TWI564759B - 觸控面板及其製造方法 - Google Patents

Description

觸控面板及其製造方法

本發明有關於一種觸控技術，且特別是一種觸控面板及其製造方法。

近年來隨著觸控面板的技術發展，觸控面板已廣泛地運用於各類電子裝置中，例如手機、手提電腦以及掌上型電腦等。觸控面板(touch panel)一般會與顯示面板(display panel)相整合為觸控顯示螢幕，以作為電子裝置的輸入輸出介面，達到觸控顯示功能。據此，使用者可透過手指或觸控感測物件(如觸控筆)觸碰觸控顯示螢幕來控制電子裝置，對應操控電子裝置之功能。

現行觸控面板通常通過一膠層與一顯示面板貼合，並且觸控面板一般至少包括一透明基板及一感測電路層，於整個結構中包含多個層級結構，每個層級與其相鄰的層級存在材料或者圖案形狀上的差異，故兩者的折射率存在差異，當來自顯示面板的光線透過上述層級之間的介面時，將會發生偏折及反射，從而導致進入觸控面板的光線量大於從觸控面板射出的光線量，也就是說，由於不同層級間折射率存在差異，光線在介面處發生折射和反射，導致觸控面板的光線穿透率下降，進而影響顯示面板的顯示效果。

有鑑於此，本發明實施例提供一種觸控面板，透過增設一層具有凸塊的折射匹配層於觸控面板的結構中以增加光線的穿透 率。

本發明實施例提供一種觸控面板，包括一基板、一感測電路層以及一折射匹配層。感測電路層佈設於該基板上。折射匹配層佈設於該感測電路層遠離該基板之側。所述折射匹配層在遠離該感測電路層之側的表面採用多個週期性排列的凸塊設計，且相鄰的兩個該等凸塊的頂部之間的間距小於400奈米。

在本發明其中一個實施例中，所述感測電路層包含複數感測電極軸及電性連接該些感測電極軸的複數金屬導線。

在本發明其中一個實施例中，所述折射匹配層覆蓋於該感測電路層的該些感測電極軸之上，並且直接接觸該些感測電極軸。

在本發明其中一個實施例中，所述折射率匹配層填補該感測電路層上該些感測電極軸之間的空隙。

在本發明其中一個實施例中，其中該折射匹配層與一顯示面板貼合，且該基板為一經過強化的基板。

在本發明其中一個實施例中，更包括一蓋板，且所述蓋板與該折射匹配層貼合，其中該基板靠近該感測電路層之表面的相對另一表面是與一顯示面板相貼合。

在本發明其中一個實施例中，該些凸塊是等間距排列。

在本發明其中一個實施例中，該些凸塊是非等間距排列。

在本發明其中一個實施例中，兩兩相鄰的該等凸塊頂部之間的間距是介於10奈米到150奈米之間。

在本發明其中一個實施例中，每一凸塊的高度介於50奈米到500奈米之間。

在本發明其中一個實施例中，該些凸塊的高度相同。

在本發明其中一個實施例中，所述折射匹配層的折射率與該感測電路層上該些感測電極軸的折射率相同。

在本發明其中一個實施例中，所述折射匹配層的材料包括二氧化矽(SiO 2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)以及光阻 的其中之一或其組合。

本發明實施例提供一種觸控面板的製造方法，此製造方法包括下列步驟。首先，形成一感測電路層於一基板上。而後，形成一折射匹配層於該感測電路層遠離該基板之側。所述折射匹配層在遠離該感測電路層之側的表面採用多個週期性排列的凸塊設計，且相鄰兩個的該等凸塊的頂部之間的間距小於400奈米。

綜上所述，本發明實施例所提供的觸控面板，此觸控面板可藉由佈設一層具一凹凸面的折射匹配層來降低對光線的反射效果，增加光線的穿透率，在觸控面板與顯示面板搭配應用時，可以降低觸控面板影響顯示面板的顯示效果的程度。

為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。

10、20、30‧‧‧觸控面板

11、21、31‧‧‧基板

12、22、33‧‧‧感測電路層

221、331‧‧‧第一導電層

223、333‧‧‧絕緣層

225、335‧‧‧第二導電層

227、337‧‧‧金屬導線

13、24、24a、24b、24c、24d、34‧‧‧折射匹配層

133、245、245a、245b、245c、246c、345‧‧‧凸塊

247‧‧‧可視區域

249‧‧‧非可視區域

25‧‧‧黏合層

26、32‧‧‧遮蔽層

27‧‧‧蓋板

100‧‧‧顯示面板

d、d1‧‧‧間距

W1、W2‧‧‧寬度

h1‧‧‧高度

S100~S120‧‧‧步驟流程

圖1 A是本發明第一實施例提供的觸控面板的剖面示意圖。

圖1 B是本發明第一實施例提供的觸控面板結合顯示面板的剖面示意圖。

圖2A是本發明第一實施例提供的折射匹配層的結構示意圖。

圖2B是圖2A所示折射匹配層的A-A剖面示意圖。

圖2C是本發明第一實施例提供的部分折射匹配層的俯視圖。

圖3A是本發明第二實施例提供的折射匹配層的剖面示意圖。

圖3B是本發明第二實施例提供的部分折射匹配層的俯視圖。

圖4是本發明第三實施例提供的部分折射匹配層的俯視圖。

圖5是本發明第四實施例提供的部分折射匹配層的俯視圖。

圖6是本發明第五實施例提供的部分折射匹配層的俯視圖。

圖7是本發明第六實施例提供的觸控面板結合顯示面板的剖面示意圖。

圖8是本發明第七實施例提供的觸控面板的製作方法流程示 意圖。

在下文中，將藉由圖式說明本發明之實施例來詳細描述本發明，而圖式中的相同參考數字可用以表示類似的元件。此外，在以下所說明的各種實施例中，所稱的方位「上」及「下」，僅是用來表示元件之間的相對位置關係，並非用來限制本發明。

請參閱圖1A，圖1A繪示本發明提供的觸控面板的剖面示意圖。觸控面板10包含基板11、感測電路層12以及折射匹配層13。感測電路層12佈設於基板11上。折射匹配層13佈設於感測電路層12遠離該基板11之側。折射匹配層13在遠離感測電路層12之側的表面採用多個週期性排列的凸塊133設計，且相鄰的兩個該等凸塊133的頂部之間的間距d小於400奈米。

本發明中觸控面板在不同具體實施例中的結構存在差異，以下通過具體實施例來進行說明。

〔第一實施例〕

請參照圖1B，圖1B繪示本發明第一實施例提供的觸控面板結合顯示面板的剖面示意圖。於本實施例中，所述觸控面板20與顯示面板100相結合，例如是以黏合方式相結合，但本發明不限於此。

所述觸控面板20包括基板21、感測電路層22、折射匹配層24、黏合層25、遮蔽層26以及蓋板(cover glass)27。此外，本實施例的基板21、感測電路層22、折射匹配層24、黏合層25、遮蔽層26是依序設於顯示面板100與蓋板27。

基板21可例如為透明的玻璃基板或塑膠基板。基板21的下表面可以黏合方式與顯示面板100的上表面相結合，感測電路層22形成於基板21的上表面。換言之，基板21靠近感測電路層22之表面的相對另一表面是與顯示面板100相貼合。

感測電路層22包括第一導電層221、絕緣層223、第二導電 層225以及金屬導線227，其中第一導電層221及第二導電層225組成多條相互交錯排列之感測電極軸(未繪示)。每條感測電極軸彼此相互絕緣，且該些感測電極軸電性連接該些金屬導線227。具體而言，第一導電層221包含多條沿第一軸向(例如X軸)方向排列之感測電極軸以及複數沿第二軸向(例如Y軸)方向排列感測單元(未繪示)。第二導電層225包含複數電性連接線(未繪示)，且複數電性連接線分別連接兩相鄰之上述感測單元，以形成多條沿第二軸向方向排列之感測電極軸。絕緣層223佈設於沿第一軸向排列之感測電極軸與沿第二軸向排列之感測電極軸之間，以使該些感測電極軸之間彼此電性絕緣。

第一導電層221及第二導電層225組成的多條感測電極軸所在區域為感測電路層22的感測區域(未繪示)。感測區域以外的區域，即佈設金屬線路227的區域為感測電路層22的周邊區域。金屬線路227與感測電極軸電性連接，用以傳遞該些感測電極軸與後端控制電路(未繪示)之間的信號。

值得一提的是，第一導電層221可由透明導電膜透過曝光(exposure)、顯影(develop)及蝕刻(etch)等光刻工序形成於基板21之上。所述透明導電膜的材料可例如為銦錫氧化物(Indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、奈米銀等納米金屬或耐米碳管等透明導電材料。所述感測單元依據實際電路設計需求為多邊形狀區塊，例如方形、長方形、菱形、三角形、六邊形或八邊形等，本實施例並不限制。

金屬導線227之材料可包括銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導電金屬或導電合金，且可以是利用物理氣相沉積(PVD)或是化學氣相沉積(CVD)方式來形成。

第二導電層225之材料可與第一導電層221之材料相同，或與金屬導線227之材料相同，但本發明不限於此。

折射匹配層24佈設於感測電路層22上，且兩者直接接觸。 更具體地說，折射匹配層24覆蓋感測電路層22的感測區域及周邊區域。

黏合層25佈設於折射匹配層24上，用以將蓋板27與折射匹配層24相貼合。於此實施例中，黏合層25可以是由光學膠(Optical Clear Adhesive，OCA)來實現。於實務上，黏合層25可以是由壓克力膠或水膠來實現，本實施例並不限制。

遮蔽層26是設置於蓋板27的下表面，設於黏合層25與蓋板27之間。遮蔽層26為一黑色邊框結構(Black Mask)以遮蔽感測電路層22之周邊區域佈設的金屬線路227，使金屬線路227不會顯露於蓋板27的上表面。換言之，遮蔽層26至少與感測電路層22上佈設的金屬線路227的周邊區域重疊。遮蔽層26的材料包括聚酯薄膜或透明絕緣材料膜例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚醚類樹脂(PES)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)與聚亞醯胺(PI)等，可依實際加工所需與折射率的考量而加以選擇，本實施例並不限制。

蓋板27為用以保護觸控面板20的結構，以防止感測電路層22損壞。蓋板27的上表面可供用戶進行觸控操作。蓋板27可以是由透明玻璃、透明強化玻璃或透明塑膠基板來實現。

以下針對折射匹配層24的結構做進一步的說明，請參照圖2A~圖2C，並同時參照圖1B。圖2A繪示本發明第一實施例提供的折射匹配層的結構示意圖。圖2B繪示圖2A所示折射匹配層的A-A剖面示意圖。圖2C繪示本發明第一實施例提供的部分折射匹配層的俯視圖。

於本實施例中，如圖2A所示，折射匹配層24的一表面採用多個週期性排列的凸塊245設計，且該些凸塊245週期性地排列。於本實施例中，凸塊245在第一軸向方向或是第二軸向方向皆是以等間距的矩陣排列方式排列於折射匹配層24的該表面上，且凸塊245頂部朝向蓋板27。凸塊245與感測電路層22重疊，也就是 說，折射匹配層24上的該些凸塊245所佔之區域與感測電路層12上該些感測電極軸與金屬導線227的所佔區域相重疊。

值得注意的是，於本發明的其他實施例中，因感測電路層22中的金屬導線227會透過遮蔽層26加以遮蔽，透過金屬導線的光線將被遮蔽層26阻擋，不會透過觸控面板20，因此，折射匹配層24上的該些凸塊245所佔之區域可僅對應於感測電路層22中該些感測電極軸所佔感測區域，換言之，折射匹配層24僅覆蓋於感測電路層22的感測電極軸上。折射匹配層24上的該些凸塊245所佔之區域會至少與感測電路層22上的該些感測電極軸重疊，換言之，凸塊245所佔之區域亦可略大於感測電路層22上的該些感測電極軸所佔區域。

於此實施例中，每一凸塊245的形狀實質上為圓柱體，但每一凸塊245的形狀亦可為圓錐體或金字塔狀等，本實施例並不限制。每一凸塊245的高度為h1。每一凸塊245的形狀、大小以及實質上高度h1相同，其中實質上相同表示完全相同，或者在一定可接受誤差範圍內。另外，每兩兩相鄰的該等凸塊245頂部之間間隔一預設的間距d1。

值得注意的是，就光學角度而言，凸塊245所形成的凹凸表面使折射匹配層24的折射率為連續變化，當折射匹配層24設置於感測電路層22與黏合層25之間時，光線由感測電路層22進入黏合層25的光線經過折射匹配層24，由於折射匹配層24的折射率是以漸進平緩方式變化而非陡峭的變化，使得入射光於介面處的反射會接近零，光線將極少會發生偏折或反射，直接進入黏合層25。

為了使入射光視折射匹配層24實現連續介面之效果，兩兩相鄰的該些凸塊245頂部之間的間距d1需至少小於可見光(visible light)波長，即400奈米到700奈米。該些凸塊245頂部之間的間距d1應小於入射光的波長，以可見光的波長為例，d1應小400 奈米(nm)。換言之，兩兩相鄰的該些凸塊245頂部之間的間距愈小，越能使入射光視折射匹配層24的第二面243上凸塊245為連續介面，降低反射。較佳地，相鄰凸塊245頂部之間的間距範圍可介於10奈米至150奈米之間。但所述間距d1可依據實際需求以及製程能力來設置。每一凸塊245的高度h1較佳係介於50奈米至500奈米之間。

折射匹配層24的材料可為絕緣材料包括二氧化矽(SiO 2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)以及光阻的其中之一或其組合。於較佳的實施方式中，折射匹配層24填補感測電路層22上該些感測電極軸之間的空隙。折射匹配層24可藉由填充感測電路層22上被蝕刻的區域，使被蝕刻的區域具與設有感測電極軸的區域的折射率差異減小，降低感測電極的可視度。因此，折射匹配層24的材料較佳可選用與感測電路層22中感測區域內感測電極的折射率相匹配的材料，以更進一步地降低感測電極的可視度。換言之，於該較佳實施例中，折射匹配層24的折射率與感測電路層22上的感測電極軸的折射率實質上相同。具體而言，可藉由選擇與形成感測電極的基材(例如玻璃基板或透明導電膜)的折射率相同或相近的材料，例如具折射率1.7~1.8的材料以對應ITO透明導電膜或是具折射率1.5的材料以對應與玻璃基板來製作折射匹配層24，使折射匹配層24的折射率與感測電路層22中感測電極的折射率實質上相同。

折射匹配層24可以塗佈方式覆蓋於感測電路層22之上，凸塊245可以是透過具有奈米柱狀突起物之表面的平板製具，進行壓印，例如網印形成奈米等級的凹凸面後，再固化成型。

以下針對折射匹配層24的運作原理簡單說明。

當相互平行入射光，例如來自顯示面板的光線，通過折射匹配層24上佈設的多個凸塊245時，因每一凸塊245的法線(normal line)方向不一致，使得入射光會於不同方向無規則性的產生反 射，亦即產生漫反射(diffuse reflection)現象。在漫反射現象之下，入射光的反射光線會相互重疊反射回折射匹配層24，增加了入射光，進而增加了出射光線量。再者，因前述不均勻的表面會使入射光視折射匹配層24與相鄰的介質為連續介面，使折射率呈以漸進式變化而非陡峭的變化，以降低入射光的反射。從而使得通過觸控面板的光線亮增加，提升了觸控面板的光線穿透率，降低觸控面板對顯示效果的影響。

特別說明的是，雖然習知於觸控面板的結構中會透過加設一層抗反射層(anti-reflective layer)來降低入射光的反射。然此抗反射層一般僅適用於特定入射光之波長範圍或特定入射角，故並無法涵蓋所有的入射光的波長。而本發明之以佈設凸塊形成凹凸面的折射匹配層24可透過使入射光產生散射的方式，有效地降低反射，且所適用於波長範圍與入射角會較抗反射層的有效波長範圍與入射角廣。因此，所述折射匹配層24可用以替代抗反射層，且用藉以減少至少一道製作工序與材料，降低製作成本，並提高良率。

於實務上，觸控面板20亦可設置多層折射匹配層24。舉例來說，觸控面板20可包括第一折射匹配層(未繪示)及第二折射匹配層(未繪示)。第一折射匹配層的未設置凸塊的表面可與感測電路層22相接觸。第二折射匹配層未設置凸塊的表面與顯示面板100相接觸。於另一實施方式中，第二折射匹配層未設置凸塊的表面可與感測電路層22相接觸。

要說明的是，圖1B僅為觸控面板20結構的示意圖，並非用以限定本發明。同樣地，圖2A~圖2C僅用以說明折射匹配層24的結構示意圖，並非用以限定本發明。

〔第二實施例〕

上述多個凸塊245是以等間距方式排列於折射匹配層24上，值得注意的是，多個凸塊245亦可以非等間矩陣進行排列，其中 非等間距排列是指該些凸塊在第一軸向及第二軸向上皆為非等間距排列，或者該些凸塊在第一軸向和第二軸向的其中一個軸向上非等間距排列，而在另一個軸向上等間距排列。請參照圖3A與圖3B，圖3A及圖3B所示的實施例為該些凸塊在第一軸向上非等間距排列，而在第二軸向上等間距排列。圖3A繪示本發明第二實施例提供的折射匹配層的剖面示意圖。圖3B繪示本發明第二實施例提供的部分折射匹配層的俯視圖。

圖3A之折射匹配層24a與圖2A之折射匹配層24之差異在於，在第一軸向上，折射匹配層24a上兩兩相鄰之該些凸塊245a頂部之間的間距並不相等。如圖3A與圖3B所示，在第一軸向上，折射匹配層24a的中央區域佈設的該些凸塊245a頂部之間的間距小於周邊區域佈設的該些凸塊245a頂部之間的間距。該些凸塊245a頂部之間的間距由內向外逐漸增加。換言之，折射匹配層24a的第二面243上中央區域佈設的該些凸塊245a的佈設密度大於第二面243上周邊區域佈設的該些凸塊245a的佈設密度。

折射匹配層24a的設計可應用於圖1B之觸控面板20，對應感測電路層22上周邊區域的該些凸塊245a頂部之間的間距大於對應感測電路層22上感測區域的該些凸塊245a頂部之間的間距。

詳細地說，凸塊245a頂部之間的間距，即凸塊245a排列之重複週期會影響折射匹配層24a抗反射的效力。當凸塊245a的重複週期越短，即會產生越多的散射光線，且越能使入射光無法辨識介質之間的界面從而越能有效降低入射光的反射，增加穿透率。反之，當折射匹配層24a上該些凸塊245a的重複週期越長，所產生散射光線越少，抗反射的能力亦會降低。

而因觸控面板中感測電路層上金屬導線會被遮蔽層遮蔽而不被可視，故可將對應金屬導線區域的該些凸塊頂部之間的間距調大，減少金屬導線區域的該些凸塊的數量並不會造成視覺上影響，可減少折射匹配層24a製作上的複雜度。

值得注意的是，無論折射匹配層24a上該些凸塊245a頂部之間的間距大小如何設計，該些凸塊245a頂部之間的間距皆須小於入射光的波長，且較佳介於10奈米至150奈米之間。圖3A與圖3B僅用以說明折射匹配層24a上該些凸塊245a頂部之間的間距的設計方式，並非用以限定本發明。

〔第三實施例〕

此外，該些週期性排列的凸塊245的排列方式可以為沿第一軸向排列的各排凸塊之間錯位。請參照圖4，圖4繪示本發明第三實施例提供的部分折射匹配層的俯視圖。

折射匹配層24b上具有多個週期性地排列的凸塊245b。任兩相鄰凸塊245b頂部之間的間距d1小於入射光的波長。圖4之折射匹配層24b與圖2C所示之折射匹配層24之間的差異在於該些凸塊245b的排列方式是沿第一軸向排列的各排凸塊245b之間是錯位的。

〔第四實施例〕

上述多個凸塊還可以不同的大小來實現，請參照圖5，圖5繪示本發明第四實施例提供的部分折射匹配層的俯視圖。

圖5之折射匹配層24c與圖2C所示之折射匹配層24之間的差異在於折射匹配層24c上佈設有多個週期性地排列的凸塊245c以及246c，凸塊245c、246c的大小並不相同。任兩相鄰凸塊245c、246c頂部之間的間距d1小於入射光的波長，較佳介於10奈米至150奈米之間。具體來說，折射匹配層24c上佈設每一凸塊245c的寬度W1小於每一凸塊246c的寬度W2。也就是說，該些凸塊245c所佔折射匹配層24c的面積小於該些凸塊246c所佔的面積。另外，該些凸塊245c與246c的實際佈設數量可依據實際製程需求來設置。

〔第五實施例〕

本實施例中折射匹配層的遠離感測電路層之側的表面所設置 多個週期性地排列的凸塊可僅與感測電路層中感測區域內多條感測電極軸重疊，即可達到降低感測電極軸於蓋板上的可視度，減少製程上的成本與複雜度。請參照圖6並同時參照圖1，圖6繪示本發明第五實施例提供的部分折射匹配層的俯視圖。

圖6之折射匹配層24d與圖2C之折射匹配層24的差異在於折射匹配層24d上區分有可視區域247以及非可視區域249。可視區域247對應圖1B中感測電路層22的佈設多條感測電極軸的感測區域，而非可視區域249可對應感測電路層22的佈設金屬導線227的周邊區域。

如圖6所示，折射匹配層24d上可視區域247內具有多個週期性地排列的凸塊245d。該些凸塊245d是以等間距的矩陣排列方式形成於折射匹配層24上可視區域247內。而折射匹配層24d上非可視區域249內則為一平面區域。

於實務上，折射匹配層24d可利用曝光、顯影及蝕刻等光刻工序或是塗佈、印刷等工序來實現折射匹配層24d上局部凹凸不平的結構。

值得注意的是，折射匹配層24d上可視區域247內的該些凸塊245d的形狀、大小以及該些凸塊245d頂部之間的間距可依據實際抗反射、可視度需求與製程能力來設計，圖6僅用說明折射匹配層24d的結構，並非用以限定本發明。

〔第六實施例〕

本發明所述的折射匹配層還可應用於其他觸控面板的結構。請參照圖7，圖7繪示本發明第六實施例提供的觸控面板結合顯示面板的結構示意圖。所述觸控面板30與顯示面板100相結合，例如是以黏合方式相結合。

所述觸控面板30為單層觸控面板結構(One Glass Solution，OGS)。進一步地說，觸控面板30包括基板31、遮蔽層32、感測電路層33以及折射匹配層34。本實施例的遮蔽層32、感測電路 層33以及折射匹配層34是依序設於基板31與顯示面板100之間。

本實施例之觸控面板與圖1B之觸控面板的差異在於，基板31為一經過強化的基板，基板31的上表面可供用戶觸碰操作。感測電路層33是直接形於基板31的下表面。折射匹配層34是形成於感測電路層33之下表面，並與感測電路層33相接觸。顯示面板設置於折射匹配層34之下。換言之，折射匹配層34與顯示面板100相貼合。

於本實施例中，感測電路層33進一步包括第一導電層331、絕緣層333、第二導電層335及金屬導線337。遮蔽層32位於基板31與感測電路層33之間，且遮蔽層32用以遮蔽感測電路層33上的金屬導線337顯露於基板31。感測電路層33的基本架構與圖1B中感測電路層22相同，故不在此贅述。

折射匹配層34與感測電路層33相接觸，且折射匹配層34在遠離感測電路層33之側的表面採用多個週期性排列的凸塊345設計。

該些凸塊345以等間距的矩陣排列方式形成於折射匹配層34上。折射匹配層34的該些凸塊345的頂部朝向顯示面板100。

值得注意的是，本實施例中折射匹配層34的該些凸塊345頂部之間亦可具不同的間距大小。換言之，兩相鄰之凸塊345頂部之間的間距可大於或小於其他兩相鄰之凸塊345頂部之間的間距。折射匹配層34的該些凸塊345亦可根據實際製作需求為不同大小。

此外，本發明並不限制折射匹配層34的實際佈設方式與位置，只要可使折射匹配層34與感測電路層相接觸以填補感測電路層中該些的感測電極軸之間的空隙，以達到降低感測電極軸中感測電極的可視度即可。

要說明的是，圖7僅用以說明折射匹配層應用於單片玻璃觸控結構的實施方式。

〔第七實施例〕

接著，本發明另提供一種具折射匹配層的觸控面板的製作方法。請參照圖8並同時參照圖1B，圖8繪示本發明第七實施例提供的觸控面板的製作方法流程示意圖。圖8之觸控面板的製作方法是用於製作圖1B所示之雙層玻璃觸控面板結構。

於步驟S100中，形成一感測電路層22於基板21上。其中基板21可例如為透明的玻璃基板或塑膠基板。

詳細地說，於基板21上利用濺鍍方式濺鍍一層透明導電膜做作為第二導電層225例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物、奈米銀等納米金屬或耐米碳管等，而後依據所需的導電橋圖案利用由曝光、顯影、蝕刻等光刻製作工序形成於基板21上。隨後，於第二導電層225上形成絕緣層223，在於絕緣層223上利用濺鍍方式濺鍍另一層透明導電膜做作為第一導電層221，再依據所需的感測電極圖案利用由曝光、顯影、蝕刻等光刻製作工序形成於基板21之上。

接著，於步驟S110中，形成折射匹配層24於感測電路層22遠離基板21之側。其中折射匹配層24在遠離感測電路層22之側的表面採用多個週期性排列的凸塊設計，且相鄰兩個的該等凸塊245頂部之間的間距小於400奈米。

於一具體實施方式中，折射匹配層24可以藉由二氧化矽(SiO 2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)以及光阻的其中之一或其組合等絕緣材料，以塗佈方式佈設於感測電路層22，而後，再透過具有奈米柱狀突起表面的平板製具進行壓印形成奈米等級凹凸面後，再固化成型。據此，以形成了奈米级的凸塊245。

於另一實施方式中，折射匹配層24亦可以是依據折射匹配層24上凹凸面所需的凸塊245形狀及大小的圖案利用奈米級的圓柱狀凸塊做成平板狀的治具來製成。

可以理解的是，在本發明的其他方法實施例中，在步驟S110 之後，即形成折射匹配層24於感測電路層22上之後，即可得到圖1B之觸控面板結構，更進一步的，步驟S100中的基板21若為一佈設有遮蔽層的強化基板，且感測電路層22是佈設於該遮蔽層所在的強化基板表面上，則通過該方法，可得到圖7之單層玻璃觸控面板結構。

於步驟S120中，透過黏合層25來將帶有遮蔽層26的蓋板27貼合於折射匹配層24，其中遮蔽層26位於蓋板27與黏合層25之間。

黏合層25可以是光學膠(Optical Clear Adhesive，OCA)。於實務上，黏合層25可以是壓克力膠或水膠。

蓋板27可以是透明玻璃、透明強化玻璃或透明塑膠基板。遮蔽層26為一黑色邊框，以遮蔽感測電路層22上周邊區域佈設的金屬線路227，使金屬線路227不被可視。

值得注意的是，於本發明的實施例中，黏合層25是先形成於帶有遮蔽層26的蓋板27上，再將帶有黏合層25的蓋板設置於折射匹配層24上，並使黏合層25位於折射匹配層24與蓋板之間。於本發明的其他實施例中，黏合層25可先形成於折射匹配層24上，再將帶有遮蔽層26的蓋板27設置於黏合層25上，並使得遮蔽層26位於蓋板27與黏合層25之間，以此實現蓋板27與折射匹配層24的貼合。

上述折射匹配層24的實際結構可參照圖2A~圖6所示，但本實施例並不以此為限。上述折射匹配層24亦可以是依據製作工序上的需求或是降低反射的設計方式來對折射匹配層24上形成凹凸面的凸塊的形狀、大小、凸塊頂部之間間距、排列方式以及佈設方式進行設計。

值得注意的是，圖8僅用以說明觸控面板的一製作方式，並非用以限定本發明。

綜上所述，本發明實施例所提供的觸控面板，此觸控面板可 藉由佈設一層折射匹配層於觸控面板的層級結構中，降低介面之間的折射率差異，以增加觸控面板的出射光數量，進而提升觸控面板透光率，據以降低觸控面板影響顯示面板的顯示效果的程度。

此折射匹配層可藉由利用光線通過奈米級的凹凸面產生散射的原理以及入射光會視凹凸面的界面為一連續介面，使得折射率是以漸進平緩方式變化而非陡峭的變化等方式來有效降低反射，提高穿透率。

以上所述僅為本發明之實施例，其並非用以侷限本發明之專利範圍。

10‧‧‧觸控面板

11‧‧‧基板

12‧‧‧感測電路層

13‧‧‧折射匹配層

133‧‧‧凸塊

d‧‧‧間距

Claims (15)

1. 一種觸控面板，包括：一基板；一感測電路層，佈設於該基板上；以及一折射匹配層，佈設於該感測電路層遠離該基板之側；其中，該折射匹配層在遠離該感測電路層之側的表面採用多個週期性排列的凸塊設計，相鄰的兩個該等凸塊頂部之間的間距小於400奈米，且該折射匹配層的折射率與該感測電路層上複數感測電極軸的折射率相同。
2. 如請求項第1項所述的觸控面板，其中該感測電路層包含該些感測電極軸及電性連接該些感測電極軸的複數金屬導線。
3. 如請求項第2項所述的觸控面板，其中該折射匹配層覆蓋於該感測電路層的該些感測電極軸之上，並且直接接觸該些感測電極軸。
4. 如請求項第2項所述的觸控面板，其中該折射匹配層填補該感測電路層上該些感測電極軸之間的空隙。
5. 如請求項第1項所述的觸控面板，其中該折射匹配層與一顯示面板貼合，且該基板為一經過強化的基板。
6. 如請求項第1項所述的觸控面板，更包括：一蓋板，與該折射匹配層貼合，其中該基板靠近該感測電路層之表面的相對另一表面是與一顯示面板相貼合。
7. 如請求項第1項所述的觸控面板，其中該些凸塊是等間距排列。
8. 如請求項第1項所述的觸控面板，其中該些凸塊是非等間距排列。
9. 如請求項第1項所述的觸控面板，其中兩兩相鄰的該等凸塊頂部之間的間距是介於10奈米到150奈米之間。
10. 如請求項第1項所述的觸控面板，其中每一凸塊的高度介於50奈米到500奈米之間。
11. 如請求項第1項所述的觸控面板，其中該些凸塊的高度相同。
12. 如請求項第1項所述的觸控面板，其中該折射匹配層的材料包括二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)以及光阻的其中之一或其組合。
13. 一種觸控面板的製造方法，包括：形成一感測電路層於一基板上；以及形成一折射匹配層於該感測電路層遠離該基板之側；其中，該折射匹配層在遠離該感測電路層之側的表面採用多個週期性排列的凸塊設計，相鄰兩個的該等凸塊頂部之間的間距小於400奈米，且該折射匹配層的折射率與該感測電路層上複數感測電極軸的折射率相同。
14. 如請求項第13項所述的製造方法，其中於形成該折射匹配層的該步驟之後，包括：透過一黏合層來將一帶有一遮蔽層的蓋板貼合於該折射匹配層，其中該遮蔽層位於該蓋板與該黏合層之間。
15. 如請求項第13項所述的製造方法，其中該折射匹配層的材料是由二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)以及光阻的其中之一所構成。