TWI917536B - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

Abstract

容易掌握發生成為異物檢測之原因的事件的因素。

本揭示之一觀點所涉及的基板處理裝置具備：處理液供給部，其係具有能夠吐出處理液的噴嘴，和處理液之供給源，和連接噴嘴和供給源之間的供給流路，對基板供給處理液；複數異物檢測部，其係沿著供給流路而被配置在位置彼此不同的複數處，根據接收伴隨著光照射時從供給流路內被射出的射出光而獲得的受光訊號，檢測處理液所含的異物；及發生源推定部，其係根據藉由複數異物檢測部在複數處之各檢測結果，推定從供給流路之中發生成為異物之檢測原因之事件的區域。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體

本揭示係關於基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體。

在專利文獻1揭示具備測定從取樣配管被供給的光阻液之微粒的微粒測定裝置的塗佈裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開平10-209024號公報

[發明所欲解決之課題] 本揭示係提供能夠容易掌握發生成為異物檢測原因之事件之因素的基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體。 [用以解決課題之手段]

本揭示之一觀點所涉及的基板處理裝置具備：處理液供給部，其係具有能夠吐出處理液的噴嘴，和處理液之供給源，和連接噴嘴和供給源之間的供給流路，對基板供給處理液；複數異物檢測部，其係沿著供給流路而被配置在位置彼此不同的複數處，根據接收伴隨著光照射時從供給流路內被射出的射出光而獲得的受光訊號，檢測處理液所含的異物；及發生源推定部，其係根據藉由複數異物檢測部在複數處之各檢測結果，推定從供給流路之中發生成為異物之檢測原因之事件的區域。 [發明之效果]

本揭示係提供能夠容易掌握發生成為異物檢測原因之事件之因素的基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體。

以下，針對各種例示性實施型態予以說明。

一個例示性實施型態所涉及的基板處理裝置具備：處理液供給部，其係具有能夠吐出處理液的噴嘴，和處理液之供給源，和連接噴嘴和供給源之間的供給流路，對基板供給處理液；複數異物檢測部，其係沿著供給流路而被配置在位置彼此不同的複數處，根據接收伴隨光照射時從供給流路內被射出的射出光而獲得的受光訊號，檢測處理液所含的異物；及發生源推定部，其係根據藉由複數異物檢測部在複數處之各檢測結果，推定從供給流路之中發生成為異物之檢測原因之事件的區域。

可考慮在噴嘴和供給源之間的供給流路，於一處配置異物檢測單元而檢測處理液內之異物的方法。在該方法中，雖然可以掌握在處理液內發生異物之情形，但是無法從檢測結果掌握異物係什麼因素而發生在處理液內。對此，在上述基板處理裝置中，從在供給流路上之複數處的異物之檢測結果，推定供給流路之中之發生成為異物檢測之原因之事件的區域。因此，藉由利用其推定結果，能夠容易掌握上述事件發生之因素。

即使處理液供給部具有：送液部，其包含捕集供給流路內之處理液所含之異物的過濾器，和朝向噴嘴送出處理液的泵浦；吐出閥，其係開關供給流路之中之送液部和噴嘴之間的流路；和補充部，其係從供給源對送液部補充處理液亦可。即使複數異物檢測部具有：第1異物檢測部，其係被配置在噴嘴和吐出閥之間之流路；第2異物檢測部，其係被配置在吐出閥和送液部之間的流路；及第3異物檢測部，其係被配置在補充部和送液部之間的流路亦可。在此情況，能夠從第1異物檢測部、第2異物檢測部及第3異物檢測部所致的檢測結果，將被假設為發生成為異物之檢測原因之事件的區域，推定為包含吐出閥之區域、包含送液部的區域，或包含補充部的區域中之任一者。

即使上述基板處理裝置進一步具備因素推定部，其係因應發生源推定部推定的區域，推定上述事件發生之因素亦可。在此情況，藉由利用因素推定部所致之因素之推定結果，能夠更容易地掌握上述事件發生的因素。

即使上述基板處理裝置進一步具備流速測定部，其係測定在將處理液引導至噴嘴的流路內流動的處理液之流速亦可。即使因素推定部係根據流速測定部所致的測定結果，縮小上述事件發生的因素亦可。在此情況，因上述事件發生的因素被縮小，故能夠更容易地掌握上述事件發生的因素。

即使因素推定部係根據上述事件發生之時的對基板供給處理液之頻率，縮小上述事件發生的因素亦可。在此情況，因上述事件發生的因素被縮小，故能夠更容易地掌握上述事件發生的因素。

複數異物檢測部之各者係根據表示射出光所含之背景光之強度的強度資訊，檢測處理液所含之另外的藥液作為異物亦可。因應處理液之液體的類別，背景光之強度有所不同。在上述構成中，藉由利用強度資訊，能夠容易地判定在處理液內是否含有其他藥液作為異物。

一個例示性實施型態所涉及之基板處理方法包含從能夠吐出處理液之噴嘴，對基板供給處理液的步驟；沿著連接處理液之供給源和噴嘴之間的供給流路而在位置彼此不同的複數處，根據接收伴隨著光照射時從供給流路內被射出的射出光而獲得的受光訊號，檢測處理液所含的異物的步驟；及包含根據在複數處之各者的異物的檢測結果，推定從供給流路之中發生成為異物之檢測原因的事件之區域的步驟。在該基板處理方法中，與上述基板處理裝置相同，能夠容易地掌握上述事件發生的因素。

在一個例示性實施型態所涉及之記憶媒體係記憶有用以使裝置實行上述基板處理方法的程式之電腦可讀取的記憶媒體。

以下，參照圖面，針對幾個實施型態予以說明。在說明中，對具有相同要素或相同功能之要素標示相同符號，省略重複說明。

[第1實施型態] 首先，一面參照圖1～圖11，一面針對第1實施型態所涉及之基板處理系統1予以說明。圖1所示的基板處理系統1(基板處理裝置)係對工件W，施予感光性覆膜之形成、該感光性覆膜之曝光及該感光性覆膜之顯像的系統。處理對象之工件W係例如基板，或藉由施予特定處理，形成膜或電路等之狀態的基板。該基板以矽晶圓作為一例。即使工件W(基板)為圓形亦可。即使工件W為玻璃基板、光罩基板或FPD(Flat Panel Display)等亦可。感光性覆膜為例如光阻膜。

如圖1及圖2所示般，基板處理系統1具備塗佈顯像裝置2、曝光裝置3和控制裝置20。塗佈顯像裝置2係在曝光裝置3所致的曝光處理之前，進行在工件W之表面塗佈光阻液(藥液)而形成光阻膜之處理，於曝光處理後，進行光阻膜之顯像處理。曝光裝置3係對被形成在工件W(基板)上之光阻膜(感光性覆膜)進行曝光的裝置。具體而言，曝光裝置3係藉由液浸曝光等之方法，對光阻膜之曝光對象部分照射能量線。塗佈顯像裝置2具備載體區塊4、處理區塊5、介面區塊6。

載體區塊4係進行工件W朝塗佈顯像裝置2內的導入及工件W從塗佈顯像裝置2內的導出。例如載體區塊4能夠支持工件W用之複數載體C，內置包含收授臂的搬運裝置A1。載體C收容例如圓形之複數片工件W。搬運裝置A1從載體C取出工件W而交給處理區塊5，從處理區塊5接取工件W而返回至載體C內。處理區塊5具有複數處理模組11、12、13、14。

處理模組11係內置有液處理單元U1、熱處理單元U2、將工件W搬運至該些單元之搬運裝置A3。處理模組11係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2在工件W之表面上形成下層膜。液處理單元U1係將下層膜形成用之處理液塗佈在工件W上。熱處理單元U2係進行伴隨著下層膜之形成的各種熱處理。

處理模組12係內置有液處理單元U1、熱處理單元U2、將工件W搬運至該些單元之搬運裝置A3。處理模組12係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，在下層膜上形成光阻膜。液處理單元U1係將光阻膜形成用之處理液塗佈在下層膜上。熱處理單元U2係進行伴隨著光阻膜之形成的各種熱處理。

處理模組13係內置有液處理單元U1、熱處理單元U2、將工件W搬運至該些單元之搬運裝置A3。處理模組13係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，在光阻膜上形成上層膜。液處理單元U1係將上層膜形成用之處理液塗佈在光阻膜上。熱處理單元U2係進行伴隨著上層膜之形成的各種熱處理。

處理模組14係內置有液處理單元U1、熱處理單元U2、將工件W搬運至該些單元之搬運裝置A3。處理模組14係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，進行被施予曝光處理後之光阻膜之顯像處理及伴隨著顯像處理的熱處理。液處理單元U1係於在曝光完的工件W之表面上塗佈顯像液之後，藉由沖洗液沖洗此，進行光阻膜之顯像處理。熱處理單元U2係進行伴隨著顯像處理的各種熱處理。作為熱處理之具體例，可舉出顯像處理前之加熱處理(PEB: Post Exposure Bake)及顯像處理後之加熱處理(PB:Post Bake)等。

在處理區塊5內之載體區塊4側，設置有棚架單元U10。棚架單元U10被區劃成在上下方向排列之複數的單元。在棚架單元U10之附近設置有包含升降臂的搬運裝置A7。搬運裝置A7在棚架單元U10之單元彼此之間使工件W升降。

在處理區塊5內之介面區塊6側，設置有棚架單元U11。棚架單元U11被區劃成在上下方向排列之複數的單元。

介面區塊6係在與曝光裝置3之間進行工件W之收授。例如，介面區塊6內置包含收授臂的搬運裝置A8，被連接於曝光裝置3。搬運裝置A8係將被配置在棚架單元U11的工件W轉交至曝光裝置3。搬運裝置A8係從曝光裝置3接取工件W而返回至棚架單元U11。

控制裝置20係控制塗佈顯像裝置2以使按例如以下的順序實行塗佈顯像處理。首先，控制裝置20係控制搬運裝置A1，以使將載體C內之工件W搬運至棚架單元U10，控制搬運裝置A7，以使將該工件W配置在處理模組11用之單元。

接著，控制裝置20係控制搬運裝置A3，以使棚架單元U10之工件W搬運至處理模組11內之液處理單元U1及熱處理單元U2。再者，控制裝置20係控制液處理單元U1及熱處理單元U2，以使在該工件W之表面上形成下層膜。之後，控制裝置20係控制搬運裝置A3，以使形成有下層膜的工件W返回至棚架單元U10，控制搬運裝置A7，以使將該工件W配置在處理模組12用之單元。

接著，控制裝置20係控制搬運裝置A3，以使棚架單元U10之工件W搬運至處理模組12內之液處理單元U1及熱處理單元U2。再者，控制裝置20係控制液處理單元U1及熱處理單元U2，以使對該工件W之表面形成光阻膜。之後，控制裝置20係控制搬運裝置A3，以使工件W返回至棚架單元U10，控制搬運裝置A7，以使將該工件W配置在處理模組13用之單元。

接著，控制裝置20係控制搬運裝置A3，以使棚架單元U10之工件W搬運至處理模組13內之各單元。再者，控制裝置20係控制液處理單元U1及熱處理單元U2，以使在該工件W之光阻膜上形成上層膜。之後控制裝置20係控制搬運裝置A3，以使工件W搬運至棚架單元U11。

接著，控制裝置20係控制搬運裝置A8，以使棚架單元U11之工件W送出至曝光裝置3。之後，控制裝置20係控制搬運裝置A8，以使從曝光裝置3接收被施予曝光處理之工件W而配置在棚架單元U11中之處理模組14用之單元。

接著，控制裝置20係控制搬運臂A3，以使棚架單元U11之工件W搬運至處理模組14內之各單元，且控制液處理單元U1及熱處理單元U2，以使進行該工件W之光阻膜之顯像處理。之後，控制裝置20係控制搬運裝置A3，以使工件W返回至棚架單元U10，且控制搬運裝置A7及搬運裝置A1，以使該工件W返回至載體C內。以上，完成針對一片工件W的塗佈顯像處理。即使控制裝置20係針對後續之複數工件W之各者，也與上述相同使塗佈顯像裝置2實行塗佈顯像處理。

另外，基板處理裝置之具體性構成不限定於上述例示的基板處理系統1之構成。即使基板處理裝置若具備對基板供給處理液而施予液處理的液處理單元，及能夠控制此之控制裝置的話，則即使為任何者亦可。

(液處理單元) 接著，參照圖3及圖4，針對在處理模組12的液處理單元U1之一例予以詳細說明。液處理單元U1係如圖3所示般，具備旋轉保持部22和處理液供給部28。

旋轉保持部22係根據控制裝置20之動作指示，保持工件W並使旋轉。旋轉保持部22具有保持部24和驅動部26。保持部24係使表面Wa朝向上方而支持被水平配置之工件W之中心部，藉由吸附(例如真空吸附)等保持該工件W。驅動部26係包含例如電動馬達等的動力源之旋轉致動器，使保持部24繞垂直的旋轉軸旋轉。依此，工件W繞垂直的旋轉軸旋轉。

處理液供給部28對工件W供給處理液。處理液供給部28具有能夠吐出處理液之噴嘴30，和將處理液從處理液之液源(後述的供給源52)導引至噴嘴30的供給流路29，對工件W之表面Wa供給處理液。處理液供給部28係例如圖4所示般，具有噴嘴30、送液管32、吐出閥34、送液部40、送液管36和補充部50。在以下說明中，以處理液之流動為基準，使用「上游」及「下游」的用語。

噴嘴30係對工件W吐出處理液。噴嘴30係例如被配置在工件W之上方，對下方吐出處理液(也參照圖3)。藉由從噴嘴30朝向工件W吐出處理液，在工件W之表面Wa塗佈(供給)處理液。送液管32係連接噴嘴30和送液部40之間，形成將處理液引導至噴嘴30的流路。送液管32之下游側的端部係連接於噴嘴30，送液管32之上游側的端部被連接於送液部40。

吐出閥34係被設置在藉由送液管32而形成的處理液的流路。吐出閥34係根據來自控制裝置20之動作指示，開關送液管32內之流路(送液部40和噴嘴30之間的流路)。在吐出閥34為開啟狀態之時，處理液從噴嘴30朝向工件W之表面Wa被吐出，在吐出閥34為關閉狀態之時，停止處理液從噴嘴30吐出。吐出閥34為例如空氣操作閥。

送液部40係將處理液經送液管32送至噴嘴30。具體而言，送液部40係將處理液以特定壓力朝向噴嘴30送出。送液部40具有例如泵浦42、連接管44和過濾器46。

泵浦42係接收從補充部50被補充的處理液，而加壓接收到的處理液而朝向噴嘴30送出。泵浦42具有收容處理液的收容室，和使其收容室擴大及收縮的收縮部。泵浦42係藉由收縮部放大收容室而接收處理液，藉由收縮部使收容室收縮而送出處理液。作為泵浦42，即使使用管式隔膜泵、隔膜泵或波紋管泵亦可。

連接管44係連接泵浦42和過濾器46。連接管44之下游側的端部係連接於泵浦42，連接管44之上游側的端部被連接於過濾器46。連接管44係形成將從補充部50被補充的處理液引導至泵浦42的流路之一部分。過濾器46係捕集在從補充部50至泵浦42之流路流動的處理液所含的異物。

送液管36係連接過濾器46和補充部50之間。送液管36之下游側的端部係連接於送液部40(過濾器46)，送液管36之上游側的端部被連接於補充部50。藉由送液管36及連接管44，形成從補充部50至泵浦42之處理液的流路。

補充部50係對送液部40補充用以朝向噴嘴30送出的處理液。如上述般，在補充部50和泵浦42之間，藉由送液管36及連接管44，形成處理液之流路，在該流路內設置過濾器46。補充部50具有例如供給源52、送液管54、貯留槽56和泵浦58。

供給源52係被補充於送液部40之處理液的供給源。供給源52係例如收容處理液之瓶體。供給源52係經由送液管54而對瓶體58供給處理液。貯留槽56係被設置在送液管54，暫時性地貯留用以供給至泵浦58之處理液。

泵浦58係從貯留槽56接收處理液，加壓接受到的處理液之狀態，通過送液管36而送出至送液部40(通過送液管36及連接管44而送出至泵浦42)。泵浦58具有收容處理液的收容室，和使其收容室擴大及收縮的收縮部。泵浦58係藉由收縮部放大收容室而接收處理液，藉由收縮部使收容室收縮而送出處理液。作為泵浦58，即使使用管式隔膜泵、隔膜泵或波紋管泵亦可。

在上述說明的處理液供給部28中，藉由補充部50之送液管54、送液管36、送液部40之連接管44及送液管32，形成連接供給源52和噴嘴30之間的供給流路29。在供給流路29內，設置會成為從噴嘴30被吐出之處理液所含的異物之發生源的各種零件(組件)。藉由該些各種零件，構成處理液供給部28。在上述處理液供給部28中，供給源52、貯留槽56、泵浦58、過濾器46、泵浦42及吐出閥34相當於會成為異物之發生源的各種零件。

(異物檢測單元) 塗佈顯像裝置2係具備複數異物檢測單元70(複數異物檢測部)。各異物檢測單元70係被構成檢測在供給流路29內流動之處理液所含的異物(微粒)。在本揭示中，處理液內之「異物」除了塵及埃等之固體狀之異物，也包含氣泡之氣體狀的異物。檢測異物係指檢測處理液內含有異物之情形(判定為包含有異物)。異物檢測單元70係接收對供給流路29內流動之處理液照射來自光源之光(照射光)之時發生的光(射出光)，根據因應其接收到之光的訊號，檢測異物。

複數異物檢測單元70係沿著供給流路29配置在位置彼此不同的複數處。在此情況，供給流路29係藉由複數異物檢測單元70被分割成複數區域。在複數異物檢測單元70之中之供給流路29中，彼此相鄰的異物檢測單元70係被配置成該些單元間之區域至少含有一個上述零件。位於複數異物檢測單元70之中之最上游側的異物檢測單元70係被配置成至少一個的上述零件位於其單元之上游側之區域。各異物檢測單元70係在配置本身的處，檢測供給流路29內之處理液所含的異物。

塗佈顯像裝置2具備異物檢測單元70A，和異物檢測單元70B，和異物檢測單元70C，作為例如複數異物檢測單元70。在以下中，針對沿著供給流路29上之處理液流動的方向在彼此不同的位置具備異物檢測單元70A～70C之情況予以說明。異物檢測單元70A～70C係沿著供給流路29而從噴嘴30依序被設置。

異物檢測單元70A(第1異物檢測部)係被配置在供給流路29之中之吐出閥34和噴嘴30之間的流路。異物檢測單元70B(第2異物檢測部)係被配置在供給流路29之中之吐出閥34和送液部40之間的流路。異物檢測單元70C(第3異物檢測部)係被配置在供給流路29之中之送液部40和補充部50之間的流路。

在異物檢測單元70A和異物檢測單元70B之間的區域，配置吐出閥34作為零件。在異物檢測單元70B和異物檢測單元70C之間的區域，配置泵浦42及過濾器46作為零件。在異物檢測單元70C之上游的區域，存在供給源52(瓶體)、貯留槽56及泵浦58，作為零件。

如上述般，因沿著供給流路29配置異物檢測單元70A～70C，故假設在較異物檢測單元70C更上游之區域，於處理液內發生異物之情況，其異物依序通過異物檢測單元70C、70B、70A。作為在處理液內發生異物之情況的例，可舉出存在於零件之內部等的塵等之異物混入至處理液內的情況，及在處理液內形成氣泡等的異物之情況。

來自噴嘴30之處理液之每一次的吐出量(供給量)，係被設定為較藉由供給流路29之異物檢測單元70A～70C被分割的各區域的配管容積更小的值。在此情況，在進行一次的處理液供給的期間，異物在供給流路29內朝向下游移動的量較各區域的長度更短。因此，能以異物檢測單元70A～70C之各者檢測在任一的區域中於處理液內發生之異物的供給次數產生偏差。依此，可以從異物檢測單元70A～70C所致的檢測結果，推定從供給流路29之中發生成為異物之檢測之原因之事件的區域。作為異物之檢測之原因的事件(以下，簡稱為「事件」)，可舉出例如異物混入至處理液內之情形，及在處理液內發生氣泡之情形。

例如，在藉由異物檢測單元70A檢測到異物之情況，若在異物檢測單元70B、70C過去無檢測到異物時，則假設為在異物檢測單元70A、70B之間的區域發生上述事件。在此情況，可以推定為吐出閥34為異物之發生源。在藉由異物檢測單元70A檢測出異物之情況，在異物檢測單元70B已檢測到異物，若在異物檢測單元70C，過去無檢測到異物時，則被推定為在異物檢測單元70B、70C之間的區域發生上述事件。在此情況，送液部40所含的泵浦42及過濾器46之至少一方可推定為異物之發生源。

在藉由異物檢測單元70A檢測到異物之情況，若在異物檢測單元70B、70C已檢測到異物時，則假設為在較異物檢測單元70C更上游的區域發生上述事件。在此情況，補充部50所含的供給源52、貯留槽56、及過濾器56之至少一方推定為異物之發生源。針對使用異物檢測單元70A～70C所致的檢測結果，推定被假設為發生上述事件之區域(被假設為包含異物之發生源的區域)之方法的具體例於後述。

即使異物檢測單元70A～70C被構成彼此相同亦可。異物檢測單元70A～70C之各者形成使在供給流路29之處理液流通的流路(以下，稱為「検出流路」)。異物檢測單元70A～70C之各者係接收到藉由對對應的檢測流路照射照射光(例如，雷射光)發生的光之後，檢測在檢測流路流動的處理液內之異物。如圖5所示般，異物檢測單元70A～70C之各者具有例如框體71、流路形成部72、照射部76、受光部78和控制部80。

框體71收容流路形成部72、照射部76、受光部78及控制部80。即使框體71被形成長方體狀亦可。流路形成部72係在供給流路29形成上述檢測流路的構件。流路形成部72包含例如在內部形成有檢測流路74的區塊本體。該區塊本體係被形成長方體狀，藉由能夠穿透被使用於異物檢測之時的雷射光的材料而構成。在以下中，為了方便說明，將供給流路29之中的位於其異物檢測單元形成的檢測流路74之上游的流路記載為「上游側供給流路29a」，將為位於檢測流路74之下游的流路記載為「下游側供給流路29b」。

在與流路形成部72之區塊本體之中之框體71之一側面相向之面，形成檢測流路74之流入口74a及流出口74b。在流入口74a，連接位於較供給流路29之中之檢測流路74更上游的上游側供給流路29a之端部。在流出口74b，連接位於較供給流路29之中之檢測流路74更下游的下游側供給流路29b之端部。形成上游側供給流路29a及下游側供給流路29b之端部的管貫通位於流路形成部72之附近的框體71之側壁。

藉由上述構成，從供給源52被送出的處理液，依序通過異物檢測單元70C形成的檢測流路74、異物檢測單元70B形成的檢測流路74，及異物檢測單元70A形成的檢測流路74，朝向噴嘴30流動。從每一次的處理液之供給量和各區域的配管容積之關係，可知當通過異物檢測單元70C之檢測流路74的處理液，之後被進行複數次的處理液之供給時，則到達至異物檢測單元70B之檢測流路74。同樣，當通過異物檢測單元70B之檢測流路74之處理液，之後一被進行複數次之處理液之供給時，則會達到異物檢測單元70A之檢測流路74。

照射部76係被構成朝向檢測流路74照射用以檢測處理液之異物的照射光。照射部76包含例如生成作為照射光的雷射光的光源。其光源在一例中，生成波長400nm～600nm程度、輸出600mW～1000mW程度的雷射光。即使照射部76從下方朝向檢測流路74照射照射光亦可。

受光部78係被構成接收隨著來自照射部76之照射光從檢測流路74被射出的光(射出光)。受光部78係被配置在例如檢測流路74之側方(與流路形成部72相同的高度位置)。即使受光部78包含聚光從檢測流路74被射出的光之光學零件(透鏡)，和生成因應接受到之光的電訊號(以下，稱為「受光訊號」)的受光元件。受光部78係接收由於來自照射部76之照射光在檢測流路74散射而發生之光(散射光)之一部分。

當照射光被照射至處理液流動的檢測流路74內時，不管有無異物，發生散射光。在檢測流路74內之處理液不含有異物之情況，來自照射部76的照射光之大部分通過檢測流路74。另一方面，當在檢測流路74內之處理液包含異物時，在檢測流路74內的照射光之散射的程度變大，比起不含有異物之情況，受光部78接收的光(朝向受光部78之散射光之一部分)之強度變大。因應此，上述受光訊號之強度變大。

受光部78係對控制部80輸出接收從檢測流路74被射出之光而獲得的受光訊號。控制部80係控制異物檢測單元70A～70C之各者所含的各要素，同時根據受光部78接收到的受光訊號，判定處理液內是否含有異物。在以下中，針對控制液處理單元U1等的上述控制裝置20還有控制部80予以說明。

(控制系統) 異物檢測單元70A、70B、70C之各者的控制部80，和控制裝置20構成控制系統100。即是，基板處理系統1具備包含控制裝置20及控制部80的控制系統100。即使在控制裝置20連接輸出裝置19亦可。輸出裝置19係用以將控制裝置20被輸出的資訊輸出至作業員等之操作人員的裝置。輸出裝置19為例如監視器。若監視器係能在畫面上顯示資訊者，則任何者皆可，作為其具體例，可舉出液晶面板等。

控制系統100係被構成至少實行從噴嘴30對工件W供給處理液之步驟；沿著供給流路29而在位置彼此不同的複數處，根據接收隨著光的照射從供給流路74內被射出的射出光而獲得的受光訊號，檢測處理液所含的異物之步驟；及根據在複數處之各者的異物的檢測結果，推定從供給流路29之中發生成為異物之檢測原因的事件之區域的步驟。

如圖6所示般，控制系統100之控制部80具有例如投光控制部102，和訊號取得部104，和異物判定部106，作為功能上之構成(以下，稱為「功能模組」)。投光控制部102、訊號取得部104及異物判定部106分別實行的處理相當於控制部80(控制系統100)實行的處理。圖6係表示複數異物檢測單元70具有的複數控制部80之中的一個控制部80。

投光控制部102係在異物檢測單元70A～70C之中之對應的異物檢測單元，控制照射部76以使流路形成部72形成的檢測流路74被照射照射光。投光控制部102即使係每次對處理對象之工件W供給處理液(每一次的處理液供給)，配合其供給期間，控制照射部76以使照射光被照射至檢測流路74亦可。在一例中，投光控制部102係配合開始從噴嘴30朝工件W吐出處理液的時序而開始對照射部76照射照射光。而且，投光控制部102係配合停止從噴嘴30朝工件W吐出處理液的時序而停止對照射部76照射照射光。

訊號取得部104係在異物檢測單元70A～70C之中之對應的異物檢測單元中，從受光部78取得藉由接收隨著照射光之照射從檢測流路74而被射出的散射光(射出光)而獲得的受光訊號。即使訊號取得部104係每次對處理對象之工件W供給處理液(每一次的處理液供給)，配合其供給期間，從受光部78取得因應從檢測流路74接收到的光的受光訊號亦可。在一例中，訊號取得部104係因應投光控制部102所致的照射光之照射時序(照射期間)，每次供給處理液從受光部78取得受光訊號。

異物判定部106係在異物檢測單元70A～70C之中之對應的異物檢測單元中，根據訊號取得部104取得的受光訊號，判定有無異物。詳細而言，異物判定部106係根據對應的異物檢測單元取得的受光訊號，判定通過對應之處的處理液內是否含有異物。即使異物判定部106係在每一次的處理液供給，亦可判定在上述對應之處有無異物。

即使異物判定部106係因應分析受光訊號之訊號強度的時間變化而獲得的評估值，而判定有無異物。亦可在圖7表示訊號取得部104取得的受光訊號之訊號強度之時間變化之一例。在圖7中，表示在一次的處理液之供給期間Ta獲得的受光訊號，在時刻t1、t2、t3中，訊號強度超過特定的強度臨界值Th1。

即使異物判定部106係在算出計數完訊號強度超過特定強度臨界值Th1之次數之值以作為評估值之後，判定其評估值(計數值)是否超過特定的評估臨界值Th2亦可。在一例中，即使異物判定部106係在訊號強度超過強度臨界值Th1之次數高於評估臨界值Th2之情況，判定在該處(配置異物檢測單元之處)發生了上述事件亦可。另外，若異物判定部106係根據受光訊號(因應從受光訊號獲得的評估值)判定有無異物時，即使以任何方式算出評估值亦可，即使以任何方式判定有無異物亦可。

控制系統100之控制裝置20係例如圖6所示般，具有液處理控制部112、判定結果蓄積部114、發生源推定部116、因素推定部118和輸出部122，作為功能模組。該些功能模組實行的處理相當於控制裝置20(控制系統100)實行的處理。

液處理控制部112係對處理對象之工件W，控制處理液供給部28以使供給處理液。液處理控制部112係於例如開始從噴嘴30吐出之時，處理液被補充至送液部40之泵浦42，並且在其處理液被加壓的狀態，以從關閉狀態遷移至開啟狀態之方式，控制吐出閥34。液處理控制部112係於例如處理液之供給開始後，經過了事先設定的上述供給期間Ta之時，為了停止從噴嘴30吐出，以從開啟狀態遷移至關閉狀態之方式，控制吐出閥34。藉由在供給期間Ta，處理液對工件W供給，進行一次的處理液供給(相對於一片工件W之一次的處理液供給)。

判定結果蓄積部114係蓄積異物檢測單元70A～70C所致的複數處之各者的異物之檢測結果(判定結果)。判定結果蓄積部114係例如每一次的處理液供給，取得在複數控制部80之異物判定部106所致的複數處之各者的判定結果之後，蓄積判定結果。即使判定結果蓄積部114建立對應於處理液之供給次數(工件W之處理片數)，蓄積異物判定部106所致的判定結果亦可。在此情況，判定結果蓄積部114係針對異物檢測單元70A～70C之各者，使處理液之供給次數和異物判定部106所致的判定結果建立對應並予以蓄積。

發生源推定部116係根據異物檢測單元70A～70C所致的在複數處之各者的檢測結果，推定從供給流路29之中發生成為異物之檢測之原因之事件的區域。即使發生源推定部116係藉由推定被假設為發生上述事件之區域，特定(推定)作為異物之發生源的零件亦可。即使發生源推定部116係於在被配置在最接近於噴嘴30之位置的異物檢測單元70A中被檢測出異物之時，推定被假設為發生上述事件之區域(在持續發生異物之情況，發生上述事件之區域)亦可。在以下中，一面參照圖8，一面針對被假設為發生上述事件之區域的推定方法之一例予以說明。

在圖8中，表示針對異物檢測單元70A～70C之各者，表示用以檢測相對於供給次數之異物的評估值之推移的曲線圖。在圖8中，「70A」係表示在異物檢測單元70A中被取得的評估值(例如，超過上述強度臨界值Th1之次數)的推移。「70B」係表示在異物檢測單元70B中被取得的評估值之推移，「70C」係表示在異物檢測單元70C中被取得的評估值之推移。在圖8所示的例中，於相對於處理對象之工件W的處理液之供給次數為「tc」次之時，在異物檢測單元70A中被取得的評估值高於評估臨界值Th2。在此情況，於tc次之處理液之供給被實行之時，藉由異物檢測單元70A之控制部80，在配置異物檢測單元70A之處，檢測出異物。

發生源推定部116係在異物檢測單元70A中檢測到異物之情況，參照針對在異物檢測單元70B、70C有無異物的過去之判定結果。發生源推定部116係參照在從例如在異物檢測單元70A檢測到異物之時的供給次數，僅回溯特定次數的時點的其他檢測單元之判定結果。該特定次數係被設置成可以參照假設以異物檢測單元70A檢測到異物之時之處理液內之異物，在過去通過異物檢測單元70B之檢測流路74之時點的判定結果。例如，從在一次的處理液供給的吐出量，和異物檢測單元70A和異物檢測單元70B之間的配管容積之關係，設定上述特定次數。

在圖8所示的例中，特定次數被設定為「b」次，發生源推定部116係參照供給次數為「tc-b」次之時的在異物檢測單元70B、70C的判定結果。在此情況，於供給次數為(tc-b)之時，通過異物檢測單元70B之檢測流路74之處理液在供給次數為tc次之時，通過(到達)異物檢測單元70A之檢測流路74(到達~)。

在一例中，發生源推定部116係在僅回溯特定次數之時點，在異物檢測單元70B、70C之雙方無檢測到異物之情況，推定為在異物檢測單元70A和異物檢測單元70B之間的區域發生上述事件。在此情況，即使發生源推定部116推定供給流路29之中之位於異物檢測單元70A及異物檢測單元70B之間的區域所含的吐出閥34為異物之發生源亦可。

發生源推定部116係在僅回溯特定次數的時點，在異物檢測單元70B檢測異物，並且在異物檢測單元70C無檢測到異物之情況，推定在異物檢測單元70B和異物檢測單元70C之間的區域發生上述事件。在此情況，即使發生源推定部116推定供給流路29之中之位於異物檢測單元70B及異物檢測單元70C之間的區域所含的泵浦42及過濾器46之至少一方為異物之發生源亦可。在圖8中，例示如此被推定之情況的判定結果。

發生源推定部116係在僅回溯特定次數之時點，在異物檢測單元70B、70C之雙方檢測到異物之情況，推定為在較異物檢測單元70C更上游的區域發生上述事件。在此情況，即使發生源推定部116係推定供給流路29之中之位於較異物檢測單元70C更上游的區域所含的供給源52、貯留槽56及泵浦58之至少一個為異物之發生源亦可。

在上述例中，即使發生源推定部116針對異物檢測單元70C，參照在從(tc-b)次，僅回溯從在一次的處理液供給的吐出量，和異物檢測單元70B和異物檢測單元70C之間的配管容積之關係設定的特定次數之時點的判定結果亦可。如上述例示般，即使發生源推定部116係藉由推定被假設為發生上述事件(發生)的區域，推定哪個的零件為異物之發生源亦可。

因素推定部118係因應發生源推定部116推定的區域，推定上述事件發生的因素。上述事件發生的因素係成為使上述事件發生的動作或現象。因素推定部118係藉由參照例如事先將推定為產生上述事件之區域(推定的異物之發生源)，和異物發生之因素建立對應的表格，推定上述事件發生的因素。在一例中，因素推定部118係在被推定為在包含泵浦42及過濾器46之區域，發生上述事件之時，將泵浦或過濾器之更換、處理液之滯留及泵浦之動作條件的變更推定為上述事件發生的因素。本揭示中，推定上述事件發生的因素，並非指僅特定一個因素，也包含特定複數因素(因素的候補)之情況。

輸出部122係在供給流路29檢測到異物之時，輸出表示發生源推定部116推定到的區域的資訊。即使輸出部122係在異物檢測單元70A檢測到異物之情況，將表示推定到的區域的資訊輸出至輸出裝置19亦可。在此情況，即使輸出裝置19顯示異物被檢測之情形，及表示推定到的區域的資訊亦可。即使輸出部122也輸出表示藉由因素推定部118被推定到的上述事件發生的因素(因素之後補)的資訊亦可。

圖9為表示控制部80及控制裝置20之硬體構成之一例的方塊圖。一個控制部80係藉由一個或複數電腦而構成。例如，控制部80具有電路150。電路150具有一個或複數處理器152、記憶體154、儲存器156、輸出入埠158、計時器162和通訊埠164。儲存器156具有例如硬碟等、藉由電腦可讀取的記憶媒體。記憶媒體記憶有用以使控制部80實行在異物檢測單元70A～70C中被實行的異物檢測方法的程式。即使記憶媒體為非揮發性之半導體記憶體、磁碟及光碟等之能取出的媒體亦可。

記憶體154係暫時性地記憶從儲存器156之記憶媒體載入的程式及處理器152所致的運算結果。處理器152藉由與記憶體154協作而實行上述程式，構成控制部80具有的各功能模組。輸入輸出埠158係依照來自處理器152之指令，在照射部76及受光部78等之間進行電訊號之輸入輸出。計時器162係藉由計數例如一定周期的基準脈衝，計測經過時間。通訊埠164係因應來自處理器152之指令，在與控制裝置20之間經由無線、有線或網路線路等進行通訊。

在控制部80由複數電腦構成之情況，即使各功能模組之各者藉由個別的電腦而被實現亦可。或是，即使該些之各功能模組之各者藉由兩個以上之電腦的組合而被實現亦可。該些之情況，即使複數電腦係在彼此能夠通訊地被連接之狀態，協同實行上述異物檢測方法亦可。

控制裝置20係藉由一個或複數電腦而構成。控制裝置20具有例如電路170。電路170具有一個或複數處理器172、記憶體174、儲存器176、輸出入埠178、計時器182和通訊埠184。儲存器176具有例如硬碟等、藉由電腦可讀取的記憶媒體。記憶媒體係記憶使塗佈顯像裝置2實行後述基板處理方法的程式。即使記憶媒體為非揮發性之半導體記憶體、磁碟及光碟等之能取出的媒體亦可。

記憶體174係暫時性地記憶從儲存器176之記憶媒體載入的程式及處理器172所致的運算結果。處理器172藉由與記憶體174協作而實行上述程式，構成控制裝置20具有的各功能模組。輸入輸出埠178係依照來自處理器172之指令，在處理液供給部28及輸出裝置19等之間進行電訊號之輸入輸出。計時器182係藉由計數例如一定周期的基準脈衝，計測經過時間。通訊埠184係因應來自處理器172之指令，在與控制部80(上述通訊埠164)之間經由無線、有線或網路線路等進行通訊。

在控制裝置20由複數電腦構成之情況，即使各功能模組之各者藉由個別的電腦而被實現亦可。或是，即使該些之各功能模組之各者藉由兩個以上之電腦的組合而被實現亦可。該些之情況，即使複數電腦係在彼此能夠通訊地被連接之狀態，協同實行上述基板處理方法亦可。

另外，控制器80及控制裝置20之硬體構造不一定要限定在藉由程式構成各功能模組者。例如，控制器80及控制裝置20之各功能模組即使藉由專用的邏輯電路或將此予以積體的ASIC(Application Specific Integrated Circuit)而被構成亦可。

[基板處理方法] 接著，一面參照圖10，一面針對包含控制部80及控制裝置20之控制系統100實行的一連串之處理，作為包含異物檢測的基板處理方法之一例予以說明。圖10為因應對一片工件W供給處理液而被實行的一連串之處理的流程圖。

在該一連串的處理中，開始對處理對象之工件W供給處理液(吐出)，並且在開始照射光朝各異物檢測單元的檢測流路74的照射和受光部78所致的受光訊號之生成狀態下，控制系統100實行步驟S11。在步驟S11中，例如控制部80待機至對處理對象之工件W供給處理液完成為止。在至處理液體供給完成為止的期間，在各異物檢測單元中，控制部80之訊號取得部104持續取得受光訊號。

接著，控制系統100實施步驟S12。在步驟S12中，例如在各異物檢測單元中，控制部80之異物判定部106判定在處理液內有無發生異物。在一例中，異物判定部106係從在持續供給處理液的期間獲得的受光訊號，算出評估值(例如，訊號強度超過強度臨界值Th1之次數)，藉由將該評估值與評估臨界值Th2進行比較，判定在處理液內有無發生異物。

接著，控制系統100實施步驟S13。在步驟S13中，例如控制裝置20之判定結果蓄積部114係蓄積(記憶)針對各異物檢測單元之在步驟S12的判定結果。即使判定結果蓄積部114將處理液之供給次數(工件W之處理片數)和各異物檢測單元所致的判定結果建立對應而予以蓄積亦可。

接著，控制系統100實施步驟S14。在步驟S14中，例如控制裝置20之發生源推定部116係針對被設置在供給流路29之複數異物檢測單元之中之被配置在最下游的異物檢測單元(在上述例中，為異物檢測單元70A)，在步驟S12中判定異物是否被檢測到。

在步驟S14中，在位於最下游的異物檢測單元中，判定異物被檢測到之情況(步驟S14：YES)，控制系統100實行步驟S15。在步驟S15中，例如發生源推定部116係參照針對在位於最下游之異物檢測單元之外的異物檢測單元有無異物的過去判定結果之後，推定供給流路29之中之發生成為異物檢測之原因的事件的區域。在一例中，發生源推定部116係參照在實行步驟S11中通過位於最下游之異物檢測單元的處理液，過去通過其他異物檢測單元(在上述例中為異物檢測單元70B、70C)之供給次數的判定結果，推定上述區域。

接著，控制系統100實施步驟S16。在步驟S16中，例如，控制裝置20之因素推定部118係因應在步驟S15被推定的區域，推定上述事件發生的因素(因素之後補)。在一例中，因素推定部118係藉由參照區域和上述事件之發生的因素被建立對應的表格，推定上述事件發生的因素。

接著，控制系統100實施步驟S17。在步驟S17中，例如控制裝置20之輸出部122係將表示異物被檢測到之旨，和在步驟S15被推定到的區域之資訊，輸出至輸出裝置19。即使輸出部122也對輸出裝置19輸出表示在步驟S16被推定到的因素的資訊亦可。即使於輸出來自輸出部122之資訊後，因應對應於被輸出至輸出裝置19之資訊的操作員等的指示，在處理液供給部28實行去除異物的處理亦可。

另一方面，在步驟S14中，判斷在位於最下游的異物檢測單元中，無檢測到異物之情況(步驟S14：NO)，控制系統100不實行步驟S15～S17。即使控制系統100在每次對後續的複數工件W之各者供給處理液時，重複步驟S11～S17(S14)之一連串的處理亦可。

(變形例) 上述一連串的處理為一例，能夠適當地變更。在上述一連串的處理中，即使控制系統100並列地實行一步驟和下一個步驟亦可，即使以與上述例不同的順序，實行各步驟亦可。即使控制系統100省略任一的步驟亦可，即使在任一的步驟中實行與上述例不同的處理亦可。

被假設為發生成為異物檢測之原因的事件之區域的推定方法不限定於上述例。在上述例中，雖然於在位於最下游的異物檢測單元中檢測到異物之時，進行區域的推定，但是即使發生源推定部116係在任一的異物檢測單元中檢測到異物之時，進行區域(異物的發生源)之推定亦可。例如，發生源推定部116係在任一的異物檢測單元中檢測到異物之時，推定在相鄰接地位於其異物檢測單元之上游的區域中發生上述事件。

在一例中，發生源推定部116係在異物檢測單元70C檢測到異物之時，推定為在包含：補充部50所含的供給源52、貯留槽56及泵浦58之區域，發生上述事件。發生源推定部116係在異物檢測單元70B檢測到異物之時，推定為在包含：送液部40所含的泵浦42及過濾器46之區域，發生上述事件。雖然在補充部50發生上述事件之時，及隨著供給次數之累積在異物檢測單元70B也能檢測異物，但是在此情況，因已經在異物檢測單元70C檢測到異物，故能夠推定包含異物之發生源的區域。發生源推定部116係在異物檢測單元70A檢測到異物之時，推定於在包含吐出閥34之區域發生上述事件。

即使因素推定部118除了各異物檢測單元所致的檢測結果之外，即使使用其他資訊，縮小上述事件發生的因素亦可。即使塗佈顯像裝置2如圖4所示般，進一步具備流速測定部60亦可。流速測定部60係測定在將處理液引導至噴嘴30之流路內流動的處理液之流速(例如，每單位時間之液體的通過量)。即使流速測定部60以任何的方式測定處理液之流速亦可。在圖4所示的例中，流速測定部60係被設置在供給流路29之中之吐出閥34和異物檢測單元70B之間的流路。

在圖11中表示藉由流速測定部60而被測定的流速之時間變化之一例。圖11所示的曲線之各脈衝對應於一次的處理液之供給。在通過流速測定部60之處理液內不含氣泡之情況，在持續供給處理液之期間的流速之時間變化成為略一定。另外，在通過流速測定部60之處理液內含有氣泡之情況，如在圖11中放大表示的曲線般，在持續供給處理液之期間流速會變動。在圖11中放大表示的脈衝係以在圖8例示的(tc-b)次通過異物檢測單元70B之處理液，通過流速測定部60之時被檢測到的測定值。從上述理由，藉檢測包含氣泡的處理液通過流速測定部60之時的流速之變動，可以推定是否含有氣泡而作為異物。

即使因素推定部118係根據流速測定部60所致的測定結果，縮小上述事件發生的因素亦可。即使因素推定部118係在推定為例如送液部40內之零件為異物之發生源之情況，因應通過異物檢測單元70B之後的處理液通過流速測定部60之時的流速測定部60所致的流速之變動的程度，縮小上述事件發生之因素亦可。在一例中，因素推定部118係在流速之變動大於特定位準之情況，將上述事件發生之因素(因素之後補)縮小為伴隨著泵浦或過濾器更換的氣泡之發生、伴隨著處理液之滯留的氣泡之發生，及伴隨著泵浦之動作條件之變更的氣泡之發生。在此情況，即使根據操作員等之指示，施行泵浦或過濾器周圍的去泡等的處置亦可。即使因素推定部118在流速之變動小於特定位準之情況，推定為氣泡之發生非因素亦可。即使流速測定部60所致的測定結果被使用於每次供給處理液，流速是否穩定的確認亦可。

在縮小上述事件發生之因素之時使用的資訊不限定於上述流速之變動。即使因素推定部118係根據異物被檢測到之時的朝工件W供給處理液的頻率(吐出頻率)，縮小上述事件發生之因素亦可。在包含異物將要被檢測到之時點之前的特定期間內，處理液之供給頻率低之情況，可以推定為在供給流路29內產生處理液之滯留。即使因素推定部118係因應在包含異物被檢測到之時點之前的特定期間內的供給頻率，縮小上述事件發生的因素亦可。

即使因素推定部118係在例如推定為送液部40內之零件為異物之發生源之情況，因應在包含在異物檢測單元70B檢測到異物之時點的上述特定期間內的供給頻率，縮小上述事件發生之因素亦可。在一例中，因素推定部118係在上述特定期間內的供給頻率小於特定臨界值之情況，上述事件發生之因素縮小為處理液之滯留。即使因素推定部118在上述特定期間內的供給頻率大於特定臨界值之情況，上述事件發生之因素縮小為泵浦或過濾器更換，及泵浦之動作條件的變更亦可。

在上述例中，雖然液處理單元U1具有一個處理液供給部28，但是即使具有複數處理液供給部28亦可。在此情況，液處理單元U1具有複數噴嘴30、用以分別對複數噴嘴30供給處理液之複數供給流路29。即使異物檢測單元70A～70C係針對複數供給流路29之各者，在複數處檢測異物亦可。控制系統100係推定在複數供給流路29之各者，被假設為發生上述事件之區域(被假設為包含異物之發生源的區域亦可)。

一個異物檢測單元具有用以沿著一個供給流路29而在位置不同的複數處分別檢測異物的構件亦可。例如，即使一個異物檢測單元具有分別形成位於噴嘴30和吐出閥34之間的檢測流路74、位於吐出閥34和送液部40之間的檢測流路74，及位於送液部40和補充部50之間的檢測流路74的複數流路形成部72亦可。再者，即使異物檢測單元具有對應於該些檢測流路74之複數照射部76和複數受光部78亦可。在此情況，一個異物檢測單元具有在供給流路29上被設置在複數處的複數檢測流路74，分別進行異物之檢測的複數異物檢測部。

即使塗佈顯像裝置2具有在供給流路29上之不同的位置檢測異物的2個異物檢測單元亦可，即使具備4個以上之異物檢測單元亦可。複數異物檢測單元(異物檢測單元70A～70C)之配置，不限定於上述的例，若為供給流路29上之不同的位置時，即使為任一處亦可。會成為異物之發生源的零件，不限定於上述例，例如即使包含在與吐出閥34不同的位置開關流路的閥體，及形成處理液之流路的管部亦可。送液部40不限定於上述例，若具有過濾器和泵浦時，即使被構成任何者亦可。補充部50不限定於上述例，若為能夠對送液部40補充處理液時，即使被構成任何者亦可。

控制裝置20具有判定在供給流路29上之複數處之各者上有無異物的功能模組亦可。在此情況，即使控制部80不具有異物判定部106亦可。即使異物檢測單元70A～70C中之任一的控制部80具有推定被假設為發生上述事件之區域的功能模組、推定異物發生之因素的功能模組，及輸出推定結果的功能模組亦可。在此情況，即使異物檢測單元70A～70C之控制部80被連接成彼此能夠通訊亦可，即使控制裝置20不具有上述功能模組之一部分亦可。

[實施型態之效果] 以上說明的第1實施型態所涉及的基板處理系統1具備：處理液供給部28，其係具有能夠吐出處理液的噴嘴30，和處理液之供給源52，和連接噴嘴30和供給源52之間的供給流路29，對工件W供給處理液；複數異物檢測部(異物檢測單元70A～70C)，其係沿著供給流路29而被配置在位置彼此不同的複數處，根據接收隨著光的照射從供給流路29內而被射出的射出光而獲得的受光訊號，檢測處理液所含的異物；及發生源推定部116，其係根據複數異物檢測部所致的在複數處之各者的檢測結果，推定從供給流路29之中發生成為異物之檢測原因之事件的區域。

與上述例不同，為了防止含有異物之處理液朝工件W供給，可考慮在噴嘴和處理液之供給源之間的供給流路之中之噴嘴和吐出閥之間的一處，配置異物檢測單元，檢測處理液內之異物的方法。在該方法中，雖然可以掌握在處理液內發生異物之情形，但是無法從檢測結果掌握係什麼因素在該異物檢測單元之上游發生上述事件。對此，在基板處理系統1中，從在供給流路29上之複數處的異物之檢測結果，推定發生上述事件的區域。因此，藉由利用其推定結果，能夠容易掌握在處理液供給部28上述事件發生之因素。

即使處理液供給部28具有：送液部40，其包含捕集供給流路29內之處理液所含之異物的過濾器46，和朝向噴嘴30送出處理液的泵浦42；及吐出閥34，其係開關供給流路29之中的送液部40和噴嘴30之間的流路亦可。即使複數異物檢測部具有被配置在噴嘴30和吐出閥34之間的流路的第1異物檢測部(異物檢測單元70A)，和被配置在吐出閥34和送液部40之間的流路的第2異物檢測部(異物檢測單元70B)亦可。在此情況，能夠從第1異物檢測部及第2異物檢測部所致的檢測結果，將被假設為上述事件發生的區域，推定為包含吐出閥34之區域，或包含除此之外的送液部40之泵浦42及過濾器46之區域中之任一者。

即使處理液供給部28進一步具有從供給源52對送液部40補充處理液的補充部50亦可。即使複數異物檢測部進一步具有被配置在補充部50和送液部40之間的流路的第3異物檢測部(異物檢測單元70C)亦可。在此情況，能夠藉由也利用第3異物檢測部所致的檢測結果，在不含吐出閥34之區域(較第2異物檢測部更上游的區域)，將被假設為上述事件發生的區域，推定為包含送液部40之區域，或包含補充部50之區域中之任一者。

即使基板處理系統1進一步具備因素推定部118，其係因應發生源推定部116推定的區域，推定上述事件發生之因素亦可。在此情況，藉由利用因素推定部118所致之因素之推定結果，能夠更容易地掌握上述事件發生的因素。

即使基板處理系統1進一步具備流速測定部60，其係測定在將處理液引導至噴嘴30的流路內流動的處理液之流速亦可。即使因素推定部118係根據流速測定部60所致的測定結果，縮小上述事件發生的因素亦可。在此情況，因上述事件發生的因素的推定結果被縮小，故能夠更容易地掌握上述事件發生的因素。

即使因素推定部118係根據上述事件發生之時的對工件W供給處理液之頻率，縮小上述事件發生的因素亦可。在此情況，因上述事件發生的因素的推定結果被縮小，故能夠更容易地掌握上述事件發生的因素。

[第2實施型態] 接著，一面參照圖12及圖13，一面針對第2實施形態所涉及之基板處理系統1予以說明。第2實施型態所涉及之基板處理系統1被構成與第1實施型態所涉及之基板處理系統1相同。在第2實施型態所涉及之基板處理系統1中，混於處理液之其他的藥液，取代上述埃、塵及氣泡等之微粒作為異物被檢測。即是，在本揭示中，處理液之「異物」除了上述埃、塵及氣泡等的微粒外，包含具有與處理液不同成分的藥液。在第1實施型態所涉及之基板處理系統1中，相對於根據評估值檢測微粒等，第2實施型態所涉及之基板處理系統1係為了檢測處理液內之其他藥液，利用背景光的強度。

背景光係無論有無微粒，皆隨著朝處理液照射光，從檢測流路74被射出(例如，散射)的光。如圖7所示般，因在檢測流路74內(處理液內)的照射光之散射之程度藉由有無埃等的微粒而變化，故訊號強度之大小藉由有無微粒而變化。在因應散射光之接收訊號中，包含因應在不含微粒之狀態之背景光的訊號Ib，和因應在含有微粒之狀態的來自該微粒之散射光的訊號Is。此外，詳細而言，訊號Is為因應背景光和由於微粒被散射的散射光的訊號。

因應背景光之訊號Ib可包含因應來自處理液內通常所含的物質之散射光的成分，和因應外來干擾的成分。作為處理液內通常所含的物質，可舉基質樹脂(基質聚合物)。異物檢測單元70係從上述受光訊號，取得從檢測流路74被射出的光所含的背景光之強度。異物檢測單元70係因應處理液等之藥液的類別，利用背景光之強度變化，而檢測混入至處理液內之其他藥液作為異物。在以下中，處理模組12之液處理單元U1例示對工件W供給用以形成光阻膜之處理液(以下，稱為「處理液Lr」之情況。

在供給流路29中，有在處理液Lr混入其他藥液之情況。其他藥液為例如洗淨液Lc。在圖12中，表示針對分別供給處理液Lr及洗淨液Lc之情況之背景光之強度的測量結果。在圖12中，縱軸表示背景光之強度[mW]。背景光之強度係藉由在受光訊號中，運算在特定期間之強度的時間平均而被求出。從圖12所示之曲線，可知背景光之強度由於藥液之類別而有所不同。具體而言，可知在供給處理液Lr之情況和供給洗淨液Lc之情況，背景光之強度彼此不同。再者，可知若藥液之類別相同時，背景光之強度具有略一定的位準。

當在供給流路29內進行藥液的置換之時，在處理液Lr會混合其他藥液。液處理單元U1係在塗佈顯像裝置2中持續進行對工件W的處理之期間，持續實行各工件W供給處理液Lr。在持續進行對工件W的處理之期間，有中斷處理，在液處理單元U1中進行維修之情況。作為維修之一例，可舉出處理液供給部28所含之過濾器46等之零件的更換。

在實行維修之時，供給流路29內從處理液Lr被置換成洗淨液Lc。而且，在維修結束後再次開始處理之時，供給流路29內再次被置換成處理液Lr。例如，在再次開始處理之時，當從洗淨液Lc朝處理液Lr之置換不充分地被進行時，在對工件W的處理中，在處理液Lr會混合洗淨液Lc之一部分。

在圖12所示的曲線中，橫軸表示供給次數。在持續供給處理液Lr之後，在供給次數為「tc1」次，進行朝洗淨液Lc的置換，在供給次數為「tc2」次，再次置換成處理液Lr。在緊接著tc1次及tc2次之後的期間，背景光之強度不穩定應為處理液Lr和洗淨液Lc混合，藥液的置換沒完成之故。利用背景光之強度依存於藥液之種類的特性，於使藥液之置換已完成之後(在假設為置換已完成之供給次數之後)，藉由測量背景光之強度，可以檢測藥液之置換不足。

控制裝置20及控制部80係與圖10所示之一連串之處理同樣地進行處理。在步驟S12中，複數異物檢測單元70A～70C之各者係根據表示從供給流路29被射出之光(例如，散射光)所含的背景光之強度的強度資訊，判定在處理液Lr是否含有異物。在一例中，各異物檢測單元具有的控制部80之異物判定部106係從受光訊號，取得表示在對應的檢測流路74中之散射光所含的背景光之強度的強度資訊(算出背景光之強度)。異物判定部106係判定藉由強度資訊表示的背景光之強度是否為因應處理液Lr之位準。

異物判定部106係在背景光之強度偏離因應處理液Lr之特定位準(特定範圍)之情況，判定為在對應的檢測流路74中混合洗淨液Lc作為異物。異物判定部106即使在進行洗淨液Lc從處理液Lr置換成洗淨Lc之時，根據來自其他控制裝置之輸入或使用者輸入，取得表示在供給流路29內之全體置換完成之訊號亦可。即使異物判定部106在取得表示在供給流路29內之全體置換完成之訊號之後的供給次數，實行基於背景光之異物的檢測亦可。例如，即使在更換藥液之液源(瓶體)之後，僅以特定次數從噴嘴30吐出藥液之時點，判定為置換完成亦可。

發生源推定部116係根據利用異物檢測單元70A～70C所致的在複數處之各者的背景光之強度資訊的檢測結果，推定從供給流路29之中混合洗淨液Lc之發生事件的區域。即使發生源推定部116被配置在最接近於噴嘴30之位置的異物檢測單元70A檢測到混合洗淨液Lc之時，推定發生洗淨液Lc之混合的區域(成為異物檢測之原因的事件發生的區域)亦可。在以下中，一面參照圖13，一面針對被假設為發生洗淨液Lc之混合的區域的推定方法之一例予以說明。

在圖13中，表示針對異物檢測單元70A～70C之各者，表示相對於供給次數之背景光之強度之推移的曲線圖。在圖13中，「70A」係表示在異物檢測單元70A中被取得的背景光之強度的推移。「70B」係表示在異物檢測單元70B中被取得的背景光之強度的推移，「70C」係表示在異物檢測單元70C中被取得的背景光之強度的推移。

「TLv」係在檢測流路74內充滿洗淨液Lc之時的背景光之強度位準(範圍)。「RLv」係在檢測流路74內充滿處理液Lr之時的背景光之強度位準(範圍)。因應洗淨液Lc或處理液Lr之背景光的強度位準TLv、RLv事先被測定。在圖13所示的例中，洗淨液Lc或處理液Lr之藥液之供給次數為「tc2」次之時，開始從洗淨液Lc置換成處理液Lr。開始從洗淨液Lc置換成處理液Lr後，從上游，背景光之強度的測量值從因應洗淨液Lc之強度位準TLv依序變化成因應處理液Lr之強度位準RLv。

藥液之供給次數為「ts」次之時，在異物檢測單元70A中，背景光之強度偏離因應處理液Lr之強度位準RLv，判定為在處理液Lr混合洗淨液Lc。在供給次數為ts次之時點，控制部80(異物判定部106)取得表示置換完成的訊號。在異物檢測單元70A中，若洗淨液Lc之混合不發生時，則如以虛線所示的曲線般，在ts次之時點，背景光之強度到達至因應處理液Lr的強度位準RLv。

發生源推定部116係在異物檢測單元70A中檢測到洗淨液Lc之混合之情況，參照針對在異物檢測單元70B、70C有無異物的過去之判定結果。發生源推定部116係參照例如在從ts次僅回溯特定次數(「b」次）之時點的其他檢測單元之判定結果。該特定次數係與圖8所示之例相同，被設定成可以參照在被假設為在以異物檢測單元70A被檢測到的處理液內之洗淨液Lc過去通過異物檢測單元70B之檢測流路74之時點的判定結果。

在一例中，發生源推定部116係在僅回溯特定次數之時點(「ts-b」次)，在異物檢測單元70B、70C之雙方無檢測到洗淨液Lc之混合之情況，推定為在異物檢測單元70A和異物檢測單元70B之間的區域發生(已發生)洗淨液Lc之混合。發生源推定部116係在(ts-b)次之時點，以異物檢測單元70B檢測洗淨液Lc之混合，並且在以異物檢測單元70C無檢測到洗淨液Lc之混合之情況，推定為在異物檢測單元70B和異物檢測單元70C之間之區域發生(已發生)洗淨液Lc之混合。在圖13中，例示如此被推定之情況的判定結果。

發生源推定部116係在僅回溯特定次數之時點，在異物檢測單元70B、70C之雙方檢測到洗淨液Lc之混合的情況，推定為在較異物檢測單元70C更上游的區域發生(已發生)洗淨液Lc之混合。因素推定部118係根據基於異物判定部106所致之背景光之強度的檢測結果，和發生源推定部116推定的區域，推定上述事件發生的因素。發生源推定部116係於獲得圖13所示之例之判定結果之時，推定為在過濾器46或泵浦42內，藥液之置換不足為成為異物檢測之原因的事件之因素亦可。

作為在過濾器46內混合藥液之事件，可以考慮下述。於開始使用處理液Lr的處理前，為了洗淨供給流路29之配管內而流通的洗淨液Lc，滯留在過濾器46之內部之窄小區域(雖然無圖示，但為捕集異物的材料之內部流路等)，有滯留的洗淨液Lc不被排出的可能性。在此情況，在洗淨液Lc之一部分不被排出之狀態，處理液Lr被填充於供給流路29之配管內。在過濾器46內部之窄小區域，因比起供給流路29內之其他流路，壓力損失容易變高，故在填充處理液Lr之時，不立即溶出，在實際處理時之送液用的壓力控制下，洗淨液Lc會在意外的時序溶出。

相對於第2實施型態所涉及之基板處理系統1，即使適用在第1實施型態表示的例亦可。即使異物檢測單元70實行基於從受光訊號獲得的評估值的微粒之檢測，和基於表示背景光之強度的強度資訊的其他藥液之混合的檢測亦可。在基於評估值之檢測，相對於根據受光訊號之瞬時值之變動，檢測異物，在基於強度資訊的檢測中，根據在受光訊號之全體的時間平均之大小，檢測異物。即使異物檢測單元70係在基於評估值之檢測及基於強度資訊之檢測的至少一方，檢測到異物之情況，判定為在對應的檢測流路74內之處理液包含異物亦可。

即使因素推定部118係在基於評估值之檢測中，檢測到異物之情況，與上述例相同，根據在供給流路29內流動之處理液之流速之測量結果，縮小上述事件發生之因素亦可。即使因素推定部118係在基於評估值之檢測中，檢測到異物之情況，與上述例相同，根據發生上述事件之時的朝工件W供給處理液之頻率，縮小上述事件發生之因素亦可。

即使在基於強度資訊的檢測中檢測到異物之情況，根據操作者等的指示，施予排出其他藥液(洗淨液Lc)之處置亦可。在排出其他藥液之處理的一例中，直至背景光之強度到達至因應處理液(處理液Lr)之強度位準，維持處理液Lr之送液狀態。該處置中，即使在能夠排液之待機匯流排上的虛擬吐出，在比起實際對工件W供給處理液Lr之時更縮短連續性地加壓之時間的狀態下，重複進行亦可。藉由如此地增加壓力變動之頻率，可以促進滯留的洗淨液Lc溶出至處理液Lr。

也有在檢測起因於氣泡之發生的異物和檢測起因於藥液之置換不足的異物，在略相同的時序進行之情況。有例如，在送液部40和吐出閥34之間，藉由基於評估值之檢測及基於強度資訊之檢測，被推定為在略相同的時序於處理液發生異物之情況。在此情況，即使因素推定部118推定為具有在過濾器46或泵浦42存在氣泡，在過濾器46滯留其他藥液之兩個因素亦可。

在被推定為兩個因素之情況，即使直至背景光之強度到達至因應處理液之強度位準，持續虛擬吐出亦可。即使在存在氣泡之狀態下，背景光之強度先穩定之情況，從斷續性地進行虛擬吐出之狀態，減少虛擬吐出時之壓力之增減的切換頻率，抑制振動所致的微小氣泡之增加風險，更促進減少氣泡亦可。如此一來，即使因素推定部118(控制裝置20)係在推定成為異物檢測之原因的複數事件之情況，隨著如在推定後之基板處理系統1中之虛擬吐出的處置動作或其他動作之進行，監視之後的各事件之推移亦可。例如，即使因素推定部118係根據在異物檢測單元70A～70C中之受光訊號，依序判斷複數事件之中之哪個事件是否穩定，即是哪個事件之影響是否消除亦可。藉由因素推定部118(控制裝置20)，依序判斷事件之穩定，判斷因應在某時點還未穩定之事件的必要處置動作，在發生複數事件之情況，可以謀求有效率的穩定化。

即使在上述說明的第2實施型態所涉及之基板處理系統1中，也與第1實施型態相同，能容易掌握在處理液供給部28發生成為異物檢測之原因的事件之因素。再者，藉由根據表示射出光所含之背景光之強度的強度資訊，檢測處理液內之另外的藥液作為異物，能夠容易地檢測處理液等之藥液之置換不足。

1:基板處理系統 2:塗佈顯像裝置 20:控制裝置 U1:液處理單元 28:處理液供給部 29:供給流路 30:噴嘴 34:吐出閥 40:送液部 42:泵浦 46:過濾器 50:補充部 52:供給源 60:流速測定部 70,70A,70B,70C:異物檢測單元 116:發生源推定部 118:因素推定部 W:工件

[圖1]為表示基板處理系統之一例的示意性的斜視圖。。 [圖2]為表示塗佈顯像裝置之一例之示意性的側視圖。 [圖3]為表示液處理單元之一例之示意圖。 [圖4]為表示處理液供給部之一例的示意圖。 [圖5]為表示異物檢測單元之一例的示意圖。 [圖6]為表示控制系統之功能構成之一例的區塊圖。 [圖7]為表示被使用於異物檢測之受光訊號之一例的曲線圖。 [圖8]為表示在各異物檢測部的蓄積資料之一例的曲線圖。 [圖9]為表示控制系統之硬體構成之一例的區塊圖。 [圖10]為表示控制系統實行之一連串處理之一例的流程圖。 [圖11]為表示處理液之流速之測定結果之一例的曲線圖。 [圖12]為表示藥液之種類和背景光之強度之關係之一例的曲線圖。 [圖13]為表示在各異物檢測部的蓄積資料之一例的曲線圖。

28:處理液供給部

29:供給流路

30:噴嘴

32:送液管

34:吐出閥

36:送液管

40:送液部

42:泵浦

44:連接管

46:過濾器

50:補充部

52:供給源

54:送液管

56:貯留槽

58:泵浦

60:流速測定部

70,70A,70B,70C:異物檢測單元

Claims (9)

1. 一種基板處理裝置，具備： 處理液供給部，其係具有能夠吐出處理液的噴嘴，和上述處理液之供給源，和連接上述噴嘴和上述供給源之間的供給流路，對基板供給上述處理液； 複數異物檢測部，其係沿著上述供給流路而被配置在位置彼此不同的複數處，根據接收伴隨著光照射時從上述供給流路內被射出的射出光而獲得的受光訊號，檢測上述處理液所含的異物； 發生源推定部，其係根據藉由上述複數異物檢測部在上述複數處之各檢測結果，推定上述供給流路之中發生成為上述異物之檢測原因之事件的區域； 因素推定部，其係因應上述發生源推定部推定的上述區域，推定上述事件發生之因素；及 流速測定部，其係測定在將上述處理液引導至上述噴嘴的流路內流動的上述處理液之流速， 上述因素推定部係根據上述流速測定部所致的測定結果，縮小上述事件發生之因素。
2. 一種基板處理裝置，具備： 處理液供給部，其係具有能夠吐出處理液的噴嘴，和上述處理液之供給源，和連接上述噴嘴和上述供給源之間的供給流路，對基板供給上述處理液； 複數異物檢測部，其係沿著上述供給流路而被配置在位置彼此不同的複數處，根據接收伴隨著光照射時從上述供給流路內被射出的射出光而獲得的受光訊號，檢測上述處理液所含的異物； 發生源推定部，其係根據藉由上述複數異物檢測部在上述複數處之各檢測結果，推定上述供給流路之中發生成為上述異物之檢測原因之事件的區域；及 因素推定部，其係因應上述發生源推定部推定的上述區域，推定上述事件發生之因素； 上述因素推定部係根據上述事件發生之時之上述處理液朝上述基板供給的頻率，縮小上述事件發生之因素。
3. 如請求項1或2所述之基板處理裝置，其中 上述處理液供給部具有： 送液部，其包含補集上述供給流路內之上述處理液所含之異物的過濾器，和朝向上述噴嘴送出上述處理液之泵浦； 吐出閥，其係開關上述供給流路之中之上述送液部和上述噴嘴之間的流路；及 補充部，其係從上述供給源對上述送液部補充上述處理液， 上述複數異物檢測部具有： 第1異物檢測部，其係被配置在上述噴嘴和上述吐出閥之間的流路； 第2異物檢測部，其係被配置在上述吐出閥和上述送液部之間的流路；及 第3異物檢測部，其係被配置在上述補充部和上述送液部之間之流路。
4. 如請求項2所述之基板處理裝置，其中 進一步具備流速測定部，其係測定在將上述處理液引導至上述噴嘴的流路內流動的上述處理液之流速， 上述因素推定部係根據上述流速測定部所致的測定結果，縮小上述事件發生之因素。
5. 如請求項1所述之基板處理裝置，其中 上述因素推定部係根據上述事件發生之時之上述處理液朝上述基板供給的頻率，縮小上述事件發生之因素。
6. 如請求項1或2所述之基板處理裝置，其中 上述複數異物檢測部之各者係根據表示上述射出光所含之背景光之強度的強度資訊，檢測上述處理液所含的另外之藥液而作為上述異物。
7. 一種基板處理方法，包含： 從能夠吐出處理液之噴嘴，對基板供給上述處理液的步驟； 沿著連接上述處理液之供給源和上述噴嘴之間的供給流路而在位置彼此不同的複數處，根據接收伴隨著光照射時從上述供給流路內被射出的射出光而獲得的受光訊號，檢測上述處理液所含的異物的步驟； 包含根據在上述複數處之各上述異物的檢測結果，推定從上述供給流路之中發生成為上述異物之檢測原因的事件之區域的步驟； 因應上述發生源推定部推定的上述區域，推定上述事件發生之因素的步驟；及 測定在將上述處理液引導至上述噴嘴的流路內流動的上述處理液之流速的步驟， 在推定上述因素的步驟中，根據上述流速的測定結果，縮小上述事件發生之因素。
8. 一種基板處理方法，包含： 從能夠吐出處理液之噴嘴，對基板供給上述處理液的步驟； 沿著連接上述處理液之供給源和上述噴嘴之間的供給流路而在位置彼此不同的複數處，根據接收伴隨著光照射時從上述供給流路內被射出的射出光而獲得的受光訊號，檢測上述處理液所含的異物的步驟； 包含根據在上述複數處之各上述異物的檢測結果，推定從上述供給流路之中發生成為上述異物之檢測原因的事件之區域的步驟；及 因應推定發生有上述事件的上述區域，推定上述事件發生之因素的步驟； 在推定上述因素的步驟中，根據上述事件發生之時之上述處理液朝上述基板供給的頻率，縮小上述事件發生之因素。
9. 一種電腦可讀取的記憶媒體，其係記錄有用以使裝置實行如請求項7或8之基板處理方法之程式。