TWM478909U - 發光二極體晶片之複合陣列微透鏡 - Google Patents
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Description
本新型系一種藉由藉由晶片上第一透鏡及第二透鏡構成複合陣列微透鏡，其結構經過優化合乎最佳化之設計用以控制出光強度及光形。
以往的光萃取效率結構種類眾多，其增加的效率有限，目前的光形皆由二次光學來控制。
一種發光二極體晶片之複合陣列微透鏡之新型系統，包含：一基板、一第一透鏡、一緩衝層、一N-型半導體、一量子井、一P-型半導體、一第二透鏡；其特徵為第一透鏡及第二透鏡構成複合陣列微透鏡，其結構經過優化合乎最佳化之設計用以控制出光強度及光形。
其基板可為藍寶石、碳化矽、三五族之半導體材料、矽晶圓。
其第一透鏡為利用黃光製成曝光、顯影、蝕刻的方式製作出來，其為結構可為三面金字塔型、四面金自塔型、光柵型、半圓形、梯形等任何幾何形狀。
其緩衝層為三五族材料，為增加磊晶的品質。
其N-型半導體為三五族材料，參雜矽變成N-型半導體。
其P-型半導體為三五族材料，參雜鎂變成P-型半導體。
其量子井為發光二極體晶片通順向偏壓時發光的位置。
其第二透鏡為利用聚二甲基矽氧烷製作所設計結構的軟性模具，塗上折射率1.9的高分子材料，最後再利用壓印技術，印在晶片表面，其為結構可為三面金字塔型、四面金自塔型、光柵型、半圓形、梯形等任何幾何形狀。
其第一透鏡及第二透鏡構成複合陣列微透鏡，其結構經過優化合乎最佳化之設計用以控制出光強度及光形。
1‧‧‧基板
2‧‧‧第一透鏡
3‧‧‧緩衝層
4‧‧‧N-型半導體
5‧‧‧量子井
6‧‧‧P-型半導體
7‧‧‧第二透鏡
對於熟習本技藝之人士而言，從以下所做的詳細敘述配合伴隨的圖式，本創作將可更清楚的被瞭解，其各種目的及優點將會變得更明顯。
圖式說明：
第一圖
係為本創作之發光二極體晶片之複合陣列微透鏡
一種發光二極體晶片之複合陣列微透鏡之新型系統，包含：一基板1其上置有一第一透鏡2；一第一透鏡2其上置有一緩衝層3；一緩衝層3其上置有一N-型半導體4；一N-型半導體4其上置有一量子井5；一量子井5其上置有一P-型半導體6；一P-型半導體6其上置有一第二透鏡7；
一第二透鏡7；其特徵為第一透鏡2及第二透鏡7構成複合陣列微透鏡，其結構經過優化合乎最佳化之設計用以控制出光強度及光形。
其基板1可為藍寶石、碳化矽、三五族之半導體材料、矽晶圓。
其第一透鏡2為利用黃光製成曝光、顯影、蝕刻的方式製作出來，其為結構可為三面金字塔型、四面金自塔型、光柵型、半圓形、梯形等任何幾何形狀。
其緩衝層3為三五族材料，為增加磊晶的品質。
其N-型半導體4為三五族材料，參雜矽變成N-型半導體4。
其P-型半導體6為三五族材料，參雜鎂變成P-型半導體6。
其量子井5為發光二極體晶片通順向偏壓時發光的位置。
其第二透鏡7為利用聚二甲基矽氧烷製作所設計結構的軟性模具，塗上折射率1.9的高分子材料，最後再利用壓印技術，印在晶片表面，其為結構可為三面金字塔型、四面金自塔型、光柵型、半圓形、梯形等任何幾何形狀。
其第一透鏡2及第二透鏡7構成複合陣列微透鏡，其結構經過優化合乎最佳化之設計用以控制出光強度及光形。
1‧‧‧基板
2‧‧‧第一透鏡
3‧‧‧緩衝層
4‧‧‧N-型半導體
5‧‧‧量子井
6‧‧‧P-型半導體
7‧‧‧第二透鏡
Claims (8)
- 一種發光二極體晶片之複合陣列微透鏡，包含：一基板其上置有一第一透鏡；一第一透鏡其上置有一緩衝層；一緩衝層其上置有一N-型半導體；一N-型半導體其上置有一量子井；一量子井其上置有一P-型半導體；一P-型半導體其上置有一第二透鏡；一第二透鏡；其特徵為第一透鏡及第二透鏡構成複合陣列微透鏡，其結構經過優化合乎最佳化之設計用以控制出光強度及光形。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之複合陣列微透鏡，其基板可為藍寶石、碳化矽、三五族之半導體材料、矽晶圓。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之複合陣列微透鏡，其第一透鏡為利用黃光製成曝光、顯影、蝕刻的方式製作出來，其為結構可為三面金字塔型、四面金自塔型、光柵型、半圓形、梯形等任何幾何形狀。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之複合陣列微透鏡，其緩衝層為三五族材料，為增加磊晶的品質。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之複合陣列微透鏡，其N-型半導體為三五族材料，參雜矽變成N-型半導體。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之複合陣列微透鏡，其P-型半導體為三五族材料，參雜鎂變成P-型半導體。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之複合陣列微透鏡，其量子井為發光二極體晶片通順向偏壓時發光的位置。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之複合陣列微透鏡，其第二透鏡為利用聚二甲基矽氧烷製作所設計結構的軟性模具，塗上折射率1.9的高分子材料，最後再利用壓印技術，印在晶片表面，其為結構可為三面金字塔型、四面金自塔型、光柵型、半圓形、梯形等任何幾何形狀。
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|---|---|---|---|
| TW101222542U TWM478909U (zh) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 發光二極體晶片之複合陣列微透鏡 |
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| TW101222542U TWM478909U (zh) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 發光二極體晶片之複合陣列微透鏡 |
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| Publication Number | Publication Date |
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ID=51296263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101222542U TWM478909U (zh) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 發光二極體晶片之複合陣列微透鏡 |
Country Status (1)
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| TW (1) | TWM478909U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWD195624S (zh) | 2017-09-27 | 2019-01-21 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 半導體元件用構件 |
| TWD195586S (zh) | 2017-09-27 | 2019-01-21 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 半導體元件用構件 |
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2012
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| USD864882S1 (en) | 2017-09-27 | 2019-10-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Part for semiconductor device |
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