TWM452433U - 電感元件 - Google Patents
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Description
本創作係有關一種被動元件之設計,特別是關於一種結構簡化之SMD電感元件。
請同時參閱第1A圖及第1B圖,第1A圖係為習知電感元件之構件分解示意圖,第1B圖係為第1A圖之線圈示意圖。如圖所示,習知電感元件1包括外罩10、線圈11、磁芯12以及端子片13a、13b。外罩10具有凹部101,用以容置線圈11。二端子片13a、13b係分別設置於外罩10之罩緣,且該二端子片13a、13b之位置係相互對應。
線圈11具有中空部110,且該線圈11之二端部分別具有出線端111a、111b。磁芯12係設置於線圈11之中空部110,且線圈11係連同磁芯12一併設置於外罩10之凹部101內。
在第1B圖中,線圈11之出線端111a、111b係分別從線圈11向外延伸,且該二出線端111a、111b之間具有張放距離112。該張放距離112略大於該外罩10之凹部101之內徑,以使該線圈11設置於該凹部101時,該二出線端111a、111b分別緊緊接觸於外罩10之罩緣所設置之端子片13a、13b,使該線圈11與該端子片13a、13b藉由該出線端111a、111b電性連接。
此外,在該電感元件1中,有時候為了使出線端111a、111b與端子片13a、13b的接觸更為確實,可在出
線端111a、111b與端子片13a、13b設有焊點,以提高出線端111a、111b與端子片13a、13b之接觸。
上述的電感元件1,係藉由出線端111a、111b與端子片13a、13b的接觸而使原本為DIP件(Dual in-line package;雙排標準封裝)之電感能簡單且快速的轉變為SMD。但是為了轉變為SMD件而在外罩10之罩緣設置端子片13a、13b,無形中使該電感元件1之構件過多,若是再增加焊點會使得其結構更為複雜,而提高了製程中所耗費的成本。
因此,如何克服上述習知技術中,因為將DIP件轉換為SMD件,而造成構件過多的問題,實已成目前亟欲解決的課題。
鑑於上述習知技術之缺失,本創作係揭露一種電感元件,用以解決習知電感元件之構件過多的問題。
本創作所提供之電感元件,包括線圈、磁芯以及外罩。線圈係具有線圈本體、形成於該線圈本體兩末端之兩組電性連接部及形成於該線圈本體內之中空部,且該兩組電性連接部係平行於該中空部的延伸方向;磁芯係設置於該中空部內;外罩係包括具有凹部之表面,且該凹部周緣之該表面上具有二凹槽,該設置有磁芯的線圈係容置於該凹部內並外露該兩組電性連接部,且該兩組電性連接部分別容置於該二凹槽中。
上述之線圈可由一導線螺旋捲曲而形成該線圈本體
和該兩組電性連接部,而該兩組電性連接部可為該導線的兩末端分別彎折成平行於該中空部的延伸方向,且該兩組電性連接部朝相反方向延伸。
上述之二凹槽的位置係隔著該凹部而錯位相對應,且該兩組電性連接部係凸出或齊平於該二凹槽周緣之該表面。
另外,該外罩的凹部中填充有封裝材料以將該線圈和磁芯封裝於該外罩中。
由上可知,本創作所提供之電感元件,係藉由改變線圈之結構,直接以線圈之兩組電性連接部作為導接端子,以取代習知技術之端子片,藉此簡化了電感元件之組成構件,無形中也因此降低了製程中所耗費之成本。
以下藉由特定的具體實施例說明本創作之實施方式,熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本創作之其他優點及功效。
須知,本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示之內容,以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀,並非用以限定本創作可實施之限定條件,故不具技術上之實質意義,任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整,在不影響本創作所能產生之功效及所能達成之目的下,均應仍落在本創作所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時,本說明書中所引用之如“一”、“兩”、“上”等之用語,亦僅為便於敘述之明瞭,而
非用以限定本創作可實施之範圍,其相對關係之改變或調整,在無實質變更技術內容下,當亦視為本創作可實施之範疇。
請同時參閱第2圖與第3圖,第2圖為本創作之電感元件之分解示意圖,第3圖係為本創作之電感元件之組合示意圖。本創作之電感元件2包括有線圈20、磁芯21以及外罩22。
線圈20具有線圈本體、形成於該線圈本體兩末端之兩組電性連接部202a、202b、及形成於該線圈本體內之中空部201,其中,該二電性連接部202a、202b係平行於該中空部201的延伸方向(如第2圖所示之箭號I),且該兩組電性連接部202a、202b之間彼此朝相反方向延伸。至於磁芯21,如2圖所示為柱狀體,則設置於該線圈20之中空部201內。
須說明的是,該線圈20可由一導線螺旋捲曲而形成該線圈本體和該兩組電性連接部202a、202b,且該兩組電性連接部202a、202b可為該導線的兩末端分別彎折成平行於該中空部201的延伸方向。
外罩22可為一矩形體,且包括具有凹部221之表面220,該凹部221可容置線圈20和磁芯21。該凹部221的周緣之表面220具有二凹槽222a、222b,且該二凹槽222a、222b的位置為隔著該凹部221相對而錯位,該二凹槽222a、222b可用以容置該線圈20之兩組電性連接部202a、202b。
本創作於實際實施時,磁芯21係設置於該線圈20之中空部201內,再將線圈20連同磁芯21設置於外罩22之凹部221中。當線圈20尚未完全容置於外罩22之凹部221中時,線圈20之兩組電性連接部202a、202b分別對應於外罩22之二凹槽222a、222b;當線圈20和磁芯21完全容置於凹部221,兩組電性連接部202a、202b亦分別對應地容置於外罩22之二凹槽222a、222b中,且兩組電性連接部202a、202b之可凸出或齊平於凹部221周緣的表面220。
另外,該外罩22的凹部221中可填充有封裝材料(未圖式)以將該線圈20和磁芯21封裝於該外罩22中。
由於本創作之電感元件2係改變了線圈20之結構,直接利用線圈20之兩組電性連接部202a、202b作為導接端子,取代習知技術之端子片,藉此減少本創作之構件,進而降低製程所耗費的成本。而且,也無需為了增加線圈20與端子片的接觸而增加焊點,再次凸顯出本創作結構簡單之特點。
上述實施例係用以例示性說明本創作之原理及其功效,而非用於限制本創作。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本創作之精神及範疇下,對上述實施例進行修改。因此本創作之權利保護範圍,應如後述之申請專利範圍所列。
1、2‧‧‧電感元件
10、22‧‧‧外罩
101、221‧‧‧凹部
11、20‧‧‧線圈
110、201‧‧‧中空部
111a、111b‧‧‧出線端
112‧‧‧張放距離
12、21‧‧‧磁芯
13a、13b‧‧‧端子片
202a、202b‧‧‧電性連接部
220‧‧‧表面
222a、222b‧‧‧凹槽
第1A圖係為習知電感元件之構件分解示意圖;
第1B圖係為第1A圖之線圈示意圖;第2圖為本創作之電感元件的分解示意圖;以及第3圖為本創作之電感元件的組合示意圖。
2‧‧‧電感元件
20‧‧‧線圈
201‧‧‧中空部
202a、202b‧‧‧電性連接部
21‧‧‧磁芯
22‧‧‧外罩
220‧‧‧表面
221‧‧‧凹部
222a、222b‧‧‧凹槽
Claims (9)
- 一種電感元件,包括:線圈,係具有線圈本體、形成於該線圈本體兩末端之兩組電性連接部及形成於該線圈本體內之中空部,且該兩組電性連接部係平行於該中空部的延伸方向;磁芯,係設置於該中空部內;以及外罩,係包括具有凹部之表面,且該凹部周緣之該表面具有二凹槽,該設置有磁芯的線圈係容置於該凹部內並外露該兩組電性連接部,且該兩組電性連接部分別容置於該二凹槽中。
- 如申請專利範圍第1項所述之電感元件,其中,該外罩為一矩形體。
- 如申請專利範圍第2項所述之電感元件,其中,該二凹槽的位置係隔著該凹部而錯位相對應。
- 如申請專利範圍第1項所述之電感元件,其中,該線圈係由一導線螺旋捲曲而形成該線圈本體和該兩組電性連接部。
- 如申請專利範圍第4項所述之電感元件,其中,該兩組電性連接部係為該導線的兩末端分別彎折成平行於該中空部的延伸方向。
- 如申請專利範圍第1項所述之電感元件,其中,該兩組電性連接部係朝相反方向延伸。
- 如申請專利範圍第1項所述之電感元件,其中,該兩 組電性連接部係凸出或齊平於該二凹槽周緣之該表面。
- 如申請專利範圍第1項所述之電感元件,其中,該磁芯為柱狀體。
- 如申請專利範圍第1項所述之電感元件,其中,該外罩的凹部中填充有封裝材料以將該線圈和磁芯封裝於該外罩中。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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TW101222865U TWM452433U (zh) | 2012-11-26 | 2012-11-26 | 電感元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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TW101222865U TWM452433U (zh) | 2012-11-26 | 2012-11-26 | 電感元件 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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TWM452433U true TWM452433U (zh) | 2013-05-01 |
Family
ID=49078877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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TW101222865U TWM452433U (zh) | 2012-11-26 | 2012-11-26 | 電感元件 |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TWM452433U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10446315B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-15 | Wistron Corporation | Inductance element |
-
2012
- 2012-11-26 TW TW101222865U patent/TWM452433U/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10446315B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-15 | Wistron Corporation | Inductance element |
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