TWM505503U - 真空濺鍍靶材的冷卻裝置 - Google Patents
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Description
本新型是有關於一種冷卻裝置,特別是指一種真空濺鍍靶材的冷卻裝置。
參閱圖1,參考中華民國專利第M482589號案所揭露的一種冷卻裝置,該冷卻裝置包含一基座11、一形成於該基座11且呈凹形的一對流空間12、形成於該基座11並連通該對流空間12的一入口13及一出口14,可將一冷卻流體(圖未示)由該入口13注入,通過該對流空間12後再由該出口14排出。
然而根據牛頓冷卻定律可以得知,物體的傳熱面積為重要的熱傳速率因子,在該案中冷卻流體的傳熱面積可以簡單地觀察到只有該對流空間12的底面、側面及上表面之總和,使得冷卻流體的傳熱面積受限,導致熱傳速率較慢,也就是說,該冷卻裝置的冷卻效果較差。
因此,本新型之目的,即在提供一種能夠增加傳熱面積並有效冷卻的真空濺鍍靶材的冷卻裝置。
於是本新型真空濺鍍靶材的冷卻裝置,適用於
通入一冷卻流體,該冷卻裝置包含一圍壁單元、一流道單元及複數導熱件。
該圍壁單元包括一底壁、一由該底壁朝上延伸的圍繞壁,及一由該底壁朝上延伸並受該圍繞壁間隔地圍繞的分隔壁。
該流道單元包括一由該底壁、該圍繞壁及該分隔壁相配合界定的對流空間,及分別形成於該底壁並連通該對流空間的一入口及一出口,該冷卻流體可從該入口通入,並流經該對流空間後由該出口排出,以形成一冷卻循環。
該等導熱件分別形成於該圍壁單元並凸伸於該對流空間,但不阻斷該冷卻循環。
本新型之功效在於:通過該等導熱件的設置,能夠有效增加該冷卻流體與該冷卻裝置接觸的傳熱面積,進而提高冷卻效率,達成使靶材降溫的目的。
2‧‧‧圍壁單元
21‧‧‧底壁
22‧‧‧圍繞壁
23‧‧‧分隔壁
24‧‧‧肩壁
3‧‧‧磁極單元
31‧‧‧磁鐵
4‧‧‧流道單元
41‧‧‧對流空間
42‧‧‧入口
43‧‧‧出口
5‧‧‧導熱件
6‧‧‧蓋板
61‧‧‧鰭片
本新型之其他的特徵及功效,將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現,其中:圖1是一立體分解圖,說明習知的一種冷卻裝置;圖2是一立體分解圖,說明本新型真空濺鍍靶材的冷卻裝置的一第一實施例;圖3是一俯視圖,說明該第一實施例的一圍壁單元及一流道單元;圖4是一剖視圖,說明該第一實施例的內部結構,及一
靶材設置於上的間接冷卻形態;圖5是一剖視圖,說明該第一實施例取消一蓋板後的直接冷卻形態;圖6是一立體分解圖,說明本新型真空濺鍍靶材的冷卻裝置的一第二實施例;圖7是一剖視圖,說明該第二實施例的蓋板的多數鰭片凸伸入該流道單元,並與該靶材組合的間接冷卻形態;及圖8是一剖視圖,說明該第二實施例取消該蓋板後的直接冷卻形態。
在本新型被詳細描述之前,應當注意在以下的說明內容中,類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖2、圖3與圖4,本新型真空濺鍍靶材的冷卻裝置之一第一實施例,適用於通入一冷卻流體(圖未示),該冷卻裝置包含一圍壁單元2、一磁極單元3、一流道單元4、複數導熱件5,及一蓋板6。
該圍壁單元2包括一底壁21、一由該底壁21朝上延伸的圍繞壁22、一由該底壁21朝上延伸並受該圍繞壁22間隔地圍繞的分隔壁23,及一對由該底壁21朝上延伸且分別鄰近該圍繞壁22及該分隔壁23,並供該蓋板6跨設的肩壁24。
該磁極單元3包括複數分別包埋於該圍繞壁22及該分隔壁23的磁鐵31,以形成在真空濺鍍製程中所需的
磁場。
該流道單元4包括一由該底壁21、該圍繞壁22、該分隔壁23及該對肩壁24相配合界定的對流空間41,及分別形成於該底壁21並連通該對流空間的一入口42及一出口43。
該冷卻流體可從該入口42通入,並流經該對流空間41後由該出口43排出,以形成一冷卻循環。
該等導熱件5形成於該圍壁單元2並凸伸於該對流空間41,但不阻斷該冷卻循環。
由於該等導熱件5凸伸於該對流空間41時,延伸出的表面積較大,因此,當該冷卻循環運作時,該冷卻流體與該等導熱件5接觸的傳熱面積也較大,如此,根據牛頓冷卻定律可知,熱傳的速率也較快,就能夠有效地將熱能通過該冷卻流體帶離該冷卻裝置,達到散熱並冷卻一靶材7的目的。
在本實施例中,該等導熱件5是以一左一右交錯的形式,依序分別形成於該圍繞壁22及該分隔壁23,也就是說,該冷卻流體在該對流空間41是呈S字形連續延伸的方式流動,可以理解的是,該等導熱件5也可只形成於該圍繞壁22及該分隔壁23的其中一者,而使得該冷卻流體以3字形或ε字形連續延伸的方式流動,同樣能達成與本實施例相同的目的及功效。
該蓋板6跨設於該對肩壁24並遮蔽該對流空間41且供該靶材7設置於上,以傳導該靶材7的熱能,當該
冷卻循環運作時,通過該蓋板6與該冷卻流體的接觸,可間接降低該靶材7的溫度,是一種間接冷卻的方式。
參閱圖5,值得一提的是,本實施例也可取消該蓋板6的設置,改為直接將該靶材7設置於該圍壁單元2上,並使該靶材7與該冷卻流體直接接觸,以帶走該靶材7的熱並使其降溫,也就是採用直接冷卻的方式,如此,同樣能達成本實施例相同的目的及功效。
參閱圖6及圖7,本新型真空濺鍍靶材的冷卻裝置的一第二實施例,該實施例是類似該第一實施例,其差異之處在於:
該等導熱件5是形成於該圍壁單元2的底壁21並凸伸於該對流空間41。
該蓋板6包括複數凸伸入該對流空間41的鰭片61,但不阻斷該冷卻循環。
如此也可達成與該第一實施例相同的目的及功效,藉由該蓋板6的該等鰭片61的設置,還能夠再進一步增加傳熱面積,以提高冷卻速率。
參閱圖8,值得一提的是,如同該第一實施例,本實施例也可取消該蓋板6的設置,由間接冷卻改為直接冷卻的方式,也能達成相同的目的及功效。
綜上所述,本新型真空濺鍍靶材的冷卻裝置,能夠有效降低靶材的溫度,故確實能達成本新型之目的。
惟以上所述者,僅為本新型之實施例而已,當不能以此限定本新型實施之範圍,即大凡依本新型申請專
利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。
2‧‧‧圍壁單元
22‧‧‧圍繞壁
23‧‧‧分隔壁
24‧‧‧肩壁
3‧‧‧磁極單元
31‧‧‧磁鐵
4‧‧‧流道單元
5‧‧‧導熱件
6‧‧‧蓋板
Claims (8)
- 一種真空濺鍍靶材的冷卻裝置,適用於通入一冷卻流體,該冷卻裝置包含:一圍壁單元,包括一底壁、一由該底壁朝上延伸的圍繞壁,及一由該底壁朝上延伸並受該圍繞壁間隔地圍繞的分隔壁;一流道單元,包括一由該底壁、該圍繞壁及該分隔壁相配合界定的對流空間,及分別形成於該底壁並連通該對流空間的一入口及一出口,該冷卻流體可從該入口通入,並流經該對流空間後由該出口排出,以形成一冷卻循環;及複數導熱件,分別形成於該圍壁單元並凸伸於該對流空間,但不阻斷該冷卻循環。
- 如請求項1所述的冷卻裝置,其中,該等導熱件是形成於該圍繞壁及該分隔壁的至少其中一者。
- 如請求項2所述的冷卻裝置,其中,該等導熱件以一左一右交錯的形式,依序分別形成於該圍繞壁及該分隔壁。
- 如請求項1所述的冷卻裝置,其中,該等導熱件是形成於該底壁。
- 如請求項1所述的冷卻裝置,還包含一磁極單元,該磁極單元包括多數分別包埋於該圍繞壁及該分隔壁的磁鐵。
- 如請求項1至5任一項所述的冷卻裝置,還包含一可遮 蔽該對流空間的蓋板。
- 如請求項6所述的冷卻裝置,其中,該圍壁單元還包括一對由該底壁朝上延伸且分別鄰近該圍繞壁及該分隔壁的肩壁,該對肩壁可供該蓋板跨設。
- 如請求項6所述的冷卻裝置,其中,該蓋板具有至少一凸伸入該對流空間但不阻斷該冷卻循環的鰭片。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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TW104200384U TWM505503U (zh) | 2015-01-09 | 2015-01-09 | 真空濺鍍靶材的冷卻裝置 |
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TW104200384U TWM505503U (zh) | 2015-01-09 | 2015-01-09 | 真空濺鍍靶材的冷卻裝置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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TWM505503U true TWM505503U (zh) | 2015-07-21 |
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ID=54153305
Family Applications (1)
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TW104200384U TWM505503U (zh) | 2015-01-09 | 2015-01-09 | 真空濺鍍靶材的冷卻裝置 |
Country Status (1)
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TW (1) | TWM505503U (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWD187657S (zh) | 2017-04-11 | 2018-01-01 | 愛發科股份有限公司 | 濺鍍靶 |
TWD187660S (zh) | 2017-04-11 | 2018-01-01 | 愛發科股份有限公司 | 濺鍍靶 |
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2015
- 2015-01-09 TW TW104200384U patent/TWM505503U/zh unknown
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TWD187657S (zh) | 2017-04-11 | 2018-01-01 | 愛發科股份有限公司 | 濺鍍靶 |
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