TWI843493B - 包含真空吸引裝置的蝕刻設備 - Google Patents
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Abstract
本發明主要揭示一種包含真空吸引裝置的蝕刻設備，其係設置一DES產線用以執行顯影、蝕刻和剝膜製程，或被設置一SES產線用以執行剝膜、蝕刻和剝錫製程。該蝕刻設備包括：一蝕刻室、一電路板輸送機構、一蝕刻液噴灑單元、以及複數個真空吸引裝置，其中該電路板輸送機構包括複數個上側傳動軸以及複數個下側傳動軸，且所述上側傳動軸帶有複數個滾輪。依據本發明之設計，所述滾輪具有一徑長，且所述真空吸引裝置具有一寬度，而該寬度為所述徑長的n倍，其中n介於2至5倍之間。依此設計，在一個或多個電路板送進該蝕刻設備以進行蝕刻製程時，蝕刻液在該電路板之上的水池效應可以獲得顯著改善，從而維持電路板的蝕刻均勻性。
Description
本發明為印刷電路板製造的有關技術領域，尤指應用於印刷電路板之製造的一種包含真空吸引裝置的蝕刻設備。
已知，印刷電路板(printed circuit board,PCB)為電子產品的重要零件，其係作為電子元件、電子晶片以及電子模組的載板。並且，隨著電子產品朝向體積薄、重量輕的趨勢發展，對於印刷電路板的加工精度的要求也跟著提高。熟悉印刷電路板的設計與製造的工程師應知道，透過壓膜、曝光、顯影、蝕刻、剝膜、剝錫製程可以在印刷電路板上製作出一圖案化線路，其中，顯影(Developing)、蝕刻(Etching)和剝膜(Stripping)通常在一DES產線上完成，而剝膜(Stripping)、蝕刻(Etching)和剝錫(Stripping)則在一SES產線上完成。進一步地，熟悉印刷電路板的設計與製造的工程師還知道，包含真空吸引裝置的蝕刻設備被設置在該DES產線和該SES產線以完成蝕刻製程和乾膜剝離製程。
圖1為習知的一種包含真空吸引裝置的蝕刻設備的側剖視圖。如圖1所示，習知的蝕刻設備1a包括：一蝕刻室11a、一電路板輸送機構12a、複數個上側噴灑器13Ua、複數個下側噴灑器13La、以及複
數個真空吸引裝置14a，其中，該電路板輸送機構12a包括複數個上側傳動軸12Ua以及複數個下側傳動軸12La，且該複數個上側傳動軸12Ua和該複數個下側傳動軸12La之間具有一移動空間用以運送電路板。更詳細地說明，所述上側傳動軸12Ua帶有複數個滾輪，且所述滾輪具有一徑長。
應知道，在該複數個上側噴灑器13Ua向電路板的上側噴灑蝕刻液後，該複數個真空吸引裝置14a會啟動以吸取過多的蝕刻液，避免蝕刻液在電路板表面形成水池效應(如圖1中的虛線區域所示)。依據實務經驗，所述真空吸引裝置14a具有一寬度，且該寬度約等於1~1.45倍的所述徑長。然而，這樣的真空吸引裝置14a的設計並無法完全改善水池效應，導致電路板的蝕刻均勻性不佳。
綜上所述，習知的電包含真空吸引裝置的蝕刻設備仍存在明顯缺陷有待改善。因此，本發明之創作人係極力加以研究發明，而終於研發完成本發明之一種包含真空吸引裝置的蝕刻設備。
本發明之主要目的在於提供一種包含真空吸引裝置的蝕刻設備，其係設置一DES產線用以執行顯影、蝕刻和剝膜製程，或被設置一SES產線用以執行剝膜、蝕刻和剝錫製程。該蝕刻設備包括：一蝕刻室、一電路板輸送機構、一蝕刻液噴灑單元、以及複數個真空吸引裝置，其中該電路板輸送機構包括複數個上側傳動軸以及複數個下側傳動軸，且所述上側傳動軸帶有複數個滾輪。依據本發明之設
計，所述滾輪具有一徑長，且所述真空吸引裝置具有一寬度，而該寬度為所述徑長的n倍，其中n介於2至5倍之間。
為達成上述目的，本發明提出所述蝕刻設備的一實施例，其係應用於印刷電路板的製造，且包括：一蝕刻室；一電路板輸送機構，包括複數個上側傳動軸以及複數個下側傳動軸，且該複數個上側傳動軸和該複數個下側傳動軸之間具有一移動空間；一蝕刻液噴灑單元，連接外部的一儲液槽，且具有複數個噴灑器位於該蝕刻室之中；以及複數個真空吸引裝置，設置在該蝕刻室之中，且接近在該移動空間內移動的一個或複數個電路板；其中，所述上側傳動軸帶有複數個滾輪，所述滾輪具有一徑長，且所述真空吸引裝置具有一寬度，而該寬度為所述徑長的n倍，其中n介於2至5倍之間。
在一應用實施例中，本發明所述之蝕刻設備係設置在一自動化產線之中，用以執行顯影(Developing)、蝕刻(Etching)和剝膜(Stripping)製程。
在另一應用實施例中，本發明所述之蝕刻設備係設置在一自動化產線之中，用以執行剝膜(Stripping)、蝕刻(Etching)和剝錫(Stripping)製程。
在一實施例中，該複數個噴灑器包括設置在該複數個上側傳動軸上方處的複數個第一噴灑器以及設置在該複數個下側傳動軸下方處的複數個第二噴灑器。
在一實施例中，該蝕刻液噴灑單元更包括：至少一第一輸液管，設置在該蝕刻室內以連接該複數個第一噴灑器；至少一第二輸液管，設置在該蝕刻室內以連接該複數個第一噴灑器；一第一泵浦，設置在該蝕刻室之外，且具有至少一第一連接管以及連接該儲液槽的一第二連接管；其中，該至少一第一輸液管和該至少一第二輸液管皆延伸至該蝕刻室的外部以連接該至少一第一連接管。
在一實施例中，本發明所述之蝕刻設備係單元更包括：至少一第三輸液管，設置在該蝕刻室內以連接該複數個真空吸引裝置；一第二泵浦，設置在該蝕刻室之外，且具有至少一第二連接管；其中，該至少一第三輸液管延伸至該蝕刻室的外部以連接該至少一第二連接管。
1a:蝕刻設備
11a:蝕刻室
12a:電路板輸送機構
12Ua:上側傳動軸
12La:下側傳動軸
13Ua:上側噴灑器
13La:下側噴灑器
14a:真空吸引裝置
1:蝕刻設備
11:蝕刻室
12:電路板輸送機構
12U:上側傳動軸
12L:下側傳動軸
13:蝕刻液噴灑單元
131:噴灑器
133:第一輸液管
134:第二輸液管
13U:上側噴灑器
13L:下側噴灑器
14:真空吸引裝置
14G:凹槽
141:第三輸液管
圖1為習知的一種包含真空吸引裝置的蝕刻設備的側剖視圖；圖2為本發明之一種包含真空吸引裝置的蝕刻設備的側剖視圖；以及圖3為圖2中所示的一個真空吸引裝置的側剖視圖。
為了能夠更清楚地描述本發明所提出之一種包含真空吸引裝置的蝕刻設備，以下將配合圖式，詳盡說明本發明之較佳實施例。
請參閱圖2，其為本發明之一種包含真空吸引裝置的蝕刻設備的側剖視圖。如圖2所示，本發明主要揭示一種蝕刻設備1，其係設置一DES產線用以執行顯影(Developing)、蝕刻(Etching)和剝膜(Stripping)製程，或被設置一SES產線用以執行剝膜(Stripping)、蝕刻(Etching)和剝錫(Stripping)製程。該蝕刻設備1包括：一蝕刻室11、一電路板輸送機構12、一蝕刻液噴灑單元13、以及複數個真空吸引裝置14，其中該電路板輸送機構包括複數個上側傳動軸12U以及複數個下側傳動軸12L，且該複數個上側傳動軸12U和該複數個下側傳動軸12L之間具有一移動空間，使得一個或多個電路板可以在該移動空間內橫向移動。
如圖2所示，該蝕刻液噴灑單元13包括：複數個噴灑器131、至少一第一輸液管133、至少一第二輸液管134、以及一第一泵浦(未圖示)，其中，該複數個噴灑器131包括設置在該複數個上側傳動軸12U上方處的複數個第一噴灑器13U以及設置在該複數個下側傳動軸12L下方處的複數個第二噴灑器13L。另一方面，該至少一第一輸液管133設置在該蝕刻室11內以連接該複數個第一噴灑器13U，且該至少一第二輸液管134設置在該蝕刻室11內以連接該複數個第一噴灑器13L。更詳細地說明，該第一泵浦設置在該蝕刻室11之外，且具有至少一第一連接管，並且，該至少一第一輸液管133和該至少一第二輸液管134皆延伸至該蝕刻室11的外部以連接該至少一第一連接管。此外，該第一泵還具有用以連接一儲液槽(儲存蝕刻液)的一第二連接管。
更詳細地說明，該複數個真空吸引裝置14設置在該蝕刻室11之中以接近在該移動空間內移動的一個或複數個電路板，且相鄰二個所述真空吸引裝置14之間具有一設置間距。另一方面，至少一第三輸液管141係設置在該蝕刻室11內以連接該複數個真空吸引裝置14，且有至少一第二連接管的一第二泵浦(未圖示)係設置在該蝕刻室11之外，且該至少一第三輸液管141延伸至該蝕刻室11的外部以連接該至少一第二連接管。
熟悉印刷電路板的設計與製造的工程師應知道，在該複數個上側噴灑器13U向電路板的上側噴灑蝕刻液後，該複數個真空吸引裝置14會啟動以吸取過多的蝕刻液，避免蝕刻液在電路板表面形成水池效應。依據本發明之設計，所述上側傳動軸12U帶有複數個滾輪，所述滾輪具有一徑長。並且，所述真空吸引裝置14具有一寬度，該寬度為所述徑長的n倍，且n介於2至5倍之間。進一步地，圖3為圖2中所示的一個真空吸引裝置14的側剖視圖。如圖3所示，該真空吸引裝置14的底部設有至少二個凹槽14G，使得至少二個所述滾輪對應地位於該至少二個凹槽14G之中。依此設計，在一個或多個電路板送進該蝕刻設備1以進行蝕刻製程時，蝕刻液在該電路板之上的水池效應可以獲得顯著改善，從而維持電路板的蝕刻均勻性。
如此，上述係已完整且清楚地說明本發明之包含真空吸引裝置的蝕刻設備。然而，必須加以強調的是，上述之詳細說明係針對本發明可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本型之專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。
1:蝕刻設備
11:蝕刻室
12:電路板輸送機構
12U:上側傳動軸
12L:下側傳動軸
13:蝕刻液噴灑單元
131:噴灑器
133:第一輸液管
134:第二輸液管
13U:上側噴灑器
13L:下側噴灑器
14:真空吸引裝置
141:第三輸液管
Claims (7)
- 一種蝕刻設備，其係應用於印刷電路板的製造，且包括：一蝕刻室；一電路板輸送機構，包括複數個上側傳動軸以及複數個下側傳動軸，且該複數個上側傳動軸和該複數個下側傳動軸之間具有一移動空間；一蝕刻液噴灑單元，連接外部的一儲液槽，且具有複數個噴灑器位於該蝕刻室之中；以及複數個真空吸引裝置，設置在該蝕刻室之中，且接近在該移動空間內移動的一個或複數個電路板；其中，所述上側傳動軸帶有複數個滾輪，所述滾輪具有一徑長，且所述真空吸引裝置具有一寬度，而該寬度為所述徑長的n倍，其中n介於2至5倍之間。
- 如請求項1所述之蝕刻設備，其中，所述蝕刻設備係設置在一自動化產線之中，用以執行顯影(Developing)、蝕刻(Etching)和剝膜(Stripping)製程。
- 如請求項1所述之蝕刻設備，其中，所述蝕刻設備係設置在一自動化產線之中，用以執行剝膜(Stripping)、蝕刻(Etching)和剝錫(Stripping)製程。
- 如請求項1所述之蝕刻設備，其中，各所述真空吸引裝置的底部設有至少二個凹槽，使得至少二個所述滾輪對應地位於該至少二個凹槽之中。
- 如請求項1所述之蝕刻設備，其中，該複數個噴灑器包括設置在該複數個上側傳動軸上方處的複數個第一噴灑器以及設置在該複數個下側傳動軸下方處的複數個第二噴灑器。
- 如請求項5所述之蝕刻設備，其中，該蝕刻液噴灑單元更包括：至少一第一輸液管，設置在該蝕刻室內以連接該複數個第一噴灑器；至少一第二輸液管，設置在該蝕刻室內以連接該複數個第一噴灑器；一第一泵浦，設置在該蝕刻室外，且具有至少一第一連接管以及連接該儲液槽的一第二連接管；其中，該至少一第一輸液管和該至少一第二輸液管皆延伸至該蝕刻室的外部以連接該至少一第一連接管。
- 如請求項5所述之蝕刻設備，係更包括： 至少一第三輸液管，設置在該蝕刻室內以連接該複數個真空吸引裝置；一第二泵浦，設置在該蝕刻室之外，且具有至少一第二連接管；其中，該至少一第三輸液管延伸至該蝕刻室的外部以連接該至少一第二連接管。
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI843493B true TWI843493B (zh) | 2024-05-21 |
Family
ID=
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107295752A (zh) | 2016-04-11 | 2017-10-24 | 嘉联益电子(昆山)有限公司 | 基材蚀刻处理方法 |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107295752A (zh) | 2016-04-11 | 2017-10-24 | 嘉联益电子(昆山)有限公司 | 基材蚀刻处理方法 |
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