TW202209526A - 用於測量處理套組中心的方法及設備 - Google Patents

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Abstract

此處揭露的實施例包含一種感測器晶圓。在一實施例中，該感測器晶圓包括一基板，其中該基板包括一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面、及該第一表面及該第二表面之間的一邊緣表面。在一實施例中，該感測器晶圓進一步包括複數個感測器區域，沿著該邊緣表面形成該複數個感測器區域，其中每一感測器區域包括一自參照電容性感測器。

Description

用於測量處理套組中心的方法及設備
實施例相關於半導體製造領域，特別相關於用於測量處理套組中心的方法及設備。
在例如半導性晶圓的基板的處理中，基板被放置在處理腔室中的支撐表面(例如，靜電夾具(ESC))上。典型地，將處理套組放置在支撐表面周圍，以在基板處理期間提供所需的處理特性。處理套組鬆散地適配在支撐表面周圍，使得在安裝或移除處理套組期間支撐表面和處理套組都不會損壞。為了提供所需的均勻性，處理套組需要相對於基板和支撐表面精確地置中。
目前為手動安裝處理套組。因此，處理套組的置中目前受到人為錯誤的影響。在手動安裝之後，可實行各種測試，例如蝕刻率測試或粒子測試，以確認處理套組是否充分置中。然而，該等測試很昂貴且可能需要數小時才能完成。此外，如果發現處理套組偏離中心，恢復的時間明顯長於在抽空後立即驗證置中的情況。
此處揭露的實施例包含一種感測器晶圓。在一實施例中，該感測器晶圓包括一基板，其中該基板包括一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面、及該第一表面及該第二表面之間的一邊緣表面。在一實施例中，該感測器晶圓進一步包括複數個感測器區域，沿著該邊緣表面形成該複數個感測器區域，其中每一感測器區域包括一自參照電容性感測器。
此處揭露的實施例也可包含一種決定一腔室中的一處理套組的位置的方法。在一實施例中，該方法包括以下步驟：放置一處理套組進入一支撐表面周圍的一腔室。在一實施例中，該方法可進一步包括以下步驟：放置一感測器晶圓至該支撐表面上，其中該感測器晶圓包括由該支撐表面支撐的一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面、及連接該第一表面至該第二表面的一邊緣表面，且其中在該邊緣表面上形成複數個感測器區域。在一實施例中，該方法可進一步包括以下步驟：決定該複數個感測器區域之每一者及該處理套組的一表面之間的一間隙距離。在一實施例中，該方法可進一步包括以下步驟：從該等間隙距離決定該處理套組的一中心點相對於該感測器晶圓的一中心點的一中心點偏移。
此處揭露的實施例也可包含一種決定一腔室中的一處理套組的位置的方法。在一實施例中，該方法包括以下步驟：放置一處理套組進入一支撐表面周圍的一腔室。在一實施例中，該方法進一步包括以下步驟：放置一感測器晶圓至該支撐表面上，其中該感測器晶圓包括由該支撐表面支撐的一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面、及連接該第一表面至該第二表面的一邊緣表面，且其中在該邊緣表面上形成第一複數個感測器區域且在該第一表面上形成第二複數個感測器區域。在一實施例中，該方法進一步包括以下步驟：決定該第一複數個感測器區域之每一者及該處理套組的一表面之間的一間隙距離。在一實施例中，該方法進一步包括以下步驟：從該等間隙距離決定一第一中心點偏移，其中該第一中心點偏移為該處理套組的一中心點相對於該感測器晶圓的一中心點的一偏移。在一實施例中，該方法進一步包括以下步驟：使用該第二複數個感測器區域來決定該支撐表面的複數個邊緣位置。在一實施例中，該方法進一步包括以下步驟：使用該複數個邊緣位置來決定一第二中心點偏移，其中該第二中心點偏移為該支撐表面的一中心點相對於該感測器晶圓的該中心點的一偏移。
根據各種實施例，描述了包含具有邊緣感測器的感測器晶圓的系統和使用該等感測器晶圓以測量處理套組置中的方法。在以下描述中，提出了許多特定細節以便提供對實施例的透徹理解。對於發明所屬領域具有通常知識者顯而易見的是，可在沒有該等特定細節的情況下實現實施例。在其他情況下，沒有詳細描述眾所周知的態樣，以免不必要地模糊實施例。此外，應理解，附圖中所展示的各種實施例是圖示性的表示，而無須按比例繪製。
如上所述，目前安裝處理套組且手動地在處理工具中置中。為了確認處理套組正確置中，在處理工具中處理複數個基板以監視蝕刻率及/或進行顆粒測試。只有在處理了許多基板之後，才能確認處理套組是否正確置中。該處理需要數小時的處理工具停機時間並且是昂貴的。
據此，此處所揭露的實施例包含感測器晶圓，能夠直接測量處理套件的偏移。因此，在抽空處理工具之後可實行單一測試程序以便確認處理套組在所需容忍度之內置中。如果發現處理套組放置在所需容忍度之外，則可調整處理套組而無需大量測試。因此，此處所揭露的實施例提供了減低的處理工具的停機時間並改善了由處理工具所實行的處理的均勻性，因為可改善處理套組的置中容忍度。
現在參考圖1，展示了根據一實施例的處理工具100的示意性橫截面圖示。在一實施例中，處理工具100可包括支撐表面105，用於支撐在處理工具100中處理的基板。支撐表面105可為任何合適的支撐表面105，例如靜電夾具(ESC)等。在一實施例中，處理套組125可放置於支撐表面105周圍。例如，處理套組125可為完全圍繞支撐表面125的環。
處理套組125可鬆散地配適在支撐表面105周圍。如圖所示，處理套組125的最內表面123可具有大於支撐表面105的最外表面103的直徑的直徑。因為表面103和表面123彼此不直接接觸，處理套組125有空間偏離支撐表面105的中心。
如圖1所展示，可使用感測器晶圓110以測量處理套組125是否偏離中心。在一實施例中，感測器晶圓110可具有與生產晶圓實質相同的尺寸。例如，感測器晶圓110可具有標準晶圓直徑(例如，300 mm等)的直徑。在圖1中，感測器晶圓110具有相對於處理套組125非均勻間隔的邊緣。例如，圖1左側上的間隙G1 小於圖1右側上的間隙G2 。非均勻間隙G1 和G2 導致處理套組125的中心線120偏離感測器晶圓110的中心線115一距離D。在圖1中，感測器晶圓的中心線115與支撐表面105的中心對準，然而，實施例不限於該等配置。下方描述的圖5描述了感測器晶圓的中心線115未與支撐表面105的中心對準的情況。
在一實施例中，可通過在複數個位置中測量感測器晶圓110的邊緣和處理套組125的表面之間的間隙G來決定偏移距離D。在特定實施例中，使用在感測器晶圓110的邊緣上形成的複數個感測器區域來測量間隙G。圖2至4C提供了根據各種實施例的具有邊緣感測器區域的感測器晶圓110的示範​性圖示。
現在參考圖2，展示了根據一實施例的具有複數個邊緣感測器區域2351 至235n 的感測器晶圓210的平面圖。在一實施例中，邊緣感測器區域235繞著感測器晶圓210的周邊分佈。每一感測器區域235包括一個或更多個感測器以使用以測量感測器晶圓210的邊緣和圍繞感測器晶圓210的處理套組(未展示)之間的間隙。邊緣感測器區域235中的一個或更多個感測器可為電容性感測器。在特定的實施例中，邊緣感測器區域235可包括自參照電容性感測器。
在所圖示的實施例中，展示了三個邊緣感測器區域235。然而，應理解，可使用三個或更多個邊緣感測器區域235來測量處理套組的中心相對於感測器晶圓210的中心的偏移。發明所屬領域具有通常知識者將認識到：提供更多的邊緣感測器區域235將提供更精確的測量。
在一實施例中，每一邊緣感測器區域235可使用跡線237通訊地耦合至感測器晶圓210上的計算模組238。在一實施例中，計算模組238可包括電源232(例如，電池)、處理器/記憶體234(例如，用於實行及/或儲存使用邊緣感測器區域235進行測量的電路、記憶體等)、及無線通訊模組233(例如，藍牙、WiFi等)中的一個或更多個。在一實施例中，計算模組238可嵌入於感測器晶圓210中。另外，雖然展示為位於感測器晶圓210的中心，應理解，計算模組238可位於感測器晶圓210中的任何方便的位置處。
現在參考圖3，展示了根據一實施例特別標示示範性邊緣感測器區域335的細節的感測器晶圓310的透視圖。在一實施例中，感測器晶圓310可包括第一表面311(例如，頂部表面)、第二表面313(例如，底部表面)、及將第一表面311連接至第二表面313的邊緣表面312。在一實施例中，可沿著邊緣表面312形成邊緣感測器區域335。
在特定的實施例中，邊緣感測器區域335可包括探針341。探針341(亦即，每一邊緣感測器區域中的探針)可為自參照電容性探針。亦即，在第一邊緣感測器區域335中供應至第一探針341的電流的輸出相位可與在相鄰的第二邊緣感測器區域335中供應至第二探針341的電流的輸出相位偏移180度。因此，可在處理套組不須接地的情況下進行從邊緣表面312至處理套組(未展示)的表面的距離測量。在所圖示的實施例中，邊緣感測器區域335被展示為具有單一探針。然而，在一些實施例中，每一邊緣感測器區域335可包括多於一個的探針341。雖然此處特別參考自參照電容性感測器，應理解，此處所揭露的實施例包含任何合適的感測器技術(例如，雷射感測器、光學感測器等)。
現在參考圖4A至4C，展示了根據各種實施例的感測器晶圓410的示範性部分橫截面圖示。在圖4A中，部分橫截面圖示描繪了感測器區域435與邊緣表面412實質上共平面。在一實施例中，感測器區域435從邊緣表面412發射電場449，使得感測器可測量在邊緣表面412和處理套組的表面之間的間隙。
現在參考圖4B，展示了根據一實施例的具有電場守護447的感測器晶圓410的部分橫截面圖示。在一實施例中，電場守護447可為在感測器晶圓410的底部表面413和邊緣感測器區域435之間形成的導電層。可通過電場守護447來修改邊緣感測器區域435的電場449。特定地，電場守護447可修改邊緣感測器區域435的電場449，使得電場從邊緣表面412朝向處理套組側向延伸向外。據此，電場守護447防止邊緣感測器區域435中的感測器偵測到感測器晶圓410下方可提供錯誤讀數的物體。
現在參考圖4C，展示了根據一實施例的具有頂部表面凹部448的感測器晶圓410的部分橫截面圖示。在一實施例中，可形成頂部表面凹部448進入緊鄰感測器區域435的第一表面411。可製成頂部表面凹部448以防止感測器區域435的感測器感測到頂部表面411且提供錯誤讀數。在一實施例中，頂部表面凹部448可向後延伸距離R。例如，距離R可大約等於邊緣感測區域435的最大感測距離。例如，R可為2.0 mm或更小。
現在參考圖5，展示了根據一實施例的處理工具500的橫截面示意圖。處理工具500可實質上相似於上面相關於圖1描述的處理工具100，除了感測器晶圓510提供了決定處理套組525中心點520相對於支撐表面505的中心點555的偏移的能力。
在該實施例中，可使用感測器晶圓510以測量第一偏移D1 和第二偏移D2 。第一偏移D1 是感測器晶圓510的中心線515相對於處理套組525的中心線520的偏移。可通過測量感測器晶圓510的邊緣及具有邊緣感測器的處理套組525的表面之間的間隙(例如，G1 /G2 )來決定第一偏移D1 。第二偏移D2 是感測器晶圓510的中心線515相對於支撐表面505的中心線555的偏移。可通過偵測具有面向底部的感測器的支撐表面505的邊緣表面503的邊緣位置501來決定第二偏移D2 。在一實施例中，偏移D1 和D2 可加在一起以計算處理套組525的中心線相對於支撐表面505的中心線的總偏移D3 。
現在參考圖6A，展示了根據一實施例的具有邊緣感測器區域6351 -635n 和底部感測器區域6651 -665n 的感測器晶圓610的底部表面的平面圖。相似於感測器晶圓210，感測器晶圓610可包括計算模組638，計算模組638容納電源632、處理器/記憶體638、和無線通訊模組633中的一者或更多者。計算模組638可通過導電跡線637通訊地耦合至邊緣感測器區域635和底部感測器區域665。
在一實施例中，邊緣感測器區域6351 -635n 可實質上相似於上述邊緣感測器區域235。在一實施例中，底部感測器區域6651-n 之每一者可包括經配置以偵測支撐表面的邊緣的複數個感測器(例如，電容性感測器)。通過將支撐表面的邊緣相對於感測器晶圓610定位在複數個位置處(例如，三個或更多個位置)，可決定支撐表面的中心點相對於感測器晶圓610的中心點。
現在參考圖6B，展示了根據一實施例的感測器晶圓610和支撐表面605的部分的部分橫截面圖示。如圖所示，可在第二表面613的面向支撐表面605的凹陷部分上形成底部感測器區域665。在一實施例中，底部感測器區域665可包括決定支撐表面605和感測器區域665之間的間隔的感測器陣列(例如，位置感測器)。據此，在位置601處，底部感測器區域665中的感測器陣列將指示支撐表面的邊緣603存在，因為感測器區域665沒有可偵測到的下層表面。位置601相對於感測器晶圓610的中心的位置是已知的。因此，當決定三個或更多個位置601時，可計算支撐表面605相對於感測器晶圓610的中心點的中心點。
現在參考圖7，展示了根據一實施例的處理工具790的示意性方塊圖，處理工具790具有用於實行測量處理套組725的放置的處理的放置控制器770。在一實施例中，處理套組725可放置於支撐表面705周圍的處理工具790中。例如，可手動安裝處理套組725於處理工具790內部。
在一實施例中，放置控制器770可提供指令給放置機械手776以將感測器晶圓710放置在處理工具790的支撐表面705上。感測器晶圓710可為相似於上述的感測器晶圓的感測器晶圓。例如，感測器晶圓710可包括複數個邊緣感測器區域，以用於測量感測器晶圓710的邊緣和處理套組725的邊緣之間的間隙G1 -Gn 。感測器晶圓710也可包括複數個底部感測器區域以決定支撐表面705的邊緣位置7031 -703n 。
在一實施例中，可通過放置控制器770的感測器介面771來獲得來自感測器晶圓710的感測器資訊。例如，感測器介面771可從感測器晶圓710接收感測器資訊(例如，使用無線通訊模組無線地接收)。放置控制器790可使用晶圓中心點模組772中的感測器資訊(例如，邊緣位置7031 -703n )來決定感測器晶圓710相對於支撐表面705的中心點的中心點。放置控制器790可使用處理套組中心點模組773中的感測器資訊(例如，間隙G1 -Gn )來決定感測器晶圓710相對於處理套組725的中心點的中心點。放置控制器770可使用來自晶圓中心點模組772和處理套組中心點模組773的結果以產生輸送至資料庫775的偏移值774。偏移值774可為處理套組725相對於支撐表面705的總偏移。在一實施例中，當總偏移值774超過預定臨界值時，可產生指示需要重新調整處理套組725的放置的警報。例如，預定臨界值可為200微米或更大，或100微米或更大。
現在參考圖8，展示了根據一實施例的用於決定具有感測器晶圓的處理套組的中心點的處理880的處理流程圖。
在一實施例中，操作880起始於操作881，操作881包括將具有複數個邊緣感測器區域的感測器晶圓放置在支撐表面上。感測器晶圓可為根據此處揭露的實施例描述的任何感測器晶圓。在一實施例中，感測器晶圓可使用放置控制器所控制的放置機械手放置於支撐表面上，相似於參照圖7描述的實施例。
在一實施例中，操作880可繼續操作882，操作882包括使用複數個邊緣感測器區域之每一者來決定感測器晶圓的邊緣與處理套組的表面之間的間隙距離。例如，邊緣感測器區域可包括自參照電容性感測器。邊緣感測器區域可在該等邊緣感測器區域下方具有電場守護以修改電容性感測器的電場。額外的實施例可包含接近邊緣感測器區域的頂部表面凹部，以消除感測器晶圓的頂部表面的錯誤測量。
在一實施例中，操作880可繼續操作883，操作883包括使用與複數個邊緣感測器區域的間隙距離來決定處理套組中心點相對於感測器晶圓中心點的中心點偏移。在一實施例中，中心點偏移可由放置控制器來決定並儲存於資料庫中。在一些實施例中，當中心點偏移大於預定臨界值時，可重新放置處理套組。
現在參考圖9，展示了根據一實施例的用於決定具有感測器晶圓的處理套組的中心點的處理980的處理流程圖。
在一實施例中，處理980起始於操作981，操作981包括將具有複數個邊緣感測器區域和複數個底部感測器區域的感測器晶圓放置在支撐表面上。感測器晶圓可為根據此處揭露的實施例描述的任何感測器晶圓。例如，感測器晶圓可相似於圖6A中所圖示的感測器晶圓610。
在一實施例中，處理980繼續操作982，操作982包括使用複數個底部感測器區域來決定支撐表面的複數個邊緣位置測量值。
在一實施例中，操作980可繼續操作983，操作983包括使用複數個邊緣位置測量值來決定感測器晶圓的中心相對於支撐表面的中心的第一中心點偏移。
在一實施例中，處理980可繼續操作984，操作984包括使用複數個邊緣感測器區域之每一者來決定感測器晶圓的邊緣與處理套組的表面之間的間隙距離。
在一實施例中，處理980可繼續操作985，操作985包括使用與複數個邊緣感測器區域的間隙距離來決定處理套組中心點相對於感測器晶圓中心點的第二中心點偏移。
現在參考圖10，根據一實施例圖示了處理工具的示範性電腦系統1060的方塊圖。在一實施例中，電腦系統1060可使用作為放置控制器。在一實施例中，電腦系統1060耦合至且控制處理工具中的處理。電腦系統1060可連接(例如，網路連接)至網路1061(例如，區域網路(LAN)、內聯網路、外聯網路或網際網路)中的其他機器。電腦系統1060可在客戶端-伺服器網路環境中以伺服器或客戶端機器的能力操作，或作為點對點(或分佈式)網路環境中的同級機器操作。電腦系統1060可為個人電腦(PC)、平板電腦、機上盒(STB)、個人數位助理(PDA)、行動式電話、網路應用設備、伺服器、網路路由器、交換器或橋、或任何能夠執行指令集(依序或其他)的機器以指定該機器要採取的動作。此外，雖然僅針對電腦系統1060圖示了單一機器，用語「機器」也應被視為包含個別地或聯合地執行一指令集(或多個指令集)的任何機器的集合(例如，電腦)，以執行此處描述的任何一個或更多個方法。
電腦系統1060可包含電腦程式產品或軟體1022，具有儲存於上的指令的非暫態機器可讀取媒體，可使用以對電腦系統1060(或其他電子裝置)進行編程以執行根據實施例的處理。機器可讀取媒體包含用於以機器(例如，電腦)可讀取的形式儲存或傳送資訊的任何機制。例如，機器可讀取(例如，電腦可讀取)媒體包含機器(例如，電腦)可讀取儲存媒體(例如，唯讀記憶體(「ROM」)、隨機存取記憶體(「RAM」)、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體裝置等)、機器(例如，電腦)可讀取傳輸媒體(電、光、聲或其他形式的傳播信號(例如，紅外光信號、數位信號等))等。
在一實施例中，電腦系統1060包含系統處理器1002、主記憶體1004(例如，唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體、例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM (RDRAM)的動態隨機存取記憶體(DRAM)等、靜態記憶體1006(例如，快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAM)等)和次級記憶體1018(例如，資料儲存裝置)，彼此經由匯流排1030通訊。
系統處理器1002表示一個或更多個一般用途處理裝置，例如微系統處理器、中央處理單元等。更特定地，系統處理器可為複雜指令集計算(CISC)微系統處理器、精簡指令集計算(RISC)微系統處理器、超長指令字(VLIW)微系統處理器、實行其他指令集的系統處理器、或實行指令集的組合的系統處理器。系統處理器1002也可為一個或更多個特殊用途處理裝置，例如特定應用積體電路(ASIC)、現場可編程閘陣列(FPGA)、數位信號系統處理器(DSP)、網路系統處理器等。系統處理器1002經配置以執行處理邏輯1026以用於執行此處描述的操作。
電腦系統1060可進一步包含用於與其他裝置或機器通訊的系統網路介面裝置1008。電腦系統1060也可包含影像顯示單元1010(例如，液晶顯示器(LCD)、發光二極體顯示器(LED)、或陰極射線管(CRT))、字母數字輸入裝置1012(例如，鍵盤)、游標控制裝置1014(例如，滑鼠)和信號產生裝置1016(例如，喇叭)。
次級記憶體1018可包含機器可存取儲存媒體1031(或更特定地，電腦可讀取儲存媒體)，其上儲存了一個或更多個指令集(例如，軟體1022)，該等指令集施行此處描述的任何一個或更多個方法或功能。軟體1022也可在由電腦系統1060執行期間完全或至少部分地駐留在主記憶體1004內及/或系統處理器1002內，主記憶體1004和系統處理器1002也構成機器可讀取儲存媒體。可進一步經由系統網路介面裝置1008在網路1061上傳送或接收軟體1022。
雖然在示範性實施例中將機器可存取儲存媒體1031展示為單一媒體，用語「機器可讀取儲存媒體」應當被視為包含單一媒體或儲存一個或更多個指令集的多個媒體(例如，集中式或分佈式資料庫及/或相關聯的快取及伺服器)。用語「機器可讀取儲存媒體」也應被視為包含能夠儲存或編碼指令集以供機器執行並且使機器執行任何一個或更多個方法的任何媒體。據此，用語「機器可讀取儲存媒體」應被視為包含但不限於固態記憶體，及光學和磁性媒體。
在前述說明書中，已描述特定示範性實施例。顯而易見的是，在不脫離以下請求項的範圍的情況下，可對其進行各種修改。據此，本說明書及附圖被視為說明性意義而非限制性意義。
100:處理工具 103:最外表面 105:支撐表面 115:中心線 120:中心線 123:最內表面 125:處理套組 210:感測器晶圓 232:電源 233:無線通訊模組 234:處理器/記憶體 235:邊緣感測器區域 237:跡線 238:計算模組 310:感測器晶圓 311:第一表面 312:邊緣表面 313:第二表面 335:邊緣感測器區域 341:探針 410:感測器晶圓 411:第一表面 412:邊緣表面 413:底部表面 435:感測器區域 447:電場守護 448:頂部表面凹部 449:電場 500:處理工具 501:邊緣位置 503:邊緣表面 505:支撐表面 510:感測器晶圓 515:中心線 520:中心線 525:處理套組 555:中心線 601:位置 603:邊緣 605:支撐表面 610:感測器晶圓 613:第二表面 632:電源 633:無線通訊模組 635:邊緣傳感器區域 637:導電跡線 638:計算模組 665:底部傳感器區域 703:邊緣位置 705:支撐表面 710:感測器晶圓 725:處理套組 770:放置控制器 771:感測器介面 772:晶圓中心點模組 773:處理套組中心點模組 774:偏移值 775:資料庫 776:放置機械手 790:處理工具 880:處理 881:操作 882:操作 883:操作 980:處理 981:操作 982:操作 983:操作 984:操作 985:操作 1002:系統處理器 1004:主記憶體 1006:靜態記憶體 1008:系統網路介面裝置 1010:影像顯示單元 1012:字母數字輸入裝置 1014:游標控制裝置 1016:信號產生裝置 1018:次級記憶體 1022:軟體 1026:處理邏輯 1030:匯流排 1031:機器可存取儲存媒體 1060:電腦系統 1061:網路
圖1是根據一實施例的具有用於測量處理套組的偏移的感測器晶圓的處理工具的橫截面示意圖。
圖2是根據一實施例的具有邊緣感測器的感測器晶圓的平面圖。
圖3是根據一實施例的具有邊緣感測器的感測器晶圓的透視圖。
圖4A是根據一實施例的具有邊緣感測器的感測器晶圓的部分橫截面圖示。
圖4B是根據一實施例的具有邊緣感測器和電場守護的感測器晶圓的部分橫截面圖示。
圖4C是根據一實施例的具有邊緣感測器和頂部表面凹部的感測器晶圓的部分橫截面圖示。
圖5是根據一實施例的具有感測器晶圓的處理工具的橫截面示意圖，該感測器晶圓用於測量處理套組相對於支撐表面的中心的偏移。
圖6A是根據一實施例的感測器晶圓的底部表面的平面圖，該感測器晶圓具有用於測量感測器晶圓相對於支撐表面的中心的位置的感測器區域和用於測量處理套組的位置的邊緣感測器區域。
圖6B是根據一實施例的具有底部感測器區域的感測器晶圓的部分橫截面圖示。
圖7是根據一實施例的用於決定處理套組相對於支撐表面的中心的偏移的處理工具和放置控制器的示意圖。
圖8是根據一實施例的用於決定處理套組相對於感測器晶圓的偏移的處理的流程圖。
圖9是根據一實施例的用於決定處理套組相對於支撐表面的中心的偏移的處理的流程圖。
圖10根據一實施例圖示一示範性電腦系統的方塊圖，可將該電腦系統與包含決定處理套組相對於支撐表面的中心的偏移的處理結合使用。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:處理工具
103:最外表面
105:支撐表面
115:中心線
120:中心線
123:最內表面
125:處理套組

Claims (17)

  1. 一種感測器晶圓，包括： 一基板，其中該基板包括一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面、及該第一表面及該第二表面之間的一邊緣表面；及複數個感測器，該複數個感測器沿著該邊緣表面放置，其中每一感測器為一電容性感測器。
  2. 如請求項1所述之感測器晶圓，其中該複數個感測器包括至少三個感測器。
  3. 如請求項1所述之感測器晶圓，其中每一感測器為一自參照電容性感測器，且其中每一感測器包括一第一探針及一第二探針，其中該第一探針的一輸出相位與該第二探針的一輸出相位偏移180度。
  4. 如請求項1所述之感測器晶圓，進一步包括： 一凹部，該凹部進入該基板的該第一表面接近每一感測器。
  5. 如請求項4所述之感測器晶圓，其中該凹部從該邊緣表面延伸返回至少1.0 mm。
  6. 如請求項1所述之感測器晶圓，進一步包括： 複數個第二感測器，該複數個第二感測器位於該基板的該第二表面上。
  7. 如請求項6所述之感測器晶圓，其中該等第二感測器從該第二表面凹陷。
  8. 如請求項1所述之感測器晶圓，進一步包括一電場守護，該電場守護位於該複數個感測器之每一者下方。
  9. 如請求項1所述之感測器晶圓，進一步包括： 一計算模組，其中該計算模組通訊地耦合至該複數個感測器。
  10. 如請求項9所述之感測器晶圓，其中該計算模組包括以下之一者或更多者：一電源、一處理器、一記憶體、及一無線通訊模組。
  11. 如請求項1所述之感測器晶圓，其中該基板具有300 mm的一直徑。
  12. 一種決定一腔室中的一處理套組的位置的方法，包括以下步驟： 放置一處理套組進入一支撐表面周圍的一腔室；放置一感測器晶圓至該支撐表面上，其中該感測器晶圓包括一基板，其中該基板包括一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面、及該第一表面及該第二表面之間的一邊緣表面，且該感測器晶圓進一步包括沿著該邊緣表面放置的複數個感測器，其中每一感測器為一電容性感測器；決定該複數個感測器區域之每一者及該處理套組的一表面之間的一間隙距離；及從該等間隙距離決定該處理套組的一中心點相對於該感測器晶圓的一中心點的一中心點偏移。
  13. 如請求項12所述之方法，其中該複數個感測器區域包括自參照電容性感測器。
  14. 如請求項13所述之方法，其中該等自參照電容性感測器包括一第一探針及一第二探針，其中該第一探針的一輸出相位與該第二探針的一輸出相位偏移180度。
  15. 如請求項12所述之方法，進一步包括以下步驟： 決定一第二中心點偏移，其中該第二中心點偏移為該感測器晶圓的該中心點相對於該支撐表面的一中心點的偏移。
  16. 如請求項15所述之方法，其中使用該感測器晶圓的該第一表面上的第二感測器區域來決定該第二中心點偏移。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包括以下步驟： 決定一總偏移，其中藉由將該第一中心點偏移加上該第二中心點偏移來決定該總偏移。
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