TWM308500U - Pressure molding package structure for optical sensing chip - Google Patents

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TWM308500U
TWM308500U TW095216096U TW95216096U TWM308500U TW M308500 U TWM308500 U TW M308500U TW 095216096 U TW095216096 U TW 095216096U TW 95216096 U TW95216096 U TW 95216096U TW M308500 U TWM308500 U TW M308500U
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Description

M308500 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作係與光感測晶片有關，特別是關於一 晶片用之模壓封裝結構。 & “ 5【先前技術】 按，光感測晶片受到廣泛地應用，為了提高性能以及 其疋性，光感測晶片於封裝時，必須考量到環境因素(如· 光線）、機械支持以及電性連接的問題，以確保光感測晶片 於測量數值的可靠度。 、 10 如國内公告編號第420865號專利案揭露有一種「用於 光感測晶片封裝之塑膠封裝架構及方法」，其係運用一透光 蓋體封裝的方式蓋合於該光感測晶片，光線可穿過該透明 盍體後，再投射於該光感測晶片，以達到感測光線的目的； 惟，此案之構件繁多以及加工步序複雜，容易造成生產成 15本以及工時提高的問題。另外，在實務上，此案之封裝結 構只適用於球閘陣列(Ball grid array; BGA)或表面黏著技術 (Surface Mount Technology ; SMT)，在組裝時容易受到限 制’具有適用性較差的缺點。 為解決上述問題，國内公告編號第461059號專利案揭 20露有一種「影像感測晶片之封裝結構及其封裝方法(二l， 其係運用一透明膠體包覆一光感測晶片的方式進行封装1， 使光線可穿過透明膠體的部份而投射於該光感測晶片^以 達到感測光線的目的，其相較於前述之結構簡化加工程 序；然而，此案在透明膠體的部份容易導入來自外在環境 4 M308500 而對該光感測晶片形成干擾，容易影響光感測晶 片在作動時的效能，具有感測效果不佳的缺失。 綜上所陳，習知光感測晶片用之模壓封裝結構具有上 述缺失而有待改進。 【新型内容】 本創作之主要目的在於提供—種光感測晶以之模壓 、:t衣結構’具有簡化製程、節省成本的特色， 適用性。 15 “”為達成上述目的，本創作所提供一種光感測晶片用之 权壓封裝結構，包含有—導線架、-光感測晶片、若干導 線以及一封裝層；其中該光感測晶片設於該導線架，且具 有作用區以及一非作用區，該非作用區位於該作用 =周圍，忒專導線係連接該光感測晶片與該導線架；該封 衣，係不可透光地設於該非作用區以及該導線架之間且包 覆该非作用區、該等導線以及該導線架局部，並形成至少 一開放區係對應於該作用區。 藉此，本創作光感測晶片用之模壓封裝結構運用模壓 成，(molding)製程取代習用以封蓋製程(cap package)或以透 明膠體封裝的方式，能夠克服㈣光制晶y封裝結構之缺 失’具有簡化製程、節省成本的特色，以及較佳之適用性。 【實施方式】 為了詳細說明本創作之結構、特徵及功效所在，茲舉 20 M308500 以下較佳實施例並配合圖式說明如後，其中·· 第一圖為本創作第一較佳實施例之加工示意圖。 第二圖為本創作第一較佳實施例之結構示意圖。 弟二圖為本創作弟^一^又佳貫施例之加工示意圖。 5 第四圖為本創作第二較佳實施例之結構示意圖。 首先請參閱第一圖及第二圖，其係為本創作第一較佳 實施例所提供之光感測晶片用之模壓封裝結構(10)，其主要 包含有一導線架(20)、一光感測晶片（3〇)、若干導線(4〇)以 及一封裝層(50)。 10 該導線架(20)設於該光感測晶片（30)底侧且向其厨圍 延伸，用以承載該光感測晶片（3〇)。 該光感測晶片（30)的類型係為cCD(charge-coupled device)、CMOS(Complementary metal oxide semiconductor) 或LED(light emitting diode)，本實施例中該光感測晶片（3〇) 15選以CCD(diarge_coupled device)為例。該光感測晶片⑽ 具有一作用區(32)以及一非作用區(34);其中，該作用區(32) 位於該光感測晶片（30)中央位置，該非作用區(34)則圍合環 繞該作用區(32)。 該等導線(40)電性連接該光感測晶片（3〇)之非作用區 20 (34)頂側以及該導線架(2〇)。 該封裝層（50)係不可透光地設於該光感測晶片（3〇)以 及該導線架(20)之間，用以包覆該光感測晶片（3〇)之非作用 區(34)、該導線架(2〇)局部以及該等導線(4〇)，該封裝層〇) 係形成一開放區(52)係對應於作用區(32)，用以供光線投射 6 M308500 於》亥作用&(32)，其中，該封裝層(5〇) 以模愿方式形成，其巾娜 、M具組(60) 及-下槿且_兮 包含有一上模具(62)以 模綱具有—凸部歸可抵心 用以使該封裝層(5〇)形成該開放區(52)(如第一圖所示）。 15 ，由上述結構，本實施例所提供光感測晶片用之模壓 封衣、u冓(ίο)運用模造成型(molding)製程封合該非作用區 (34) ’以結構而言’本創作能夠克服習用以封蓋製程 package)或以透明膠體封裝之缺失，能簡化加工歩序而降低 工時’具有簡化製程、節省成本的特色；再者，該封裝層⑽ 之開放區(52)可限制該光感測晶片（3〇)的感測範圍，降低環 2因素干擾，相較於習用者，確保該光感測晶片（3〇)於運作 時的穩定度；另外，本案之結構能夠可適用於s〇p(Smali Outline Package) - QFN(Quad Flat No-lead Package)-QFP(Quad Flat No Lead Package) > P-DIP(Plastic Dual In-Line Package ; P-DIP)等封裝樣式，具有較佳之適用性。 請參閱第三圖及第四圖，其係為本創作第二較佳實施 例所提供光感測晶片用之模壓封裝結構(12)，其與第一較佳 實施例大體結構相同，同樣包含有一導線架(20)、一光感測 晶片（30)、若干導線(40)以及一封裝層（50);惟，其差異在 於，該光感測晶片（30)於底側更具有一作用區(36)、該導線 架(20)局部以及該等導線(40)，該封裝層（50)係於底側形成 有一開放區（54)係對應於該光感測晶片（30)底側之作用區 (36)，用以供光線投射於該作用區(32);其中，該封裝層（50) M308500 底側之開放區（54)係透過該下模具㈣之—凸部抵於 該光感測晶片⑽底侧之作用區(36)，使 底側 形成該開放_4)(如第三圖所示）。 ，心)底側 經由上述結構，本實施例所提供之光感測晶片用之 5壓封裝結構(12)，其主要揭示該光感測晶片⑼)之另一恭施 態樣，其與第一較佳實施例中所揭露者不同，而同樣= 到W述實施例所能達成之功效。 綜上所陳，經由以上所提供的實施例可知，本創作光 感測晶片用之模壓封裝結構運用模壓成型(m〇lding)製 10代習用以封蓋製程(cappackage)或以透明膠體封裝的方式，此 2克服習用光感測晶片封裝結構之缺失，具有簡化‘程肊 節省成本的特色，以及較佳之適用性。 衣王 ▲、本創作於前揭實施例中所揭露的構成元件，僅為舉例 說明，並非用來限制本案之範圍，其他等效元件的替二: 15變化’亦應為本案之申請專利範圍所涵蓋。 3 8 M308500 【圖式簡單說明】 第一圖為本創作第一較佳實施例之加工示意圖。 第二圖為本創作第一較佳實施例之結構示意圖。 第三圖為本創作第二較佳實施例之加工示意圖。 5 第四圖為本創作第二較佳實施例之結構示意圖。 【主要元件符號說明】 光感測晶片用之模壓封裝結構(10)(12) 光感測晶片（30) 非作用區(34) 導線(40) 開放區(52) 模具組(60) 凸部(621) 凸部(641) 導線架(20) ίο 作用區（32) 作用區(36) 封裝層（50) 開放區（54) 上模具(62) 15 下模具(64)

Claims (1)

  1. M308500 九、申請專利範圍： 1· 一種光感测晶片用之模壓封裝結構，包 一導線架； -光感測晶片，設於該導線架，且具有至少一作用區 以及一非作用區，該非作用區位於該作用區周圍； 5 》干導線’係連接該光感測晶#與該導線架；以及 一封裝層，係不可透光地設於該非作用區以及該導線 架之間，且包覆該非作㈣、該等導線以及該導線架局部， 並幵 >成至少一開放區係對應於該作用區。 2·依據申請專利範圍第i項所述光感測晶片用之模壓 10封裝結構’其中该封裝層係透過一模具組以模壓方式形成。 3·依據申請專利範圍第2項所述光感測晶片用之模壓 封裝結構，其中該模具組包含有一上模具以及一下模具， 該上模具與該下模具係可相互蓋合，該模具組具有一凸部 係可抵於該作用區。 15 4·依據申請專利範圍第3項所述光感測晶片用之模壓 封裝結構’其中該上模具則具有該凸部係可抵於該作用 區’用以使該封裝層於頂側形成該開放區。 5·依據申請專利範圍第3項所述光感測晶片用之模壓 封裝結構’其中該下模具則具有該凸部係可抵於該作用 20區，用以使該封裝層於底側形成該開放區。 6·依據申請專利範圍第1項所述光感測晶片用之模壓 封裝結構’其中該光感測晶片的類型係為 CCD(charge-coupled device) ^ CMOS(Complementary metal oxide semiconductor)或 LED(light emitting diode)。
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