TWM443263U - Wafer heating device - Google Patents
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Description
M443263 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 [0001] 本新型為有關一種半導體製程設備，尤指一種應用於氣 相磊晶設備的加熱裝置。 【先前技術】 [0002] 金屬有機化學氣相沈積（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ’簡稱M0CVD)，為發光二極體廠商 主要採用的磊晶方式，主要原因之一在於金屬有機化學 • 氣相沈積製程速度快，約4至5個小時，量產能力佳，且 適合應用於高亮度發光二極體產品。 _3]❿利用金屬有機化學氣相沈積機台成長薄膜時為將載 流氣體（Carrier Gas)通過金屬有機反應源的容器，將 反應源的飽和蒸氣帶至反應腔巾與其它反應氣體混合， 並藉由加熱裝置控制待成長基板的加熱溫度 ，然後在該 待成長基板上面發生化學反應促成薄膜的成長。 鲁[_習知用於氣相沈積翁台的加熱裝置，如中華民國專利公 告第303485號所描述的加熱器，為設置於一氣相成長裝 置之反應㈣部的晶圓保持體之下方，該加熱器設置有 反射板’該反射板將加熱器朝下的熱源予以反射至該 晶圓保持體。 _]然而，習知加熱器的該反射板，由於其厚度設計上僅約 〇,5公楚，在氣相成長裝置中，長期處在劇烈的高低溫變 化下，容易因此產生形變，而造成反射效果的劣化，縮 短加熱器的使用壽命，故仍有改善的空間。 第3頁/共15頁 ΗΠ21568#單編號删1 1012050738-0 M443263 【新型内容】 [0006] 本新型的主要目的，在於解決習知應用於氣相沈積機台 的加熱裝置，具有反射板容易產生形變，造成使用壽命 縮短的問題。 [0007] 為達上述目的，本新型提供一種晶圓加熱裝置，應用於 一氣相磊晶設備，該氣相磊晶設備包含一反應腔室、一 位於該反應腔室内並承載一晶圓的承載台，該晶圓加熱 裝置設置於該承載台下方對該晶圓加熱，並包含有一基 座 '一加熱體以及一熱源反射組件。 [0008] 該加熱體設置於該基座上並位於該基座與該承載台之間 ，且該加熱體包含一與該基座相隔一間隔空間的加熱部 以及一連接於該加熱部與該基座之間的連接部；該熱源 反射組件設置於該間隔空間，並包含一位於該加熱部與 該基座之間且厚度介於1至10公釐的第一反射板。
[0009] 如此一來，本新型藉由將該第一反射板的厚度設計為介 於1至10公釐之間，增加該第一反射板的結構強度，減少 該第一反射板因溫度高低變化所產生的形變，增加該晶 圓加熱裝置的使用壽命。 【實施方式】 [0010] 有關本新型的詳細說明及技術内容，現就配合圖式說明 如下： [0011] 請參閱『圖1』所示，為丰新型一實施例設置於氣相磊晶 設備的示意圖，本新型為一種晶圓加熱裝置5，應用於一 氣相磊晶設備1，在此實施例中，該氣相磊晶設備1為一 M2156#單编號 A〇101 第4頁/共15頁 1012050738-0 M443263 金屬有機化學氣相沈積機台，但不以此為限，該氣相蟲 晶設備1包含一反應腔室2以及一設置於該反應腔室2内的 一承載台3，該承載台3上承載一晶圓4，該晶圓加熱裝置 5則設置於該承載台3下方，對該晶圓4進行加熱作業。 [0012] 請搭配參閱『圖2A』、『圖2B』及『圖2C』所示，『圖 2A』為本新型一實施例的外觀立體示意圖，『圖2B』為 本新型一實施例的側視示意圖，『圖2C』為本新型一實 施例的上視示意圖，該晶圓加熱裝置5包含有一基座10、 一設置於該基座10上的加熱體20、一設置於該基座10與 該加熱體20之間的熱源反射組件30以及一設置於該熱源 反射組件30與該基座10之間的固定組件40。
[0013] 該基座10在此為一圓環形，其上設置有該加熱體20，該 加熱體20的材質在此為鎢，但不以此為限，還可為鉬或 在目與鎢的合金，該加熱體20包含一加熱部21以及一連接 部22，在此實施例中，該加熱部21與該基座10相隔一間 隔空間60，並形成一桿狀，對應該基座10平行延伸，該 連接部22為由該加熱部21的兩端朝該基座10延伸，而與 該基座10連接固定，該連接部22並通以一電流，令該加 熱部21以電阻式發熱的方式對該晶圓4進行加熱。尚需說 明的是，該加熱體20在此包—第一加熱體23以及一第 二加熱體24，但不以此為限，還可進一步包含一第三加 熱體、一第四加熱體等。 [0014] 該熱源反射組件30設置於該間隔空間60，並包含一第一 反射板31以及至少一定位件33，該第一反射板31位於該 加熱部21與該基座10之間，對應該加熱部21平行延伸而 KH21568产單編號A_ 第5頁/共15頁 1012050738-0 M443263 為一弧形片體，用以反射該加熱部21向下輻射的熱能， 防止熱能向下散逸，並且，為了加強該第一反射板31的 結構強度，其厚度在此設計為介於1至10公釐之間，較佳 為2至5公釐之間，該第一反射板31的材質在此則為鉬， 不過還可為鎢或鎢與鉬的合金；而該定位件33在此為複 數個，其連接於該第一反射板31與該固定組件40之間， 用以固定該第一反射板31的位置，令該第一反射板31穩 固的位於該固定組件40上。再進一步說明，該第一反射 板31包含一内緣區域311以及一外緣區域312，該定位件 33則包含連接於該内緣區域311的一内定位件331以及連 接於該外緣區域312的外定位件332，如此，該内定位件 331及該外定位件332將該第一反射板31的該内緣區域 311及該外緣區域312分別與該固定組件40連接固定，增 加該第一反射板31的連接強度。
[0015] 另外，該熱源反射組件30還可包含一第二反射板32以及 一反射片34，該第二反射板32設置於該第一反射板31與 該固定組件40之間，並與該第一反射板31相隔一間距， 由該定位件33連接固定，該第二反射板32的厚度為介於 0.3至0.7公釐之間，而該反射片34直立設於該第一反射 板31上，位於該加熱部21與該第一反射板31之間，為用 於反射該加熱部21下方朝外橫向輻射的熱能，防止熱能 朝外散逸。 [0016] 該固定組件40設置於該間隔空間60，包含一固定板41以 及至少一固定件42，該固定板41位於該第一反射板31與 該基座10之間，在此亦位於該第二反射板32與該基座10 1〇12156#單编號 A0101 第6頁/共15頁 1012050738-0 M443263 之間，该固定板41平行該基座1〇並沿著該基座丨〇延伸， 供該定位件33連接，進一步穩固該第一反射板31及該第 二反射板32，該固定板41本身則透過該固定件42連接而 固定於該基座1 〇上。 [0017] 在本實施例中，該晶圓加熱裝置5還可包含複數個支撐件 50，該支撐件50設置於該間隔空間6〇，並直立於該基座 10上與該基座10連接，並包含一頂部51，該支撐件5〇穿 過該固定板41，由該頂部51穿過該第二反射板32及該第 /反射板31所具有並各對應該頂部51設置的穿孔313，抵 ® 頂該加熱部21，支撐該加熱部21，防該加熱部21向下偏 移。 [0018] 綜上所述，由於本新型藉由將該第一反射板的厚度設計 為介於1至10公釐之間，增加該第一反射板的結構強度， 以及設置該内定位件與該外定位件，分別從該第一反射 板的該内緣區域及該外緣區域連接該第一反射板，穩固 該第一反射板，據此減少該第一反射板因溫度高低變化 • 所產生的形變，增加該該晶圓加熱裝置的使用壽命，因 此本新型極具進步性及符合申請新型專利的要件，爰依 法提出申請，祈鈞局早日賜准專利，實感德便。 \ [0019] 以上已將本新型做一詳細說明，惟以上所述者，僅爲本 新型的一較佳實施例而已，當不能限定本新型實施的範 圍°即凡依本新型申請範圍所作的均等變化與修飾等， 皆應仍屬本新型的專利涵蓋範圍内。 【圖式簡單說明】 [购]圖1 ^121568^單編號 ΑΟίοι 為本新型一實施例設置於氣相磊晶設備的示意圖。 第7頁/共15頁 1012050738-0 M443263 [0021] 圖2A，為本新型一實施例的外觀立體示意圖。 [0022] 圖2B，為本新型一實施例的側視示意圖。 [0023] 圖2C，為本新型一實施例的上視示意圖。 [0024] 【主要元件符號說明】 1 .氣相蟲晶設備 [0025] 2:反應腔室 [0026] 3 :承載台 [0027] 4 .晶圓 · [0028] 5:晶圓加熱裝置 [0029] 10 :基座 [0030] 20 :加熱體 [0031] 21 :加熱部 [0032] 22 :連接部 [0033] 23 :第一加熱體 1 [0034] 24 :第二加熱體 [0035] 30 :熱源反射組件 [0036] 31 :第一反射板 [0037] 311 :内緣區域 [0038] 312 :外緣區域 [0039] 313 :穿孔 10121568# 單编號删1 第 8 頁 / 共 15 頁 1012050738-0 M443263
[0040] [0041] [0042J [0043] [0044] [0045] [0046] [0047] [0048] [0049] [0050] 第二反射板 定位件 :内定位件 :外定位件 反射片 固定組件 固定板 固定件 支撐件 頂部 間隔空間
1〇121568产單編號A_ 第9.頁/共15頁 1012050738-0
Claims (1)
- M443263 六、申請專利範圍： 1 一種晶圓加熱裝置’應用於-氣相蟲晶設備’該氣相蟲晶 設備包含一反應腔室、一位於該反應腔室内並承載一晶圓 的承載台，該晶圓加熱裝置設置於該承載台下方對該晶圓 加熱，並包含有： 一基座；一設置於該基座上並位於該基座與該承載台之間的加熱體 ，該加熱體包含一與該基座相隔一間隔空間的加熱部以及 一連接於該加熱部與該基座之間的連接部；以及 一設置於該間隔空間的熱源反射組件，該熱源反射組件包 含一位於該加熱部與該基座之間且厚度介於1至10公釐的 第一反射板。 2.如申請專利範圍第1項所述的晶圓加熱裝置，其中更包含 一設置於該間隔空間的固定組件，該固定組件包含一位於 該第一反射板與該基座之間的固定板以及至少一連接該固 定板與該基座的固定件。3 .如申請專利範圍第2項所述的晶圓加熱裝置，其中該熱源 反射組件還包含至少一連接該第一反射板與該固定板的定 位件。 4. 如申請專利範圍第2項所述的晶圓加熱裝置，其中更包含 複數個設置於該間隔空間並穿過該固定板與該基座連接的 支撐件，該支撐件包含一抵頂該加熱部的頂部。 5. 如申請專利範圍第4項所述的晶圓加熱裝置，其中該第一 反射板包含複數個供該頂部穿過的穿孔。 6. 如申請專利範圍第3項所述的晶圓加熱裝置，其中該第一 反射板包Ί—内緣區域以及一外緣區域，該定位件包.含一 1012050738-0 第10頁/共15頁 M443263 連接於該内緣區域的内定位件以及一連接於該外緣區域的 外定位件。 7 .如申請專利範圍第3項所述的晶圓加熱裝置，其中該熱源 反射組件更包含一設置於該第一反射板與該基座之間且厚 度為介於0. 3至0. 7公釐的第二反射板，該第二反射板與 該第一反射板相隔一間距並與該定位件連接。 ^ 8 .如申請專利範圍第1項所述的晶圓加熱裝置，其中該熱源 反射組件更包含複數個直立設於該第一反射板上並位於該 加熱部與該第一反射板之間的反射片。1Q121568f單編號A0101 第11頁/共15頁 1012050738-0
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