M373567 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 結構 -種==種:電擊之發光二極體座體結構，更特別為 =應用於封裝發光二極體晶粒的耐電擊之發光二極趙座趙 【先前技術】 帛1圖係為習知的發光二極體座體結構1()的立體圖。第 •2A圖係為習知絕緣座體13與導線架12之剖視圖。第圖係 為習知發光二極體座體結構1〇之剖視圖。 如第1圖所示，習知發光二極體座體結構1〇包括一散熱 基座11，至少一導線架12 ;以及一絕緣座體13。散熱基座U 中具有一凸部⑴，凸部ln中具有一凹槽112，凹槽^設 有一固晶區113用以接置一發光二極體晶粒4〇，導線架〗2則 分布設置於在凸部1U周圍。絕緣座體13係先包覆導線架12 籲成型後散熱基座11再填入或塞入絕緣座體13中。 ，如第2A圖及第2B圖所示，習知發光二極體座體結構1〇 在製造時，由於散熱基座n與導線架12均為導體，為避免散 熱基座11和導線架12相互接觸而產生短路現象。於是在塑模 成型絕緣座體13時，可藉由一頂針14將散熱基座n和導線 架12予以隔開。但因為頂針14僅是為隔開散熱基座η和導 線架12的臨時工具，因此當絕緣座體13成型並脫模後，頂針 14將會從習知發光二極體座體結構1〇拆除，而在習知發光二 極體座體結構10則會留下頂針開口 15。 3 M373567 ' 惟，頂針14僅分別在導線架12兩端頂入以預留與散熱基 • 座11之間隙位置。然而，倘若在塑模成型過程中，導線架12 放置不平均、頂針14插入不平均或是模具放置偏斜，均可能 使散熱基座11和導線架12上下之間距不平均，進而導致散熱 基座11與導線架12上下的距離過近或甚至兩者有碰觸到之 虞，甚至容易遭受電流擊穿因而顯難以通過現今的UL安規標 '準。況且，即便散熱基座11和導線架12上下之間距可足以符 •合UL安規標準，散熱基座11之凸部111與導線架12仍可能 Φ相互接觸，因此還是無法通過UL安規之考驗。 【新型内容】 本創作係為一種耐電擊之發光二極體座體結構，其係藉由 將具一定厚度之絕緣墊片設置在散熱基座上且配置於散熱基 座之凸部周圍，且使架置於絕緣墊片上之導線架與散熱基座之 凸部保持一定間距，俾使散熱基座與導線架得以電性隔離，藉 -此可有效耐電擊。 . 為達上述功效，本創作係提供一種而ί電擊之發光二極體座 體結構，其包括：一散熱基座，其具有一凸部，凸部具有一固 晶區；一絕緣墊片，設於散熱基座上且配置於凸部之周圍，其 中絕緣墊片具有大於或等於0.01公釐之厚度；一導線架，架 置於絕緣墊片之上，並與凸部具有一間距，俾使散熱基座與導 線架電性隔離；以及一絕緣座體，其包覆散熱基座、導線架以 及絕緣墊片，藉以形成耐電擊之發光二極體座體結構。 藉由本創作的實施，至少可達到下列進步功效： 4 «373567 —、藉由將一定厚度之絕緣墊片以直接放置或是以刷墨、印 刷、射出成型方式設置在散熱基座與導線架之間，致使散 熱基座與導線架上下之間保持一定間距，而使散熱基座與 導線架可有效電性隔離。 —、利用繞設於散熱基座之凸部周圍的導線架用以與凸部維 持-定的間距’以致於散熱基座與導線架之左右兩侧仍可 維持有效的電性隔離。 為了使任何熟習相關技藝者了解本創作之技術内容並據 以實施，且根據本朗書所揭露之内容、申請專利範圍及圖 式’任何熟習相關技藝者可輕易地理解本創作相關之目的及優 點’因此將在實施方式中詳細敘述本創作之詳細特徵以及優 【實施方式】 第3圖係為本創作之一種耐電擊之發光二極體座體結構 #20尚未形成絕緣座體之分解實施。第4圖係為第3圖之形 ‘成絕緣座體後之财電擊之發光二極體座體結構2〇之剖面實施 例圖。第5圖係為係為本創作之另一種耐電擊之發光二極體座 體結構30之剖面實施例圖。第6圖係為本創作之另 架32之實施例圖。 守猓 如第3圖及第4圖所示’本實施例係為本創作之一種耐電 擊之發光二極體座體結構2G，其包括：—散熱基座u ; 緣墊片21 ; —導線架22 ;以及一絕緣座體13。 如第3圖所示，散熱基座u具有一凸部iu，而凸部⑴ M3 73567 、具有-凹槽⑴。凹槽112中具有一固晶區⑴，以使一發光 -極體曰曰粒40接置在其上。且為避免因遭受電擊而在内部蓋 生尖端放電效應，因此，散熱基座n之邊緣係為圓弧無毛邊， 藉以使得散熱基座11的邊緣平滑並且不具任何的凸起或尖端。 如第3圖所不，絕緣塾片21可以由鐵氣龍、工程塑膠、 璃、油墨所製成，且其設於散熱基座u並配置於散 •iiocn 部⑴之周圍，而且絕緣墊片21係具有大於或 _執其庙】β之厚度。再者。絕緣塾片21可以直接放置在散 : 和導線架22之間，或是以刷墨、印刷、射出成型方 H緣塾片21言免置在散熱基座η和導線架22之間。 所-此^在一實施例中’絕緣墊片21的形狀可以如第3圖 部ΐ用二絕緣^21的中空 套置在凸部U1周圍。然而，在其他實施 緣 亦可以為其他任何形狀（如：正方中空形 1 T之半圓弧形等等)，只要可以架設在凸部m旁邊，= 1 於散熱基座11之凸部111並小於祕之絕、緣座體π 度與材;在墊片21上之導線架21可藉由絕緣片2〗之厚 ^豆路）。而，、散熱基座11有效電性隔離，從而避免電性接觸 ηι ^技4圖所示’在—實施例中’絕緣塾片21可以盘凸部 接觸(圖=;然而’在其他實施例中，亦可以不與凸部⑴ 之上如H:=4圖所示，導線架22係架置於絕緣塾片21 、架與凸部111之水平距離恰有一間距d，間距d 6 M373567 、可以為大於或等於0.4公釐。經研究得知，此間距d恰可使導 • 線架22和散熱基座11之凸部111部位不會因為遭受電擊而相 互電性接觸，因此使得發光二極體座體結構20可以有效耐電 擊。此外，根據前面述敘，為使發光二極體座體結構20有效 通過安規，亦須避免產生内部之尖端放電效應。於是，導線架 22之邊緣及/或突出部分係為圓弧狀，例如圓弧無毛邊及/或 胃圓弧無尖端。 • 此外，根據第3圖所示，在一實施例中，導線架22的形 •狀可以為具有兩個金屬支架。然而，在其他實施例中，導線架 亦可具有其他數量之金屬支架（如：4個、6個或8個），譬如 第6圖所示，導線架32係具有8個金屬支架。然而，本創作 之導線架並不僅限於上述圖式所示的特定形狀，而可能為各種 未明示之形狀。 如第4圖所示，絕緣座體13係包覆散熱基座11、絕緣墊 片21以及導線架22，因此最後形成本實施例之耐電擊之發光 二極體座體結構20。其中絕緣座體13之塑模形成方式則是利 •用一模具（圖未示）將散熱基座11、絕緣墊片21以及導線架 22放置其中，並以射出成型、注膠成型或膠注成型的方式製成 絕緣座體13，藉以包覆散熱基座11、絕緣墊片21以及導線架 22，最後再將模具脫模。通常，構成絕緣座體13之組成份可 以為一般的塑膠料。 如第5圖所示，本實施例係為本創作之另一種耐電擊之發 光二極體座體結構30。其與第4圖相比較，其大部份結構均為 相同，其差異點僅在於其中之絕緣墊片31在接觸凸部111的 7 M373567 、接觸點上向上折彎以突伸至散熱基座11之上（即絕緣墊片31 - 之剖面呈現類似L型），而使導線架22與凸部111之間存有絕 緣墊片31。然而，因為絕緣墊片31之厚度與第3圖和第4圖 中的鐵氟龍墊片21相同均是大於或等於0.01公釐，而導線架 22與凸部111之水平距離d仍為大於或等於0.4公釐，因此， 即使絕緣墊片31向上彎折，彎折的絕緣墊片31與導線架22 仍存有空隙。此外，前述之絕緣墊片31之剖面係為L形狀， >其彎折角度為約略90度，然而在其他實施例中，絕緣墊片 #31之彎折角度可以不為約略90度，而可以為大於90度之圓弧 彎折方式。 惟上述各實施例係用以說明本創作之特點，其目的在使熟 習該技術者能瞭解本創作之内容並據以實施，而非限定本創作 之專利範圍，故凡其他未脫離本創作所揭示之精神而完成之等 效修飾或修改，仍應包含在以下所述之申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 ®第1圖係為習知的發光二極體座體結構的立體圖。 第2A圖係為習知絕緣座體與導線架之剖視圖。 第2B圖係為習知發光二極體座體結構之剖視圖。 第3圖係為本創作之一種耐電擊之發光二極體座體結構尚未形 成絕緣座體之分解實施例圖。 第4圖係為第3圖之形成絕緣座體後之耐電擊之發光二極體座 體結構之剖面實施例圖。 第5圖係為係為本創作之另一種耐電擊之發光二極體座體結構 M373567 之剖面實施例圖。 第6圖係為本創作之另一種導線架之實施例圖 【主要元件符號說明】 10.........................習知發光二極體座體結構 11....................... ..散熱基座 111..................... ..凸部 112..................... ..凹槽 113..................... ..固晶區 12、22 ' 32........ ..導線架 13....................... ..絕緣座體 14....................... ..頂針 15....................... ..頂針開口 20 、 30 ............... ..發光二極體座體結構 21 > 31 ............... ..絕緣墊片 40....................... ..發光二極體晶粒 d......................... ..間距 9