TWM445836U - 電磁干擾屏蔽結構 - Google Patents

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Description

電磁干擾屏蔽結構
本新型係有關一種抵抗電磁干擾的結構，用於電子裝置、線材及元件上，例如印刷電路板之電磁干擾屏蔽結構，特別有關用於軟性電子材料基板的抵抗電磁干擾的結構。
目前電子裝置朝向輕薄短小的方向發展，印刷電路板是電子裝置中不可或缺的材料，當然也須隨著朝向薄型化、高密度及高耐電壓的方向發展。因此，電磁干擾的問題，將成為電子產品輕薄短小化最大的議題。
一般電磁干擾屏蔽結構包含介電層及金屬層，如第二圖所示，電磁干擾屏蔽結構200包含一金屬層202，其材質例如銀、銅及鎳、在金屬層202上方的第二介電層204，例如軟質性環氧樹脂、在第二介電層204上方的第一介電層206，例如高耐磨性壓克力樹脂、在第一介電層206上方的保護層208、與軟性印刷電路板（FPC）接地迴路接合的導電黏著層210，以及用於保護導電黏著層防止受到外界環境污染的離型膜212。雖然上述電磁干擾屏蔽結構具有極佳的可彎曲性，但是如此的材質疊構設計仍然必須在電磁波來源處增加設計接地銅箔與導電黏著層黏接，一者增加保護層(COVERLAY)的成本，二者電磁干擾屏蔽結構增加導電膠之成本。
本新型之目的在於提供一種電磁干擾屏蔽結構，可以降低電磁干擾屏蔽結構的成本、減少電磁干擾屏蔽結構的厚度及減少FPC的工序。
為了達成上述本新型之目的，提出一種電磁干擾屏蔽結構，包含：第一金屬層、第二金屬層、介電層夾置於第一金屬層與第二金屬層之間、黏著層位於第二金屬層上，及離型膜位於黏著層上。
本新型之電磁干擾屏蔽結構可產生以下功效：
  1. 降低電磁干擾屏蔽結構的成本方面：新型疊構上在介電層的兩側化學沉積、蒸鍍或其他方式在介電層的兩側生成金屬膜，厚度範圍大於6奈米(nm)，如此可以大大降低成本。
  2. 減少電磁干擾屏蔽結構的厚度方面：金屬層的厚度下降及介電層的厚度可下降至約1微米，及FPC方面可以節省保護膜(COVERLAY)使用的厚度。
  3. 減少FPC的工序的方面：FPC方面可以不用保護膜(COVERLAY)情況下使用電磁干擾屏蔽結構，有助於降低成本。
為了使任何熟習相關技藝者了解本新型之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本新型相關之目的及優點，因此將在實施方式中詳細敘述本新型之詳細特徵以及優點。
請參考第一圖，第一圖係顯示本新型之一實施例的電磁干擾屏蔽結構，如第一圖所示，電磁干擾屏蔽結構100由上至下依序是第一金屬層102，介電層104，第二金屬層106，黏著層108及離型膜110。
第一金屬層102成份可以是金、銀、銅、鐵、錫，鉛、鈷、鋁、鎳或以上金屬為主成份之合金或任何能導電之金屬，其厚度例如為0.002微米(μm)至12微米，由於第一金屬層102很薄，所以會有空隙讓電磁波穿透進入電磁干擾屏蔽結構100。另，於第一金屬層102上可額外包覆一保護層（圖未示），保護層的功能是保護第一金屬層102防止受到外界環境的影響(如氧化、灰塵、刮傷、碰撞…等等)。
介電層104成份可以是內含有聚醯亞胺(PI)、聚乙烯(PE)、環氧樹脂(EPOXY)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯(PP)、雙馬來醯亞胺（BMI）及壓克力系統高分子等其中一種或一種以上的高分子材料所形成的介電層。此外，介電層104中可以添加填充材料，有助不同相的電磁波在介電層104中因繞射而加快電磁波消除。介電層104的功用是(1)提供絕緣功能將第一金屬層102與第二金屬層106區隔，(2)改變電磁波的入射角，使電磁波在介電層104與第一金屬層102、第二金屬層106間進行繞射，達到電磁波消除之功效。介電層104的厚度例如為5微米至200微米。
第二金屬層106成份是金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鈷、鋁、鎳或以上金屬為主成份之合金或任何能導電之金屬。第二金屬層106厚度例如為0.002微米(μm)至12微米，由於第二金屬層106很薄，所以會有空隙讓電磁波穿透進入電磁干擾屏蔽結構100。
黏著層108成份是內含有PI、EPOXY、PE、PET、PC、PP、BMI及壓克力系統高分子等其中一種或一種以上的高分子材料。黏著層108中可以添加填充材料，黏著層108的功用是提供絕緣功能，保護線路及將電磁干擾屏蔽材料與基材結合。黏著層108的厚度可為1微米至500微米。
離型膜110成份是內含有PI、EPOXY、PE、PET、PC、PP、BMI及壓克力系統高分子等其中一種或一種以上的高分子材料。離型膜110中可以添加填充材料，離型膜110的功用是保護黏著層防止受到外界環境的污染(如水解、灰塵…等等)，該電磁干擾屏蔽結構100使用時，會將離型膜110撕去。離型膜110的厚度可為1微米至50微米。
藉由本新型的實施，至少可達到下列進步功效：
  1. 可將電磁干擾屏蔽結構(包含第一金屬層102、介電層104、第二金屬層106、黏著層108及離型膜110)可控制在6微米之內，有利於電子產品薄型化的需求。
  2. 可將電磁干擾屏蔽結構當成具有電磁屏蔽的覆蓋層(COVERLAY)使用，降低生產成本。
  3. 電磁干擾屏蔽結構不需要在基板上設計接地大面積的銅片，有助於降低FPC廠商成本及成品輕量化的需求。
(實施例)
（第一實施例-超薄型電磁干擾屏蔽結構）
本新型之超薄型電磁干擾屏蔽結構可藉由下列之製程步驟完成，其製程步驟如下：
提供一6微米厚的聚醯亞胺薄膜以電漿或電暈方式將聚醯亞胺層表面粗化，並於該聚醯亞胺薄膜之任兩面以濺鍍(或蒸鍍)方式塗佈上一層銀(各約0.5微米)，並在其中的一面塗佈3微米厚的環氧樹脂，並加以高溫(160℃)烘烤去除溶劑後，以離型膜貼合環氧樹脂側，即形成10微米厚之電磁干擾屏蔽結構單元。
(第二實施例-高屏蔽型電磁干擾屏蔽結構）
本新型之高屏蔽型電磁干擾屏蔽結構，可藉由下列之製程步驟完成，其製程步驟如下：
提供一36微米厚的無膠聚醯亞胺覆雙面銅箔基板，並在其中的一面塗佈5微米厚的環氧樹脂，並加以高溫(160℃)烘烤去除溶劑後，以離型膜貼合環氧樹脂側，即形成41微米厚之電磁干擾屏蔽結構單元。
（第三實施例-非對稱金屬型電磁干擾屏蔽結構）
本新型之非對稱金屬型電磁干擾屏蔽結構，可藉由下列之製程步驟完成，其製程步驟如下：
提供一25微米厚的無膠聚醯亞胺覆單面銅箔基板，並於該以電漿或電暈方式將聚醯亞胺層表面粗化，並於該聚醯亞胺薄膜面以濺鍍(或蒸鍍)方式塗佈上一層銀約0.5微米，銅箔面或銀箔面之任一表面塗佈5微米厚的環氧樹脂，並加以高溫(160℃)烘烤去除溶劑後，以離型膜貼合環氧樹脂側，即形成30微米厚之電磁干擾屏蔽結構單元。
100‧‧‧電磁干擾屏蔽結構
102‧‧‧第一金屬層
104‧‧‧介電層
106‧‧‧第二金屬層
108‧‧‧黏著層
110‧‧‧離型膜
200‧‧‧電磁干擾屏蔽結構
202‧‧‧金屬層
204‧‧‧第二介電層
206‧‧‧第一介電層
208‧‧‧保護層
210‧‧‧導電黏著層
212‧‧‧離型膜
第一圖係顯示本新型之一實施例的電磁干擾屏蔽結構。
第二圖係顯示傳統的電磁干擾屏蔽結構。
100‧‧‧電磁干擾屏蔽結構
102‧‧‧第一金屬層
104‧‧‧介電層
106‧‧‧第二金屬層
108‧‧‧黏著層
110‧‧‧離型膜

Claims (10)

  1. 一種電磁干擾屏蔽結構，包含：
    一介電層，具有一第一面與一第二面；
    一第一金屬層，位於該介電層的該第一面上；及
    一第二金屬層，位於該介電層的該第二面上，
    其中，該第一金屬層的厚度為0.002微米至12微米，及該第二金屬層的厚度為0.002微米至12微米。
  2. 如申請專利範圍第1項之電磁干擾屏蔽結構，其中該第一金屬層為金、銀、銅、鐵、錫，鉛、鈷、鋁、鎳或以上金屬為主成份之合金。
  3. 如申請專利範圍第1項之電磁干擾屏蔽結構，其中該第二金屬層為金、銀、銅、鐵、錫，鉛、鈷、鋁、鎳或以上金屬為主成份之合金。
  4. 如申請專利範圍第1項之電磁干擾屏蔽結構，其中該介電層係選自由聚醯亞胺(PI)、聚乙烯(PE)、環氧樹脂(EPOXY)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯(PP)、雙馬來醯亞胺（BMI）及壓克力系統高分子的任一族群所構成的材質。
  5. 如申請專利範圍第1項之電磁干擾屏蔽結構，其中該介電層的厚度為5微米至200微米。
  6. 如申請專利範圍第1項之電磁干擾屏蔽結構，其中該介電層包含一填充材料。
  7. 如申請專利範圍第1項之電磁干擾屏蔽結構，更包含一黏著層。
  8. 如申請專利範圍第1項之電磁干擾屏蔽結構，更包含一離型層。
  9. 如申請專利範圍第7項之電磁干擾屏蔽結構，其中該黏著層的厚度為1微米至500微米。
  10. 如申請專利範圍第8項之電磁干擾屏蔽結構，其中該離型層的厚度為1微米至50微米。
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