TWM497772U - 水平量測裝置及使用其之半導體製程機台 - Google Patents

Description

水平量測裝置及使用其之半導體製程機台

本創作係有關於水平量測裝置，尤指是有關於半導體製程機台用水平量測裝置及使用其之半導體製程機台。

半導體製程機台，例如電漿強化化學氣相沉積(Plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVC)系統，其主要是提供薄膜沉積的重要設備，此設置已廣泛應用在發光二極體製造、半導體、與太陽能電池等光電元件的薄膜製程上。

習知的半導體製程機台，其反應室與舉升裝置之間，僅以多組螺絲來調整反應室之水平位置，因設備工程師每個人手法及力道不同，故無法以一致的標準化方式來控制半導體製程機台的水平調整。

有鑑於此，本創作提出一種半導體製程機台用水平量測裝置及使用其之半導體製程機台。藉由水平量測裝置，半導體製程機台的水平量測得以量化，從而便於對半導體製程機台進行水平調整，更進而可有助於改善製程。

依據本創作之一種觀點，提供一種水平量測裝置之實施例，其用以對半導體製程機台進行水平量測。該水平量測裝置包括:至少二量錶及支持部。該支持部至少包含支架，而該至少二量錶係設置於該支持部之至少二側，該支持部係用以裝設於該半導體製程機台之下方，從而令該至少二量錶對該半導體製程機台進行水平量測。

依據本創作之一實施例，其中該支持部係裝設於該半導體製程機台之舉升裝置上，從而令該至少二量錶得對該半導體製程機台進行水平量測。

依據本創作之一實施例，其中各該至少二量錶係至少包含位移量測器及測頭，該些測頭係與該半導體製程機台之反應室之下方對應之該半導體製程機台之外側表面接觸，從而令該至少二量錶對該半導體製程機台進行水平量測。

依據本創作之一實施例，其中該支持部更包含多個鎖固孔，用以使該水平量測裝置固設於該舉升裝置上。

依據本創作之一實施例，其中該支持部係為該舉升裝置之固定部。

依據本創作之另一種觀點，提供一種半導體製程機台之實施例，其包括：機台本體、設置於該機台本體內的反應室、設置於該機台本體之下方並用以舉升或固定該機台本體之舉升裝置，以及如前述的水平量測裝置。

依據本創作之一實施例，上述導體製程機台更包括加熱器，該水平量測裝置用以對半導體製程機台之該加熱器進行水平量測。

為了對本創作之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉多個實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參考圖1及圖2，其為依據本創作之一實施例的水平量測裝置10之正視圖及仰視圖。水平量測裝置10係用以對半導體製程機台進行水平量測。前述的半導體製程機台10可以為任何半導體製程機台，例如進行電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)之製程機台，如美國應用材料股份有限公司所生產型號為Producer SE、Producer GT 的製程機台，但本創作並不以為此限，當可配置於任何半導體製程機台。如圖1所示，水平量測裝置10包括至少二量錶110及支持部120。支持部120至少包含支架121，而該至少二量錶110係設置於支持部120之至少二側，支持部120係用以裝設於所欲進行水平量測之半導體製程機台之下方。藉由如此配置，令該至少二量錶110能用以對該半導體製程機台進行水平量測，而水平量測可以為針對該半導體製程機台的反應室、針對該半導體製程機台的反應室中的加熱器或針對其他的製程機台的部分來進行水平量測，並本創作之實施例，並不受限於此。

此外，如圖1及圖2所示，量錶110係至少包含位移量測器111及測頭113。舉例而言，該些測頭113係可與該半導體製程機台之反應室之下方對應之該半導體製程機台之外側表面接觸，從而令該至少二量錶對該半導體製程機台進行水平量測。詳細而言，利用該些測頭113在該半導體製程機台之接觸處之位移量的數值，可據以計算出該半導體製程機台的水平位置，讓現場人員可據以調整。又量錶110之位移量測器111可以為機械式位移量測器或電子式位移量測器，並可以指針或數位方式直接顯示測頭113的位移量。然而，本創作的實施方式並不以此為限。在一實施例中，該些量錶110皆為電子式量錶，並且更可將量錶110的量測數據輸出到外部的運算裝置，例如電腦或行動裝置等，進行儲存及進一步處理。

此外，支持部120可以更包含多個鎖固孔123，用以使水平量測裝置10固設於半導體製程機台的某一參考位置，從而進行水平量測。此外，支持部120除了可配置為直線形的型狀以外，亦可設計如圖2所示，其支架121具有凹凸型或S型，從以方便地將水平量測裝置10固設於半導體製程機台。然而，本創作之支持部120與半導體製程機台的連結之實施方式，並不受限於此。

以下以使用水平量測裝置的半導體製程機台來說明本創作之其他實施例。圖3為依據本創作之一實施例的使用水平量測裝置的半導體製程機台20的示意圖。請參考圖3，半導體製程機台20係至少包括：機台本體210、設置於機台本體210內的反應室220、舉升裝置230及水平量測裝置240。舉升裝置230係設置於機台本體210之下方，用以舉升或固定該機台本體210。水平量測裝置240係裝設於舉升裝置230，用以對半導體製程機台20進行水平量測。水平量測裝置240包括至少二量錶110及支持部120。而值得注意的是，在圖3中，支持部120係由舉升裝置230上方之固定部231來實現。故此該至少二量錶110係設置於固定部231之至少二側。當然，本創作並不限此於，圖3中的水平量測裝置240亦可依據如圖1之水平量測裝置10之態樣來實施，故可藉由水平量測裝置的鎖固孔，以螺絲等或任何鎖固方式，將水平量測裝置設置於舉升裝置230之上方。

舉例而言，在半導體製程機台20中，水平量測裝置240的該些測頭113係與反應室220之下方對應之機台本體210之外側表面接觸，從而令該至少二量錶110對半導體製程機台20進行水平量測。又半導體製程機台20更包括加熱器261，例如在圖3中加熱器261係與噴灑頭(shower head)270相對地設置，並且係透過主軸263而固定在舉升裝置230上；故此，水平量測裝置240可用以對半導體製程機台20之加熱器261進行水平量測。然而，本創作之水平量測並不受限於此，只要經過合適的配置，水平量測裝置240亦可針對半導體製程機台20的其他部分進行水平量測。又量錶110亦如前述所舉例，可為機械式或電子式，或可實施為以電子方式輸出位移量測數據，從而有助於作進一步的分析及處理之用。

而上述半導體製程機台20藉由使用水平量測裝置240，可以解決習知半導體製程機台難以作精確的水平調整的問題。對於現場工程人員來說，利用水平量測裝置240，即可對半導體製程機台20進行精確的水平量測及對半導體製程機台20進行精確的調校水平位置，而精確度亦可達到例如0.01mm，然而，本創作並不以此為限。

此外，上述半導體製程機台20藉由使用水平量測裝置240，更可延伸出各種不同的監測方式，從而有助於提出改善製程的機台調整方式。例如將從水平量測裝置240所收集到的位移量測數據運用於機台量測均勻度U%上，利用此方法可得之螺距與加熱器261間隔(heater spacing) 之相對關係。又依據前述位移量測數據，可以計算其與半導體製程機台20所處理的晶圓的直接影響關係，找出改善製程的機台調整方式，進而提升反應室220的回線率。

此外，關於機台本體210與舉升裝置230之連結的實施方式，半導體製程機台20更可包括多個支撐軸251，其係分別固設於反應室220之下方對應之機台本體210之外側表面，並且該些支撐軸251係分別以可調整方式連接至舉升裝置230之上方。例如，在一實施例中，半導體製程機台20更包括多個彈簧253，例如是壓縮彈簧，其係套設於該些支撐軸251；該些支撐軸251係具有螺紋並穿過固定部231上的孔洞，並以螺帽255而與支撐軸251嚙合，從而令該些支撐軸251得以可調整方式連接至舉升裝置230之上方。然而，本創作關於機台本體210與舉升裝置230之連結的實施方式，並不受限於此，當可作其他不同的變化。

綜上所述，本創作之內容已以如上之實施例舉例說明了，然而本創作並非僅限定於此等實施方式而已。本創作所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本創作之精神和範圍內，當可再進行各種之更動與修飾；例如，將前述實施例中所例示之各技術內容加以組合或變更而成為新的實施方式，此等實施方式亦當然視為本創作所屬內容之一。因此，本案所欲保護之範圍亦包括後述之申請專利範圍及其所界定之範圍。

10‧‧‧水平量測裝置
110‧‧‧量錶
111‧‧‧位移量測器
113‧‧‧測頭
120‧‧‧支持部
121‧‧‧支架
123‧‧‧鎖固孔
20‧‧‧半導體製程機台
210‧‧‧機台本體
220‧‧‧反應室
230‧‧‧舉升裝置
240‧‧‧水平量測裝置
231‧‧‧固定部
251‧‧‧支撐軸
253‧‧‧彈簧
255‧‧‧螺帽
261‧‧‧加熱器
263‧‧‧主軸
270‧‧‧噴灑頭

［圖1］顯示依據本創作之一實施例的水平量測裝置之正視圖。 ［圖2］顯示依據本創作之一實施例的水平量測裝置之仰視圖。 ［圖3］為依據本創作之一實施例的使用水平量測裝置的半導體製程機台的示意圖。

10‧‧‧水平量測裝置

110‧‧‧量錶

111‧‧‧位移量測器

113‧‧‧測頭

120‧‧‧支持部

121‧‧‧支架

123‧‧‧鎖固孔

Claims (12)

1. 一種水平量測裝置，用以對半導體製程機台進行水平量測，該水平量測裝置包括: 至少二量錶；及 支持部，其至少包含支架，該至少二量錶係設置於該支持部之至少二側，該支持部係用以裝設於該半導體製程機台之下方，從而令該至少二量錶對該半導體製程機台進行水平量測。
2. 如請求項1所記載之水平量測裝置，其中該支持部係裝設於該半導體製程機台之舉升裝置上，從而令該至少二量錶得對該半導體製程機台進行水平量測。
3. 如請求項2所記載之水平量測裝置，其中各該至少二量錶係至少包含位移量測器及測頭，該些測頭係與該半導體製程機台之反應室之下方對應之該半導體製程機台之外側表面接觸，從而令該至少二量錶對該半導體製程機台進行水平量測。
4. 如請求項2所記載之水平量測裝置，其中該支持部更包含多個鎖固孔，用以使該水平量測裝置固設於該舉升裝置上。
5. 如請求項2所記載之水平量測裝置，其中該支持部係為該舉升裝置之固定部。
6. 一種半導體製程機台，其包括： 機台本體； 反應室，其設置於該機台本體內； 舉升裝置，其設置於該機台本體之下方，用以舉升或固定該機台本體；及 水平量測裝置，其裝設於該舉升裝置，用以對半導體製程機台進行水平量測，該水平量測裝置包括: 至少二量錶；及 支持部，其至少包含支架，該至少二量錶係設置於該支持部之至少二側，該支持部係裝設於該機台本體下方的該舉升裝置，從而令該至少二量錶對該半導體製程機台進行水平量測。
7. 如請求項6所記載之半導體製程機台，更包括多個支撐軸，其係分別固設於該反應室之下方對應之該機台本體之外側表面，並且係分別以可調整方式連接至該舉升裝置之上方。
8. 如請求項7所記載之半導體製程機台，更包括多個彈簧，其套設於該些支撐軸。
9. 如請求項6所記載之半導體製程機台，其中該支持部更包含多個鎖固孔，用以使該水平量測裝置固設於該舉升裝置上。
10. 如請求項6所記載之半導體製程機台，其中該支持部係為該舉升裝置具有之固定部。
11. 如請求項6至10中任一項所記載之半導體製程機台，其中各該至少二量錶係至少包含位移量測器及測頭，該些測頭係與該反應室之下方對應之該機台本體之外側表面接觸，從而令該至少二量錶對該半導體製程機台進行水平量測。
12. 如請求項11所記載之半導體製程機台，其中該半導體製程機台更包括加熱器，該水平量測裝置用以對半導體製程機台之該加熱器進行水平量測。