TWM495561U - 觸控面板 - Google Patents

Description

觸控面板

本創作係為一種觸控面板，特別是一種藉由霧化處理來調整光遮蔽率之觸控面板之創作。

隨著科技的發展，觸控面板(Touch Panel)已廣泛應用於各種消費電子裝置，例如：智慧型手機、平板電腦、相機、電子書、MP3播放機等攜帶式電子產品，或是應用於操作控制設備的顯示螢幕。

於先前技術中，觸控面板的非觸控區域通常具有環境燈感應（Ambient Light Sensor，ALS）孔、紅外線（Infrared Ray，IR）孔等，而開孔位置對應的非觸控區域通常需要做成一半透區域，以滿足環境燈孔或紅外線孔的光遮蔽率的需求。傳統的作法是通過在對應區域覆蓋一層半透明的印刷油墨來形成半透區域，其中半透明油墨一般是通過非透明油墨與透明油墨調配成。

然而，由於油墨的使用時間有限，使得油墨可能會脫落。另外不同批次的油墨的光學性能之間存在差異，因此調配半透明油墨時，要做到精准地調配透明油墨與非透明油墨的參數難度很大。另外於印刷的製程中也可能會產生偏差，相應的半透區域的光遮蔽率也無法達到一致性。

因此，需要創作出一種新的觸控面板，以解決先前技術之缺失。

本創作之主要目的係在提供一種觸控面板，其具有藉由霧化處理來調整光遮蔽率之效果。

為達成上述之目的，本創作之觸控面板係用於觸控式電子裝置。觸控面板包括第一基板。第一基板具有第一表面，其中第一表面經過霧化處理後形成至少一半透區域；其中至少一半透區域內具有第一半透結構，第一半透結構係藉由霧化區域及非霧化區域互相交錯而成，以藉由調整霧化區域之面積來改變第一半透結構之光遮蔽率。

由於本創作構造新穎，能提供產業上利用，且確有增進功效，故依法申請新型專利。

為讓本創作之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本創作之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

本說明書中所稱的方位「上」及「下」，僅是用來表示相對的位置關係，對於本說明書的圖式而言，觸控面板的上方較遠離使用者，而下方則較接近使用者。另外，本說明書中所稱的「透明」及「不透明」，僅是用來表示物質透過光線的性質。於本創作而言，其中「透明」定義為使用者在正常使用觸控面板过程中可以透過基板看到位於該基板後方的物體，而「不透明」定義為使用者在正常使用觸控面板過程中透過基板看到位於該基板後方的物體。

請先同時參考圖1A係本創作之半透區域用於觸控式電子裝置之示意圖及圖1B係本創作之觸控面板之第一實施方式之剖視圖。

本創作之觸控面板10a可用於觸控式電子裝置1內，觸控式電子裝置1可為智慧型手機或平板電腦，但本創作並不限於此。於本創作之第一實施方式中，觸控面板10a可包括第一基板20。第一基板20為透明材料，其材料可為乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基(polyallylate)、聚碳酸酯(PC)、玻璃或其類似物。第一基板20可為硬質基板或可撓式基板。第一基板20可為平面形狀、曲面形狀或其他不規則形狀。

第一基板20可具有第一表面21及第二表面22。在本創作之一較佳實施方式中，第一表面21可為第一基板20的上表面，第二表面22可為第一基板20的下表面，兩者互相平行。於第一實施方式中，第一基板20之第一表面21係先經過一霧化處理後，以形成至少一半透區域30。霧化處理之方式可包括鐳射處理、酸蝕刻處理、噴砂處理或表面研磨處理，但本創作並不限於此。藉此，半透區域30內會具有第一半透結構31，而第一半透結構31係藉由有霧化處理的霧化區域311及沒有霧化處理的非霧化區域312互相交錯而成。第一基板20的第一表面21在經過霧化處理後，相應的半透區域30因玻璃表面不平整而產生光的漫射現象，最終造成的雲雾狀或混濁的不透明外觀。當霧化區域311所占面積越大時，半透區域30内所能通過的光就越少。因此觸控面板10a係藉由調整霧化區域311之面積大小來改變第一半透結構31之光遮蔽率大小，從而調整半透區域30的光遮蔽率大小。

在一較佳實施方式中，該霧化處理的方式為噴砂處理。其主要處理方式如下： 1、 採用噴砂機，該噴砂機可以為壓送式噴砂(噴丸)機構； 2、 利用噴砂機內空氣的高速流動產生高壓作用，將噴砂機高壓罐內的砂料（以水混合金剛砂）通過輸砂管噴出，然後隨壓縮氣流由噴槍嘴高速噴射到第一基板20的第一表面21上； 3、 根據預先設定的噴砂結構，使第一表面21上的半透區域30的表面組織不斷受到沙粒的衝擊破壞，形成毛面，最終完成霧化區域311的處理。

於第一實施方式中，第一表面21經過霧化處理後，相應的霧化區域311是以複數個凹槽的形式呈現。從第一基板20的剖視圖1B來看，該霧化區域311與該非霧化區域312在垂直於該第一基板20之第一表面21的方向上會交錯形成波浪狀。其中，該凹槽在平行於該第一基板20之第一表面21的方向上的面積主要是用來控制霧化區域311的面積。該面積越大，則在同等數量級的凹槽的情況下，霧化區域311的面積就越大，半透區域30的光遮蔽率就越高。在一較佳實施方式中該不透明凹槽的面積可為10平方奈米到100平方奈米，但本創作並不以此規格為限。該面積可以根據霧化處理方式的精度以及半透區域的光遮蔽率需求進行調整。值得注意的是，該凹槽在垂直於該第一基板20之第一表面21的方向上的高度為霧化處理方法（如鐳射處理）所導致的，其本身對霧化區域的光遮蔽率是不起作用的，相反如果凹槽高度過大，在某些情況下對第一基板20的強度會造成損傷。因此，在實際生產製程中，可以通過控制霧化處理方法（如鐳射的能量大小、鐳射的波長等方式）來實現對該高度的控制，在一較佳實施方式中，該不透明凹槽的高度可為10平方奈米以下，但本創作並不以此規格為限。

於圖1A中，觸控式電子裝置1可具有兩個半透區域30，但本創作並不限於此。半透區域30的數量是由有環境燈感應（Ambient Light Sensor，ALS）孔、紅外線（Infrared Ray，IR）孔等功能孔的數量來決定。本創作並不限制每一個半透區域30之光遮蔽率是否相同，每一個半透區域30之光遮蔽率可根據功能孔不同的光遮蔽率需求而做調整，亦即調整每一半透區域30內霧化區域311之面積大小。

藉由上述的霧化區域311與非霧化區域312的排列，本創作可以具有不同實施方式的第一半透結構31。就如同圖2A所示，接著請參考圖2A係本創作之觸控面板之半透結構之第一實施方式之示意圖。

於第一實施方式中，該霧化區域311與該非霧化區域312在該第一基板20之該第一表面21上係互相交錯排列成一螺旋狀的半透結構31a，其中該霧化區域311為一連續之不透明結構，該非霧化區域312為一連續之透明結構。

接著請參考圖2B係本創作之觸控面板之半透結構之第二實施方式之示意圖。

此外，於第二實施方式中，該霧化區域311與該非霧化區域312在該第一基板20之該第一表面21上係互相交錯排列成多個同心圓的半透結構31b，其中該霧化區域311為一不連續之不透明結構，該非霧化區域312為一不連續之透明結構。

接著請參考圖2C係本創作之觸控面板之半透結構之第三實施方式之示意圖。

於第三實施方式中，半透結構31c係同樣為多個同心圓結構，但每個同心圓都是由部份霧化區域311的不透明結構及部份非霧化區域312的透明結構組成。

接著請參考圖2D係本創作之觸控面板之半透結構之第四實施方式之示意圖。

於第四實施方式中，半透結構31d可具有點狀之霧化區域311，而非霧化區域312則環繞於霧化區域311的四周。如此一來，即可藉由霧化區域311的大小及分布密度來調整光遮蔽率。

接著請參考圖2E係本創作之觸控面板之半透結構之第五實施方式之示意圖。

於第五實施方式中，因半透結構31e的具有點狀之非霧化區域312，而霧化區域311則環繞於非霧化區域312的四周，如此一來，即可藉由霧化區域311的大小及分佈密度來調整光遮蔽率。

藉由上述的半透結構31a到31e，皆可得到觸控面板10a上半透區域30所需的光遮蔽率。但本創作並不限定於上述的半透結構31a到31e，只要是由霧化區域311及非霧化區域312交錯而成的結構皆在本創作的保護範圍內。

接著請參考圖3係本創作之觸控面板之第二實施方式之剖視圖。

除了圖1B所示的第一實施方式外，於本創作的第二實施方式中，觸控面板10b之第一基板20進一步可於第二表面22上執行霧化處理。藉此第一基板20之第二表面22會具有第二半透結構32，第二半透結構32同樣藉由霧化區域321及非霧化區域322互相交錯而成。如此一來，觸控面板10b可以藉由調整第一半透結構31與第二半透結構32在垂直於該第一基板20之第一表面21的方向上的重合面積來改變半透區域30之光遮蔽率。第二半透結構32可以為半透結構31a到31e的其中一種，或是其他的結構，本創作並不限於此。

接著請參考圖4係本創作之觸控面板之第三實施方式之剖視圖。

於本創作之第三實施方式中，觸控面板10c可進一步包括感應區41、周邊區42、感測電極層51及遮蔽層52。感應區41係供使用者進行觸控操作，因此感應區41之範圍內可具有感測電極層51。感測電極層51材料可包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅錫、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘、氧化鉿、氧化銦鎵鋅、氧化銦鎵鋅鎂、氧化銦鎵鎂、氧化銦鎵鋁、奈米金屬或石墨烯等。感測電極層51具有複數之感應電極，以感應使用者之觸控。由於感測電極層51之作用方式並非本創作所要改進之重點所在，故在此不再贅述其原理。感測電極層51係設置在第一基板20的第一表面21上且至少位於感應區41中。周邊區42係至少設置於感應區41之一側，或是環繞於感應區41的四周。遮蔽層52係設置在第一基板20的第一表面21上且位於該周邊區42中，以遮蔽觸控面板10c上的周邊元件。遮蔽層52可利用印刷油墨或者利用曝光顯影蝕刻聚醯亞胺等方式製成，但本創作並不限於此。而於此第三實施方式中，半透區域30係位於周邊區42內，且半透區域30內不設置該遮蔽層52，藉此使光線仍可部分通過半透區域30。於此構造下，觸控面板10c仍可藉由調整霧化區域311之面積大小來改變第一半透結構31之光遮蔽率。

接著請參考圖5係本創作之觸控面板之第四實施方式之剖視圖。

於本創作之第四實施方式中，觸控面板10d包括感應區41、周邊區42、第二基板53、感測電極層51及遮蔽層52。周邊區42設置於感應區41之一側，或是環繞於感應區41的四周，半透區域30亦位於周邊區42中，遮蔽層52同樣設置在第一基板20的第一表面21上且位於周邊區42中不具有半透區域30的範圍內。與第三實施方式不同的是，觸控面板10d另外包括了第二基板53。第二基板53係位於第一基板20的第一表面21上方，且用以設置感測電極層51。藉此感測電極層51可以同時延伸至感應區41及周邊區42，而不僅限於感應區41的範圍內。於此構造下，不會影響到半透區域30之作用，觸控面板10d仍可藉由調整霧化區域311之面積大小來改變第一半透結構31之光遮蔽率。

接著請參考圖6係本創作之觸控面板之第五實施方式之剖視圖。

於本創作之第五實施方式中，觸控面板10e與本創作第五實施方式中的觸控面板10d的不同在於，觸控面板10e更包括光遮蔽率調整部61。光遮蔽率調整部61係設置於第一基板20的第一表面21上，並位於半透區域30中，其中該光遮蔽率調整部61包括透明結構611及不透明結構612，以藉由調整透明結構611之面積來改變光遮蔽率調整部61之光遮蔽率。不透明結構612可以藉由印刷油墨的方式或者利用曝光顯影蝕刻聚醯亞胺等製成，但本創作並不限於此。並且於第一基板20的垂直方向上，第一半透結構31的霧化區域311可部分或全部位於光遮蔽率調整部61的透明結構611中。如此一來，觸控面板10e係藉由調整霧化區域311與光遮蔽率調整部61的透明結構611在垂直於該第一基板20之第一表面21的方向上之重合面積來改變半透區域30的整體光遮蔽率，使得觸控面板10e可以更靈活地調整得到所需要的光遮蔽率，在特定大小的半透區域內做到最佳的半透效果。

接著請參考圖7係本創作之觸控面板之第六實施方式之剖視圖。

於本創作之第六實施方式中，觸控面板10f與本創作第五實施方式中的觸控面板10e的不同在於，觸控面板10f更包括一第二基板53，感應電極層51設置在第二基板53上。在此結構下，觸控面板10f仍可以藉由調整霧化區域311與光遮蔽率調整部61的透明結構之重合面積來改變半透區域30與光遮蔽率調整部61的整體光遮蔽率。

特別的，本創作第四實施方式中觸控面板10d與本創作第六實施方式中觸控面板10f，在結構上通過將感應電極層51設置在第二基板53上，使得後續元件（例如液晶顯示面板）具有一個平整的加工表面，更有利於觸控面板與顯示面板整體結構的組裝。

上述的觸控面板10a到10f皆可用於觸控式電子裝置1內，就如同圖1A所示，觸控式電子裝置1的周邊區42內可以具有兩個半透區域30，但本創作並不以此數量為限。並須注意的是，於圖1A中的觸控式電子裝置1的表面可見感應區41及周邊區42，周邊區42係環繞於感應區41的四周，但本創作並不以此為限，觸控式電子裝置1的表面也可以僅具有感應區41，而半透區域30則位於感應區41之範圍內。

藉由以上的各實施方式，觸控面板10a、10b、10c、10d、10e或10f皆可以利用經過霧化處理的霧化區域311來調整光遮蔽率，可有效解決先前技術中僅利用印刷油墨流程來調整光遮蔽率所具有的缺失。

綜上所陳，本創作無論就目的、手段及功效，在在均顯示其迥異於習知技術之特徵，懇請  貴審查委員明察，早日賜准專利，俾嘉惠社會，實感德便。惟應注意的是，上述諸多實施例僅係為了便於說明而舉例而已，本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

1‧‧‧觸控式電子裝置
10a、10b、10c、10d、10e、10f‧‧‧觸控面板
20‧‧‧第一基板
21‧‧‧第一表面
22‧‧‧第二表面
30‧‧‧半透區域
31‧‧‧第一半透結構
31a、31b、31c、31d、31e‧‧‧半透結構
311、321‧‧‧霧化區域
312、322‧‧‧非霧化區域
32‧‧‧第二半透結構
41‧‧‧感應區
42‧‧‧周邊區
51‧‧‧感測電極層
52‧‧‧遮蔽層
53‧‧‧第二基板
61‧‧‧光遮蔽率調整部
611‧‧‧透明結構
612‧‧‧不透明結構

圖1A係本創作之半透區域用於觸控式電子裝置之示意圖。 圖1B係本創作之觸控面板之第一實施方式之剖視圖。 圖2A係本創作之觸控面板之半透結構之第一實施方式之示意圖。 圖2B係本創作之觸控面板之半透結構之第二實施方式之示意圖。 圖2C係本創作之觸控面板之半透結構之第三實施方式之示意圖。 圖2D係本創作之觸控面板之半透結構之第四實施方式之示意圖。 圖2E係本創作之觸控面板之半透結構之第五實施方式之示意圖。 圖3係本創作之觸控面板之第二實施方式之剖視圖。 圖4係本創作之觸控面板之第三實施方式之剖視圖。 圖5係本創作之觸控面板之第四實施方式之剖視圖。 圖6係本創作之觸控面板之第五實施方式之剖視圖。 圖7係本創作之觸控面板之第六實施方式之剖視圖。

10a‧‧‧觸控面板

20‧‧‧第一基板

21‧‧‧第一表面

22‧‧‧第二表面

30‧‧‧半透區域

31‧‧‧第一半透結構

311‧‧‧霧化區域

312‧‧‧非霧化區域

Claims (12)

1. 一種觸控面板，係用於一觸控式電子裝置，該觸控面板包括：一第一基板，該第一基板具有一第一表面，其中該第一表面經過一霧化處理後形成至少一半透區域；其中該半透區域內具有一第一半透結構，該第一半透結構係藉由一霧化區域及一非霧化區域互相交錯而成，以藉由調整該霧化區域之面積來改變該第一半透結構之光遮蔽率。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該霧化處理包括一鐳射處理、一酸蝕刻處理、一噴砂處理或一表面研磨處理。
3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該霧化區域係為一連續之不透明結構，該非霧化區域係為一連續之透明結構。
4. 如申請專利範圍第3項所述之觸控面板，其中該霧化區域與該非霧化區域在該第一基板之該第一表面的水平面上互相交錯排列成一螺旋狀。
5. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該霧化區域係為一不連續之不透明結構，該非霧化區域係為一不連續之透明結構。
6. 如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，其中該霧化區域與該非霧化區域在該第一基板之該第一表面的水平面上互相交錯排列成多個同心圓。
7. 如申請專利範圍第1、4、6項之任一項所述之觸控面板，其中該霧化區域具有複數之不透明凹槽，該霧化區域與該非霧化區域在垂直於該第一基板之該第一表面的方向上交錯形成波浪狀。
8. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該第一基板進一步具有一經過霧化處理之第二表面，該第一基板之該第二表面具有一第二半透結構，該第二半透結構位於該半透區域內。
9. 如申請專利範圍第8項所述之觸控面板，其中該第一基板之該第一表面與該第一基板之該第二表面互相平行。
10. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該觸控面板進一步包括：一感應區；一周邊區，係至少設置於該感應區之一側，其中該半透區域係位於該周邊區中；一感測電極層，係設置在第一基板的第一表面上且至少位於該感應區中；以及一遮蔽層，係設置在第一基板的第一表面上且位於該周邊區中；其中該半透區域內不設置該遮蔽層。
11. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該觸控面板進一步包括：一感應區；一周邊區，係至少設置於該感應區之一側，其中該半透區域係位於該周邊區中；一第二基板，係位於該第一基板的第一表面上；一感測電極層，係設置在第二基板上且至少位於該感應區中；以及一遮蔽層，係設置在第一基板的第一上表面上且位於該周邊區中；其中該半透區域內不設置該遮蔽層。
12. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之觸控面板，更包括一光遮蔽率調整部，係設置於該第一基板的第一表面上，並位於該半透區域中，其中該光遮蔽率調整部包括一透明結構及一不透明結構；其中於該第一基板的垂直方向上，該第一半透結構之霧化區域係部分或全部位於該光遮蔽率調整部的透明結構中。