TWM266550U - Solid state semiconductor light-emitting device - Google Patents
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M266550 案號 93216632 年 月_日 修正 四、創作說明(1) 【新型所屬之技術領域】 本創作係有關一種具有良好散熱功效、且提昇結合之 穩固性之固態半導體發光元件,適用於發光二極體或類似 結構者。 【先前技術】 一般而言’發光二極體的光度蛛率和LED的界面溫 度成反比關係,L E D封裝體最主要關注的一項,即是維 持晶粒之溫度於界面溫度之下,習用之L e D,該晶片係 被裝設於其中一導線之凹杯(即光學腔穴),並藉一黏結 線與另一導線連結’因此被封裝之晶粒易受熱應力作用而 導致損壞。 有鑑於上述習用缺失,故有美國專利案號第6,27 4, 9 2 4 號「SURFACE MOUNTABLE LED PACKAGE」構造產
生,如第l圖所示,其主要包括:一具有反射杯14 選配)之散熱塊1 〇,一插模式之導線座丄2,是一被模 鑄在一提供電路徑之金屬架周圍的填充塑膠物, K 體晶粒1 6是藉一導熱副托架1 8間接地固定於散熱換j 〇上,黏結線自晶粒i 6及該副托架1 8延伸至在^ 電及熱隔離之導線座"上之金屬導線,1 = 添加,其係藉由固定一預先成形之熱塑 片及包封物,或是經由鑄造環氧樹脂以覆蓋該=鏡 上述結構雖可將電熱分離’令晶粒不受熱影燮,二 組成兀件較為繁複,因此,本創作 二但其 導體發光元件,1雷、执不八二供—種固態半 外,色藉導線架之!數支架,以増加2
M266550 __案號93216^_-年 月 曰 修正 _ 四、創作說明(2) 表面積,並藉複數支架以增強與電路板之結合度,乃潛心 研思、設計組製’以挺供消費大眾使用,為本創作所欲研 創之創作動機者。 【新型内容】 本創作之主要目的,在提供一種組成元件簡潔,但電 、熱不分離之固態半導體發光元件者。 本創作之次要目的’在提供一種增加散熱表面積、並 增進結合穩固度之固態半導體發光元件者。 為達上述目的,本創作主要包括:一散熱塊、一晶片 、一導線架及包覆上述三者之樹脂,其中該散熱塊之中心 位置係设有一置放杯,以供晶片放置,另外該晶片亦可藉 一導熱托架與散熱塊結合,該導線架係由二頂部具有頂^ 之支架相對没置,一頂邊中間再設置一中央設有穿孔之支 架,該設有中央穿孔之支架與其中一設有頂邊之支架連結 ,其連結部位係可任意定之,並以塑膠材料將三支架連結 成一體’且4塑膠材料以模鑄製成一結合座體,將^熱塊 之置放杯套合於導線架之結合座體内,以金屬線將晶#片、與 導線架連結,再以樹脂或矽膠將其包覆,以完成一可發出 光線之發光二極體;如此,不僅散熱塊可提供良好之散熱 效果’且該導線架的各支架亦可增加散熱表面積,並可^ 進結合穩固度者。 曰 本創作之其他特點及具體實施例可於以下配合附圖之 洋細說明中’進一步瞭解。 · 【實施方式】 言青㈣2 ' 3圖,本創作主要包括:一散熱塊3 〇、
第6頁 案號 93216632 M266550 担、創作說明(3) 一導線架4 0、一晶片5 〇及一導熱托架5丄,再由樹脂 或矽膠將上述元件包覆(圖未示出),以完成一發光二極 體’該散熱塊3 0係由導熱物質諸如銅、石夕、鋁、鉬、氧 化鋁、氮化鋁、鈹或是其複合物及其合金的導熱物質,或 者可用鉬銅及鎢銅之複合物製成,該散熱塊3 〇於中心處 向上凸設一置放杯3 1 ,該置放杯3工係供導熱托架5工 (可選配)及晶片5 0置放結合。 一該導線架40係由第一支架41 、第二支架43、第 f支架4 5排列置設後,透過塑膠材料模鑄製成之結合座 47組合而成,請參第6圖所示,該第一支架4ι、 支架4 3結構係為相同,均設有二支腳,頂部社 :=之:邊42、44,再將第一支架41、第二= 央穿孔、4 1相對設置,另將第三支架4 5以中 同42、44之方式排列於模具上’ ^其ίςη5與第一支架41或第二支架4 3 (任 有吝 、,,口,八連結部位係可任意定之,該模具上俜讯 膠材料模轉成型時,完成具有= 1、43、、4'5外露;=合座47上設有多個令支架4 孔46,設於置放牙套第二支架45之穿 之破孔與匕以 第一支架4 5連結,拍读彳丹組日匕々 / 4 3或 線架4 η、s η 透 或矽膠將散熱塊3 〇、導 深“〇、曰曰片5〇及金屬線一併包覆(圖未示出 M266550 的製作, 4 1、第 架4 5加 6 0時, 6 0表面 7 a、7 時,該晶 熱塊3 〇 處设有— 該突起部 者。 ,本創作 組成元件 到良好之 第三支 電路板 電路板 請參第 電使用 1及散 於底部 驗證實 為最佳 上可知 效減化 樣可達
6 0時,除了二 ,同時其前後二 而第三支架4 5 0直接焊合,或 6 0並將其端部 生之熱,經導熱 圖所示,該散熱 狀之突起部3 2 溫度梯度,其散 案號 93216632 3、創作說明(4) 成發光二極體 側之第一支架 側亦有 結合於 焊合於 抛折, 通 托架5 塊3 〇 ,經實 熱效果 由 1、有 同 當其結合於電路板 一支架4 3作結合 強結合之穩固性, 係可穿透電路板6 ,亦或穿透電路板 b及7 c圖。 片5 0及金屬線所 將熱逸散,如第8 由圓心向外呈放射 3 2係可增加表面 之裝置係具有如下實用優點: ’且在電、熱不分離之情況之下, 散熱功效’而不影響晶片之效能者 2 3 藉導線架之複數支架,不僅令其結合更穩固,亦可進 一步增加散熱之表面積者。 該導線架内的第三支架係可依客戶需求而加以切除者 ,以上所述者,僅為本創作之較佳實施例,當不能用 T定本創作可實施之範圍,凡習於本業之人士所明顯可 I化與修飾,皆應視為不悖離本創作之實質内容。 :上所述’本創作確可達到創作之預期目的,提供一
固態半導體發光元件,具有實用價值無疑,爰依法提出 新型專利申請。 Η M266550 案號93216632 年月日 修正 圖式簡單說明 【圖式簡單說明】 第1圖係為習用發光二極體之立體元件分解圖。 第2圖係為本創作實施例之立體分解圖。 第3圖係為本創作散熱塊結合導線架之俯視圖。 第4圖係為第3圖A — A之剖視圖。 第5圖係為第3圖B — B之剖視圖。/ 第6圖係為第2圖C 一 C之剖視圖。 第7 a〜7 c係為本創作實施例結合電路板之應用例圖。 第8圖係為本創作實施例之仰視圖。
主要元件符號說明】 1 0、散熱塊 1 4、反射杯 1 8、副托架 3 0、散熱塊 3 2、突起部 4 0、導線架 4 2、弧邊 4 4、狐邊 4 6、穿孔 5 0 、晶片 6 0、電路板 1 2、導線座 1 6、L E D晶粒 2 0、光學鏡片 3 1、置放杯 4 1 、第一支架 4 3 、第二支架 4 5 、第三支架 4 7、結合座 5 1、導熱托架
第9頁
Claims (1)
- M266550 -_ 93216632___年月 五、申請專利範圍 、一種固態半導體發光元件,主要包括: 一散熱塊,中央部位設有一突起之置放杯,以 片設置;以及 設有頂邊之支架相對設置, 之支架,該具穿孔之支架並 結’再以座膠材料將三支架 杯套設之結合座體; 線與導線架連結,再以樹脂 良好散熱效果、並可增進結 光元件者。 述之固態半導體發光元件, 上係設有令三支架外露之複 一導線架,係由二頂部 二頂邊之間再設一具穿孔 與其中一具頂邊之支架連 模鑄成可供散熱塊之置放 藉此,將該晶片藉金屬 將其包覆,以完成一具有 合穩固度之固態半導體發 2、如申請專利範圍第1項所 其中該導線架之結合座體 數破孔者。 3、 如申請專利範圍第1項所述之固態半導體發光元件, 其中該散熱塊之底面係設有突起部者。 4、 如申請專利範圍第3項所述之固態半導體發光元件, 其中該突起部係設呈放射狀者。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW93216632U TWM266550U (en) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | Solid state semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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TW93216632U TWM266550U (en) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | Solid state semiconductor light-emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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TWM266550U true TWM266550U (en) | 2005-06-01 |
Family
ID=36501586
Family Applications (1)
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TW93216632U TWM266550U (en) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | Solid state semiconductor light-emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TWM266550U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI416753B (zh) * | 2005-12-12 | 2013-11-21 | Nichia Corp | A light emitting device and a semiconductor device and a manufacturing method thereof |
-
2004
- 2004-10-19 TW TW93216632U patent/TWM266550U/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI416753B (zh) * | 2005-12-12 | 2013-11-21 | Nichia Corp | A light emitting device and a semiconductor device and a manufacturing method thereof |
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