二極體並聯配置之靜電保護二極體460，俾於施加於該雷射二極體兩極間之電壓超越一額定值時導通，以保護該雷射二極體。
40‧‧‧雷射二極體之封裝結構
400‧‧‧雷射光束
401‧‧‧光軸
410‧‧‧雷射二極體晶片
420‧‧‧絕緣導熱基板
421‧‧‧電子迴路
430‧‧‧導熱基座
440‧‧‧感光二極體
450‧‧‧逆向偏壓保護二極體
460‧‧‧靜電保護二極體
411、412‧‧‧雷射二極體正極、負極焊接點
413、414‧‧‧雷射二極體正極、負極外接焊點
441、442‧‧‧感光二極體外接焊點
470‧‧‧定位孔

Claims (23)

  1. 一種用於一雷射二極體之封裝結構，包含：一絕緣導熱基板，其上具有一電子迴路；一雷射二極體晶片，安裝於該絕緣導熱基板之電子迴路上，具有一正極及一負極之焊接點，經由該電子迴路分別連接一外接焊點，以供外部電連接；以及一導熱基座，安裝於該絕緣導熱基板之一表面，用以將該雷射二極體晶片產生之熱量經由該絕緣導熱基板傳導至該導熱基座而予以散逸，其中，該雷射二極體晶片為自該絕緣導熱基板之側面發光，且其中該絕緣導熱基板與該導熱基座之一接合面的面積依該雷射二極體的一功率之需要予以調整，其接合面之面積為6~5,000mm2。
  2. 如申請專利範圍第1項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該導熱基座與該雷射二極體晶片係分別安裝於該絕緣導熱基板之不同面。
  3. 如申請專利範圍第1項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該導熱基座與該雷射二極體晶片係分別安裝於該絕緣導熱基板之相同面，且其中該導熱基座具有複數個空隙，用以安裝該雷射二極體及暴露該等外接焊點，以供外部電連接。
  4. 如申請專利範圍第1項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該絕緣導熱基板與該導熱基座疊合為一體。
  5. 如申請專利範圍第1項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該絕緣導熱基板與該導熱基座為一長方形、正方形或不規則形。
  6. 如申請專利範圍第1項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該雷射二極體晶片為複數個，安裝於該絕緣導熱基板上，各雷射二極體晶片 分別具有一正極與一負極，經由該電子迴路連接外接焊點，以供外部電連接。
  7. 如申請專利範圍第1項之用於一雷射二極體之封裝結構，進而包含一感光二極體，該感光二極體安裝於該絕緣導熱基板上，配置於該雷射二極體晶片主要發光方向之後方，用以偵測該雷射二極體之光度。
  8. 如申請專利範圍第1項之用於一雷射二極體之封裝結構，於該絕緣導熱基板上進而包含一與該雷射二極體並聯且逆向配置之逆向偏壓保護二極體，俾於跨越該雷射二極體兩極間之逆向電壓超越一額定值時導通，用以保護該雷射二極體。
  9. 如申請專利範圍第1項之用於一雷射二極體之封裝結構，於該絕緣導熱基板上進而包含一與該雷射二極體並聯配置之靜電保護二極體，俾於施加於該雷射二極體兩極間之電壓超越一額定值時導通，用以保護該雷射二極體。
  10. 如申請專利範圍第7項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該感光二極體具有一正極及一負極，分別連接至另一外接焊點，該另一外接焊點分別配置於該電子迴路上，以供外部電連接。
  11. 如申請專利範圍第3項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該導熱基座進而包含另外複數個空隙，用以容納額外配置於該絕緣導熱基板上的電子元件。
  12. 如申請專利範圍第11項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該額外配置之電子元件為一感光二極體、一逆向偏壓保護二極體及/或一靜電保護二極體。
  13. 如申請專利範圍第1項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該絕緣導熱基板為一陶瓷基板、絕緣導熱石墨基板或鋁電路基板。
  14. 如申請專利範圍第1項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該導熱基座為一銅合金板、鋁合金板、鐵合金板或石墨導熱板。
  15. 如申請專利範圍第13項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該陶瓷基板為一氮化鋁基板或氧化鋁基板。
  16. 一種用於一雷射二極體之封裝結構，包含：一絕緣導熱基板，其上具有一電子迴路；一雷射二極體晶片，安裝於該電子迴路上，具有一正極及一負極之焊接點，經由該電子迴路分別連接一外接焊點，以供外部電連接；以及一導熱基座，安裝於平行該絕緣導熱基板之一表面，用以將該雷射二極體晶片產生之熱量經由該絕緣導熱基板傳導至該導熱基座而予以散逸，其中，該雷射二極體晶片為自該絕緣導熱基板之側面發光，且其中該雷射二極體晶片之一光軸係大致平行於該絕緣導熱基板之表面。
  17. 如申請專利範圍第16項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該導熱基座與該雷射二極體晶片係分別安裝於該絕緣導熱基板之不同面。
  18. 如申請專利範圍第16項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該導熱基座與該雷射二極體晶片係分別安裝於該絕緣導熱基板之相同面，且其中該導熱基座具有複數個空隙，用以容納該雷射二極體晶片及/或其他電子零件，及暴露該等外接焊點，以供外部電連接。
  19. 如申請專利範圍第16項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該雷射二極體晶片為複數個，安裝於該電子迴路上，各雷射二極體晶片分別具有一正極與一負極，經由該電子迴路連接外接焊點，以供外部電連接。
  20. 如申請專利範圍第16項之用於一雷射二極體之封裝結構，其中該雷射 二極體晶片之光軸與該主要導熱基座面之夾角為0°~180°。
  21. 如申請專利範圍第16項之用於一雷射二極體之封裝結構，進而包含一感光二極體，該感光二極體安裝於該雷射二極體晶片主要發光方向之後方，用以偵測該雷射二極體之光度。
  22. 如申請專利範圍第16項之用於一雷射二極體之封裝結構，進而包含一與該雷射二極體並聯且逆向配置之逆向偏壓保護二極體，俾於跨越該雷射二極體兩極間之逆向電壓超越一額定值時導通，以保護該雷射二極體。
  23. 如申請專利範圍第16項之用於一雷射二極體之封裝結構，進而包含一與該雷射二極體並聯配置之靜電保護二極體，俾於施加於該雷射二極體兩極間之電壓超越一額定值時導通，以保護該雷射二極體。
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