TWM435032U - Multi-layer inductor - Google Patents

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TWM435032U
TWM435032U TW101206103U TW101206103U TWM435032U TW M435032 U TWM435032 U TW M435032U TW 101206103 U TW101206103 U TW 101206103U TW 101206103 U TW101206103 U TW 101206103U TW M435032 U TWM435032 U TW M435032U
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Taiwan
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terminal electrode
exposed
conductor
coil
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TW101206103U
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Ming-Hung Hung
Ting-Wei Lin
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Darfon Materials Corp
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M435032 五、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本創作關於一種積層電感器(multi-layer inductor)。並且 特別地’本創作關於適用於焊接在電路板的岸面柵格陣列(land grid array,LGA)焊墊上之積層電感器。 【先前技術】 明参閱第1圖,為一傳統的積層電感器1的侧視圖,以描 繪其部份結構。積層電感器丨焊接在其上的電路板2的局部截 面視圖同樣繪示於第1圖中。 如第1圖所示,傳統的積層電感器丨包含積層體 (multi_layer body)l〇 以及一對端電極(terminal electr〇de)(12、 =)。该對端電極(12、14)分別形成在積層體1〇的兩相對的端 思1〇4)上’並向積層體10的侧表面延伸。傳統的積 1包含形成在積層體10内部的線圈(c〇il)(未繪示於第 圖中)。線圈的兩末端分別電連接該對端電極⑴、⑷。 的焊im1 _辦雜(i2、14)分職置在電路板2 ,墊(22、24)上’且分別以谭錫3〇焊接在谭塾 Ϊ 2蝴,積層電感 上鄰近積層電感H 1的讓電路板2 避免在焊接過程與積層f大的間距,以 電感器1不利於電路板2的電子度=此’傳統的積層 用LGA焊墊。傳件密度,其上的焊墊已採 上。 ⑽積層電感$ 1並不適用焊接在LGA· 【新型内容】 4 M435032 因此本創作所欲解決的技術問題在一 感器。特別地,本創作之積層電感器適用於 上,以利電路板上電子元件密度的提升。㈣在力騎塾 體、體實酬之-種賴賴11,包含積層 體夕個,圈導體(C01lc0nduct0r)、多個第—貫孔導體(viah也 ―)、至少一第二貫孔導體、多個第三貫孔導體、第一 端電弋以,第二:電極。積層體包含多層堆疊的絕緣 。多個線圈導體係與多層絕緣層堆疊在一起, =n絕緣層隔開。多個第—貫孔導體係形成於多層絕緣層 體之一端係由一個第-貫孔導體電連接。 圈體係形成於多層絕緣層内,且電連接多個線 :最層、魏層上。多個第三貫孔導體伽彡成於多層絕緣層 電連接多個賴導體中最下層線81導體之第二末端,並 上上層絕緣層 卜露的第一貝孔導體。第二端電極係形成於最上層 、,邑緣層上,且覆蓋外露的第三貫孔導體。 步,本創作之積層電感器並且包含多個第四貫孔導 、第五貫孔導體、第三麟極以及第四端電極。多個 孔導體係形成於多層絕緣助,且電連接最上層線圈導 小—ϊ 一i端並且外露於多層絕緣層中最下層絕緣層上。至 ί道触五貫扎導體係形成於多層絕緣層内’且電連接最下層線 你=之第二末端’並^•外露於最下層絕緣層上。第三端電極 於最τ層絕緣層上’且覆蓋外露的第四貫孔導體。第四 體。、極係形成於最下層絕緣層上,且覆蓋外露的第五貫孔導 具體實施例中,多層絕緣層之組成可為氧化磁鐵、玻 喝、陶究玻璃材料、BaTi〇3、壓電材料、SiN、別队、Si〇2、 5 M435032
SiC、Α12〇3、AIN ’或其他絕緣性佳的陶瓷材料。 於一具體實施例中’每一層絕緣層之厚度約為 16"m〜25"m ° 於一具體實施例中’每一線圈導體之組成可為金、銀、鋼、 錄、錫’或其他導電性佳的金屬,或為上述金屬之混合組成, 但不以此為限。 於一具體實施例中’每一線圈導體之線寬約為 70"m〜90"m 〇 於一具體實施例中,第一端電極及第二端電極之組成可為 金、銀、銅、鎳、錫,或其他導電性佳的金屬,或為上述金屬魯 之混合組成,但不以此為限。 與先前技術相較,本創作之積層電感器適用於焊接在 LGA焊墊上,利於提升電路板上電子元件的密度。 關於本創作之優點與精神可以藉由以下的實施方式及所 附圖式得到進一步的瞭解。 【實施方式】 請參閱第2圖及第3圖。第2圖為本創作之一較佳具體實 „層電感器4的側視圖’以描緣其部分結構。積層電感· 器4焊接在其上的電路板6的局部截面視圖同樣繪示於第2圖 ^ Ϊ路板6其上具有一對焊塾(62、64),供積層電感器4烊 接固疋。第3圖為本餅之積層電感器4的各層結構展開圖。 *如第2圖所示,本創作之積層電感器4包含積層體4〇、 第,電極46以及第二端電極47。第—端電極46以及第二 端,極47皆形成在積層體4〇之上表面4〇2上。本創作之積層 電=4電連接、固定在電路板6上,第一端電極:6以及第 -細電極47分別焊接在該對焊墊(62、⑷上。與先前技術不 6 M435032 ϊ严器4谭接在電路板6上’不會有焊錫外 ί器·近積層電感Β 4的其他電子元件與積層電 二弁J的Ϊ距可以縮小’有利於電路板6上電子元件密度 楚看出,本創作之積層賴器4剌於焊接在 客键-二ί L導體3、至少一第二貫孔導體44以及 。積賴4G包含多層堆疊的絕緣層4卜 圈導體42係與多層絕緣層41堆疊在一起,且由多層絕 Ϊ ^ 個第—貫孔導體43係形成於多層絕緣層41 内。兩相鄰的線圈導艚42夕—山及 ^曰 連接,以播二,, ⑹系由一個第一貫孔導體43電 ίί /iit 圈’進而構成線圈整體。本創作之積層電 ϋ面所產生之磁場係與積層體40之上表面402 ,,道ΐ第3圖中兩相鄰的線圈導體42之一端係由一個第一貫 本構=單轉圈,其俯視大體上成矩形。、 才1成的早匝線圈,其俯視大體上也可以成圓形 j 等,但不以此為限。 n 变仏 係形成於多層絕緣層41内,且電 ^接j線圏導體42中取上層線圈導體42之第一末端似, 積絕騎41 +最上層絕緣層41上。也就是說, 2上有外露的第二貫孔導體44。多個第 導體42中最下層線圈導體42之第二末二多,3 f層絕緣,上。也就是說,積層體4G的上表面4〇^ =的第二胃孔諸45 H電極46 W上,且歸細:貫_ 44。第肩^= 7 M435032 於最上層絕緣層41上,且覆蓋外露的第三貫孔導體45。 請參閱第4圖,為第2圖中積層電感器4的上視圖。進一 步,第一端電極46及第二端電極47與積層體40之上表面402 的邊緣皆存有間隙。藉此,積層電感器4的積層體40可以覆 蓋第一端電極46、第二端電極47以及其所焊接的焊墊(62、64) 不讓其外露,讓電路板6上鄰近積層電感器4的其他電子元件 與積層電感器4之間的間距可以加縮小。 於一具體實施例中,第一貫孔導體43、第二貫孔導體44 以及第三貫孔導體45的形成係在其對應的絕緣層41上先形成 貫孔(viahole) ’再將金屬材料等導電材料填入該貫孔,與絕緣 層41 一起燒結,一併完成第一貫孔導體43、第二貫孔導'體44 以及第三貫孔導體45。 於一具體實施例中,多層絕緣層41之組成可為氧化磁 鐵、玻璃、陶瓷玻璃材料、BaTi〇3、壓電材料、SiN、別抓,、 SiG、SiC、Al2〇3、AIN ,或其他絕緣性佳的陶瓷材料。, 於一具體實施例中,每一層絕緣層41 。 手度 W 馬 於-具體實施例巾,每-_導體4 銅、鎳、錫’或其他導電性佳的金屬,ϋ為金^且 成,但不以此為限。 勹k鱼屬之此口組 於一具體實施例中,每一線圈導體42 70ym〜9(V«n。 之線見約為 成可_之組 述金屬之混合組成,但不以此為限。於2 =金f,或為上 46及第二㈣極47的形成係利刷編 一端電極 印在積層體40的上表面4〇2上,私或沾附製程將銀膏 ,、積層體40 一起燒結成型。 8 M435032 請參閱第5圖及第6圖。第5圖為本創 實施例的積層電感器4的侧視圖,以描較,具體 為本創作之積層電感器4的各層結構^m 6圖 之積層電感器4並且包含多個第四貫孔^ 本創作 貝孔導體49、第三端電極5〇卩及第四 /-第五 孔_48係形成於多層絕緣層41 四貫 末端42a,並且外露於多層^缘連接 緣層41上。也就是說,積層體4〇的下表面 層絕 四貫孔導體48。至少一第五貫孔導俨4<)总 有外露的第 μ内’且電連接最下層線_體42之第緣層 露於最下舰騎41上。也狀說,積 外 上有外露的第五貫孔導體49。第三端電極5〇 : 4 最下層絕緣層41上,且覆蓋外露 八有第一端電極46、第二端電極47、第三踹雷炻sn、n 52第的二層電感器4可以焊接在多一層電路板的:層 路板之間。第5圖、第6圖令具有與第2圖、第 石馬標記之結構,具有相同或類似的功能,在此不做贅述。% 井^一參閱第7圖’為第5圖中積層電感器4的下視圖。進一 二端電極46及第二端_ 47與積層體40之上表面402 端^緣皆存有_ ’且如第7 _示,第三端電極%及第四 電,52與積層體40之下表面4〇4的邊緣 =積層電感器4的積層體4G可以覆蓋第—端電U第= 塾^J二端電極%、第四端電極52以及其所焊接的焊 邀iii二讓電路板上鄰近積層電感器4的其他電子元件 -、積層電感器4之間的間距可以加縮小。 =-具體實施例中’第三端電極5〇及第四端電極%之组 、f、錫,ΐ其他導電性佳的金屬,或為上 I金屬之混。組成,但不以此為限。於—案例中,第三端電極 9 M435032 印在積層體4〇的下程或沾附製程將銀膏 藉由以上較佳具體實施例之詳述吉成型。 而並非以上述所揭露的=Ϊ2Ϊ ,制。相反地,其目的是希望能涵蓋」 交及具相等性的安排於本創作所欲申請之專利範圍的範 舞内。因此’本創作所申請之專利範圍的範鳴應該根據上述的 說明作最寬廣的解釋,以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相 等性的安排。 M435032 視圖 圖式簡單說明J 第1圖係傳統的積層電感器的結構示意圖。第2圊係本創作之—較佳具體實_之積層電感器 的側
第3圖係本創作之積層電感器的各層結構展開圖。 第4圖係第2财積層電感H的上視圖。 側視γ _本創作之另—較佳具體實施例之積層電感器 第6圖係本創作之積層電感ϋ够層結構展開圖。第7圖係第5圖t積層電感n的下視圖。
【主要元件符號說明】 1:積層電感器 102、104 .端表面 2 .電路板 30 :焊錫 4〇 :積層體 4〇4 :下表面 42 :線圈導體 42b :第二末端 44 :第二貫孔導體 46 :第一端電極 48 :第四貫孔導體 1〇 :積層體 12、14 :端電極 22、24 :焊塾 4:積層電感器 402 :上表面 41 :絕緣層 42a:第一末端 43 :第一貫孔導體 45 :第三貫孔導體 47 .第二端電極 49 :第五貫孔導體 M435032 50:第三端電極 52:第四端電極 6 :電路板 62、64 :焊墊 12

Claims (1)

  1. M435032 六、申請專利範園: 1、 一種積層電感器,包含: 一積層體’包含多層堆疊的絕緣層; ”多個線圈導體’係與該多層絕緣層堆疊在〆起且由該多層 系£>緣層開; 線圈體個ί形,該多層絕緣層内,兩相鄰的 線圈導體之一端係由—個第一貫孔導體電連接;
    至少-第二貫孔導體,係形成於該多層絕緣層内,且電連 接該多個線圈導體中最上層線圈導體之一第一末端,並外露於 該多層絕緣層中最上層絕緣層上; 多個第三貫孔導體,係形成於該多層絕緣層肉,且電連接 該多個線圈導體中最下層線圈導體之一第二末端,且外露於該 最上層絕緣層上; 一第—端電極,係形成於該最上層絕緣層上,且覆蓋該外 露的第二貫孔導體;以及 一第二蠕電極,係形成於該最上層絕緣層上,且覆蓋該外 露的第三貫孔導體。 2、 如請求項1所述之積層電感器,其中該多層絕緣層之組成 •包含選自由氧化磁鐵、玻璃、陶竟玻璃材料、BaTi〇3、壓電材 料、SiN、Si3N4,、Si02、SiC、Al2〇3以及aiN所組成之群組中 之至少其一。 3、 如請求項1所述之積層電感器,其中每一層絕緣層之厚度 約為 16μιη〜25 pm。 4、 如請求項1所述之積層電感器,其中每一線圈導體之組成 包含選自由金、銀、銅、鎳以及錫所組成之群組中之至少其一。 5、 如凊求項1所述之積層電感器’其中每一線圈導體之線寬 約為70pm〜90pm。 13 M435032 6、 如請求項1所述之積層電感器,其中該第一端電極及該第 二端電極之組成包含選自由金、銀、銅、鎳以及錫所組成之群 組中之至少其一。 7、 如請求項1所述之積層電感器,其中該第一端電極以及該 第二端電極與該最上層絕緣層的邊緣皆存有間隙。 8、 如請求項1所述之積層電感器,進一步包含: 多個第四貫孔導體,係形成於該多層絕緣層内,且電連接 該最上層線圈導體之該第一末端,且外露於該多層絕緣層中最 下層絕緣層上; 至少一第五貫孔導體,係形成於該多層絕緣層内,且電連 接該最下層線圈導體之該第二末端,且外露於該最下層絕緣層 一第三端電極,係形成於該最下層絕緣層上,且覆蓋該外 露的第四貫孔導體;以及 一第四端電極,係形成於該最下層絕緣層上,且覆蓋該外 露的第五貫孔導體。 9、 如請求項8所述之積層電感器,其中該第三端電極及該第 四端電極之組成包含選自由金、銀、銅、鎳以及錫所組成之群 組中之至少其一。 10、 如請求項8所述之積層電感器,其中該第三端電極以及該 第四端電極與該最下層絕緣層的邊緣皆存有間隙。 14
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