TWM459503U - 高壓變壓器結構 - Google Patents

Description

高壓變壓器結構

本案係關於一種變壓器結構，尤指一種高壓變壓器結構。

高壓變壓器係作為開關變換器中的關鍵組件，對於X光管驅動電源和高壓靜電除塵電源等高壓電源尤其重要。

請參閱第1A圖，其係為習知高壓電路之電路示意圖，如圖所示，習知高壓電路1係接收一交流電壓Vin，且包含高壓變壓器T以及由電容Cr、電容Co、二極體D1、D2所組成之倍壓整流電路，其中高壓變壓器T包含一原邊繞組Np以及一副邊繞組Ns，原邊繞組Np係為低壓繞組，而副邊繞組Ns為高壓繞組，可由多個繞組串接組成，例如：Ns1、Ns2、Ns3、Ns4、Ns5，且繞組電位依次增加，以串聯構成副邊繞組Ns，交流電壓Vin係作用於變壓器T之原邊繞組Np，經由副邊繞組Ns的升壓，以及倍壓整流電路進行倍壓及整流處理後即可產生一輸出電壓Vo。

而高壓電路1為了獲得高電壓輸出，需要藉由增加高壓變壓器T的高壓繞組的匝數，即增加副邊繞組Ns的匝數，以增加高壓繞組與低壓繞組之間的匝比，請參閱第1B圖，其係為第1A圖所示之高壓變壓器T之部分剖面結構示意圖，如圖所示，高壓變壓器T包含原邊繞線架11、副邊繞線架12以及鐵芯13，而副邊繞線架12具有複數個繞線槽121、122、123、124、125，部分鐵芯13裝配在原邊繞線架11內側，原邊繞線架11裝配在副邊繞線架12內側，原邊繞組Np繞在原邊繞線架11，副邊繞組Ns1至Ns5依次自下而上地繞在副邊繞線架12的5個繞線槽中121～125，請配合參閱第1A圖，第1B圖所示之高壓變壓器T的副邊繞組Ns1為低電壓繞組部分，副邊繞組Ns1的起始端與副邊的接地端連接，副邊繞組Ns5為高電壓繞組部分，副邊繞組Ns5的末端為高壓變壓器T的最高電位跳變點，與倍壓整流電路連接，最後產生一輸出電壓Vo。

然而，根據第1B圖所示之高壓變壓器T結構，副邊繞組Ns1～Ns5到原邊繞組Np的距離均相同，由於副邊繞組Ns1～Ns5所產生的電壓係由下而上依次上升，使得低電壓副邊繞組Ns1與原邊繞組Np的電壓差遠遠低於高電壓副邊繞組Ns5到原邊繞組Np的電壓差，對於電壓應力和絕緣處理不利，並且由於副邊繞組Ns5的高電壓作用，使得副邊繞組Ns5與原邊繞組Np間存儲非常高的電場強度和電場能量，容易導致高壓變壓器T發生高電壓電擊穿和放電的情況，而使得高壓變壓器T的原邊繞組Np與副邊繞組Ns之間的等效寄生電容過大。 　

習知為了解決上述高壓變壓器T的原邊繞組Np與副邊繞組Ns之間的電場強度和寄生電容過大的問題，係採用將副邊繞線架12的半徑R加大的方式（如第1B圖所示），以增加原邊繞組Np與副邊繞組Ns之間的距離，雖然可達到解決原邊繞組Np與副邊繞組Ns之間的電場強度和寄生電容過大的問題，但是確會導致原邊繞組Np與副邊繞組Ns之間的漏感增加，而使得高壓變壓器T的電磁轉換效率下降。

因此，如何發展一種可降低漏感及等效寄生電容以及提高耐壓及絕緣能力之高壓變壓器結構，實為目前迫切需要解決之問題。

本案之主要目的在於提供一種高壓變壓器結構，俾解決習知高壓變壓器之副邊繞組到原邊繞組的距離均相同，對於電壓應力和絕緣處理不利，以及原邊繞組與副邊繞組之間的等效寄生電容過大，雖然習知採用將副邊繞線架的半徑加大的方式以增加原邊繞組與副邊繞組之間的距離，但是會導致原邊繞組與副邊繞組之間的漏感增加，而發生高壓變壓器的電磁轉換效率下降等缺點。

為達上述目的，本案之一較廣義實施態樣為提供一種高壓變壓器結構，至少包含：一第一繞線架；一初級繞組，其係纏繞於該第一繞線架上；一第二繞線架，具有複數個繞線槽和一貫穿通道，該第一繞線架係設置於該貫穿通道中，該貫穿通道之兩端係分別為一第一開口和一第二開口，該第二開口係大於該第一開口，且該貫穿通道中係具有對應於最靠近該第二開口之該繞線槽的一第三開口，以及對應於次靠近該第二開口之該繞線槽的一第四開口；一次級繞組，其係由複數個次級繞線所串聯構成，且該複數個次級繞線係分別纏繞於對應之該複數個繞線槽上；其中，該第三開口係大於該第四開口，且該複數個繞線槽與該初級繞組之間的距離係隨著纏繞於該繞線槽之該次級繞線所產生之電位的增加而增加。

1、3‧‧‧高壓電路
11‧‧‧原邊繞線架
12‧‧‧副邊繞線架
121、122、123、124、125‧‧‧繞線槽
13‧‧‧鐵芯
2、4‧‧‧高壓變壓器結構
21、45、47‧‧‧第一繞線架
22、46、48、49、50‧‧‧第二繞線架
221、222、223、224、225、461、462、463、464、465、481、482、483、484、485、4911、4912、4913、4914、4915、4916、4917、4918、4919、4920‧‧‧繞線槽
226、4921‧‧‧貫穿通道
2261、4922‧‧‧第一開口
2262、4923‧‧‧第二開口
O1、O6‧‧‧第三開口
O2、O7‧‧‧第四開口
O3、O8‧‧‧第五開口
O4、O9‧‧‧第六開口
O5、O10‧‧‧第七開口
23、44‧‧‧鐵芯
24、41‧‧‧初級繞組
25‧‧‧次級繞組
251、252、253、254、255、421、422、423、424、425、431、432、433、434、435‧‧‧次級繞線
26‧‧‧屏蔽元件
42‧‧‧第一次級繞組
43‧‧‧第二次級繞組
4a‧‧‧第一單元
4b‧‧‧第二單元
Vo、Vo1‧‧‧輸出電壓
Np‧‧‧原邊繞組
Ns、Ns1、Ns2、Ns3、Ns4、Ns5‧‧‧副邊繞組
T‧‧‧高壓變壓器
Cr、Co、Cr1、Cr2、Co1‧‧‧電容
D1、D2、D3、D4、 D5、D6‧‧‧二極體
Vin‧‧‧交流電壓
R‧‧‧半徑

第1A圖係為習知高壓電路之電路示意圖。
第1B圖係為第1A圖所示之高壓變壓器T之部分剖面結構示意圖。
第2A圖係為本案第一較佳實施例之高壓變壓器結構之剖面示意圖。
第2B圖係為第2A圖中所示之次級繞組纏繞於第二繞線架之剖面結構示意圖。
第3圖係為本案第二較佳實施例之高壓變壓器結構之剖面示意圖。
第4圖係為本案高壓變壓器結構所適用之另一高壓電路之電路示意圖。
第5圖係為第4圖所示之高壓變壓器結構之一較佳實施例之剖面示意圖。
第6圖係為第4圖所示之高壓變壓器結構之另一較佳實施例之部分剖面示意圖。

體現本案特徵與優點的一些典型實施例將在後段的說明中詳細敘述。應理解的是本案能夠在不同的態樣上具有各種的變化，其皆不脫離本案的範圍，且其中的說明及圖示在本質上係當作說明之用，而非用以限制本案。

請參閱第2A圖，其係為本案第一較佳實施例之高壓變壓器結構之剖面示意圖，如圖所示，本實施例之高壓變壓器結構2可適用於第1A圖所示之高壓電路1中，即將本實施例之高壓變壓器結構2取代習知高壓變壓器T，至於高壓電路1的其它組成構件已詳述於先前技術中，於此不再贅述。

本實施例之高壓變壓器結構2包含第一繞線架21、第二繞線架22、鐵芯23、初級繞組24及次級繞組25，其中第一繞線架21係為高壓變壓器結構2之初級側繞線架，主要係用以供纏繞初級繞組24，而第二繞線架22則為高壓變壓器結構2之次級側繞線架，且具有複數個並列設置之繞線槽，請再參閱第2A圖，於本實施例中，將以第二繞線架22具有5個繞線槽221、222、223、224、225提出說明，當然本案第二繞線架22所包含的繞線槽的數量並不以此為限，可依實際需求改變。

本案之次級繞組25係由複數個次級繞線所串聯構成，於本實施例中，將以次級繞組25係由5個次級繞線251、252、253、254、255所串聯構成提出說明，當然本案次級繞組所包含的次級繞線的數量並不以此為限，可依實際需求改變。

於本實施例中，次級繞組25所包含之次級繞線251、252、253、254、255係分別纏繞於對應之繞線槽221、222、223、224、225上，且由次級繞線251、252、253、254、255所產生的電位係依次上升，即由下而上依次上升，即次級繞線251所產生的電位最低，而次級繞線255所產生的電位最高，另外，次級繞組251的一端係與一接地端連接而另一端則與次級繞線252串聯連接，次級繞線255的一端係與次級繞線254串聯連接而另一端則與倍壓整流電路（如第1A圖所示之由電容Cr、電容Co、二極體D1、D2所組成之倍壓整流電路）連接。而第一繞線架21係套設於部分之鐵芯23。

請再參閱第2A圖，本案之第二繞線架22所包含之繞線槽221-225與初級繞組24之間的距離係由下而上逐漸增加，即繞線槽221與初級繞組24之間的距離最小，而繞線槽225與初級繞組24之間的距離最大，使得第二繞線架22的形狀係呈現一喇叭狀結構（如第2A及2B圖所示）。

請參閱第2A及2B圖，其中第2B圖係為第2A圖中所示之次級繞組纏繞於第二繞線架之剖面結構示意圖，如第2B圖所示，本案之第二繞線架22更具有一貫穿通道226，第一繞線架21係設置於貫穿通道226中（如第2A圖所示），且貫穿通道226的兩端分別具有第一開口2261及第二開口2262，第一開口2261與第二開口2262係相對應設置，且第二開口2262係大於第一開口2261，於本實施例中，第一開口2261設置於貫穿通道226之底端，而第二開口2262設置於貫穿通道226之頂端。

另外，於貫穿通道226中更具有對應於最靠近第二開口2262之繞線槽225的一第三開口O1，即於貫穿通道226中具有第三開口O1且其係對應於最靠近第二開口2262之繞線槽225，於貫穿通道226中更具有對應於次靠近第二開口2262之繞線槽224的一第四開口O2，即於貫穿通道226中具有第四開口O2且其係對應於次靠近第二開口2262之繞線槽224，以及於貫穿通道226中更具有第五開口O3、第六開口O4、第七開口O5，其中第五開口O3係對應於繞線槽223，第六開口O4係對應於繞線槽222，第七開口O5係對應於繞線槽221，其中，第三開口O1係大於第四開口O2，第四開口O2係大於第五開口O3，第五開口O3係大於第六開口O4，第六開口O4係等於第七開口O5，但第六開口O4與第七開口O5之間的關係並不以此為限，亦可為第六開口O4大於第七開口O5。請再參閱第2B圖，第三開口O1、第四開口O2以及第五開口O3之間係構成一斜面，但不以此為限，亦可以是曲面、階梯狀或是其它形狀。

再者，本案之第二繞線架22所包含之繞線槽221-225與初級繞組24之間的距離係隨著纏繞於繞線槽221-225之次級繞線251-255所產生之電位的增加而增加，由於次級繞線255產生的電位最高，因此次級繞線255到初級繞組24的距離最大，即用以供纏繞次級繞線255之繞線槽225的圓周半徑最大，而由於次級繞線251產生的電位最低，因此次級繞線251到初級繞組24的距離最小，即用以供纏繞次級繞線251之繞線槽221的圓周半徑最小，第二繞線架22的下部分半徑小，上部分半徑大，使得第二繞線架22的形狀係呈現一喇叭狀結構（如第2A及2B圖所示）。

請參閱第3圖，其係為本案第二較佳實施例之高壓變壓器結構之剖面示意圖，於一些實施例中，本案之高壓變壓器結構2更可包含屏蔽元件26，主要用以改善次級繞組25的高電壓對初級繞組24的電氣作用，屏蔽元件26可由銅箔所構成，且貼付於初級繞組24之外表面並設置於第一繞線架21，即位於初級繞組24與第二繞線架22之間，而屏蔽元件26係與一固定電位點連接，其中該固定電位點可為高壓變壓器結構2之次級側的一接地端或是一高壓電位點。

請再參閱第2A圖、第2B圖及第3圖，本案之高壓變壓器結構2藉由第二繞線架22所包含之繞線槽221-225與初級繞組24之間的距離係隨著纏繞於繞線槽221-225之次級繞線251-255所產生之電位的增加而增加，使得供纏繞產生最低電位之次級繞線251的繞線槽221與初級繞組24之間的距離最小，而供纏繞產生最高電位之次級繞線255的繞線槽225與初級繞組24之間的距離最大，因此次級繞線255到初級繞組24的距離最大，而次級繞線251到初級繞組24的距離最小，可藉由減小次級繞線251到初級繞組24的距離來降低漏感，並藉由依序增加用以產生高電壓之次級繞線253、254、255到初級繞組24的距離，來降低初級繞組24與次級繞組25之間的電場強度和等效寄生電容。

再者，當本案高壓變壓器結構2浸泡在高壓絕緣的礦物油中時，喇叭型的第二繞線架22結構可以有效提高油介質在初級繞組24與次級繞組25之間的流動空間及流動性，改善電場分佈，以降低初級繞組24與次級繞組25之間高電壓放電的問題。

請參閱第4圖，其係為本案高壓變壓器結構所適用之另一高壓電路之電路示意圖，如圖所示，高壓電路3係接收一交流電壓Vin，且包含高壓變壓器結構4以及由電容Cr1、電容Cr2、電容Co1、二極體D3、D4、 D5、D6所組成之倍壓整流電路，其中高壓變壓器結構4包含一初級繞組41、第一次級繞組42以及第二次級繞組43，初級繞組41係為低壓繞組，而第一次級繞組42及第二次級繞組43為高壓繞組，且第一次級繞組42與第二次級繞組43之間係串聯連接，交流電壓Vin係作用於高壓變壓器結構4之初級繞組41，經由第一次級繞組42及第二次級繞組43的升壓，以及倍壓整流電路進行倍壓及整流處理後即可產生一輸出電壓Vo1。

於本實施例中，高壓電路3係為採用高壓變壓器結構4的次級繞組為中心抽頭的倍壓電路，第一次級繞組42具有接倍壓整流電路的高壓跳變點A，而第二次級繞組43具有接一接地端之接地連接點B。

請參閱第5圖，其係為第4圖所示之高壓變壓器結構之一較佳實施例之剖面示意圖，如圖所示，本實施例之高壓變壓器結構4可由第2A圖所示之結構組合設置而成，本實施例之高壓變壓器結構4包含第一單元4a及第二單元4b，第一單元4a與第二單元4b分別繞在鐵芯44的兩側，第一單元4a包含初級繞組41、第一次級繞組42、第一繞線架45及第二繞線架46，第二單元4b則包含初級繞組41、第二次級繞組43、第一繞線架47及第二繞線架48，且第一次級繞組42可由5個次級繞線421、422、423、424、425所串聯構成，第二繞線架46可具有5個繞線槽461、462、463、464、465，當然上述次級繞線及繞線槽的數量並不以此為限，第一次級繞組42所包含之次級繞線421、422、423、424、425係分別纏繞於對應之繞線槽461、462、463、464、465上，且由次級繞線421、422、423、424、425所產生的電位係依次上升，第二繞線架46所包含之繞線槽461-465與初級繞組41之間的距離係隨著纏繞於繞線槽461-465之次級繞線421-425所產生之電位的增加而增加，即供纏繞產生最低電位之次級繞線421的繞線槽461與初級繞組41之間的距離最小，而供纏繞產生最高電位之次級繞線425的繞線槽465與初級繞組41之間的距離最大。

第二單元4b之第二次級繞組43可由5個次級繞線431、432、433、434、435所串聯構成，第二繞線架48可具有5個繞線槽481、482、483、484、485，當然上述次級繞線及繞線槽的數量並不以此為限，第二次級繞組43所包含之次級繞線431、432、433、434、435係分別纏繞於對應之繞線槽481、482、483、484、485上，且由次級繞線431、432、433、434、435所產生的電位係依次上升，第二繞線架48所包含之繞線槽481-485與初級繞組41之間的距離係隨著纏繞於繞線槽481-485之次級繞線431-435所產生之電位的增加而增加，即供纏繞產生最低電位之次級繞線431的繞線槽481與初級繞組41之間的距離最小，而供纏繞生最高電位之次級繞線435的繞線槽485與初級繞組41之間的距離最大。

請參閱第6圖，其係為第4圖所示之高壓變壓器結構之另一較佳實施例之部分剖面示意圖，如圖所示，本實施例之高壓變壓器結構4的第一次級繞組42以及第二次級繞組43係繞設於同一第二繞線架49上，第二繞線架49可具有10個繞線槽4911、4912、4913、4914、4915、4916、4917、4918、4919、4920，第一次級繞組42所包含之次級繞線421、422、423、424、425係分別纏繞於對應之繞線槽4911、4912、4913、4914、4915上，且由次級繞線421、422、423、424、425所產生的電位係依次上升，第二繞線架49所包含之繞線槽4911-4915與初級繞組41之間的距離係隨著纏繞於繞線槽4911-4915之次級繞線421-425所產生之電位的增加而增加，即供纏繞產生最低電位之次級繞線421的繞線槽4911與初級繞組41之間的距離最小，而供纏繞產生最高電位之次級繞線425的繞線槽4915與初級繞組41之間的距離最大。

而第二次級繞組43所包含之次級繞線431、432、433、434、435係分別纏繞於對應之繞線槽4916、4917、4918、4919、4920上，且由次級繞線431、432、433、434、435所產生的電位係依次上升，第二繞線架49所包含之繞線槽4916-4920與初級繞組41之間的距離係隨著纏繞於繞線槽4916-4920之次級繞線431-435所產生之電位的增加而增加，即供纏繞產生最低電位之次級繞線431的繞線槽4916與初級繞組41之間的距離最小，而供纏繞生最高電位之次級繞線435的繞線槽4920與初級繞組41之間的距離最大。

於本實施例中，第二繞線架49更具有一貫穿通道4921，第一繞線架50係設置於貫穿通道4921中（如第6圖所示），且貫穿通道4921的兩端分別具有第一開口4922及第二開口4923，且該貫穿通道4921之中央區域具有一第三開口O6，第一開口4922與第二開口4923係相對應設置，且第一開口4922及第二開口4923係大於第三開口O6，於本實施例中，第一開口4922設置於貫穿通道4921之底端，而第二開口4923設置於貫穿通道4921之頂端。

另外，於貫穿通道4921中更具有對應於最靠近第一開口4922之繞線槽4920的一第四開口O7，即於貫穿通道4921中具有第四開口O7且其係對應於最靠近第一開口4922之繞線槽4920，於貫穿通道4921中更具有對應於次靠近第一開口4922之繞線槽4919的一第五開口O8，即於貫穿通道4921中具有第五開口O8且其係對應於次靠近第一開口4922之繞線槽4919，其中，第四開口O7係大於第五開口O8。

於貫穿通道4921中更具有對應於最靠近第二開口4923之繞線槽4915的一第六開口O9，即於貫穿通道4921中具有第六開口O9且其係對應於最靠近第二開口4923之繞線槽4915，於貫穿通道4921中更具有對應於次靠近第二開口4923之繞線槽4914的一第七開口O10，即於貫穿通道4921中具有第七開口O10且其係對應於次靠近第二開口4923之繞線槽4914，其中，第六開口O9係大於第七開口O10。

請再參閱第5及6圖，本案之高壓變壓器結構4中第一次級繞組42與第二次級繞組43設置在第二繞線架的高壓區到初級繞組41的距離分別大於相應第二繞線架的低壓區到初級繞組41的距離，可達到降低初級繞組41與第一次級繞組42與第二次級繞組43之間的電場強度和等效寄生電容的功效，以提高油介質在初級繞組41與第一次級繞組42與第二次級繞組43之間的流動空間及流動性，改善電場分佈，以降低初級繞組41與第一次級繞組42與第二次級繞組43之間高電壓放電的問題。

綜上所述，本案之高壓變壓器結構藉由於第二繞線架中設置一貫穿通道，且貫穿通道之兩端係分別為一第一開口和一第二開口，第二開口係大於第一開口，且該貫穿通道中對應於最靠近第二開口之繞線槽的第三開口係大於對應於次靠近第二開口之繞線槽的第四開口，以使第二繞線架呈一喇叭狀結構。

另外，將第二繞線架所包含之複數個繞線槽與初級繞組之間的距離係隨著纏繞於繞線槽之次級繞線所產生之電位的增加而增加，可使得供纏繞產生最低電位之次級繞線的繞線槽與初級繞組之間的距離最小，而供纏繞產生最高電位之次級繞線的繞線槽與初級繞組之間的距離最大，即產生最高電位之次級繞線到初級繞組的距離最大，而產生最低電位之次級繞線到初級繞組的距離最小，如此即可藉由減小產生最低電位之次級繞線到初級繞組的距離來降低漏感，並藉由依序增加產生高電壓之其它次級繞線到初級繞組的距離，來降低初級繞組與次級繞組之間的電場強度和等效寄生電容。

本案得由熟知此技術之人士任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。

2‧‧‧高壓變壓器結構

21‧‧‧第一繞線架

22‧‧‧第二繞線架

221、222、223、224、225‧‧‧繞線槽

226‧‧‧貫穿通道

23‧‧‧鐵芯

24‧‧‧初級繞組

25‧‧‧次級繞組

251、252、253、254、255‧‧‧次級繞線

Claims (9)

1. 一種高壓變壓器結構，至少包含：
       一第一繞線架；
       一初級繞組，其係纏繞於該第一繞線架上；
       一第二繞線架，具有複數個繞線槽和一貫穿通道，該第一繞線架係設置於該貫穿通道中，該貫穿通道之兩端係分別為一第一開口和一第二開口，該第二開口係大於該第一開口，且該貫穿通道中係具有對應於最靠近該第二開口之該繞線槽的一第三開口，以及對應於次靠近該第二開口之該繞線槽的一第四開口；
       一次級繞組，其係由複數個次級繞線所串聯構成，且該複數個次級繞線係分別纏繞於對應之該複數個繞線槽上；
       其中，該第三開口係大於該第四開口，且該複數個繞線槽與該初級繞組之間的距離係隨著纏繞於該繞線槽之該次級繞線所產生之電位的增加而增加。
2. 如申請專利範圍第1項所述之高壓變壓器結構，其中該第二繞線架係呈現一喇叭狀結構。
3. 如申請專利範圍第1項所述之高壓變壓器結構，其中該複數個次級繞線中產生最低電位之該次級繞線係與一接地端連接且其與該初級繞組之間的距離係最小。
4. 如申請專利範圍第3項所述之高壓變壓器結構，其中該複數個次級繞線中產生最高電位之該次級繞線係與一倍壓整流電路連接且其與該初級繞組之間的距離係最大。
5. 如申請專利範圍第1項所述之高壓變壓器結構，其中該高壓變壓器結構更包含一屏蔽元件，其係設置於該初級繞組與該第二繞線架之間。
6. 如申請專利範圍第5項所述之高壓變壓器結構，其中該屏蔽元件係由銅箔所構成，並與一固定電位點連接。
7. 如申請專利範圍第6項所述之高壓變壓器結構，其中該固定電位點係為一接地端或是一高壓電位點。
8. 如申請專利範圍第1項所述之高壓變壓器結構，其中該高壓變壓器結構更包含一鐵芯，其係部分設置於該第一繞線架中。
9. 一種高壓變壓器結構，至少包含：
   　 一第一繞線架；
   　 一初級繞組，其係纏繞於該第一繞線架上；
   　 一第二繞線架，具有複數個繞線槽和一貫穿通道，該第一繞線架係設置於該貫穿通道中，該貫穿通道之兩端係分別為一第一開口和一第二開口，且該貫穿通道之中央區域係具有一第三開口，該第一開口及該第二開口係大於該第三開口，且該貫穿通道中係具有對應於最靠近該第一開口之該繞線槽的一第四開口，以及對應於次靠近該第一開口之該繞線槽的一第五開口，且該貫穿通道中係具有對應於最靠近該第二開口之該繞線槽的一第六開口，以及對應於次靠近該第二開口之該繞線槽的一第七開口；
       一次級繞組，其係由複數個次級繞線所串聯構成，且該複數個次級繞線係分別纏繞於對應之該複數個繞線槽上；
       其中，該第四開口係大於該第五開口，該第六開口係大於該第七開口，且該複數個繞線槽與該初級繞組之間的距離係隨著纏繞於該繞線槽之該次級繞線所產生之電位的增加而增加。