TWM459537U - 具有旁波抑制結構的導波管 - Google Patents

Description

具有旁波抑制結構的導波管

本創作係與導波管有關，特別是關於一種具有旁波抑制結構的導波管。

導波管為訊號傳輸裝置(例如衛星電視天線等等)之一構件，係用以接收一或複數特定頻帶之訊號，以將訊號饋送至訊號處理器，進而傳送至用戶端；或者，導波管亦可反方向地將經過處理之一或複數特定頻帶之訊號發送出去。

為了避免導波管之開口外周產生邊緣繞射而降低交叉極化波(cross polarization)與主極化波(co-polarization)之隔離度，有些導波管之內壁面會設有許多旁波抑制結構，例如美國專利編號為US3413642及US3754273之專利案所提供者，各該旁波抑制結構係呈環形且係自導波管之內壁面凸出或凹陷。然而，此種設計之旁波抑制結構係一體成型於導波管之內壁面，因此製造上較為困難。

另外，有些導波管之旁波抑制結構係自其外壁面延伸而出，並類似同心圓地環繞於導波管之開口外側，例如我國專利編號為I223469之專利案所提供之導波管，其開口外側即設有二層旁波抑制結構。如此之設計雖然較前述旁波抑制結構設於內壁面之設計更容易製造，但會使得導波 管之體積較大而降低其使用便利性；而且，為了產生良好的旁波抑制效果，此種導波管通常具有二層以上的旁波抑制結構，但旁波抑制結構之數量越多，導波管之體積則越大。尤其，對於設有複數通道以接收複數頻帶之訊號的導波管而言，要在各該通道之開口外側皆設置二層以上的旁波抑制結構更會使得導波管之體積相當大而不便使用。

有鑑於上述缺失，本創作之主要目的在於提供一種具有旁波抑制結構的導波管，係容易製造且體積小者。

為達成上述目的，本創作所提供之具有旁波抑制結構的導波管包含有至少一導波單元，該導波單元包含有一管體，以及至少一傾斜旁波抑制結構；該管體具有一開口，且能定義出一實質上垂直地通過該開口之中心軸線；該傾斜旁波抑制結構係設於該管體外側，具有一面對該管體之內壁面，且該內壁面係自其一第一端相對該中心軸線傾斜地延伸至一第二端，該第一端係較該第二端更遠離該管體之開口且更接近該中心軸線。

藉此，由於該傾斜旁波抑制結構係設於該管體外側而非內側，因此該導波管容易製造；而且，該傾斜旁波抑制結構之該內壁面係傾斜地朝向該管體之開口，因而可將部分之電波反射至該開口外一預定距離，並使得反射波與未反射之交叉極化波相位差180度，進而使得反射波與未反射之交叉極化波相互抵銷，如此一來，該導波管能藉由體積較小的旁波抑制結構而達到良好的旁波抑制效果，因此該導波管能具有較小的體積且較容易製造。

有關本創作所提供之具有旁波抑制結構的導波管的詳細構 造、特點、組裝或使用方式，將於後續的實施方式詳細說明中予以描述。然而，在本創作領域中具有通常知識者應能瞭解，該等詳細說明以及實施本創作所列舉的特定實施例，僅係用於說明本創作，並非用以限制本創作之專利申請範圍。

10‧‧‧導波管

12‧‧‧導波單元

122‧‧‧導波空間

20‧‧‧管體

21‧‧‧第一區段

22‧‧‧第二區段

23‧‧‧開口

232‧‧‧長邊

234‧‧‧短邊

30‧‧‧傾斜旁波抑制結構

32‧‧‧內壁面

321‧‧‧第一端

322‧‧‧第二端

34‧‧‧延伸面

40‧‧‧導波管

42‧‧‧導波單元

50‧‧‧平行旁波抑制結構

52‧‧‧內壁面

60‧‧‧導波管

70‧‧‧導波單元

71‧‧‧開口

θ‧‧‧夾角

L1‧‧‧中心軸線

L2‧‧‧長軸

L3‧‧‧短軸

第1圖為本創作一第一較佳實施例所提供之具有旁波抑制結構的導波管之立體圖；第2圖為本創作該第一較佳實施例所提供之具有旁波抑制結構的導波管之端視圖；第3圖為第2圖沿剖線3-3之立體剖視圖；第4圖為第2圖沿剖線3-3之平面剖視圖；第5圖為本創作一第二較佳實施例所提供之具有旁波抑制結構的導波管之立體圖；第6圖為本創作該第二較佳實施例所提供之具有旁波抑制結構的導波管之端視圖；第7圖為第6圖沿剖線7-7之剖視圖；第8圖為第6圖沿剖線8-8之剖視圖；第9圖為本創作一第三較佳實施例所提供之具有旁波抑制結構的導波管之立體圖；以及第10圖為本創作該第三較佳實施例所提供之具有旁波抑制結構的導波管之端視圖。

申請人首先在此說明，在以下將要介紹之實施例以及圖式 中，相同之參考號碼，表示相同或類似之元件或其結構特徵。

請先參閱第1圖至第4圖，本創作一第一較佳實施例所提供之具有旁波抑制結構的導波管10包含有一導波單元12，該導波單元12包含有一管體20，以及二傾斜旁波抑制結構30。

在本創作中，單一導波單元係包含一用以供一特定頻帶之訊號波通過的導波空間(例如導波單元12之導波空間122)、一形成該導波空間之主結構(例如管體20)，以及至少一對應該主結構之旁波抑制結構(例如傾斜旁波抑制結構30)；意即，若一導波管具有二導波空間，則該導波管具有二導波單元，以此類推。

該管體20包含有一截面內輪廓呈圓形且內徑固定之第一區段21、一自該第一區段21一端延伸而出且截面內輪廓長度漸增之第二區段22，以及一位於該第二區段22一端之開口23。該管體20能定義出一實質上垂直地通過該開口23之中心軸線L1，該開口23係呈長形而能以其距離最大之二點的連線定義為一長軸L2。

該二傾斜旁波抑制結構30係一體地連接於該管體20外側，且係分別位於該長軸L2之二端。各該傾斜旁波抑制結構30具有一面對該管體20之內壁面32，且該內壁面32係自其一第一端321相對該中心軸線L1傾斜地延伸至一第二端322，該第一端321係較該第二端322更遠離該管體20之開口23且更接近該中心軸線L1。如此一來，各該傾斜旁波抑制結構30之內壁面32的一延伸面34係與該中心軸線L1相交而形成一夾角θ，該夾角θ係以大於等於30度且小於等於60度為最佳。

藉此，各該傾斜旁波抑制結構30之內壁面32係傾斜地朝向 該管體20之開口23，因而可將部分之電波反射至該開口23外一預定距離，並使得反射波與未反射之交叉極化波相位差180度，進而使得反射波與未反射之交叉極化波相互抵銷；如此一來，雖然該導波管10之開口23二側各只有一層旁波抑制結構，但能達到良好的旁波抑制效果，且該導波管10具有較小的體積且較容易製造。

請參閱第5圖至第8圖，本創作一第二較佳實施例所提供之具有旁波抑制結構的導波管40包含有一導波單元42，該導波單元42除了包含有與前述該第一較佳實施例所述者類同之一管體20及二傾斜旁波抑制結構30，更包含有二設於該管體20外側之平行旁波抑制結構50。

該管體20之開口23能定義出一垂直於長軸L2之短軸L3，該二平行旁波抑制結構50係分別位於該短軸L3之二端，各該平行旁波抑制結構50面對該管體20之內壁面52係實質上平行於該中心軸線L1；藉此，該二平行旁波抑制結構50能使該導波管40產生較該導波管10更良好之旁波抑制效果。

在前述二實施例中，該管體20之開口23具有二呈直線之長邊232，以及二呈弧線之短邊234；在該第一較佳實施例中，該二傾斜旁波抑制結構30係分別位於該二短邊234外側；在該第二較佳實施例中，該二傾斜旁波抑制結構30係分別位於該二短邊234外側，該二平行旁波抑制結構50係分別位於該二長邊232外側。本創作所提供之導波管的開口形狀並不以此前述者為限且亦不限為長形；然而，對於長形開口之設計而言(例如橢圓形開口)，將傾斜旁波抑制結構30設於長軸二端，以及將平行旁波抑制結構50設於短軸二端，係為較佳之設計。

藉由前述內容可得知，本創作所提供之導波管的主要特點在於設有傾斜旁波抑制結構30，以藉由其相對該中心軸線L1傾斜之內壁面32而獲得較佳之旁波抑制效果，因此該傾斜旁波抑制結構30之位置及數量並無限制，例如單一導波單元亦可僅設有單一傾斜旁波抑制結構，且該傾斜旁波抑制結構及其傾斜之內壁面係環繞該管體。

本創作所提供之具有旁波抑制結構的導波管亦可具有複數導波單元，例如第9圖及第10圖所示之本創作一第三較佳實施例所提供之導波管60。該導波管60包含有三導波單元70，該等導波單元70之開口71係呈長形，且其長軸L2係實質上相互平行，該等導波單元70係沿著實質上垂直於該等長軸L2之方向排列。該等導波單元70除了分別具有二位於其長軸L2二端之傾斜旁波抑制結構30，其中二導波單元70更分別具有一平行旁波抑制結構50。藉此，該導波管60不但可用以接收或發送三特定頻帶之訊號，以及具有體積小及容易製造等優點，更能有效地避免導波管之外周產生邊緣繞射而降低交叉極化波與主極化波之隔離度。

最後，必須再次說明，本創作於前揭實施例中所揭露的構成元件，僅為舉例說明，並非用來限制本案之範圍，其他等效元件的替代或變化，亦應為本案之申請專利範圍所涵蓋。

10‧‧‧導波管

12‧‧‧導波單元

122‧‧‧導波空間

20‧‧‧管體

21‧‧‧第一區段

22‧‧‧第二區段

23‧‧‧開口

30‧‧‧傾斜旁波抑制結構

32‧‧‧內壁面

Claims (12)

1. 一種具有旁波抑制結構的導波管，包含有至少一導波單元，該導波單元包含有：一管體，具有一開口，且能定義出一實質上垂直地通過該開口之中心軸線；以及至少一傾斜旁波抑制結構，係設於該管體外側，該傾斜旁波抑制結構具有一面對該管體之內壁面，且該內壁面係自其一第一端相對該中心軸線傾斜地延伸至一第二端，該第一端係較該第二端更遠離該管體之開口且更接近該中心軸線。
2. 如申請專利範圍第1項所述之具有旁波抑制結構的導波管，其中該導波單元包含有二該傾斜旁波抑制結構，該管體之開口係呈長形而能以其距離最大之二點的連線定義為一長軸，該二傾斜旁波抑制結構係位於該長軸二端。
3. 如申請專利範圍第2項所述之具有旁波抑制結構的導波管，其中該導波單元更包含有二設於該管體外側之平行旁波抑制結構，各該平行旁波抑制結構具有一面對該管體且實質上平行於該中心軸線之內壁面，該管體之開口能定義出一與該長軸相交之短軸，且該二平行旁波抑制結構係位於該短軸二端。
4. 如申請專利範圍第2項所述之具有旁波抑制結構的導波管，其中該管體之開口具有二長邊及二短邊，該二傾斜旁波抑制結構係分別位於該二短邊外側。
5. 如申請專利範圍第4項所述之具有旁波抑制結構的導波管，其中該導波單元更包含有二分別設於該管體之該二長邊外側的平行旁波抑制結構，各該平行旁波抑制結構具有一面對該管體且實質上平行於該中心軸線之內壁面。
6. 如申請專利範圍第1項所述之具有旁波抑制結構的導波管，其中該傾斜旁波抑制結構及其該內壁面係環繞該管體。
7. 如申請專利範圍第6項所述之具有旁波抑制結構的導波管，其中該管體之開口係呈長形而能以其距離最大之二點的連線定義為一長軸。
8. 如申請專利範圍第2、3、4、5及7項中任一項所述之具有旁波抑制結構的導波管，包含有複數該導波單元，該等導波單元之開口的長軸係實質上相互平行，且該等導波單元係沿著實質上垂直於該等長軸之方向排列。
9. 如申請專利範圍第8項所述之具有旁波抑制結構的導波管，其中該傾斜旁波抑制結構之內壁面的一延伸面係與其所屬之導波單元的管體之中心軸線相交而形成一夾角，且該夾角係大於等於30度且小於等於60度。
10. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之具有旁波抑制結構的導波管，其中該傾斜旁波抑制結構之內壁面的一延伸面係與其所屬之導波單元的管體之中心軸線相交而形成一夾角，且該夾角係大於等於30度且小於等於60度。
11. 如申請專利範圍第10項所述之具有旁波抑制結構的導波管，包含有複數該導波單元。
12. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之具有旁波抑制結構的導波管，包含有複數該導波單元。