TWI842097B - 配線基板、發光裝置及其等之製造方法 - Google Patents
配線基板、發光裝置及其等之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI842097B TWI842097B TW111135480A TW111135480A TWI842097B TW I842097 B TWI842097 B TW I842097B TW 111135480 A TW111135480 A TW 111135480A TW 111135480 A TW111135480 A TW 111135480A TW I842097 B TWI842097 B TW I842097B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- conductive paste
- insulating resin
- manufacturing
- component
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 143
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 143
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 132
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 122
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 122
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 Y 3 (Al Chemical compound 0.000 description 10
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910021532 Calcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052927 chalcanthite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
本發明提供一種能夠抑制雙面基板上之構件種類增加，謀求減少製造時間及步驟數之配線基板。本發明之配線基板之製造方法包括如下步驟：準備具有絕緣性樹脂10及金屬構件20之基板30，該金屬構件20與絕緣性樹脂10之第二面10B相向而配置且於表面形成有防銹層21；從絕緣性樹脂10之第一面10A側照射第一雷射光L1，而形成貫通絕緣性樹脂10且將金屬構件20之絕緣性樹脂10側之表面作為內底面51B之有底孔51；於有底孔51之內底面51B，去除形成於金屬構件20之表面之防銹層21；將導電膏40注入有底孔51，並且以成為與注入之導電膏40連續之配線之方式於絕緣性樹脂10之第一面10A塗佈導電膏40；及使導電膏固化。
Description
本發明係關於一種配線基板、發光裝置及其等之製造方法。
作為多層配線基板之層間配線，有時採用填充有導電膏之通孔。例如，於專利文獻1中記載有一種在基板之兩面具有由銅箔形成之配線、且將填充有導電膏之通孔作為層間配線之雙面配線基板。
[專利文獻1]日本專利特開2006-210514號公報
本發明之實施方式之目的在於提供一種能謀求減少製造時間及步驟數之配線基板、發光裝置及其等之製造方法。
實施方式所揭示之配線基板之製造方法包括如下步驟：準備具有絕
緣性樹脂及金屬構件之基板，該絕緣性樹脂具有第一面及上述第一面之相反一側之第二面，該金屬構件與上述絕緣性樹脂之第二面相向而配置且於表面形成有防銹層；從上述絕緣性樹脂之第一面側照射第一雷射光，而形成貫通上述絕緣性樹脂且將上述金屬構件之上述絕緣性樹脂側之表面作為內底面之有底孔；於上述有底孔之內底面，去除形成於上述金屬構件之表面之上述防銹層；將導電膏注入上述有底孔，並且以成為與注入之上述導電膏連續之配線之方式於上述絕緣性樹脂之第一面塗佈上述導電膏；及使上述導電膏固化。
又，實施方式所揭示之面狀發光裝置之製造方法包括如下步驟：利用實施方式所揭示之配線基板之製造方法製造配線基板；於上述配線基板之上述金屬構件上配置包含發光元件之光源；以覆蓋上述金屬構件之方式配置光反射構件；及以覆蓋上述光反射構件之方式配置第一導光構件。
又，實施方式所揭示之面狀發光裝置之製造方法包括如下步驟：利用實施方式所揭示之配線基板之製造方法製造配線基板；以覆蓋上述配線基板之上述絕緣性樹脂之第一面及上述導電膏之方式配置光反射構件；於上述絕緣性樹脂之第一面側配置包含發光元件之光源；以覆蓋上述光源及上述光反射構件之方式配置導光構件；及於俯視下在上述導光構件之表面之與上述光源重合之位置配置光調整構件。
又，實施方式所揭示之配線基板具有：基板，其具有絕緣性樹脂及金屬構件，該絕緣性樹脂具有第一面及上述第一面之相反一側之第二面，
該金屬構件與上述絕緣性樹脂之第二面相向而配置且於上述第二面側之表面形成有防銹層；及導電膏，其配置於上述基板；且上述基板具有貫通上述絕緣性樹脂且將上述金屬構件之上述絕緣性樹脂側之表面作為內底面之有底孔，上述有底孔之內底面具有上述防銹層被去除之區域，上述導電膏以與上述防銹層被去除之區域相向之方式位於上述有底孔之內部，且以成為與位於上述有底孔之內部之上述導電膏連續之配線的方式配置於上述絕緣性樹脂之第一面。
又，實施方式所揭示之面狀發光裝置具有：實施方式所揭示之配線基板；光源，其配置於上述配線基板之上述金屬構件上且包含發光元件；光反射構件，其覆蓋上述金屬構件；及第一導光構件，其覆蓋上述光反射構件。
又，實施方式所揭示之面狀發光裝置具有：實施方式所揭示之配線基板；光反射構件，其覆蓋上述配線基板之上述絕緣性樹脂之第一面及上述導電膏；光源，其配置於上述絕緣性樹脂之第一面側且包含發光元件；導光構件，其覆蓋上述光源及上述光反射構件；及光調整構件，其於俯視下配置於上述導光構件之表面之與上述光源重合之位置。
根據本發明之實施方式，能夠提供可抑制雙面基板上之構件種類增加，謀求減少製造時間及步驟數之配線基板、發光裝置及其等之製造方法。
1:配線基板
1A:配線基板(第一實施方式之面狀發光裝置)
1B:配線基板(第二實施方式之面狀發光裝置)
10:絕緣性樹脂
10A:第一面
10B:第二面
11:聚醯亞胺層
12:樹脂層
20:金屬構件
21:防銹層
22:連接焊墊部
22A:連接焊墊部
25A:電極
25B:電極
30:基板
40:導電膏
41:填充部
50:通孔連接部
51:有底孔
51A:內側面
51B:內底面
52:區域(防銹層被去除之區域)
100:光源
110:發光元件
120:透光性構件
130:元件電極
200:導光構件
210:第一導光構件
211:第一導光構件
212:第一導光構件
213:第一導光構件
220:第二導光構件
230:反射層
231:反射層
232:反射層
233:反射層
240:間隙
250:開口部(第一導光構件)
300A:光反射構件
300B:光反射構件
350A:開口部(光反射構件)
400:光調整構件
510:貫通孔
550:區域
600:連接構件
1000A:面狀發光裝置
1001A:面狀發光裝置
1002A:面狀發光裝置
1003A:面狀發光裝置
1000B:面狀發光裝置
M1:遮罩
M2:遮罩
M3:遮罩
M4:遮罩
MA1:開口部
MA2:開口部
MA3:開口部
MA4:開口部
ML:遮罩
P11:區域
P12:區域
P13:區域
P14:區域
T4:配線厚度
圖1A係對實施方式之配線基板之一部分進行例示之第二面側之立體概要圖。
圖1B係對實施方式之配線基板之一部分進行例示之第一面側之立體概要圖。
圖1C係對實施方式之配線基板之一部分進行例示之第二面側之俯視概要圖。
圖1D係對實施方式之配線基板之一部分進行例示之第一面側之俯視概要圖。
圖2A係對實施方式之通孔連接部進行例示之第一面側之俯視概要圖。
圖2B係例示圖2A之IIB-IIB線處之剖面之剖視概要圖。
圖2C係表示實施方式之通孔連接部之另一例之第一面側之俯視概要圖。
圖3係例示實施方式之配線基板之製造方法之流程圖。
圖4A係例示於實施方式之配線基板之製造方法中準備之基板的剖視概要圖。
圖4B係例示於實施方式之配線基板之製造方法中形成金屬構件之配線圖案後之狀態的剖視概要圖。
圖4C係例示於實施方式之配線基板之製造方法中形成有底孔後之狀態的剖視概要圖。
圖4D係例示於實施方式之配線基板之製造方法中去除防銹層之一部
分後之狀態的剖視概要圖。
圖4E係例示於實施方式之配線基板之製造方法中塗佈導電膏後之狀態的剖視概要圖。
圖4F係例示於實施方式之配線基板之製造方法中使導電膏固化後之狀態的剖視概要圖。
圖5A係例示於實施方式之配線基板之製造方法中配置導電膏所使用之遮罩之一部分的俯視概要圖。
圖5B係例示於實施方式之配線基板之製造方法中配置導電膏所使用之遮罩之變化例之一部分的俯視概要圖。
圖5C係例示於實施方式之配線基板之製造方法中配置導電膏所使用之遮罩之另一變化例之一部分的俯視概要圖。
圖5D係例示於實施方式之配線基板之製造方法中配置導電膏所使用之遮罩之另一變化例之一部分的俯視概要圖。
圖6A係例示第一及第二實施方式之面狀發光裝置之俯視概要圖。
圖6B係將圖6A之一部分放大來例示之俯視概要圖。
圖6C係例示第一實施方式之面狀發光裝置之配線基板之一部分的俯視概要圖。
圖7係針對第一實施方式之面狀發光裝置例示圖6B之VII-VII線處之剖面的剖視概要圖。
圖8係例示第一實施方式之面狀發光裝置之製造方法之流程圖。
圖9A係例示於第一實施方式之面狀發光裝置之製造方法中利用實施方式之配線基板之製造方法製造之配線基板的剖視概要圖。
圖9B係例示於第一實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置光源
後之狀態的剖視概要圖。
圖9C係例示於第一實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置光反射構件後之狀態的剖視概要圖。
圖9D係例示於第一實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置第一導光構件後之狀態的剖視概要圖。
圖9E係例示於第一實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置第二導光構件後之狀態的剖視概要圖。
圖9F係例示於第一實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置光調整構件後之狀態的剖視概要圖。
圖10A係例示第一導光構件之第一變化例之面狀發光裝置之剖視概要圖。
圖10B係例示第一導光構件之第二變化例之面狀發光裝置之剖視概要圖。
圖10C係例示第一導光構件之第三變化例之面狀發光裝置之剖視概要圖。
圖11係針對第二實施方式之面狀發光裝置例示圖6B之XI-XI線處之剖面的剖視概要圖。
圖12係例示第二實施方式之面狀發光裝置之製造方法之流程圖。
圖13A係例示於第二實施方式之面狀發光裝置之製造方法中利用實施方式之配線基板之製造方法製造之配線基板的剖視概要圖。
圖13B係例示於第二實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置光反射構件後之狀態的剖視概要圖。
圖13C係例示於第二實施方式之面狀發光裝置之製造方法中形成貫通
孔後之狀態的剖視概要圖。
圖13D係例示於第二實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置光源後之狀態的剖視概要圖。
圖13E係例示於第二實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置連接構件後之狀態的剖視概要圖。
圖13F係例示於第二實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置第一導光構件後之狀態的剖視概要圖。
圖13G係例示於第二實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置第二導光構件後之狀態的剖視概要圖。
圖13H係例示於第二實施方式之面狀發光裝置之製造方法中配置光調整構件後之狀態的剖視概要圖。
下面，參照附圖對本發明之實施方式進行說明。但是，以下所說明之實施方式係用以實現本發明之技術思想者，只要無特定之記載，則並非將發明限定為如下。於一實施方式中說明之內容亦可應用於其他實施方式及變化例中。又，附圖係概略地表示實施方式者，為了明確地進行說明，有時會對各構件之比例或間隔、位置關係等有所誇張，或者省略一部分構件之圖示。各圖中所示之方向表示構成要素間之相對位置，並非旨在表示絕對位置。再者，關於相同之名稱、符號，原則上表示相同或同質之構件，適當省略詳細說明。又，關於實施方式，所謂「覆蓋」並不限於直接相接之情形，亦包括間接、例如經由其他構件覆蓋之情形。
參照圖1A至圖2B對實施方式之配線基板1進行說明。圖1A係對實施方式之配線基板之一部分進行例示之第二面側之立體概要圖，圖1B係對實施方式之配線基板之一部分進行例示之第一面側之立體概要圖。圖1C係對實施方式之配線基板之一部分進行例示之第二面側之俯視概要圖，圖1D係對實施方式之配線基板之一部分進行例示之第一面側之俯視概要圖。圖2A係對實施方式之通孔連接部進行例示之第一面側之俯視概要圖。圖2B係例示圖2A之IIB-IIB線處之剖面之剖視概要圖。
如圖1A至圖1D所示，配線基板1可於兩面設置圖案互不相同之電氣配線。兩面之配線由通孔連接部50連接。於配線基板1之一面設有由後述之金屬構件20形成之配線，於相反一側之面設有由後述之導電膏40形成之配線。通孔連接部50具有後述之有底孔51，由導電膏40將兩面之配線連接。再者，於圖2A中將通孔連接部50之一例放大來表示。
配線基板1具有：基板30，其具有絕緣性樹脂10及金屬構件20，該絕緣性樹脂10具有第一面10A及第一面10A之相反一側之第二面10B，該金屬構件20與絕緣性樹脂10之第二面10B相向而配置且於第二面10B側之表面形成有防銹層21；及導電膏40，其配置於基板30。而且，基板30具有貫通絕緣性樹脂10且將金屬構件20之絕緣性樹脂10側之表面作為內底面之有底孔51，有底孔51之內底面51B具有防銹層21被去除之區域52，導電膏40以與防銹層21被去除之區域52相向之方式位於有底孔51之內部，且以成為與位於有底孔51內部之導電膏40連續之配線的方式配置於絕緣性樹脂10之第一面10A。其次，對配線基板1之各構成進行說明。
基板30係成為配線基板1之基礎之板狀或片狀之構件。基板30之俯視形狀例如為矩形形狀。再者，基板30之俯視形狀未特別限定。基板30具有絕緣性樹脂10、及與絕緣性樹脂10之第二面10B相向而配置且成為配線之金屬構件20。於絕緣性樹脂10之第一面10A配置有成為配線之導電膏40。而且，經由貫通絕緣性樹脂10而形成之成為配線之通孔連接部50(貫通孔及導電膏)，將金屬構件20之配線與導電膏40之配線連接。
絕緣性樹脂10係作為供形成配線圖案之基材之板狀或片狀之絕緣構件。絕緣性樹脂10具有第一面10A及第一面10A之相反一側之第二面10B，且形成有從第一面10A貫通至第二面10B之貫通孔即有底孔51。此處，絕緣性樹脂10包含聚醯亞胺層11及樹脂層12之兩層，聚醯亞胺層11側為第一面10A，樹脂層12側為第二面10B。聚醯亞胺層11之厚度T3例如為12μm以上75μm以下，樹脂層12之厚度T2例如為5μ以上20μm以下。再者，絕緣性樹脂10之材料、構造、厚度並無特別限定。
金屬構件20係形成預先設定之配線圖案之導電性構件。金屬構件20之材料例如可設為Ag、Al、Ni、Au、Cu、Ti、Pt、W等單一金屬或包含該等之合金。此處，金屬構件20使用銅箔作為一例。銅箔之厚度T1例如為12μm以上35μm以下。金屬構件20之配線圖案可藉由蝕刻來形成。
於金屬構件20，可設置連接焊墊部22。連接焊墊部22係金屬構件20
之一部分，其係為了易於設置通孔連接部50，例如使寬度變大而形成。此處，矩形形狀之連接焊墊部22設置於金屬構件20之配線圖案之前端部，於俯視下配置成具有與由後述之導電膏40形成之配線重合之區域。連接焊墊部22可與配線圖案一併藉由蝕刻來形成。
對金屬構件20之表面施行防銹處理。特別是，於與絕緣性樹脂10相向之表面形成有防銹層21。防銹層21例如由在表面形成凹凸而施行了粗化處理之粗化層、Zn、Ni或Cr等鍍覆層、有機皮膜層等形成，且形成作為金屬構件20之銅箔之表面。防銹層21抑制銅箔等金屬構件20之氧化，提高與絕緣性樹脂10之密接性。但是，防銹層21之電阻較銅箔大。因此，於試圖在與絕緣性樹脂10相向之銅箔之表面設置電氣接點之情形時，為了減小電氣接點處之電阻，較佳為去除防銹層21。防銹層21例如可藉由照射雷射光而使其蒸發、利用還原劑進行化學反應、機械研磨等方法來去除。防銹層21之厚度例如為0.1μm以上7μm以下。又，相對於有底孔51之內底面51B，防銹層21被去除之面積只要為20%以上即可，較佳為40%以上，更佳為55%以上，進而較佳為70%以上。相對於有底孔51之內底面51B，防銹層21被去除之面積較佳為80%以下。再者，相對於有底孔51之內底面51B，防銹層21被去除之面積亦可為100%。藉此，能夠減小導電膏40與金屬構件20之電阻。又，防銹層21被去除之區域亦可於有底孔51中不只一處，而是有複數處。進而，亦可於去除了防銹層21之位置之金屬構件20之表面設置凹凸。例如於藉由雷射等去除防銹層21時，於金屬構件20之表面形成微細之凹凸。該微細之凹凸能使導電膏40與金屬構件20之接合牢固。去除了防銹層21之位置之金屬構件20之表面粗糙度
(Ra)較佳為0.1μm~3.0μm，更佳為0.2μm~1.5μm。
導電膏40係形成配置於第一面10A之配線，並且將配置於第一面10A之配線與面向第二面10B而配置之金屬構件20連接之構件。導電膏40作為配線配置於第一面10A，並且配置於後述之有底孔51。
銅箔之體積電阻率例如為1.7μΩ．cm，與此相對，導電膏40之體積電阻率例如為10μΩ．cm以上100μΩ．cm以下。為了減小導電膏40之配線電阻，可增大配線之截面面積。為了儘可能減薄配線基板1，使形成配置於第一面10A之配線的導電膏40之配線厚度T4例如為10μm以上30μm以下。因此，導電膏40之配線寬度較佳為0.5mm以上2mm以下。
導電膏40之材料例如為金、銀、銅、鉑、鋁等單一成分或者其合金或混合粉末與樹脂黏合劑之混合物。樹脂黏合劑例如可使用環氧樹脂或矽酮樹脂等熱固性樹脂。又，導電膏40較佳為含有有機酸等還原劑。藉此，能夠減小與金屬構件20之連接處之電阻。
有底孔51係藉由貫通絕緣性樹脂10而成為貫通孔，並且利用金屬構件20堵塞該貫通孔，從而構成為有底孔。有底孔51設置在與金屬構件20相向之位置，金屬構件20之表面成為有底孔51之內底面51B。此處，於與一個連接焊墊部22相向之位置設有兩個有底孔51。
防銹層21被去除之區域52為有底孔51之內底面51B之一部分，且為
金屬構件20之防銹層21被去除之區域。此處，區域52設置於內底面51B之中央部。
於配線基板1上，基板30具有將連續之金屬構件20之絕緣性樹脂10側之表面作為內底面51B且並列之複數個有底孔51，與並列之複數個有底孔51各自之內底面51B相接之導電膏40經由由配置於絕緣性樹脂10之第一面10A之導電膏40形成之配線而連續。
此處，如圖2A所示，相對於由連續之金屬構件20形成之一個連接焊墊部22，設有並列之兩個有底孔51。即，兩個有底孔51之內底面51B之金屬構件20連續。而且，於第一面10A之配線中連續之導電膏40與各個內底面51B中防銹層21被去除之區域52相接。
又，導電膏40於俯視下形成有以自固定之寬度突出之方式與導電膏40連續地進入有底孔51之中而配置之填充部41。
具有上述構成之配線基板1藉由具有貫通絕緣性樹脂10且將金屬構件20之絕緣性樹脂10側之表面作為內底面51B之有底孔51，且使導電膏40位於有底孔51之內部，能夠將導電膏40與金屬構件20之間確實地電性連接。
配線基板1藉由在有底孔51之內底面51B具有防銹層21被去除之區域52，且使導電膏40以與防銹層21被去除之區域52相向之方式位於有底孔51之內部，能夠減小導電膏40與金屬構件20之間之連接處之電阻。
配線基板1藉由使位於有底孔51內部之導電膏40與配置於絕緣性樹脂10之第一面10A而成為配線之導電膏40連續，能夠利用一個構件進行通孔
填充與佈線，從而能夠抑制雙面基板上之構件種類增加。
配線基板1藉由使與並列之複數個有底孔51各自之內底面51B相接之導電膏40經由由配置於絕緣性樹脂10之第一面10A之導電膏40形成之配線而連續，能夠進一步確實地將導電膏40與金屬構件20之間電性連接，從而進一步減小連接處之電阻。
再者，連接焊墊部22之形狀可為矩形形狀，亦可為梯形形狀或包含曲線部分之形狀。又，亦可不設置連接焊墊部22，而是以內底面51B位於金屬構件20之配線圖案之一部分之方式設置有底孔51。
又，相對於一個連接焊墊部22或連續之金屬構件20之配線圖案而設置之有底孔51可為一個，亦可為三個以上。如圖2A所示，於設有複數個之情形時，可沿著與導電膏40之配線相同之方向排列，亦可沿著與導電膏40之配線不同之方向排列。例如，如圖2C所示，亦可使導電膏40之配線於長方形形狀之連接焊墊部22A之位置終止，於互不相同之方向上分別排列三個有底孔51。
其次，參照圖3至圖5A對實施方式之配線基板之製造方法S10進行說明。配線基板之製造方法S10包括：步驟S1，其係準備具有絕緣性樹脂10及金屬構件20之基板30，該絕緣性樹脂10具有第一面10A及第一面10A之相反一側之第二面10B，該金屬構件20與絕緣性樹脂10之第二面10B相向而配置且於表面形成有防銹層21；步驟S3，其係從絕緣性樹脂10之第一面10A側照射第一雷射光L1，而形成貫通絕緣性樹脂10且將金屬構件20之絕緣性樹脂10側之表面作為內底面51B之有底孔51；步驟S4，其係於有底
孔51之內底面51B去除形成於金屬構件20之表面之防銹層21；步驟S5，其係將導電膏40注入有底孔51，並且以成為與注入之導電膏40連續之配線之方式於絕緣性樹脂10之第一面10A塗佈導電膏40；及步驟S6，其係使導電膏固化。
準備基板之步驟S1係準備與絕緣性樹脂10之一面(第二面10B)相向而配置有金屬構件20之基板30之步驟。金屬構件20之一例為銅箔，於絕緣性樹脂10側之表面形成有防銹層21。
金屬構件20經由作為接著層之樹脂層12貼合於成為絕緣性樹脂10之基材之聚醯亞胺層11。金屬構件20及絕緣性樹脂10係相互以片狀進行貼合來準備。絕緣性樹脂10之材料、構造、厚度並無特別限定。例如，亦可不設置樹脂層12，而是藉由熱壓接合等使金屬構件20與聚醯亞胺層11貼合。基板30亦可藉由購買來準備。又，亦可使用由聚醯亞胺樹脂形成聚醯亞胺層11及樹脂層12且使絕緣性樹脂10一體化而成之材料。
對金屬構件進行蝕刻之步驟S2係於金屬構件20藉由蝕刻而形成配線圖案之步驟。於形成配線圖案時亦形成連接焊墊部22。再者，於準備基板之步驟S1中，亦可購買已形成有金屬構件20之配線圖案之基板。於該情形時，可省略對金屬構件進行蝕刻之步驟S2。
形成有底孔之步驟S3係於絕緣性樹脂10貫通絕緣性樹脂10而形成有底孔51之步驟。當有底孔51較小時，於後續步驟中難以注入導電膏40。又，當有底孔51較大時，需要將金屬構件20形成得較大，會限制金屬構件20之配線圖案之配置。因此，有底孔51之最大直徑D1為50μm以上800μm以下，較佳為100μm以上500μm以下，進而較佳為200μm以上300μm以下。
於形成有底孔之步驟S3中，以有底孔51之內徑從第二面10B側向第一面10A側增大之方式形成有底孔51。即，有底孔51呈朝向內底面51B而前端變細之錐狀。
於形成有底孔之步驟S3中，有底孔51係從第一面10A側照射第一雷射光L1，而形成於以樹脂作為材料之絕緣性樹脂10。就加工速度之觀點而言，所使用之雷射較佳為CO2雷射，但亦可使用綠色雷射或UV(Ultraviolet，紫外線)雷射等。
又，於形成有底孔之步驟S3中，並列形成將連續之金屬構件20之絕緣性樹脂10側之表面作為內底面51B之複數個有底孔51。而且，於後述之注入及塗佈導電膏之步驟S5中，使與並列形成之複數個有底孔51之內底面51B相接之導電膏40經由第一面10A之導電膏40而連續。
於該步驟S3中，作為一例，於與由連續之金屬構件20形成之一個連接焊墊部22相向之位置並列形成有兩個有底孔51。連接焊墊部22之絕緣性樹脂10側之表面為兩個有底孔51之內底面51B。而且，於注入及塗佈導電膏之步驟S5中，以使與兩個有底孔51之內底面51B相接之導電膏40經由
第一面10A之導電膏40而連續之方式注入及塗佈有導電膏40。再者，有底孔51只要形成於與金屬構件20相向之位置即可，並不拘於連接焊墊部22如何。
去除防銹層之步驟S4係去除有底孔51之內底面51B之防銹層21之步驟。於該步驟S4中，向有底孔51之內底面51B之中心部照射能量較第一雷射光L1大之第二雷射光L2。藉由照射第二雷射光L2，而於內底面51B形成防銹層21被去除之區域52。再者，為了去除防銹層21，需要能量較適合加工樹脂之第一雷射光L1大之第二雷射光L2。又，第二雷射光L2之照射所致之溫度上升可能會使內底面51B周圍之絕緣性樹脂10熔融、變形。因此，第二雷射光L2較佳為向遠離內側面51A之內底面51B之中心部照射。
第一雷射光L1及第二雷射光L2亦較佳為使用同一雷射進行照射。藉由使用同一雷射，能夠提高調節有底孔51之內底面51B之照射位置之對準精度。又，不需要切換裝置，能夠提高製程之生產性。
第一雷射光L1及第二雷射光L2亦較佳為使用CO2雷射進行照射。因CO2雷射之雷射光之波長較長，故對金屬構件20之影響較小，例如可照射輸出為200W以上之高功率進行加工。因此，能夠有效率地去除絕緣性樹脂10及防銹層21。
第二雷射光I2例如經由遮罩ML之開口部進行照射。通過了遮罩ML
之開口部之第二雷射光L2由透鏡聚光，並照射至有底孔51之內底面51B之中心部。遮罩ML之開口部之形狀例如可設為圓形形狀。於內底面51B，第二雷射光L2照射之面積較佳為內底面51B之面積之20%以上60%以下，第二雷射光L2照射之區域之最大直徑例如為20μm以上300μm以下，較佳為50μm以上200μm以下。
注入及塗佈導電膏之步驟S5係將具有流動性之固化前之導電膏40塗佈於有底孔51及絕緣性樹脂10之第一面10A之步驟。導電膏40之塗佈例如可從分注器之噴嘴注入，亦可藉由網版印刷來設置，亦可併用噴嘴注入與網版印刷、諸如於從噴嘴注入後進行網版印刷等。
作為一例，注入及塗佈導電膏之步驟S5係經由遮罩M1之開口部MA1注入及塗佈導電膏40。於俯視下，遮罩M1之開口部MA1與有底孔51之開口部重合之面積為有底孔51之開口部之面積之40%以上70%以下，較佳為45%以上60%以下，進而較佳為50%以上55%以下。導電膏40之注入及塗佈可使用遮罩M1，藉由網版印刷或金屬遮罩印刷來進行。
如圖5A所示，遮罩M1之開口部MA1於俯視下與有底孔51之一部分重合。再者，圖5A係從第一面10A側觀察基板30時之俯視概要圖，作為一例，於相反一側之面即第二面10B形成有金屬構件20之連接焊墊部22，其成為有底孔51之內底面51B。導電膏40從開口部MA1與有底孔51重合之區域P11被注入至有底孔51。作為一例，有底孔51之開口部為圓形形狀，區域P11係如從有底孔51之開口部去除弓形部分後之形狀。該步驟S5藉由
調節區域P11之形狀及大小，能夠調節對有底孔51注入導電膏40之位置及分量。
如圖4E所示，剛注入後之內底面51B具有不與導電膏40相向之部分。導電膏40因其流動性而與內底面51B密接著逐漸擴散。此時，面向內底面51B之空氣以被導電膏40擠出之方式，例如作為空氣之流動A3從有底孔51向外部排出。
使導電膏固化之步驟S6係使塗佈之導電膏40固化之步驟。導電膏40之固化例如藉由熱處理來進行。
位於有底孔51內部之導電膏40面向防銹層21被去除之區域52之整個面。藉此，金屬構件20與導電膏40之間之連接處之電阻減小。又，藉由使區域52不接觸空氣，能夠抑制金屬構件20氧化。
位於有底孔51內部之導電膏40之體積為有底孔51之體積之80%以上，較佳為90%以上，進而較佳為100%。再者，位於有底孔51內部之導電膏40之體積越接近有底孔51之體積之100%，越能夠減小有底孔51內部之導電膏40之配線電阻。
包括上述構成之配線基板之製造方法S10藉由從絕緣性樹脂10之第一面10A側照射第一雷射光L1，而形成貫通絕緣性樹脂10且將金屬構件20之絕緣性樹脂10側之表面作為內底面51B之有底孔51，並將導電膏40注入有底孔51，能夠確實地將金屬構件20與導電膏40電性連接。
配線基板之製造方法S10藉由向有底孔51注入導電膏40，並且以成為與注入之導電膏40連續之配線之方式於絕緣性樹脂10之第一面10A塗佈導電膏40，並使導電膏固化，能夠將導電膏40例如一次印刷而配置於絕緣性樹脂10之第一面10A及有底孔51，從而能夠簡單地進行佈線與通孔填充。又，因導電膏40具有伸縮性，故能成為對於配線基板1之彎曲及翹曲不易斷線且可靠性較高之配線。
配線基板之製造方法S10藉由在俯視下遮罩M1之開口部MA1與有底孔51之開口重合之面積為有底孔51之開口部之面積之45%以上60%以下，而使剛經由遮罩M1之開口部MA1將導電膏40注入後之內底面51B具有不與導電膏40相向之部分。然後，導電膏40一面將空氣擠出，一面於內底面51B擴散，因此能夠抑制產生氣泡，使內底面51B與導電膏40之密接性良好。
配線基板之製造方法S10藉由在有底孔51之內底面51B去除形成於金屬構件20之表面之防銹層21，能夠抑制因防銹層21所導致之電阻值升高。再者，於使用最初未形成防銹層21之金屬構件20之情形時，形成有底孔之步驟S3中之第一雷射光L1之照射等可能會使金屬構件20之溫度上升，從而促進表面氧化，而使連接處之電阻變高。配線基板之製造方法S10藉由使用形成有防銹層21之金屬構件20，在與導電膏40連接之前去除防銹層21，能夠確實地降低連接處之電阻。所謂未形成防銹層21之金屬構件20，例如係指作為防銹處理僅設置有機皮膜而未設置粗化層或鍍覆層
之銅箔。
配線基板之製造方法S10藉由以有底孔51之內徑從第二面10B側向第一面10A側增大之方式形成錐狀之有底孔51，能夠將導電膏40與有底孔51之內側面51A密接著注入，能夠抑制產生氣泡。又，絕緣性樹脂10之第一面10A與有底孔51之內側面51A形成之角為鈍角，導電膏40不易斷線。
配線基板之製造方法S10藉由僅向有底孔51之內底面51B之中心部照射能量較第一雷射光L1大之第二雷射光L2，能夠抑制內底面51B周圍之絕緣性樹脂10熔融，並且去除防銹層21。
防銹層21之去除亦可於去除防銹層之步驟S4中，藉由向有底孔51之內底面51B之中心部照射波長較第一雷射光L1短之第三雷射光L3來進行。第三雷射光L3之照射能夠與已經說明之第二雷射光L2之照射同樣地進行。第三雷射光L3因波長較短，故能夠容易地去除防銹層21。另一方面，波長較短之雷射光可能會損壞金屬構件20。於此種情形時，例如藉由縮短照射時間，或者抑制輸出，能夠抑制對金屬構件20之影響。
防銹層21之去除亦可藉由利用針狀工具對有底孔51之內底面51B之表面進行研磨來進行。於利用工具進行研磨之情形時，與照射雷射光之情形相比，能夠增大防銹層21被去除之區域52之面積相對於內底面51B之比例。又，於利用工具進行之研磨中，區域52可形成於內底面51B之非中心部之位置，例如亦可形成於內底面51B之整個面。
關於防銹層21之去除，亦可於注入及塗佈導電膏之步驟S5中使導電膏40含有還原劑來進行。藉由使導電膏40含有還原劑，可省略用以去除防銹層21之雷射光之照射及利用工具進行之研磨，從而能夠減少步驟數。再者，防銹層21之去除可藉由照射雷射光、利用工具進行研磨或者向導電膏添加還原劑中之任一種來進行，亦可組合兩種以上來進行。
於注入及塗佈導電膏40之步驟S5中，根據網版印刷之刮漿板(刮刀)相對於區域P11之移動方向，向有底孔51注入之導電膏40之分量可能產生偏差。於此種情形時，藉由變更區域P11之形狀，能夠謀求改進。
如圖5B所示，遮罩M2中，開口部MA2與有底孔51重合之區域P12呈大致L字狀。藉由利用遮罩M2，使區域P12成為大致L字狀，能夠從形成大致直角之兩個方向將導電膏40注入有底孔51。藉此，能夠謀求減小導電膏40之分量偏差，並且將其注入有底孔51。
又，如圖5C所示，遮罩M3形成為，在與連接焊墊部22對向之每個區域，開口部MA3與有底孔51重合之區域P13於圖中呈兩個大致C字狀，且使C字狀之開口部分彼此相向。藉由利用遮罩M3使區域P13成為大致C字狀，能夠從三個方向將導電膏40注入有底孔51。藉此，能夠謀求進一步減小導電膏40之分量偏差，並且將其注入有底孔51。
進而，如圖5D所示，遮罩M4之開口部MA4與有底孔51重合之區域P14於一個有底孔51中被分為兩個大致平行之區域。藉由利用遮罩M4將區域P14分為兩個大致平行之區域，能夠從對向之兩個方向將導電膏40注入有底孔51。藉此，能夠謀求減小導電膏40之分量偏差，並且將其更均勻地注入有底孔51之內部。又，遮罩M4可藉由調整大致平行之區域P14之間隔，而微調注入至有底孔51之導電膏40之分量。
其次，參照圖6A至圖7對第一實施方式之面狀發光裝置1000A進行說明。如圖6A、6B所示，面狀發光裝置1000A係排列光源100使之面狀發光之裝置，能夠獨立地控制光源100各自之亮度及點亮/熄滅。面狀發光裝置1000A之每個光源100由後述之反射層230區隔，一個光源100為亮度及點亮/熄滅之控制單位即單元。圖6A係面狀發光裝置整體之俯視概要圖，圖6B係將圖6A所示之面狀發光裝置之一部分放大來例示之俯視概要圖。圖6C係表示配線基板1A之一例之俯視概要圖，光源100配置於金屬構件20之電極25A。圖7係例示面狀發光裝置1000A之一部分之剖視概要圖。
面狀發光裝置1000A具有：已說明之配線基板1；光源100，其配置於配線基板1之金屬構件20之電極25A，且包含發光元件110；光反射構件300A，其覆蓋金屬構件20；及第一導光構件210，其覆蓋光反射構件300A。
配線基板1使用為已說明之構成者。再者，於配線基板1中，可根據用途形成各種圖案之配線。面狀發光裝置1000A所使用之配線基板1係為
了面狀發光裝置1000A而形成有供配置光源100之電極或控制用之配線者，將其作為配線基板1A進行說明。
光源100具有：發光元件110，其具有一對元件電極130；及透光性構件120，其配置於發光元件110之光提取面側。
發光元件110包含半導體積層體，於本實施方式中在半導體積層體之上表面側配置有透光性構件120，於下表面側具有一對元件電極130。作為半導體積層體，可根據所需之發光波長使用任意之組成，例如可使用能發藍色或綠色光之氮化物半導體(InXAlYGa1-X-YN，0≦X，0≦Y，X+Y≦1)或GaP、或者能發紅色光之GaAlAs或AlInGaP等。又，發光元件110之大小或形狀可根據使用目的而適當進行選擇。
透光性構件120例如由透光樹脂材料形成，可使用環氧樹脂、矽酮樹脂或將該等混合而成之樹脂等。透光性構件120可含有螢光體，例如藉由含有吸收來自發光元件110之藍色光且射出黃色光之螢光體，能夠從光源100出射白色光。又，透光性構件120亦可含有複數種螢光體，例如藉由含有吸收來自發光元件110之藍色光且射出綠色光之螢光體、及射出紅色光之螢光體，亦能夠從光源100出射白色光。
作為此種螢光體，例如可使用釔/鋁/石榴石系螢光體(例如Y3(Al，Ga)5O12：Ce)、鎦/鋁/石榴石系螢光體(例如Lu3(Al，Ga)5O12：Ce)、鋱/鋁/石榴石系螢光體(例如Tb3(Al，Ga)5O12：Ce)、β型賽隆螢光體(例如
(Si，Al)3(O，N)4：Eu)、α型賽隆螢光體(例如，Mz(Si，Al)12(O，N)16(其中，0<z≦2，M為Li、Mg、Ca、Y、以及除La及Ce以外之鑭系元素))、CASN系螢光體(例如CaAlSiN3：Eu)或SCASN系螢光體(例如(Sr，Ca)AlSiN3：Eu)等氮化物系螢光體、KSF系螢光體(例如K2SiF6：Mn)、KSAF系螢光體(例如K2(Si，Al)F6：Mn)、或MGF系螢光體(例如3.5MgO．0.5MgF2．GeO2：Mn)等氟化物系螢光體、或鈣鈦礦、黃銅礦等量子點螢光體等。
光反射構件300A係具有光反射性之片狀構件。光反射構件300A配置於配線基板1A之絕緣性樹脂10之第二面10B，覆蓋金屬構件20。但是，此處，光反射構件300A具有包圍光源100之開口部350A，開口部350A於俯視下在光源100之周圍以距其50μm至100μm左右之方式將其包圍，因此除了位於開口部350A內側之一部分以外，還覆蓋金屬構件20。該情況於後述之第一實施方式之面狀發光裝置之製造方法S100A中亦相同。
光反射構件300A為了有效地利用來自光源100之光，較佳為具有較高之反射率且為白色。於光源100發出之光之波長，光反射構件300A之反射率例如較佳為90%以上，更較為94%以上。
光反射構件300A可使用含有大量氣泡之樹脂片(例如發泡樹脂片)或含有光擴散材料之樹脂片等。作為光反射構件300A所使用之樹脂，例如可使用丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、環狀聚烯烴樹脂，聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂或聚酯樹脂等熱塑性樹脂、或者環氧樹脂
或矽酮樹脂等熱固性樹脂。又，作為光擴散材料，例如可使用二氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等公知之材料。
導光構件200具備覆蓋光反射構件300A之第一導光構件210及覆蓋光源100之第二導光構件220。第一導光構件210係具有透光性之板狀或片狀之構件。但是，此處，第一導光構件210具有包圍光源100之開口部250。而且，開口部250於俯視下在光源100之周圍以距其100μm至200μm左右之方式將其包圍，且為在與光反射構件300A之開口部350A對向之位置將開口部350A包含在內側之大小。因此，第一導光構件210除了位於開口部250內側之一部分以外，還覆蓋光反射構件300A。該情況於後述之第一實施方式之面狀發光裝置之製造方法S100A及第一導光構件之第一至第三變化例中亦相同。又，第二導光構件220設置為填充於第一導光構件210之開口部250中，且從開口部350A覆蓋至光源100。
第一導光構件210之材料例如可使用丙烯酸、聚碳酸酯、環狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯或聚酯等熱塑性樹脂、或者玻璃等具有透光性之材料。尤其較佳為使用透明性高、且便宜之聚碳酸酯。第二導光構件220之材料只要為透明之樹脂，則並不限定，但較佳為使用環氧樹脂或矽酮樹脂、丙烯酸樹脂等熱固性樹脂。
導光構件200由反射層230區隔成一個個單元。反射層230係為了抑制從相鄰之單元透過導光構件200之光而設置。反射層230可使導光構件200之材料即樹脂含有光擴散材料而形成。光擴散材料例如可使用二氧化鈦、
二氧化矽、氧化鋁等。
面狀發光裝置1000A可具有光調整構件400。光調整構件400係使來自光源100側之光之一部分向光反射構件300A側反射之膜狀或板狀之構件。光調整構件400於俯視下配置於導光構件200之表面之與光源100重合之位置。
光調整構件400對於光源100之光之透過率例如較佳為20%以上60%以下，進而較佳為30%以上40%以下。光調整構件400之材料例如可使用含有光擴散材料之樹脂材料，亦可使用金屬材料。樹脂材料例如可設為矽酮樹脂、環氧樹脂或者將該等混合而成之樹脂。光擴散材料例如可設為二氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等公知之材料。光調整構件400只要為於俯視下在與光源100對向之位置將光源100包含在內之大小即可，於圖6B中為圓形形狀，但亦可為矩形形狀等。
具有上述構成之面狀發光裝置1000A藉由在配線基板1A之金屬構件20之電極25A上配置包含發光元件110之光源100，且具有覆蓋金屬構件20之光反射構件300A，能夠抑制金屬構件20吸收光，並且藉由具有覆蓋光反射構件300A之第一導光構件210，能夠高效率地提取光源100之光。
再者，面狀發光裝置1000A將一個光源100作為一個單元且作為亮度及點亮/熄滅之控制單位，但一個單元包括之光源100之個數可為一個，亦可為複數個。例如可將兩列兩行之四個光源100或三列三行之九個光源100設為一個單元。
其次，參照圖8至圖9F對第一實施方式之面狀發光裝置之製造方法S100A進行說明。圖8係面狀發光裝置之製造方法S100A之流程圖。圖9A至圖9F係模式性地表示面狀發光裝置之製造方法S100A之剖視概要圖。
面狀發光裝置之製造方法S100A包括：步驟S110，其係利用配線基板之製造方法S10製造配線基板；步驟S120，其係於配線基板1A之金屬構件20之電極25A上配置包含發光元件110之光源100；步驟S130A，其係以覆蓋金屬構件20之方式配置光反射構件300A；及步驟S141，其係以覆蓋光反射構件300A之方式配置第一導光構件210。進而，亦可包括配置第二導光構件220之步驟S142、及配置光調整構件400之步驟S150。
製造配線基板之步驟S110係利用配線基板之製造方法S10製造配線基板1A之步驟。於圖9A中，使配置有金屬構件20之絕緣性樹脂10之第二面10B側為圖中之上表面。電極25A之間隔可結合光源100進行調節來形成。此處為使電極25A與一對元件電極130相向之間隔G1A。雖然配線基板1A配置有導電膏40，但於圖9A至圖9F之剖面中並未圖示。
配置光源之步驟S120係將光源100配置於配線基板1A之步驟。於面狀發光裝置之製造方法S100A中，將光源100配置於配線基板1A之金屬構件20之電極25A上。於該步驟S120中，一對元件電極130經由導電性接著
構件與電極25A接合。作為導電性接著構件，例如可使用金、銀、銅等凸塊、金、銀、銅、鉑、鋁等金屬粉末與樹脂黏合劑之混合物即導電膏、或錫-銀-銅(SAC)系或錫-鉍(SnBi)系焊料。此處，藉由回焊而配置光源100。再者，導電性接著構件配置於一對元件電極130與電極25A之間。
配置光反射構件之步驟S130A係以覆蓋金屬構件20之方式配置光反射構件300A之步驟。於該步驟S130A中，光反射構件300A以包圍光源100之方式形成有開口部350A，且配置成光源100位於開口部350A。於光反射構件300A之上表面及下表面貼附有將兩面設為接著面或黏著面之接著片。接著片包含聚胺酯、丙烯酸樹脂等，厚度為10μm至75μm左右。進而，接著片理想的是添加二氧化鈦、硫酸鋇等而使反射率提高。作為具有接著性或黏著性之片材，使用白色之接合片，為了進一步增大反射率，亦可與白色之聚對苯二甲酸乙二酯片重疊或夾著聚對苯二甲酸乙二酯片來使用。再者，光反射構件300A亦可不使用接著片，而是塗佈接著劑來配置。
配置第一導光構件之步驟S141係以覆蓋光反射構件300A之方式配置第一導光構件210之步驟。於該步驟S141中，第一導光構件210係以包圍光源100之方式形成有開口部250之板狀或片狀之構件，且配置成光源100位於開口部250。於該步驟S141中，在將第一導光構件210對準位置後，一面進行加熱，一面向配線基板1A之方向加壓，從而將其貼合於光反射
構件300A。於該步驟S141中，第一導光構件210具有預先形成於規定之位置之反射層(參照圖7)。
面狀發光裝置之製造方法S100A亦可包括配置第二導光構件之步驟S142。配置第二導光構件之步驟S142係以覆蓋光源100之方式配置第二導光構件220之步驟。於該步驟S142中，藉由從第一導光構件210之開口部250注入液態或膏狀之樹脂，並使之固化，能夠以覆蓋光源100之方式配置第二導光構件220。第二導光構件220之材料可與第一導光構件210相同，亦可不同。於該步驟S142中，將與第一導光構件210相同之材料在未固化之狀態下從開口部250注入並使其固化。
再者，將配置第一導光構件之步驟S141與配置第二導光構件之步驟S142合併之工序係配置導光構件之步驟S140。
面狀發光裝置之製造方法S100A亦可包括配置光調整構件之步驟S150。配置光調整構件之步驟S150係於俯視下在導光構件200之表面之與光源100重合之位置配置光調整構件400之步驟。於該步驟S150中，光調整構件400可將作為材料之樹脂塗佈於導光構件200上並使之固化，亦可配置膜狀或板狀之構件。於該步驟S150中，作為一例，將含有二氧化鈦之矽酮樹脂塗佈於導光構件200之表面上與光源100對向之位置。
具有上述構成之面狀發光裝置之製造方法S100A藉由利用配線基板
之製造方法S10謀求減少配線基板之製造時間及步驟數，並於金屬構件20之電極25A上配置光源100，且以覆蓋金屬構件20之方式配置光反射構件300A，以覆蓋光反射構件300A之方式配置第一導光構件210，能夠進一步減少面狀發光裝置之製造時間及步驟數。
其次，參照圖10A至圖10C對第一導光構件之變化例進行說明。
於圖10A中表示概況之第一導光構件之第一變化例之面狀發光裝置1001A中，反射層231之剖面形狀為半橢圓狀。反射層231較佳為設為於剖面中其寬度在與光反射構件300A相向之位置最寬，且隨著朝向第一導光構件211之上表面而變細。於該情形時，在接近第一導光構件211之上表面之位置未設置反射層231。
反射層231亦可設為於剖面中，其寬度在第一導光構件211之上表面最寬，且隨著朝向下表面而變細。於該情形時，在接近第一導光構件211之下表面之位置未設置反射層231。
於第一導光構件之第一變化例中，藉由在接近第一導光構件211之上表面或下表面之位置未設置將第一導光構件211在相鄰之光源100之間隔開之反射層231，能使光之一部分超過由反射層231區劃之範圍而擴散。藉此，第一變化例能夠使相鄰之光源100彼此之間之明暗差不明顯。又，第一變化例藉由朝向第一導光構件211之上表面或下表面調節反射層231之寬度，能夠調節反射層231附近之亮度。
於圖10B中表示概況之第一導光構件之第二變化例之面狀發光裝置
1002A中，反射層232之剖面形狀為矩形形狀，從第一導光構件212之下表面等寬地設置至上表面。又，反射層232在與相鄰之第一導光構件212之間具有間隙240。
具有反射層232之第一導光構件212例如可藉由如下方法而形成：將未設置反射層之第一導光構件以分別包含1個光源100之方式單片化為相同之大小，並於單片化後之第一導光構件之外周面塗佈反射層之材料。
第一導光構件之第二變化例藉由在相鄰之反射層232之間具有間隙240，能夠使反射層232於相鄰之光源100之間為兩層，且於兩層之間具有空氣層。藉此，第二變化例能夠更強地抑制光超過由反射層232區劃之範圍而擴散。
於圖10C中表示概況之第一導光構件之第三變化例之面狀發光裝置1003A中，反射層233之剖面形狀為矩形形狀，從第一導光構件213之下表面等寬地設置至上表面。
具有反射層233之第一導光構件213例如與第二變化例同樣地可藉由將未設置反射層之第一導光構件以分別包含1個光源100之方式單片化為相同之大小，並將單片化後之第一導光構件嵌入預先形成為格子狀之反射層233之格子中而形成。
第一導光構件之第三變化例藉由分開形成第一導光構件213與反射層233，能夠使分別具有表面之第一導光構件213與反射層233相向。藉此，第三變化例能夠提高第一導光構件213與反射層233之交界處之反射率，從而能夠抑制光擴散，並且謀求提高光提取效率。
再者，於第一導光構件之第一至第三變化例中，包圍光源100之開口部250與第一導光構件210同樣地形成。又，第一至第三變化例亦可同樣地適用於第二實施方式之面狀發光裝置中。
其次，參照圖11對第二實施方式之面狀發光裝置1000B進行說明。圖11係例示面狀發光裝置1000B之一部分之剖視概要圖。面狀發光裝置1000B與已經說明之面狀發光裝置1000A相同，係將光源100排列於配線基板1上而呈面狀發光之裝置。於面狀發光裝置1000B中，將配線基板1之第一面10A與第二面10B正反反轉來使用。
面狀發光裝置1000B具有：配線基板1；光反射構件300B，其覆蓋配線基板1之絕緣性樹脂10之第一面10A及導電膏40；光源100，其配置於絕緣性樹脂10之第一面10A側且包含發光元件110；導光構件200，其覆蓋光源100及光反射構件300B；及光調整構件400，其於俯視下配置在導光構件200之表面之與光源100重合之位置。
此處，將用於面狀發光裝置1000B之配線基板1作為配線基板1B，針對其與面狀發光裝置1000A之不同之處進行說明。
面狀發光裝置1000B與面狀發光裝置1000A之不同之處在於光源100及光反射構件300B之配置、以及光源100之連接相關之構成。再者，配線基板1B之電極25B之間隔較配線基板1A之電極25A之間隔大。
於面狀發光裝置1000B中，光源100及光反射構件300B配置於配線基
板1B之絕緣性樹脂10之第一面10A。光反射構件300B以介置於光源100與配線基板1B之間之方式配置。又，如圖11之虛線所示，光反射構件300B覆蓋填充於有底孔51中之導電膏40及配置於第一面10A之導電膏40。光反射構件300B之反射率及材料與光反射構件300A相同。
光源100之一對元件電極130經由貫通光反射構件300B及配線基板1B而設置之連接構件600，與配線基板1B之金屬構件20連接。連接構件600具有延伸至金屬構件20之表面且與金屬構件20之表面連接之區域550。
再者，關於導光構件200及光調整構件400，因與面狀發光裝置1000A共通，故省略說明。
具有上述構成之面狀發光裝置1000B藉由在配線基板1B之絕緣性樹脂10之第一面10A側配置包含發光元件110之光源100，且具有覆蓋絕緣性樹脂10之第一面10A及導電膏40之光反射構件300B，能夠抑制導電膏40對光之吸收。又，藉由具有覆蓋光源100及光反射構件300B之導光構件200，能夠高效率地提取光源100之光。又，藉由具有在俯視下配置於導光構件200之表面之與光源100重合之位置的光調整構件400，能夠減弱面狀發光裝置1000B之光提取面中之光源100之正上方的光，能夠使光提取面之亮度接近於均勻。
其次，參照圖12至圖13H對第二實施方式之面狀發光裝置之製造方法S100B進行說明。圖12係面狀發光裝置之製造方法S100B之流程圖。圖
13A至圖13H係模式性地表示面狀發光裝置之製造方法S100B之剖視概要圖。
面狀發光裝置之製造方法S100B包括：步驟S110，其係利用配線基板之製造方法S10製造配線基板1B；步驟S131B，其係以覆蓋配線基板1B之絕緣性樹脂10之第一面10A及導電膏40之方式配置光反射構件300B；步驟S121B，其係於絕緣性樹脂10之第一面10A側配置包含發光元件110之光源100；步驟S140，其係以覆蓋光源100及光反射構件300B之方式配置導光構件200；及步驟S150，其係於俯視下在導光構件200之表面之與光源100重合之位置配置光調整構件400。又，此處，面狀發光裝置之製造方法S100B包括：步驟S132B，其係形成貫通孔510；及步驟S122B，其係配置連接構件600。再者，配置導光構件200之步驟S140及配置光調整構件400之步驟S150與面狀發光裝置之製造方法S100A之說明重複，因而省略。
製造配線基板之步驟S110係利用配線基板之製造方法S10製造配線基板1B之步驟。於圖13A中，使絕緣性樹脂10之第一面10A側為圖中之上表面。此處，電極25B之間隔係較配線基板1A之間隔大之間隔G1B。配線基板1B配置有導電膏40，但於圖13A至圖13H之剖面中並未圖示。
配置光反射構件之步驟S131B係以覆蓋絕緣性樹脂10之第一面10A及導電膏40之方式配置光反射構件300B之步驟。於該步驟S131B中，光反
射構件300B未形成包圍光源100之開口部。於該步驟S131B中，光反射構件300B可以覆蓋配線基板1B之整個面之方式配置。於該步驟S131B中，光反射構件300B在圖13B至圖13H中未圖示之位置覆蓋填充於有底孔51中之導電膏40、及配置於第一面10A之導電膏40。
於光反射構件300B之上表面及下表面，與光反射構件300A同樣地貼附有接著片。又，光反射構件300B之圖中之上表面具有黏著性。利用該黏著性，於後述之配置光源之步驟S121B中，能夠保持一對元件電極130，從而固定光源100。再者，光反射構件300B可不使用接著片，而是塗佈接著劑來進行配置。光反射構件300B於貼合後，一面進行加熱，一面向配線基板1B之方向被加壓。藉此，光反射構件300B成為不與配線基板1B相向之上表面側之表面具有流動性之狀態，容易進行後續步驟中之開孔加工及光源之配置。
形成貫通孔之步驟S132B係形成貫通光反射構件300B及配線基板1B之貫通孔510之步驟。於該步驟S132B中，於光反射構件300B及絕緣性樹脂10之與在後續步驟中配置之光源100之一對元件電極130相向之位置，貫通而形成貫通孔510。以與貫通孔510之絕緣性樹脂10之第二面10B側之開口部相接之方式定位電極25B。
於形成貫通孔之步驟S132B中，貫通孔510之形成可從光反射構件300B側進行，亦可從絕緣性樹脂10之第二面10B側進行。貫通孔510可藉由雷射加工或者鑽孔加工來形成。
配置光源之步驟S121B係於光反射構件300B上配置光源100之步驟。於該步驟S121B中，以一對元件電極130與貫通孔510相向之方式配置光源100。於該步驟S121B中，間隔G1B例如可為由兩個貫通孔510隔開之間隔。再者，如上所述，光反射構件300B之圖中之上表面具有黏著性，可於配置連接構件之步驟S122B中，在利用連接構件600連接之前之期間內固定光源100。
配置連接構件之步驟S122B係將連接構件600填充於貫通孔510中，並配置於電極25B之表面之步驟。於該步驟S122B中，連接構件600填充於貫通孔510中，將一對元件電極130與電極25B連接。
於配置連接構件之步驟S122B中，連接構件600配置成在填充貫通孔510後，進而向電極25B之表面延伸。配置連接構件之步驟S122B藉由使連接構件600具有與電極25B之表面連接之區域550，能夠確實地電性連接。連接構件600之材料可使用與導電膏40相同之材料或焊料。
具有上述構成之面狀發光裝置之製造方法S100B能夠利用配線基板之製造方法S10謀求減少配線基板之製造時間及步驟數。又，藉由以覆蓋絕緣性樹脂10之第一面10A及導電膏40之方式配置光反射構件300B，且於絕緣性樹脂10之第一面10A側配置光源100，能夠更靠近光源100地配置光反射構件300B，從而能夠謀求提高光提取效率。
又，面狀發光裝置之製造方法S100B藉由以覆蓋光源100及光反射構
件300B之方式配置導光構件200，且於俯視下在導光構件200之表面之與光源100重合之位置配置光調整構件400，能夠抑制構件增加，並且進一步減少面狀發光裝置之製造時間及步驟數。
1:配線基板
10:絕緣性樹脂
10A:第一面
10B:第二面
11:聚醯亞胺層
12:樹脂層
20:金屬構件
21:防銹層
30:基板
40:導電膏
41:填充部
51:有底孔
51A:內側面
51B:內底面
52:區域(防銹層被去除之區域)
Claims (17)
- 一種配線基板之製造方法，其包括如下步驟：準備具有絕緣性樹脂及金屬構件之基板，該絕緣性樹脂具有第一面及上述第一面之相反一側之第二面，該金屬構件與上述絕緣性樹脂之第二面相向而配置且於表面形成有防銹層；從上述絕緣性樹脂之第一面側照射第一雷射光，而形成貫通上述絕緣性樹脂且將上述金屬構件之上述絕緣性樹脂側之表面作為內底面之有底孔；於上述有底孔之內底面，去除形成於上述金屬構件之表面之上述防銹層；將導電膏注入上述有底孔，並且以成為與注入之上述導電膏連續之配線之方式於上述絕緣性樹脂之第一面塗佈上述導電膏；及使上述導電膏固化。
- 如請求項1之配線基板之製造方法，其中於注入及塗佈上述導電膏之步驟中，經由遮罩之開口部注入及塗佈上述導電膏，於俯視下，上述遮罩之開口部與上述有底孔之開口部重合之面積為上述有底孔之開口部之面積之40%以上70%以下。
- 如請求項1或2之配線基板之製造方法，其中於去除上述防銹層之步驟中，向上述有底孔之內底面之中心部照射 能量較上述第一雷射光大之第二雷射光。
- 如請求項3之配線基板之製造方法，其中上述第一雷射光及上述第二雷射光係使用同一雷射進行照射。
- 如請求項3之配線基板之製造方法，其中上述第一雷射光及上述第二雷射光係使用CO2雷射進行照射。
- 如請求項1或2之配線基板之製造方法，其中於去除上述防銹層之步驟中，向上述有底孔之內底面之中心部照射波長較上述第一雷射光短之第三雷射光。
- 如請求項1或2之配線基板之製造方法，其中於去除上述防銹層之步驟中，利用針狀工具對上述有底孔之內底面之表面進行研磨。
- 如請求項1或2之配線基板之製造方法，其中於注入及塗佈上述導電膏之步驟中，使上述導電膏含有還原劑來進行。
- 如請求項1或2之配線基板之製造方法，其中於形成上述有底孔之步驟中，以上述有底孔之內徑從上述第二面側向上述第一面側增大之方式形成上述有底孔。
- 如請求項1或2之配線基板之製造方法，其中於形成上述有底孔之步驟中，並列形成將連續之上述金屬構件之上述絕緣性樹脂側之表面作為內底面之複數個上述有底孔，於注入及塗佈上述導電膏之步驟中，使與並列形成之複數個上述有底孔之內底面相接之上述導電膏經由上述第一面之上述導電膏而連續。
- 如請求項1或2之配線基板之製造方法，其中上述有底孔之最大直徑為100μm以上500μm以下。
- 一種面狀發光裝置之製造方法，其包括如下步驟：利用如請求項1至11中任一項之配線基板之製造方法製造配線基板；於上述配線基板之上述金屬構件上配置包含發光元件之光源；以覆蓋上述金屬構件之方式配置光反射構件；及以覆蓋上述光反射構件之方式配置第一導光構件。
- 一種面狀發光裝置之製造方法，其包括如下步驟：利用如請求項1至11中任一項之配線基板之製造方法製造配線基板；以覆蓋上述配線基板之上述絕緣性樹脂之第一面及上述導電膏之方式配置光反射構件；於上述絕緣性樹脂之第一面側配置包含發光元件之光源；以覆蓋上述光源及上述光反射構件之方式配置導光構件；及於俯視下在上述導光構件之表面之與上述光源重合之位置配置光調 整構件。
- 一種配線基板，其具有：基板，其具有絕緣性樹脂及金屬構件，該絕緣性樹脂具有第一面及上述第一面之相反一側之第二面，該金屬構件與上述絕緣性樹脂之第二面相向而配置且於上述第二面側之表面形成有防銹層；及導電膏，其配置於上述基板；且上述基板具有貫通上述絕緣性樹脂且將上述金屬構件之上述絕緣性樹脂側之表面作為內底面之有底孔，上述有底孔之內底面具有上述防銹層被去除之區域，上述導電膏以與上述防銹層被去除之區域相向之方式位於上述有底孔之內部，且以成為與位於上述有底孔之內部之上述導電膏連續之配線的方式配置於上述絕緣性樹脂之第一面。
- 如請求項14之配線基板，其中上述基板具有將連續之上述金屬構件之上述絕緣性樹脂側之表面作為內底面之並列之複數個上述有底孔，與並列之複數個上述有底孔各自之內底面相接之上述導電膏經由由配置於上述絕緣性樹脂之第一面之上述導電膏形成之配線而連續。
- 一種面狀發光裝置，其具有：如請求項14或15之配線基板；光源，其配置於上述配線基板之上述金屬構件上，且包含發光元 件；光反射構件，其覆蓋上述金屬構件；及第一導光構件，其覆蓋上述光反射構件。
- 一種面狀發光裝置，其具有：如請求項14或15之配線基板；光反射構件，其覆蓋上述配線基板之上述絕緣性樹脂之第一面及上述導電膏；光源，其配置於上述絕緣性樹脂之第一面側，且包含發光元件；導光構件，其覆蓋上述光源及上述光反射構件；及光調整構件，其於俯視下配置於上述導光構件之表面之與上述光源重合之位置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-162370 | 2021-09-30 | ||
| JP2021162370A JP7448828B2 (ja) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 配線基板、発光装置及びそれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202320603A TW202320603A (zh) | 2023-05-16 |
| TWI842097B true TWI842097B (zh) | 2024-05-11 |
Family
ID=
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190369812A1 (en) | 2017-03-15 | 2019-12-05 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing conductive laminate, conductive laminate, and touch sensor |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190369812A1 (en) | 2017-03-15 | 2019-12-05 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing conductive laminate, conductive laminate, and touch sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2022028040A (ja) | 発光装置 | |
| JP7456858B2 (ja) | 発光モジュール | |
| US11073654B2 (en) | Light emitting module with recesses in light guide plate | |
| JP7273297B2 (ja) | 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 | |
| JP7116331B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
| US20220149233A1 (en) | Light-emitting module | |
| US11499684B2 (en) | Planar light source and the method of manufacturing the same | |
| TWI842097B (zh) | 配線基板、發光裝置及其等之製造方法 | |
| JP7140999B2 (ja) | 面状光源及びその製造方法 | |
| JP7157359B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| US11536892B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting module | |
| US11398592B2 (en) | Method for manufacturing light emitting module and light emitting module | |
| JP7111993B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
| JP7393617B2 (ja) | 発光装置、及びその製造方法 | |
| JP7339517B2 (ja) | 発光装置の製造方法および発光装置 | |
| US20230105906A1 (en) | Wiring board, light emitting device, and method for manufacturing thereof | |
| WO2023054094A1 (ja) | 配線基板、面状発光装置及びそれらの製造方法 | |
| JP7397347B2 (ja) | 配線基板、面状発光装置及びそれらの製造方法 | |
| KR20200056934A (ko) | 발광 장치의 제조 방법, 발광 장치 및 광원 장치 | |
| JP7304512B2 (ja) | 保護フィルム付き発光モジュール | |
| JP6959552B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| US20240204158A1 (en) | Wiring substrate, light-emitting device, and manufacturing methods thereof | |
| US20240213427A1 (en) | Wiring substrate, light-emitting device, and manufacturing methods thereof | |
| JP7158647B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| JP7121302B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 |