M328674 八、新型說明： • 【新型所屬之技術領域】 ， 本新型是有關於一種發光二極體，且特別是有關於一 種多方向出光，亮度均勻的發光二極體。 ^ 【先前技術】 參照第1圖，現有的發光二極體（LED)1〇〇，其結構組 φ 成包含有基層（PCB)1〇l、金屬層（導電層）102、晶片 (chip) 103與透光層（環氧樹脂Ep〇xy) i 〇4，各元件以水平層 豐方式依序組合。此發光二極體1〇〇藉由通電後的晶片 1〇3,所發射出的光源，再穿透該透光層1〇4，以達到發光 的目的。 基於一般發光二極體100之透光層1〇4的頂面1〇5皆 為平整的結構，所以，散射的光線均為直向發光。因此， 當運用在電子產品上，例如：手機的按鍵面板（keypad)底 • 部時，因只發射出直向光源之緣故，同時為了求亮度均 - 自’所以必須使用多顆晶片（ehiP)，才能達到需求光源亮 — 度；或是增設反射蓋，輔以光源折射作用，方可達到使用 的目的。 參照第2圖，係為現有發光二極體之光線分佈的指向 圖，經光學模擬結果發現，第i圖中之現有向上投射的發 光二極體，其散射出的光線如第2圖之光源曲線s散佈範 圍’只集中在中間位置而已。 因此，現有的發光二極體（LED)運用在電子產品上， M328674 為了達到需求亮度以及亮度均勻的使用效果，不但需增加 晶片數量，或是配搭反射蓋使用於電子產品上，將有提高 製造成本之虞。 【新型内容】 本新型提供之一種發光二極體，在透光層的頂面形成 有傾斜槽壁的導槽，並在傾斜槽壁設有導光層，以發出多 方向的光源，使整體亮度均勻。 根據本新型所提出之一種發光二極體，包含一基層、 一晶片、一透光層與一導光層。 δ亥基層為一絕緣基材。該晶片載設於該導電層。該透 光層，覆蓋於该晶片上，並包含一導槽。該導槽形成於該 透光層的一頂面，並具有一槽底及一槽壁，該槽壁係自該 槽底傾斜延伸連接至該透光層的頂面。該導光層，形成於 该透光層之導槽的槽壁上，該晶片所發出的光源投射在該 導光層上，經導光作用而向外散射，使發光二極體整體的 光源量度增加，且亮度更均勻。 本新型在透光層的頂面形成的導槽，且將導槽的槽壁 壁面設成傾斜狀，並在槽壁壁面上塗覆有導光材料，透過 透光層的導光作用，使晶片發出的光源產生多向，如三向 發光，使整體亮度更均勻。 【實施方式】 參照第3圖，本新型之發光二極體的第一實施例，包 M328674 400、一透光層500、 含一基層200、一導電層3〇〇、二 二導光層600與一底層700。 參照第3圖與第4圖，該其馬1 4 I層2〇〇係為一絕緣基材， 在此係為一電路基板（PCB)。 該導電層3〇〇具有一第一墓φ 、 ^弟導電部310與一第二導電部 320。该弟一導電部31〇盘該第一道干 ，、茨弟一導電部320係相互分離， 並載設於該基層200的一頂面21〇。 该底層7 0 〇是^一導雷;(;才,g » 疋等电柯，並具有一第一部位71〇與一 弟二部位7 2 0。該第一都付7 1 dij Vi 乐α丨位710與该第二部位720分別設
使用時，配合適量的鲜 口 230與該第一、二部 ，使該底層700的第一 於該基層200的一底面220兩侧。 料800填入於該基座2〇〇的兩側缺 位710、720的外侧缺口 711、721 縣710與4導電層3GG的第-導電部31()連接，而使該 底層700的第二部請與科電層3〇〇的第一導電部32〇 連接。 虡4aa片（Chip)400分別載設於該導電層3〇〇之第一 導電口P 3 10 ’並分別利用二導線4丨Q以打線方式連接於該 第一導電部310及第二導電部32〇。 该透光層500係為環氧樹脂（Epoxy)，覆蓋於該晶片 400上。该透光層5〇〇包含一位於中央處的導槽51〇，該 導槽510形成於該透光層5〇〇的一頂面52〇，該導槽51〇 具有一槽底511及一槽壁。該槽底511為水平狀，該槽壁 具有一壁面512，該等壁面512皆自該導槽51〇的槽底511 傾斜延伸連接至該透光層500的頂面520。而該導槽510 M328674 之槽底511與壁面512皆連通至該透光層500的一外側面 530。 該導光層600是一鍍銀層，形成於該透光層5〇〇之導 槽510的兩壁面512。且該導光層600之導槽510係正對 位於該晶片400上方。 參照第4圖，在本實施例中，該透光層5〇〇之傾斜壁 面512的角度Θ係設定為60度。當該晶片400是一個頂 面發光的型態，在晶片400通電之後，如第4圖的箭頭所 示，光線除了向上投射，而分別自該導槽51〇的槽底511 以及該透光層500之水平頂面52〇發出光源之外，投射在 該透光層500之壁面512光線，經由鍍銀導光層6〇〇的導 光作用’再朝向該透光層500的外側面530發出光源，因 此，本新型之發光二極體的光線分佈方向係以三向發光， 當使用在手機的輸入面板（Key Pad)，不但可擴增光源的散 射角度，以提高整體亮度，使亮度更均勻，且可減少晶片 400數量，以減低製造成本。 參照第5圖，係為本新型之發光二極體之光源分佈的 指向圖，此係一種頂面發光的晶片型態，且槽壁壁面角度 0為60度的發光二極體。經光學試驗結果發現，與第2 圖之現有發光二極體相較之下，本新型之發光二極體的光 線分佈的曲線S涵蓋範圍大於現有發光二極體的光線照射 範圍。所以，使用在手機輸入面板（Key pad)等光源需求幅 度大的電子產品時，本新型之發光二極體的整體亮度將大 幅提南。 M328674 參照第6圖，係為本新型之發光二極體之光源分佈的 指向圖，此係一種全面發光的晶片型態，且槽壁壁面角度 0為60度的發光二極體。經光學試驗結果發現，此發光 二極體之光線的曲線S涵蓋範圍亦以多向散射的方式，獲 得提高整體亮度作用，與現有第2圖之發光二極體的光源 曲線S分佈範圍相較下，同樣可獲得擴大光線散射範圍的 使用效果。 據上所述，本新型的發光二極體在該透光層5〇〇的頂 面520凹形成有傾斜壁面512的導槽510,並在壁面512 上塗覆導光材料（鍍銀導光層600)，讓晶片400發光的光 源以三向發光的方式，擴增發光二極體整體的光線照射範 圍，當使用在手機的輸入面板（Key Pad)底部，即可增加整 體的光線散射範圍，而且，當增加了發光角度，相對可減 少此發光二極體上的晶片400數量，故可降低製造成本。 參照第7圖，本新型發光二極體的第二實施例，包含 一基層200、一導電層3〇〇、二晶片400、一透光層500、 二導光層600與一底層700。 此第二實施例與上述第一實施例不同的地方，只是變 化该導槽510的形狀，該導槽51〇的槽壁具有有二壁面 512、513,其中一個壁面512自該導槽510的槽底511傾 斜延伸連接至該透光層500的頂面520。另一個壁面513 自該導槽510的槽底511垂直延伸連接至該透光層5〇〇的 頂面520，該等壁面512、513皆塗覆有該導光層6〇〇。 在第7圖中，該發光二極體在透光層5〇0之頂面520 M328674 形成有一正對於該晶片4〇〇的導槽51〇，且該導槽5i〇的 兩壁面512、513採一傾斜、一垂直的結構型態，使該發 光二極體的光源除了直接穿透該透光層500的頂面52〇以 及該導槽510之槽底511，以朝二個方向朝上發光之外， 更可藉由單側的傾斜壁面512上之導光材料（鍍銀之導光 層600)，將光源朝向該透光層5〇〇的外側面53〇，以期獲 得與第一實施例之多向發光的目的。 參照第8圖，本新型發光二極體的第三實施例，包含 一基層200、一導電層3〇〇、二晶片4〇〇、一透光層5〇〇、 二導光層600與一底層7〇〇。 此第三實施例與上述第一實施例不同的地方，只是變 化該導槽510的形狀，該導槽51〇的槽壁具有四個壁面， 弟 i面514與第一壁面515位於面對位置，並且分別自 該導槽510的槽底511傾斜延伸連接至該透光層5〇〇的頂 面520’且該第一壁面514與第二壁面515塗覆有導光層 600。第三壁面516與第四壁面517位於面對位置，且分 別連接在該第一壁面514與第二壁面515之間，該第三壁 面516與第四壁面517分別自該導槽510的槽底511垂直 延伸連接至該透光層500的頂面520。 參照第9圖，本新型發光二極體的第四實施例，包含 一基層200、一導電層3〇〇、二晶片4〇〇、一透光層5〇〇、 一導光層600與一底層700。 此第四實施例與第三實施例不同之處，只是將該透光 層500之導槽510的第三壁面516與第四壁面517設成傾 M328674 斜延伸連接在該導槽510的槽底511與該透光層5〇〇的頂 面520之間，且環周連接的第一壁面514、第二壁面515、 第三壁面516與第四壁面517上皆設有導光層6〇〇，其他 結構皆相同，不再贅述。 第8圖與第9圖之第三與第四實施例中，係在說明一 種設置於該透光層500頂面52〇的導槽51〇，且未連通至 该透光層500之外側面530，並且在傾斜的槽壁壁面上均 設有導光材料，藉以作為光源導向，並使發光二極體獲得 多向光源的目的。 此外’在上述各個實施例中，所有傾斜槽壁壁面512、 514 ' 515、516、517的角度0可為30度至80度之間，在 本新型中，此0角度皆為60度。藉以不同角度的傾斜槽 壁壁面，透過導光層600的導光作用，皆能使發光二極體 發出多向的光線，如三向光源，以獲得本新型的使用目的。 參照弟10圖，本新型發光二極體的第五實施例，係 在說明一種使用單顆晶片400的發光二極體，而且將該透 光層500的導槽510呈開放狀形成於晶片400的正上方， 至於使用情況以及預期可獲得的功用皆與第一實施例相 同，此不再贅述。 歸納上述，本新型的發光二極體具有增加光源散射範 圍，提高整體亮度，使亮度更均勻，並可減少發光二極體 之晶片數量，以降低製造成本。 雖然本新型已以五實施例揭露如上，然其並非用以限 定本新型，任何熟習此技藝者，在不脫離本新型之精神和 11 M328674 範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本新型之保護範 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ” $ 【圖式簡單說明】 為讓本新型之上述和其他目的、特徵、優點與實施例 能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下： 第1圖係為現有發光二極體的組合剖視圖。 苐2圖係為現有發光二極體之光線分佈的指向圖。 第3圖係為本新型第一實施例之發光二極體的立體透 視圖。 第4圖係為該第一實施例的組合剖視圖。 第5圖係為本新型之採頂面發光的發光二極體之光線 分佈的指向圖。 第6圖係為本新型之採全面發光的發光二極體之光線 分佈的指向圖。 第7圖係為本新型之第二實施例的組合剖視圖。 第8圖係為本新型之第三實施例的立體透視圖。 第9圖係為本新型之第四實施例的立體透視圖。 第10圖係為本新型之第五實施例的立體透視圖。 【主要元件符號說明】 wo :發光二極體 101 :基層 102 :金屬層 103 :晶片 12 M328674
104 ··透光層 200 :基層 220 :底面 300 ··導電層 320 :第二導電部 410 :導線 510 :導槽 512 :壁面 514 :第一壁面 516 ··第三壁面 520 :頂面 600 :導光層 710 ·•第一部位 720 :第二部位 800 :銲料 105 ： 頂面 210 ： 頂面 230 ： 缺口 310 ： 第一導電部 400 ： 晶片 500 ： 透光層 511 ： 槽底 513 ： 壁面 515 ： 第二壁面 517 ： 第四壁面 530 ： 外側面 700 ： 底層 711 ： 缺口 721 ： 缺口
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