TWI844252B - 電漿處理裝置 - Google Patents
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- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 208
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 81
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 3
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
本發明提供一種能夠對連續地供給的膜進行電漿處理的小型的電漿處理裝置。電漿處理裝置（1）包括對被處理基板（H1）進行規定的電漿處理的處理室（2）。處理室（2）的內部包括：滾筒（6），導引連續地供給至處理室（2）的被處理基板（H1）；以及天線（8），用於在處理室（2）的內部產生感應耦合性的電漿。天線（8）配置於滾筒（6）的內部，電漿處理是對滾筒（6）上的被處理基板（H1）進行。
Description
本揭示是有關於一種電漿處理裝置。
已知有一種電漿處理裝置，為了對連續地供給至處理室的膜（長條的柔韌（flexible）的被處理基板）進行電漿處理，一邊使用輥（roller）搬送膜，一邊對由滾筒（drum）的周面所支持的搬送中的膜實施電漿處理。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-115412號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，在所述現有的電漿處理裝置中，以與滾筒的周面對向的方式設置有天線（antenna）。因此，現有的電漿處理裝置難以小型地構成。
本揭示是鑒於所述問題點而完成，目的在於提供一種能夠對連續地供給的膜進行電漿處理的小型的電漿處理裝置。
[解決課題之手段]
為了解決所述課題，本揭示的一方面的電漿處理裝置包括處理室，對連續地供給至所述處理室的膜，進行使用電漿的處理，且所述電漿處理裝置中，在所述處理室的內部包括：滾筒，導引連續地供給至所述處理室的所述膜；以及天線，用於在所述處理室的內部產生感應耦合性的電漿，所述天線配置於所述滾筒的內部，所述電漿處理是對所述滾筒上的所述膜進行。
[發明的效果]
藉由本揭示的一形態，可提供能夠對連續地供給的膜進行電漿處理的小型的電漿處理裝置。
〔實施方式1〕
以下，使用圖1至圖4，對本揭示的實施方式1詳細地進行說明。圖1是說明本揭示的實施方式1的電漿處理裝置1的結構的圖。圖2是說明圖1所示的滾筒6與天線8的關係的圖。圖3是說明所述天線8的具體的結構例的圖。圖4是說明圖1所示的內部電極10的具體的結構例的圖。
此外，在以下說明中，作為規定的電漿處理，例示藉由使用感應耦合性的電漿的電漿化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法在被處理基板H1上進行成膜處理的電漿裝置進行說明。然而，本揭示的電漿處理裝置1亦可應用於實施例如使用靶在被處理基板H1形成規定物的濺鍍處理、或自被處理基板H1去除規定物的蝕刻（etching）處理或灰化（ashing）處理作為規定的電漿處理的電漿處理裝置。此外，在進行濺鍍處理的電漿處理裝置中，所述靶例如設置於後述的電漿生成區域。
＜電漿處理裝置1＞
如圖1所示，本實施方式1的電漿處理裝置1包括處理室2，所述處理室2對被處理基板H1進行規定的電漿處理。在電漿處理裝置1中，對長條的被處理基板H1連續地進行電漿處理，被處理基板H1依序搬送至形成於處理室2的內部的電漿生成區域PA。並且，在電漿處理裝置1中，構成為在電漿生成區域PA進行對於被處理基板H1的電漿處理。此外，此處所謂的長條的被處理基板H1是連續地供給至處理室2的具有柔韌的可撓性的膜的一例。
具體而言，電漿處理裝置1包括第一加載互鎖真空室（load rock）3，所述第一加載互鎖真空室（load rock）3用於將捲繞於支持體3A的電漿處理前的被處理基板H1自外部搬入。而且，電漿處理裝置1包括第二加載互鎖真空室4，所述第二加載互鎖真空室4用於將捲繞於支持體4A的電漿處理後的被處理基板H1搬出至外部。該些第一加載互鎖真空室3及第二加載互鎖真空室4氣密地連接於處理室2。
此外，在支持體3A及支持體4A的至少一者連接有未圖示的驅動機構。並且，在電漿處理裝置1中，藉由所述驅動機構使對應的支持體3A或支持體4A旋轉，被處理基板H1依序被移送至第一加載互鎖真空室3、處理室2、及第二加載互鎖真空室4。
而且，在處理室2的內部設置有作為將來自第一加載互鎖真空室3的被處理基板H1送出至支持體的送出部的第一內部輥5。而且，在處理室2的內部設置有作為所述支持體的滾筒6、以及作為將被處理基板H1自滾筒6搬出至第二加載互鎖真空室4的搬出部的第二內部輥7。在電漿處理裝置1中，如圖1所示，被處理基板H1自支持體3A在第一內部輥5及滾筒6的各外周面上依序被搬送。即，在電漿處理裝置1中，將被處理基板H1連續地供給至處理室2而進行電漿處理。
而且，在電漿處理裝置1中，如圖1所示，以滾筒6的外周面的一部分位於由配置於處理室2的內部的遮罩（mask）9分隔的電漿生成區域PA的方式設置。並且，在電漿處理裝置1中，對由滾筒6運送至電漿生成區域PA的滾筒6上的被處理基板H1的部分進行規定的電漿處理，在所述部分的表面上成膜規定物（被膜）。
而且，在電漿處理裝置1中，如圖1所示，將成膜有規定的被膜的被處理基板H1自滾筒6經由第二內部輥7搬送至第二加載互鎖真空室4，並捲繞於支持體4A。
被處理基板H1例如可為液晶面板顯示器、有機電致發光（Electro Luminescence，EL）面板顯示器等中所使用的各種膜或合成樹脂基板（柔韌基板）。電漿處理裝置1藉由所述規定的電漿處理在被處理基板H1上成膜阻障（barrier）（防濕）膜等作為所述規定的被膜。而且，捲繞於支持體4A的被處理基板H1根據用途等適宜切割成所需的尺寸而使用。
而且，電漿處理裝置1包括控制部（未圖示），所述控制部控制電漿處理裝置1的各部。該控制部例如包含中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）、隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）、唯讀記憶體（Read Only Memory，ROM）等，是根據資訊處理進行各構成元件的控制的功能區塊。
＜處理室2＞
處理室2是使用接地的真空容器而構成，在所述真空容器的內部保持為規定的真空度的狀態下，藉由所述控制部的控制，而對被處理基板H1實施規定的電漿處理。
而且，在處理室2設置有處理氣體供給部，所述處理氣體供給部將與所述規定的電漿處理對應的包含所述被膜的成膜用氣體的處理氣體導入至處理室2的內部（未圖示），在處理氣體的環境下進行所述電漿處理。處理氣體例如為氬、氫、氮、矽烷、或氧。而且，所述處理氣體供給部的氣體供給口與電漿生成區域PA對應地設置於遮罩9的下方側的處理室2的壁面（未圖示）。而且，適宜設置有將處理氣體排氣至外部的未圖示的排氣口。
而且，在處理室2中，亦可在對被處理基板H1進行規定的預加熱處理後，進行電漿生成區域PA中的電漿處理。例如，在第一內部輥5設置對被處理基板H1進行預加熱的加熱部HA。加熱部HA藉由設置於處理室2的外部的加熱控制部HAC來控制，藉此適當地實施對於被處理基板H1的預加熱處理。如此，藉由對被處理基板H1適當地實施預加熱處理，能夠提高藉由電漿CVD法成膜於被處理基板H1上的膜的膜質等，能夠實施對於被處理基板H1的高品質的電漿處理。
＜滾筒6＞
滾筒6例如為圓筒狀的筒體，可旋動地由處理室2支持。如圖2所示，滾筒6的兩端部分別經由軸承（bearing）B而可旋動地連接於安裝結構T。安裝結構T經由襯墊（packing）P2氣密地安裝於處理室2的壁面。而且，滾筒6例如使用氧化鋁（鋁氧）、氮化鋁、石英、或氮化矽等介電體而構成。滾筒6構成為，在藉由所述驅動機構來搬送被處理基板H1時，藉由來自與滾筒6的外周面相接的被處理基板H1的摩擦力，沿圖1中R所示的方向旋動。
而且，滾筒6可旋動地由處理室2支持，因此滾筒6可一邊導引被處理基板H1，一邊順利地搬送。其結果，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，能夠更適當地實施對於被處理基板H1的電漿處理。
此外，除所述說明以外，亦可為下述結構：在滾筒6連接馬達（motor）等動作機構，藉此使滾筒6旋動而驅動被處理基板H1。而且，亦可構成為，將滾筒6固定於處理室2的壁面，不使滾筒6旋動，而使被處理基板H1在滾筒6的外周面上滑動。
即，本實施方式的滾筒6只要為天線8能夠插通，且能夠將被處理基板H1導引至在處理室2的內部所生成的電漿的生成區域（電漿生成區域PA）的筒體即可。
但是，如上所述，就能夠順利地搬送被處理基板H1，能夠更適當地實施對於被處理基板H1的電漿處理的方面而言，較佳為將滾筒6可旋動地設置於處理室2的情況。而且，滾筒6的旋動部、尤其是軸承B的附近部有因與安裝結構T中所含的鄰接的凸緣等固定部的摩擦而產生顆粒等之虞。因此，在可旋動地設置滾筒6的情況下，較佳為在滾筒6的端部附近設置覆蓋滾筒6的端部的罩（cover）的結構。藉此，能夠大幅降低附著於被處理基板H1的顆粒量。
＜天線8＞
而且，如圖2所示，在滾筒6的內部設置有天線8，所述天線8用於在處理室2的內部產生感應耦合性的電漿。具體而言，天線8是直線狀天線，以與滾筒6成為同軸的方式設置，兩端部分別經由襯墊P1而氣密地安裝於安裝結構T。即，本揭示的電漿處理裝置1在天線8中流通高頻電流而使天線8的附近產生高頻感應電場，從而生成感應耦合性的電漿。
而且，天線8的兩端部分別伸出至處理室2的外部。而且，如圖3所示，在天線8的其中一端部及另一端部分別設置有阻抗（impedance）調整部12及阻抗調整部14。
阻抗調整部12包括匹配電路，經由阻抗調整部12而將天線8的其中一端部連接於電源13。而且，阻抗調整部14包括可變電容器（variable condenser）。天線8的另一端部經由阻抗調整部14而接地。
電源13例如將13.56 MHz的高頻功率經由阻抗調整部12而供給至天線8的其中一端部。所述控制部以下述方式進行控制：藉由變更阻抗調整部14的所述可變電容器的電容，對處理室2的內部的天線8有效率地供給高頻功率。並且，天線8以與滾筒6同軸的方式設置，因此能夠在朝向滾筒6的外周面的方向上沿周向均勻地產生電漿。其結果，在本實施方式的電漿處理裝置1中，能夠提高對於被處理基板H1的成膜的均勻性。
而且，如上所述，將天線8以成為同軸的方式設置於滾筒6的內部，因此在電漿處理裝置1中，因構件的偏差等而導致在量產前的試作階段確認到成膜速率等的分布的情況下，可沿補償該分布的方向調整天線8的位置。例如，在天線8的長度方向上，天線8的單側端部附近的成膜速率低的情況下，可進行如使所述端部接近電漿生成區域PA的方向（圖1的紙面下方）的調整，從而能夠消除所述分布。
此外，除所述說明以外，亦可構成為，使天線8相對於處理室2能夠旋動。但是，就能夠簡化電漿處理裝置1的結構的方面而言，較佳為將天線8固定的情況。
＜內部電極10＞
在處理室2的內部，內部電極10在滾筒6的外部設置於電漿生成區域PA內。具體而言，內部電極10以沿著滾筒6的外周面的方式，使剖面形狀構成為大致圓弧狀。內部電極10經由絕緣間隔件（isolated spacer）11固定於遮罩9，藉此在電漿生成區域PA內與滾筒6的外周面及所述外周面上的被處理基板H1對向而配置。
內部電極10例如使用碳板或金屬板而構成。內部電極10是在處理室2的內部控制所述電漿中所含的荷電粒子的控制電極。即，在內部電極10上連接有電極電位控制部10E（圖5），所述電極電位控制部10E包含連接於內部電極10的電源，且藉由控制所述電源，來控制內部電極10的電位。電極電位控制部10E依據來自所述控制部的指示，可變地調整自電極電源施加於內部電極10的施加電壓，藉此將內部電極10的電位控制為規定的電位。
此外，在使用碳板構成內部電極10的情況下，儘管碳板與金屬板相比密度小，但強度強，在內部電極10不易產生應變等。因此，即便在使內部電極10大型化時，亦能夠不易產生由應變等引起的電漿的面內不均勻性。
而且，金屬板較佳為使用密度低且導電率高的金屬材料，具體而言，較佳為使用鋁或鋁合金。而且，在使用此種金屬材料的金屬板構成內部電極10的情況下，相較於使用碳板的內部電極10，能夠構成機械衝擊優異的內部電極10，能夠提高電漿處理裝置1的耐衝擊性。其結果，例如在對電漿處理裝置1傳遞由未圖示的閥的開閉等引起的振動等的情況下，較佳為使用所述金屬板構成內部電極10的情況。
如圖4所示，內部電極10例如包含具有分別形成為圓形形狀的多個開口10a的衝孔金屬（punching metal）形狀的柵極（grid）電極。在內部電極10中，根據所述荷電粒子的極性，選擇性地對荷電粒子賦予運動能量，或者降低荷電粒子對於被處理基板H1的到達量（詳情後述）。
此外，除所述說明以外，例如亦可為將網狀的柵極電極用於內部電極10的結構。
而且，除所述說明以外，亦可使用未設置開口10a的平板狀的內部電極10。該情況下，電漿生成區域PA傾向於限定在滾筒6與內部電極10之間。藉此，能夠生成高密度的電漿，能夠提昇成膜速率或蝕刻速率，從而能夠縮短節拍時間（tact time）。但是，較佳為以將處理氣體高效率地供給至電漿生成區域PA的方式，調整處理氣體的噴出位置及噴出角度。
另一方面，在設置有開口10a的情況下，無論處理氣體的噴出位置或噴出角度如何，均能夠將藉由開口10a導入至處理室2的內部的處理氣體順利地供給至滾筒6上的區域。因此，在設置有開口10a的情況下，能夠抑制因將內部電極10配置於處理室2的內部所致的電漿處理的處理效率的降低。
＜動作例＞
亦使用圖5，對本實施方式1的電漿處理裝置1的動作具體地進行說明。圖5是說明所述內部電極10的功能的圖。此外，在以下說明中，主要對內部電極10的動作進行說明。而且，在圖5中，省略圖示被處理基板H1、滾筒6、及天線8等。
如圖5所示，當天線8（圖1）運作而在處理室2的內部產生電漿時，所述電漿中所含的荷電粒子k與中性粒子n不同，根據對內部電極10的施加電壓而移動。即，在處理室2的內部，如圖5所示，處理室2接地，因此包含正離子p及電子或負離子e的荷電粒子k根據對內部電極10的施加電壓而運動。即，在處理室2的內部，所述荷電粒子k根據其極性而自內部電極10選擇性地賦予運動能量，或者降低對於被處理基板H1的到達量。
具體而言，如圖5的箭頭E所示，電極電位控制部10E例如以內部電極10的電位成為較電漿電位低電位的方式，對內部電極10施加負電壓。該情況下，如圖5的箭頭所示，正離子p在朝向被處理基板H1的方向上的運動能量變大。其結果，能夠促進在被處理基板H1的表面的正離子p的反應，能夠在所述表面上成膜高品質的膜。
另一方面，如圖5的箭頭所示，電子或負離子e在朝向與被處理基板H1相反側的方向上的運動能量變大。藉此，能夠減少電子或負離子e對於被處理基板H1的到達量。其結果，在電子或負離子e使利用電漿處理在被處理基板H1的表面所形成的被膜的膜質降低的情況等，能夠抑制膜質的降低。
如上所述構成的本實施方式1的電漿處理裝置1包括處理室2，所述處理室2對被處理基板（膜）H1進行規定的電漿處理。處理室2的內部包括：滾筒6，導引連續地供給至處理室2的被處理基板H1；以及天線8，用於在處理室2的內部產生感應耦合性的電漿。天線8配置於滾筒6的內部，電漿處理是對滾筒6上的被處理基板H1進行。藉此，在本實施方式1中，即便在對連續地供給至處理室2的長條的被處理基板H1連續地進行電漿處理的情況下，可構成能夠進行高品質的電漿處理的小型的電漿處理裝置1。
即，本實施方式1的電漿處理裝置1是使用導引長條的被處理基板H1的圓筒狀的滾筒6，因此可對長條的被處理基板H1進行電漿處理。而且，本實施方式1的電漿處理裝置1是將天線8以與滾筒6成為同軸的方式設置於滾筒6的內部。其結果，本實施方式1的電漿處理裝置1在處理室2的內部在滾筒6的外周附近能夠高效率地生成電漿。進而，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，與所述現有例不同，在處理室2的內部無需確保天線8專用的設置空間。因而，本實施方式1的電漿處理裝置1與所述現有例不同，能夠抑制結構的大型化或複雜化，從而可構成小型的電漿處理裝置1。
即，在所述現有例中，天線以與滾筒的周面對向的方式設置。因此，在現有例中，難以構成為抑制其結構的大型化或複雜化的小型。而且，在現有例中，必須要相對於滾筒的周面，將天線精度良好地定位。因此，在現有例中，無法容易地確保滾筒的周向上的電漿的均勻性，有時亦難以提昇對於膜的成膜的均勻性。尤其是，在現有例中，在滾筒的外周沿著周向以大區域進行成膜的情況下，在現有例中，必須要將天線沿周向排列。因此，在現有例中，其結構複雜化，進而必須要沿著處理室的壁設置各種天線的安裝結構等。
另一方面，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，可不將天線8專用的設置空間設置於處理室2的內部，而亦對長條的被處理基板H1進行高品質的電漿處理。因此，在本實施方式1中，可構成能夠在滾筒6的外周沿著周向以大區域進行成膜的小型的電漿處理裝置1。
而且，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，藉由調整滾筒6的內部的天線8的位置，能夠控制自滾筒6的外周面向電漿生成區域PA所產生的電漿。藉此，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，能夠朝向滾筒6的外周面均勻地產生來自天線8的電漿。其結果，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，能夠提高在被處理基板H1的成膜的均勻性。因此，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，即便在對長條的被處理基板H1連續地進行電漿處理的情況下，亦能夠進行高品質的電漿處理。
而且，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，在處理室2的內部包括內部電極10，因此可直接地控制所述電漿的荷電粒子相對於滾筒6上的被處理基板H1的運動或到達量。進而，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，可使內部電極10與電漿處理中的被處理基板H1之間的電位梯度形成得大。
其結果，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，如圖5所例示，根據電漿中所含的荷電粒子k的極性，可選擇性地對荷電粒子k賦予運動能量。因此，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，可增減荷電粒子k對於被處理基板H1的到達量。因此，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，可適當地控制荷電粒子k的動作，可容易地進行對於被處理基板H1的高精度的電漿處理。
而且，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，內部電極10以在與天線8之間夾著被處理基板H1的方式配置。因此，對於對滾筒6上的被處理基板H1進行電漿處理的電漿，可使藉由內部電極10而賦予至與被處理基板H1之間的電場作用。因而，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，可有效率地進行電漿的荷電粒子對於被處理基板H1的運動或到達量的控制。其結果，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，能夠更容易地進行對於被處理基板H1的高精度的電漿處理。
而且，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，作為電漿處理，對被處理基板H1進行使用電漿的化學氣相沈積法。藉此，在本實施方式1的電漿處理裝置1中，可對被處理基板H1實施高品質的成膜。
〔變形例〕
使用圖6對本揭示的變形例具體地進行說明。圖6是說明所述電漿處理裝置1的變形例的主要部分結構的圖。此外，為了便於說明，對於具有與所述實施方式1中所說明的構件相同功能的構件，標註相同符號，且不再重覆其說明。
本變形例與所述實施方式1的主要不同點在於，設置位置控制部80，所述位置控制部80將天線8的長度方向的一端部8a及另一端部8b沿滾筒6的徑向可移動地設置於處理室2，控制一端部8a及另一端部8b的各位置。
在本變形例的電漿處理裝置1中，如圖6所示，在處理室2中，在壁面形成有沿滾筒6（圖1）的徑向開口的長孔2a。而且，天線8以一端部8a及另一端部8b分別插通長孔2a的方式安裝於處理室2的壁面，一端部8a及另一端部8b可分別在長孔2a內沿所述徑向移動。即，線狀天線8以與滾筒6的軸大致平行地配置，並且可調整自與滾筒6的軸平行的方向的角度的偏移的方式，由處理室2支持。
而且，在本變形例的電漿處理裝置1中，位置控制部80例如連接於天線8的一端部8a。該位置控制部80包括用於使天線8的一端部8a沿所述徑向移動的馬達等可動機構（未圖示）。並且，位置控制部80依據來自所述控制部的指示，使所述可動機構動作，藉此控制一端部8a及另一端部8b的各位置。藉此，天線8可以相對於滾筒6在長度方向上傾斜的狀態配置。即，在本變形例中，天線8可自在滾筒6的內部與滾筒6同軸地配置的狀態，成為天線8的中心軸相對於滾筒6的中心軸在長度方向上傾斜的狀態。
如上所述，在本變形例的電漿處理裝置1中，位置控制部80可調整天線8的長度方向上的斜率。因此，在本變形例的電漿處理裝置1中，可將所述長度方向上的天線8與滾筒6的外周面上的被處理基板H1之間的距離在天線8的一端部8a側與另一端部8b側設定為不同值。因此，在本變形例的電漿處理裝置1中，在對於被處理基板H1的成膜分布中形成偏倚的情況下，藉由進行天線8的安裝的所述調整，可調整偏倚而容易地確保均勻性。其結果，在本變形例的電漿處理裝置1中，能夠切實地進行對於被處理基板H1的高精度的電漿處理。
〔實施方式2〕
使用圖7及圖8對本揭示的實施方式2具體地進行說明。圖7是說明本揭示的實施方式2的電漿處理裝置1的結構的圖。圖8是說明圖7所示的天線18a、天線18b、天線18c的具體的結構例的圖。此外，為了便於說明，對於具有與所述實施方式1中所說明的構件相同功能的構件，標註相同符號，且不再重覆其說明。
本實施方式2與所述實施方式1的主要不同點在於，以沿著滾筒6的內周面的方式在滾筒6的內部排列設置有多個天線18a、18b、18c。
在本實施方式2的電漿處理裝置1中，如圖7所示，在滾筒6的內部設置有多個例如三個天線18a、18b、18c。而且，該些天線18a、18b、18c以沿著滾筒6的內周面的方式排列設置。而且，該些天線18a、18b、18c例如以相對於所述內周面的隔開距離相同的方式配置。進而，天線18b以在圖7的上下方向上較天線18a、天線18c更下側的位置且與天線18a的距離及與天線18c的距離成為相同距離的方式，安裝於處理室2。
如圖8所示，在天線18a的其中一端部依序連接有阻抗調整部12及電源13。而且，在天線18a的另一端部及天線18b的另一端部連接有阻抗調整部14a。而且，在天線18b的其中一端部及天線18c的其中一端部連接有阻抗調整部14b。而且，在天線18c的另一端部連接有阻抗調整部14c。
阻抗調整部14a、阻抗調整部14b、阻抗調整部14c分別包括可變電容器。天線18a、天線18b、天線18c介隔阻抗調整部14a、阻抗調整部14b而串聯連接，且經由阻抗調整部14c而接地。並且，在本實施方式2的電漿處理裝置1中，所述控制部以下述方式進行控制：藉由變更阻抗調整部14a、阻抗調整部14b、阻抗調整部14c的各可變電容器的電容，對天線18a、天線18b、天線18c有效率地供給高頻功率。
藉由以上結構，在本實施方式2的電漿處理裝置1中，發揮與所述實施方式1的電漿處理裝置1相同的效果。而且，在本實施方式2的電漿處理裝置1中，在滾筒6的內部，沿著滾筒6的內周面均勻地排列設置有天線18a、天線18b、天線18c。藉此，在本實施方式2的電漿處理裝置1中，天線18a、天線18b、天線18c可以在電漿生成區域PA中，滾筒6的外周面上所產生的電漿變得均勻的方式產生。因此，在本實施方式2的電漿處理裝置1中，可對滾筒6的外周面上的電漿處理中的被處理基板H1均勻地賦予電漿。
其結果，在本實施方式2的電漿處理裝置1中，與實施方式1的電漿處理裝置1相比，可更切實地確保對於被處理基板H1的電漿的均勻性，從而可更切實地進行對於被處理基板H1的高精度的電漿處理。
〔總結〕
為了解決所述課題，本揭示的一方面的電漿處理裝置包括處理室，對連續地供給至所述處理室的膜，進行使用電漿的處理，且所述電漿處理裝置中，在所述處理室的內部包括：滾筒，導引連續地供給至所述處理室的所述膜；以及天線，用於在所述處理室的內部產生感應耦合性的電漿，所述天線配置於所述滾筒的內部，所述電漿處理是對所述滾筒上的所述膜進行。
根據所述結構，電漿處理裝置在處理室的內部包括導引向處理室連續地供給的膜的滾筒，因此可對所述膜進行電漿處理。此外，在滾筒的內部配置有天線，因此可高效率地生成對滾筒上的膜進行電漿處理的電漿。而且，可抑制處理室大型化或複雜化，而提供能夠進行高品質的電漿處理的小型的電漿處理裝置。
在所述一方面的電漿處理裝置中，亦可為，在所述處理室的內部更包括內部電極，所述內部電極施加規定的電位。
藉由所述結構，電漿處理裝置在處理室的內部包括施加規定的電位的內部電極，因此可直接地控制所述電漿的荷電粒子對於滾筒上的膜的運動或到達量。其結果，可容易地進行對於膜的高精度的電漿處理。
在所述一方面的電漿處理裝置中，亦可為，所述內部電極配置於所述滾筒外。
藉由所述結構，內部電極以在與天線之間夾著膜的方式配置。因此，對於對滾筒上的膜進行電漿處理的電漿，可使藉由內部電極而賦予至與膜之間的電場作用。因而，可進行電漿的荷電粒子對於膜的運動或到達量的控制。其結果，可容易地進行對於膜的高精度的電漿處理。
在所述一方面的電漿處理裝置中，亦可為，所述內部電極包含具有多個開口的碳板或金屬板。
藉由所述結構，可使藉由開口而導入至處理室的內部的處理氣體順利地移動至滾筒上的區域，可抑制因將內部電極配置於處理室內部所致的電漿處理的處理效率的降低。
在所述一方面的電漿處理裝置中，亦可為，所述天線為線狀天線，以與所述滾筒的軸大致平行地配置，並且可調整自與所述滾筒的軸平行的方向的角度的偏移的方式，由所述處理室支持。
藉由所述結構，可將線狀天線容易地配置於滾筒的內部。而且，天線可調整自與滾筒的軸平行的方向的角度的偏移，因此可更容易地確保對於膜的電漿的均勻性。其結果，可切實地進行對於膜的高精度的電漿處理。
在所述一方面的電漿處理裝置中，亦可為，多個所述天線在所述滾筒的內部以沿著所述滾筒的內周面的方式排列設置。
藉由所述結構，使多個各天線朝向滾筒的外周面產生電漿，因此可對滾筒的外周面上的電漿處理中的膜均勻地賦予電漿。其結果，可更切實地進行對於膜的高精度的電漿處理。
在所述一方面的電漿處理裝置中，亦可為，在連續地供給至所述處理室的所述膜的較所述滾筒更靠上游側設置有對所述膜進行預加熱的加熱部。
藉由所述結構，可實施對於膜的高品質的電漿處理。
在所述一方面的電漿處理裝置中，亦可為，所述滾筒可旋動地由所述處理室支持。
藉由所述結構，滾筒一邊導引一邊搬送膜，因此能夠順利地搬送膜。其結果，可更適當地實施對於膜的電漿處理。
所述一方面的電漿處理裝置中，亦可為，所述電漿處理是利用使用所述電漿的化學氣相沈積法的成膜處理。
藉由所述結構，可對被處理物實施高品質的成膜。
本揭示並不限定於所述的各實施方式，在申請專利範圍所示的範圍內可進行各種變更，將不同的實施方式中所揭示的技術手段適宜組合而獲得的實施方式亦包含於本揭示的技術範圍。
1:電漿處理裝置
2:處理室
3:第一加載互鎖真空室
3A、4A:支持體
4:第二加載互鎖真空室
5:第一內部輥（送出部）
6:滾筒
7:第二內部輥
8、18a、18b、18c:天線
8a:一端部
8b:另一端部
9:遮罩
10:內部電極
10a:開口
10E:電極電位控制部
11:絕緣間隔件
12、14、14a、14b、14c:阻抗調整部
13:電源
80:位置控制部
B:軸承
e:電子或負離子
H1:被處理基板（膜）
HA:加熱部
HAC:加熱控制部
k:荷電粒子
n:中性粒子
p:正離子
P1、P2:襯墊
PA:電漿的生成區域
R:方向
T:安裝結構
圖1是說明本揭示的實施方式1的電漿處理裝置的結構的圖。
圖2是說明圖1所示的滾筒與天線的關係的圖。
圖3是說明所述天線的具體的結構例的圖。
圖4是說明圖1所示的內部電極的具體的結構例的圖。
圖5是說明所述內部電極的功能的圖。
圖6是說明所述電漿處理裝置的變形例的主要部分結構的圖。
圖7是說明本揭示的實施方式2的電漿處理裝置的結構的圖。
圖8是說明圖7所示的天線的具體的結構例的圖。
1:電漿處理裝置
2:處理室
3:第一加載互鎖真空室
3A、4A:支持體
4:第二加載互鎖真空室
5:第一內部輥(送出部)
6:滾筒
7:第二內部輥
8:天線
9:遮罩
10:內部電極
11:絕緣間隔件
H1:被處理基板(膜)
HA:加熱部
HAC:加熱控制部
PA:電漿的生成區域
R:方向
Claims (9)
- 一種電漿處理裝置，包括處理室，對連續地供給至所述處理室的膜，進行使用電漿的處理，且所述電漿處理裝置中，在所述處理室的內部包括：滾筒，導引連續地供給至所述處理室的所述膜；以及天線，用於使所述處理室的內部產生感應耦合性的電漿，所述天線配置於所述滾筒的內部，所述電漿處理是對所述滾筒上的所述膜進行。
- 如請求項1所述的電漿處理裝置，其中在所述處理室的內部更包括內部電極，所述內部電極施加規定的電位。
- 如請求項2所述的電漿處理裝置，其中所述內部電極配置於所述滾筒外。
- 如請求項2或請求項3所述的電漿處理裝置，其中所述內部電極包含具有多個開口的碳板或金屬板。
- 如請求項1至請求項3中任一項所述的電漿處理裝置，其中所述天線是線狀天線，且以與所述滾筒的軸大致平行地配置，並且能夠調整自與所述滾筒的軸平行的方向的角度的偏移的方式，由所述處理室支持。
- 如請求項1至請求項3中任一項所述的電漿處理裝置，其中 多個所述天線在所述滾筒的內部以沿著所述滾筒的內周面的方式排列設置。
- 如請求項1至請求項3中任一項所述的電漿處理裝置，其中在連續地供給至所述處理室的所述膜的較所述滾筒更靠上游側設置有對所述膜進行預加熱的加熱部。
- 如請求項1至請求項3中任一項所述的電漿處理裝置，其中所述滾筒能夠旋動地由所述處理室支持。
- 如請求項1至請求項3中任一項中任一項所述的電漿處理裝置，其中所述電漿處理是利用使用所述電漿的化學氣相沈積法的成膜處理。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022017343A JP2023114815A (ja) | 2022-02-07 | 2022-02-07 | プラズマ処理装置 |
| JP2022-017343 | 2022-02-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202333228A TW202333228A (zh) | 2023-08-16 |
| TWI844252B true TWI844252B (zh) | 2024-06-01 |
Family
ID=87552305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW112103699A TWI844252B (zh) | 2022-02-07 | 2023-02-02 | 電漿處理裝置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023114815A (zh) |
| KR (1) | KR20240108570A (zh) |
| CN (1) | CN118510941A (zh) |
| TW (1) | TWI844252B (zh) |
| WO (1) | WO2023149323A1 (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201442868A (zh) * | 2009-03-17 | 2014-11-16 | Lintec Corp | 成形體、其製造方法、電子裝置用構件及電子裝置 |
| US20200299842A1 (en) * | 2013-03-28 | 2020-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition platform for flexible substrates and method of operation thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003342734A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜、その形成方法及びそれを有する物品 |
| EP1403902A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-03-31 | Fuji Photo Film B.V. | Method and arrangement for generating an atmospheric pressure glow discharge plasma (APG) |
| JP2015086417A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 株式会社 セルバック | 誘導結合プラズマｃｖｄ装置 |
-
2022
- 2022-02-07 JP JP2022017343A patent/JP2023114815A/ja active Pending
-
2023
- 2023-01-26 WO PCT/JP2023/002364 patent/WO2023149323A1/ja unknown
- 2023-01-26 KR KR1020247021873A patent/KR20240108570A/ko unknown
- 2023-01-26 CN CN202380016174.4A patent/CN118510941A/zh active Pending
- 2023-02-02 TW TW112103699A patent/TWI844252B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201442868A (zh) * | 2009-03-17 | 2014-11-16 | Lintec Corp | 成形體、其製造方法、電子裝置用構件及電子裝置 |
| US20200299842A1 (en) * | 2013-03-28 | 2020-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition platform for flexible substrates and method of operation thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20240108570A (ko) | 2024-07-09 |
| TW202333228A (zh) | 2023-08-16 |
| JP2023114815A (ja) | 2023-08-18 |
| CN118510941A (zh) | 2024-08-16 |
| WO2023149323A1 (ja) | 2023-08-10 |
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