TWI840736B - 成像元件、堆疊型成像元件、固態成像裝置及用於固態成像裝置之驅動方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種成像裝置。該成像裝置可包含：一基板，其具有一第一光電轉換單元；及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處。該第二光電轉換單元可包含：一光電轉換層；一第一電極；一第二電極，其位於該光電轉換層上方；一第三電極；及一絕緣材料，其介於該第三電極與該光電轉換層之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該第三電極之間。

Description

成像元件、堆疊型成像元件、固態成像裝置及用於固態成像裝置之驅動方法
本發明係關於一種成像元件、一種堆疊型成像元件、一種固態成像裝置及一種用於一固態成像裝置之驅動方法。
將有機半導體材料用於光電轉換層之成像元件可光電轉換特定色彩(波長頻帶)。此外，由於該特性，因此在將成像元件用作固態成像裝置中之成像元件之情形中，可能達成一子像素結構(堆疊型成像元件)，其中每一子像素組態為一晶片上彩色濾光器(OCCF)與一成像元件之一組合，且子像素以二維方式配置(舉例而言，參考JP 2011-138927 A)。另外，由於一去馬賽克程序係不必要的，因此存在不會發生偽色彩之一優點。注意，在下文中之說明中，在某些情形中，為方便說明而將設置於一半導體基板上或上方且包含一光電轉換單元之一成像元件稱為一「第一類型成像元件」；為方便說明而將構成第一類型成像元件之一光電轉換單元稱為一「第一類型光電轉換單元」；為方便說明而將設置於一半導體基板中之一成像元件稱為一「第二類型成像元件」；且為方便說明而將構成第二類型成像元件之一光電轉換單元稱為一「第二類型光電轉換單元」。 在圖49中圖解說明相關技術中之一堆疊型成像元件(堆疊型固態成像裝置)之一結構實例。在圖49中所圖解說明之實例中，一第三光電轉換單元331及一第二光電轉換單元321係分別構成一第三成像元件330及一第二成像元件320 (作為形成於一半導體基板370中之將被堆疊之第二類型成像元件)之第二類型光電轉換單元。另外，一第一光電轉換單元311係配置於半導體基板370上方(具體而言，第二成像元件320上方)之一第一類型光電轉換單元。第一光電轉換單元311經組態以包含一第一電極311、由一有機材料製成之一光電轉換層315及一第二電極316且構成一第一成像元件310作為一第一類型成像元件。由於吸收係數之一差異，因此第二光電轉換單元321及第三光電轉換單元331分別光電轉換(舉例而言)藍色光及紅色光。另外，第一光電轉換單元311光電轉換(舉例而言)綠色光。 透過第二光電轉換單元321及第三光電轉換單元331中之光電轉換產生之電荷被暫時儲存於第二光電轉換單元321及第三光電轉換單元331中，且在此之後分別藉由一垂直型電晶體(圖解說明閘極部分322)及一轉移電晶體(圖解說明閘極部分332)而被轉移至第二浮動擴散層(浮動擴散) FD 2及第三浮動擴散層FD 3。該等電荷進一步被輸出至一外部讀取電路(未展示)。電晶體以及浮動擴散層FD 2及FD 3亦形成於半導體基板370中。 透過第一光電轉換單元311中之光電轉換產生之電荷透過一接觸孔部分361及一導線層362而被儲存至形成於半導體基板370中之一第一浮動擴散層FD 1。第一光電轉換單元311亦透過接觸孔部分361及導線層362而連接至將一電荷量轉換為一電壓之一放大電晶體之一閘極部分318。此外，第一浮動擴散層FD 1構成一重設電晶體之一部分(圖解說明閘極部分317)。注意，元件符號371表示一元件隔離區域；元件符號372表示形成於半導體基板370之一表面上之一種氧化物膜；元件符號376及381表示層間絕緣層；元件符號383表示一保護層；且元件符號390表示一晶片上微透鏡。 [引證列表] [專利文獻] [PTL 1] JP 2011-138927 A
[技術問題] 然而，透過第二光電轉換單元321及第三光電轉換單元331中之光電轉換產生之電荷被暫時儲存於第二光電轉換單元321及第三光電轉換單元331中，且在此之後分別被轉移至第二浮動擴散層FD 2及第三浮動擴散層FD 3。因此，可能完全耗盡第二光電轉換單元321及第三光電轉換單元331。然而，透過第一光電轉換單元311中之光電轉換產生之電荷被直接儲存於第一浮動擴散層FD 1中。因此，難以完全耗盡第一光電轉換單元311。因此，kTC雜訊增加、隨機雜訊劣化且因此，成像中之影像品質劣化。 本發明提供一種成像元件(其中一光電轉換單元配置於一半導體基板上或上方且該成像元件具有能夠抑制成像品質之劣化之一組態及一結構)、一種組態有該成像元件之堆疊型成像元件、一種包含該成像元件或該堆疊型成像元件之固態成像裝置及一種用於一固態成像裝置之驅動方法。 [問題之解決方案] 根據本發明之一第一實施例，提供一種成像裝置。該成像裝置可包含：一基板，其包含一第一光電轉換單元；及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處。該第二光電轉換單元可包含：一光電轉換層；一第一電極；一第二電極，其位於該光電轉換層上方；一第三電極；及一絕緣材料，其介於該第三電極與該光電轉換層之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該第三電極之間。 根據本發明之一第二實施例，提供一種電子設備，該電子設備包含一成像裝置，該成像裝置包含：一基板，其包含一第一光電轉換單元；及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處。該第二光電轉換單元可包含：一光電轉換層；一第一電極；一第二電極，其位於該光電轉換層上方；一第三電極；及一絕緣材料，其介於該第三電極與該光電轉換層之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該第三電極之間；及一透鏡，其經組態以將光引導至該成像裝置之一表面上。 根據本發明之一第三實施例，提供一種驅動一成像裝置之方法。該方法可包含：在一充電週期期間將一第一電位施加至一電荷儲存電極；在一充電週期期間將一第二電位施加至一第一電極，其中該第一電位大於該第二電位；在一電荷轉移週期期間將一第三電位施加至該電荷儲存電極；及在該電荷轉移週期期間將一第四電位施加至該第一電極，其中該第四電位大於該第三電位。在一些實施例中，該成像裝置包含：一基板，其包含一第一光電轉換單元；及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處。該第二光電轉換單元可包含：一光電轉換層；該第一電極；一第二電極，其位於該光電轉換層上方；該電荷儲存電極；及一絕緣材料，其介於該電荷儲存電極與該光電轉換層之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該電荷儲存電極之間。 [本發明之有利效應] 在根據本發明之一實施例之一成像元件、構成根據本發明之一實施例之一堆疊型成像元件的根據本發明之一實施例之一成像元件或構成根據本發明之一第一或第二實施例之一固態成像裝置的根據本發明之一實施例之一成像元件(在某些情形中，在下文中將此等成像元件統稱為一「根據本發明之一實施例之成像元件或諸如此類」)中，由於包含一電荷儲存電極，該電荷儲存電極經配置以與一第一電極分離且經配置以面向一光電轉換層(其中一絕緣層插置於該電荷儲存電極與該光電轉換層之間)，因此當用光來照明光電轉換單元且在光電轉換單元中對該光進行光電轉換時，可儲存光電轉換層之電荷。因此，在一開始曝光時，藉由完全耗盡一電荷儲存單元，可能抹除電荷。因此，可能抑制kTC雜訊之一增加、隨機雜訊之劣化及成像中之影像品質之劣化之現象的發生。在用於根據本發明之一實施例之一固態成像裝置之一驅動方法中，每一成像元件具有一結構，在該結構中自一第二電極側入射之光並不入射於第一電極上，且因此，同時在所有成像元件中，將電荷儲存於光電轉換層中，且將第一電極之電荷射出至外部，使得可能同時在所有成像元件中可靠地執行重設第一電極。隨後，同時在所有成像元件中，將儲存於光電轉換層中之電荷轉移至第一電極，且在完成轉移之後，依序讀出轉移至各別成像元件中之第一電極之電荷。因此，可容易地實施一所謂的全域快門功能。注意，說明書中所揭示之效應係例示性效應而非限制性效應，且亦可存在額外效應。
[相關申請案交叉參考] 本申請案主張2016年9月30日提出申請之日本優先專利申請案JP 2016-193919之權益，該日本優先專利申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。 在下文中，將參考圖式基於實例而闡述本發明。然而，本發明並不限於實例，且實例中之各種數值及材料係例示性的。注意，按如下次序進行說明。 1. 對根據本發明之一實施例之成像元件、根據本發明之一實施例之堆疊型成像元件、根據本發明之第一或第二實施例之固態成像裝置及根據本發明之一實施例之用於固態成像裝置之驅動方法的總體說明 2. 實例1 (根據本發明之一實施例之成像元件、根據本發明之一實施例之堆疊型成像元件及根據本發明之第二實施例之固態成像裝置) 3. 實例2 (實例1之修改) 4. 實例3 (實例1及2之修改) 5. 實例4 (實例1至3之修改，具有轉移控制電極之成像元件) 6. 實例5 (實例1至4之修改，具有電荷射出電極之成像元件) 7. 實例6 (實例1至5之修改，具有電荷儲存電極分段之成像元件) 8. 其他 ＜對根據本發明之一實施例之成像元件、根據本發明之一實施例之堆疊型成像元件、根據本發明之第一或第二實施例之固態成像裝置及根據本發明之一實施例之用於固態成像裝置之驅動方法的總體說明＞ 在根據本發明之一實施例之一成像元件或諸如此類中，成像元件可進一步包含一半導體基板，且一光電轉換單元可配置於半導體基板上方。注意，一第一電極、一電荷儲存電極及一第二電極連接至稍後所闡述之一驅動電路。 位於一光入射側中之第二電極可通常設置至複數個成像元件。亦即，第二電極可組態為一所謂的固體電極。光電轉換層可通常設置至複數個該等成像元件。亦即，光電轉換層之一個層可針對複數個該等成像元件而形成或可針對每個成像元件而形成。 此外，在根據本發明之一實施例之包含上文所闡述之各種例示性形式及組態之成像元件或諸如此類中，第一電極可經形成以延伸於設置至絕緣層之一開口部分中以連接至光電轉換層。另一選擇係，光電轉換層可經形成以延伸於設置至絕緣層之開口部分中以連接至第一電極。在此情形中，成像元件或諸如此類可經組態以具有一形式，在該形式中第一電極之一頂部表面之一邊緣覆蓋有絕緣層、第一電極曝露於開口部分之一底部表面，且當絕緣層之與第一電極之頂部表面接觸之一表面由一第一表面界定且絕緣層之與光電轉換層之一部分(其面向電荷儲存電極)接觸之一表面由一第二表面界定時，開口部分之一側表面具有自第一表面朝向第二表面擴展之一斜坡。此外，成像元件或諸如此類可經組態以具有一形式，在該形式中開口部分之具有自第一表面朝向第二表面擴展之斜坡之側表面位於一電荷儲存電極側中。另外，上文所闡述之形式包含其中另一層形成於光電轉換層與第一電極之間的一形式(舉例而言，其中適合於電荷儲存之一材料層形成於光電轉換層與第一電極之間的一形式)。 此外，在根據本發明之一實施例之包含上文所闡述之各種例示性形式及組態之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可具有一組態，在該組態中成像元件進一步包含設置至半導體基板且具有一驅動電路之一控制單元，第一電極及電荷儲存電極連接至驅動電路，在一電荷儲存週期中，自驅動電路，將一電位V 11施加至第一電極且將一電位V 12施加至電荷儲存電極，使得電荷被儲存於光電轉換層中，且在一電荷轉移週期中，自驅動電路，將一電位V 21施加至第一電極且將一電位V 22施加至電荷儲存電極，使得儲存於光電轉換層中之電荷透過第一電極而被讀出至控制單元。本文中，在其中第一電極之電位高於第二電極之電位之情形中， V 12≥ V 11且V 22＜ V 21，且 在其中第一電極之電位低於第二電極之電位之情形中， V 12≤ V 11且V 22＞ V 21。 此外，在根據本發明之一實施例之包含上文所闡述之各種例示性形式及組態之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可經組態以具有一形式，在該形式中進一步包含一轉移控制電極(電荷轉移電極)，該轉移控制電極配置於第一電極與電荷儲存電極之間、可與第一電極及電荷儲存電極分離且經配置以透過絕緣層而面向光電轉換層。注意，為方便說明而將根據本發明之一實施例之具有此一形式之成像元件或諸如此類稱為一「根據本發明之一實施例之具有一轉移控制電極之成像元件或諸如此類」。 另外，在根據本發明之一實施例之具有一轉移控制電極之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可具有一組態，在該組態中包含一控制單元，該控制單元設置至一半導體基板且包含一驅動電路，在一電荷儲存週期中，第一電極、電荷儲存電極及轉移控制電極連接至驅動電路。自驅動電路，將一電位V 11施加至第一電極、將一電位V 12施加至電荷儲存電極且將一電位V 13施加至轉移控制電極，使得電荷被儲存於光電轉換層中。而且在一電荷轉移週期中，自驅動電路，將一電位V 21施加至第一電極、將一電位V 22施加至電荷儲存電極且將一電位V 23施加至轉移控制電極，使得儲存於光電轉換層中之電荷透過第一電極而被讀出至控制單元。本文中，在其中第一電極之一電位高於第二電極之一電位之情形中， V 12＞ V 13且V 22≤ V 23≤ V 21，且 在其中第一電極之電位低於第二電極之電位之情形中， V 12＜ V 13且V 22≥ V 23≥ V 21。 此外，在根據本發明之一實施例之包含上文所闡述之各種例示性形式及組態之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可經組態以具有一形式，在該形式中進一步包含一電荷射出電極，該電荷射出電極連接至光電轉換層且經配置以與第一電極及電荷儲存電極分離。注意，為方便說明而將根據本發明之一實施例之具有此一形式之成像元件或諸如此類稱為一「根據本發明之一實施例之具有一電荷射出電極之成像元件或諸如此類」。此外，在根據本發明之一實施例之具有一電荷射出電極之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可經組態以具有一形式，在該形式中電荷射出電極經配置以環繞第一電極及電荷儲存電極(亦即，呈一框架形狀)。電荷射出電極可由複數個成像元件共用(共同使用)。此外，在此情形中，成像元件可以一形式經組態，在該形式中光電轉換層延伸於設置至絕緣層之一第二開口部分中以連接至電荷射出電極、電荷射出電極之一頂部表面之一邊緣覆蓋有絕緣層、電荷射出電極曝露於第二開口部分之一底部表面，且當絕緣層之與電荷射出電極之頂部表面接觸之一表面由一第三表面界定且絕緣層之與光電轉換層之一部分(其面向電荷儲存電極)接觸之一表面由一第二表面界定時，則第二開口部分之一側表面具有自第三表面朝向第二表面擴展之一斜坡。 此外，在根據本發明之一實施例之具有一電荷射出電極之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可具有一組態，在該組態中進一步包含一控制單元，該控制單元設置至一半導體基板且包含一驅動電路，第一電極、電荷儲存電極及電荷射出電極連接至驅動電路，在一電荷儲存週期中，自驅動電路，將一電位V 11施加至第一電極、將一電位V 12施加至電荷儲存電極且將一電位V 14施加至電荷射出電極，使得電荷被儲存於光電轉換層中。而且在一電荷轉移週期中，自驅動電路，將一電位V 21施加至第一電極、將一電位V 22施加至電荷儲存電極且將一電位V 24施加至電荷射出電極，使得儲存於光電轉換層中之電荷透過第一電極而被讀出至控制單元。本文中，在其中第一電極之一電位高於第二電極之一電位之情形中， V 14＞ V 11且V 24＜ V 21，且 在其中第一電極之電位低於第二電極之電位之情形中， V 14＜ V 11且V 24＞ V 21。 此外，在根據本發明之一實施例之包含上文所闡述之各種例示性形式及組態之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可以一形式經組態，在該形式中電荷儲存電極組態有複數個電荷儲存電極分段。注意，為方便說明而將根據本發明之一實施例之具有此一形式之成像元件或諸如此類稱為一「根據本發明之一實施例之具有複數個電荷儲存電極分段之成像元件或諸如此類」。電荷儲存電極分段之數目可為兩個或兩個以上。此外，在根據本發明之一實施例之具有複數個電荷儲存電極分段之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可經組態以具有一形式，使得在其中第一電極之一電位高於第二電極之一電位之情形中，在一電荷轉移週期中，施加至位於最接近於第一電極之位置處之電荷儲存電極分段之一電位高於施加至位於距第一電極最遠之位置處之電荷儲存電極分段之一電位。而且在其中第一電極之電位低於第二電極之電位之情形中，在電荷轉移週期中，施加至位於最接近於第一電極之位置處之電荷儲存電極分段之電位低於施加至位於距第一電極最遠之位置處之電荷儲存電極分段之電位。 在根據本發明之一實施例之包含上文所闡述之各種例示性形式及組態之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可具有一組態，在該組態中構成一控制單元之至少一浮動擴散層及一放大電晶體設置至一半導體基板，且第一電極連接至浮動擴散層及放大電晶體之一閘極部分，在此情形中，構成控制單元之一重設電晶體及一選擇電晶體被進一步設置至半導體基板，浮動擴散層連接至重設電晶體之一個源極/汲極區域，且放大電晶體之一個源極/汲極區域連接至選擇電晶體之一個源極/汲極區域，且選擇電晶體之另一源極/汲極區域連接至一信號線。 此外，在根據本發明之一實施例之包含上文所闡述之各種例示性形式及組態之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可經組態以具有其中電荷儲存電極大於第一電極之一形式。當電荷儲存電極之面積由S 1'表示且第一電極之面積由S 1表示時，雖然不限於此，但較佳地滿足以下關係。 4 ≤ S 1'/S 1此外，在根據本發明之一實施例之包含上文所闡述之各種例示性形式及組態之成像元件或諸如此類中，成像元件或諸如此類可經組態以具有其中光自一第二電極側入射且一光屏蔽層形成於第二電極之一光入射側中之一形式。另一選擇係，成像元件或諸如此類可經組態以具有其中光自一第二電極側入射、光並不入射於第一電極(在某些情形中，第一電極及轉移控制電極)上之一形式。在此情形中，成像元件或諸如此類可具有一組態，在該組態中一光屏蔽層形成於第一電極(在某些情形中，第一電極及轉移控制電極)上方作為第二電極之一光入射側。成像元件或諸如此類可具有一組態，在該組態中一晶片上微透鏡設置於電荷儲存電極及第二電極上方，且在電荷儲存電極中收集入射於晶片上微透鏡上之光。光屏蔽層可配置於第二電極之光入射側表面上方或可配置於第二電極之光入射側表面上。在某些情形中，光屏蔽層可形成於第二電極中。作為構成光屏蔽層之一材料，可例示鉻(Cr)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)及不透射光之一樹脂(舉例而言，聚醯亞胺樹脂)。 作為根據本發明之一實施例之一成像元件，具體而言可例示對藍色敏感且包含吸收藍色光(具有425 nm至495 nm之一波長範圍之光)之一光電轉換層(為方便說明，稱為一「第一類型藍色光電轉換層」)之一成像元件(為方便說明，稱為一「第一類型藍色成像元件」)、對綠色敏感且包含吸收綠色光(具有495 nm至570 nm之一波長範圍之光)之一光電轉換層(為方便說明，稱為一「第一類型綠色光電轉換層」)之一成像元件(為方便說明，稱為一「第一類型綠色成像元件」)及對紅色敏感且包含吸收紅色光(具有620 nm至750 nm之一波長範圍之光)之一光電轉換層(為方便說明，稱為一「第一類型紅色光電轉換層」)之一成像元件(為方便說明，稱為一「第一類型紅色成像元件」)。另外，作為相關技術中之不具有電荷儲存電極之成像元件，為方便說明而將對藍色敏感之一成像元件稱為一「第二類型藍色成像元件」；為方便說明而將對綠色敏感之一成像元件稱為一「第二類型綠色成像元件」；為方便說明而將對紅色敏感之一成像元件稱為一「第二類型紅色成像元件」；為方便說明而將構成第二類型藍色成像元件之一光電轉換層稱為一「第二類型藍色光電轉換層」；為方便說明而將構成第二類型綠色成像元件之一光電轉換層稱為一「第二類型綠色光電轉換層」；且為方便說明而將構成第二類型紅色成像元件之一光電轉換層稱為一「第二類型紅色光電轉換層」。 根據本發明之一實施例之堆疊型成像元件包含根據本發明之一實施例之至少一個成像元件(光電轉換元件)。亦即，堆疊型成像元件可包含但不限於以下非限制性組態及結構。 [A]一組態及結構，其中第一類型藍色光電轉換單元、第一類型綠色光電轉換單元及第一類型紅色光電轉換單元在垂直方向上堆疊，且 第一類型藍色成像元件、第一類型綠色成像元件及第一類型紅色成像元件之各別控制單元設置於半導體基板中。 [B]一組態及結構，其中第一類型藍色光電轉換單元及第一類型綠色光電轉換單元在垂直方向上堆疊， 第二類型紅色光電轉換層配置於第一類型光電轉換單元之兩個層下方，且 第一類型藍色成像元件、第一類型綠色成像元件及第二類型紅色成像元件之各別控制單元設置於半導體基板中。 [C]一組態及結構，其中第二類型藍色光電轉換單元及第二類型紅色光電轉換單元配置於第一類型綠色光電轉換單元下方，且 第一類型綠色成像元件、第二類型藍色成像元件及第二類型紅色成像元件之各別控制單元設置於半導體基板中。 [D]一組態及結構，其中第二類型綠色光電轉換單元及第二類型紅色光電轉換單元配置於第一類型藍色光電轉換單元下方，且 第一類型藍色成像元件、第二類型綠色成像元件及第二類型紅色成像元件之各別控制單元設置於半導體基板中。注意，較佳地成像元件之光電轉換單元在垂直方向上之配置次序係自光入射方向為藍色光電轉換單元、綠色光電轉換單元及紅色光電轉換單元之一次序，或自光入射方向為綠色光電轉換單元、藍色光電轉換單元及紅色光電轉換單元之一次序。此乃因在入射表面側中較高效地吸收具有一較短波長之光。由於紅色光在三個色彩的光當中具有最長波長，因此較佳地在自光入射表面觀看時，紅色光電轉換單元位於最低層中。一個像素係以成像元件之堆疊結構而組態。亦可包含一第一類型紅外線光電轉換單元。本文中，較佳地以(舉例而言)一有機材料來組態第一類型紅外線光電轉換單元之一光電轉換層，且該光電轉換層位於第一類型成像元件之堆疊結構之最低層中並配置於第二類型成像元件上方。另外，亦可包含位於第一類型光電轉換單元下方之一第二類型紅外線光電轉換單元。 舉例而言，在第一類型成像元件中，第一電極形成於設置於半導體基板上之一層間絕緣層上。形成於半導體基板中之成像元件可經組態為係一背面照明型或一正面照明型。 在其中光電轉換層由一有機材料製成之情形中，光電轉換層可形成為以下非限制性形式中之任一者： (1)光電轉換層組態有一p型有機半導體； (2)光電轉換層組態有一n型有機半導體； (3)光電轉換層組態有一p型有機半導體層/一n型有機半導體層之一堆疊結構；(舉例而言，光電轉換層組態有一p型有機半導體層/一p型有機半導體與一n型有機半導體之一混合層(塊體異質結構)/一n型有機半導體層之一堆疊結構。光電轉換層組態有一p型有機半導體層/一p型有機半導體與一n型有機半導體之一混合層(塊體異質結構)之一堆疊結構。光電轉換層組態有一n型有機半導體層/一p型有機半導體與一n型有機半導體之一混合層(塊體異質結構)之一堆疊結構。) (4)光電轉換層組態有一p型有機半導體與一n型有機半導體之一混合層(塊體異質結構)。 本文中，堆疊次序可經組態以被任意地改變。 作為一p型有機半導體，可使用以下非限制性材料中之一或多者：萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、苝衍生物、稠四苯衍生物、稠五苯衍生物、喹吖酮衍生物、噻吩衍生物、噻吩并噻吩衍生物、苯并噻吩衍生物、苯并-噻吩并苯并噻吩衍生物、三烯丙基胺衍生物、咔唑衍生物、苝衍生物、苉衍生物、䓛(chrysene)衍生物、螢蒽衍生物、酞青素衍生物、亞酞青素衍生物、亞四氮雜卟啉(subporphyrazine)衍生物、具有雜環化合物作為配體之金屬錯合物、聚噻吩衍生物、聚苯并噻二唑衍生物、聚芴衍生物及諸如此類。作為一n型有機半導體，可使用以下非限制性材料中之一或多者：富勒烯及富勒烯衍生物＜舉例而言，諸如C60、C70及C74之富勒烯(高階富勒烯)、內嵌富勒烯或諸如此類，或者富勒烯衍生物(舉例而言，富勒烯氟化物、PCBM富勒烯化合物、富勒烯多聚體或諸如此類)＞、有機半導體(其具有比p型有機半導體之HOMO及LUMO大(深)之HOMO及LUMO)以及透明無機金屬氧化物。一n型有機半導體可包含但不限於以下各項中之一或多者：有機分子或有機金屬錯合物(其具有含雜環化合物氮原子、氧原子或硫原子作為分子骨架之一部分)，舉例而言，吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、異喹啉衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、啡啉衍生物、四唑衍生物、吡唑衍生物、咪唑衍生物、噻唑衍生物、噁唑衍生物、咪唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并三唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噁唑衍生物、咔唑衍生物、苯并呋喃衍生物、二苯并呋喃衍生物、亞四氮雜卟啉衍生物、聚對苯乙烯衍生物、聚苯并噻二唑衍生物、聚芴衍生物或諸如此類，及亞酞青素衍生物。富勒烯衍生物中所含有之一基團或諸如此類可包含但不限於以下各項中之一或多者：鹵素原子；直鏈、支鏈或環狀烷基或者苯基；具有一直鏈或縮合環狀芳香族化合物之基團；具有一鹵化物之基團；部分氟烷基基團；過氟化烷基基團；甲矽烷基烷基基團；甲矽烷基烷氧基基團；芳基甲矽烷基基團；芳基硫烷基基團；烷基硫烷基基團；芳基磺醯基基團；烷基磺醯基基團；芳基硫化物基團；烷基硫化物基團；胺基基團；烷胺基基團；芳基胺基基團；羥基基團；烷氧基基團；醯基胺基基團；醯氧基基團；羰基基團；羧基基團；羧甲基甲醯胺(carboxymethyl kiso amide)基團；烷氧羰基基基團；醯基基團；磺醯基基團；氰基基團；硝基基團；具有一硫族化物之基團；磷化氫基團；磷酸鹽基團；及其衍生物。光電轉換層(在某些情形中，稱為一「有機光電轉換層」)之一厚度組態有一有機材料，雖然並不限於此，但該有機材料可包含以下非限制性範圍：1 × 10 -8m至5× 10 -7m、較佳地2.5× 10 -8m至3 × 10 -7m之一範圍、更佳地2.5 × 10 -8m至2 × 10 -7m之一範圍且極佳地1 × 10 -7m至1.8 × 10 -7m之一範圍。注意，在諸多情形中，將有機半導體分類成一p型及一n型。本文中，p型表示電洞可易於輸送，且n型表示電子可易於輸送。該等類型並不被限制性地解釋。 構成用於光電轉換具有一綠色波長之光之一有機光電轉換層之一材料可包含但不限於以下各項中之一或多者：基於羅丹明(rhodamine)之染料、基於梅拉什寧(merashianin)之染料、喹吖酮衍生物、亞酞青素染料(亞酞青素衍生物)及諸如此類。構成用於光電轉換具有一藍色波長之光之一有機光電轉換層之一材料可包含但不限於以下各項中之一或多者：香豆素酸染料、三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、基於梅拉什寧之染料及諸如此類。用於光電轉換具有一紅色波長之光之一有機光電轉換層之一材料可包含但不限於以下各項中之一或多者：酞青素染料、亞酞青素染料(亞酞青素衍生物)及諸如此類。 光電轉換層之一無機材料可包含但不限於以下各項中之一或多者：結晶矽、非晶矽、微晶矽、結晶硒、非晶硒之化合物半導體；一基於黃銅礦之化合物，諸如CIGS (CuInGaSe)、CIS (CuInSe 2)、CuInS 2、CuAlS 2、CuAlSe 2、CuGaS 2、CuGaSe 2、AgAlS 2、AgAlSe 2、AgInS 2或AgInSe 2；一III-V族化合物，諸如GaAs、InP、AlGaAs、InGaP、AlGaInP或InGaAsP、CdSe、CdS、In 2Se 3、In 2S 3、Bi 2Se 3、Bi 2S 3、ZnSe、ZnS、PbSe及PbS。由此等材料製成之量子點可用於光電轉換層。 另一選擇係，光電轉換層可經組態以具有一下部半導體層及一上部光電轉換層之一堆疊層結構。以此方式，藉由提供下部半導體層，可能在電荷儲存週期中防止重新耦合，使得可能增加儲存於光電轉換層中之電荷至第一電極之轉移效率，且可能抑制暗電流之發生。可在上文所闡述之構成光電轉換層之各種類型之材料當中適當地選擇構成上部層光電轉換層之材料。另一方面，較佳地作為構成下部半導體層之材料，使用具有一大帶隙值(舉例而言，3.0 eV或更大之一帶隙值)且具有高於構成光電轉換層之材料之遷移率之一遷移率之一材料。具體而言，該材料之非限制性實例可包含以下各項中之一或多者：氧化物半導體材料，諸如IGZO；過渡金屬晶粒硫族化物；碳化矽；金剛石；石墨烯；碳奈米管；及縮合多環碳氫化合物、縮合雜環化合物之有機半導體材料或諸如此類。作為構成下部半導體層之材料，在其中待被儲存電荷係電子之情形中，實例性材料包含但不限於具有高於構成光電轉換層之材料之離子化電位之一離子化電位之材料；且在其中待被儲存電荷係電洞之情形中，實例性材料包含但不限於具有小於構成光電轉換層之材料之電子親和力之一電子親和力之材料。較佳地，構成下部半導體層之材料中之雜質濃度係1 × 10 18cm -3或更小。下部半導體層可具有一單層組態或可為一多層組態。另外，構成位於電荷儲存電極上方之下部半導體層之材料及構成位於第一電極上方之下部半導體層之材料可經組態以係彼此不同的。 根據本發明之第一或第二實施例中之固態成像裝置，可組態一單板彩色固態成像裝置。 在根據本發明之第二實施例之具有一堆疊型成像元件之固態成像裝置中，不同於具有呈一拜耳(Bayer)陣列之成像元件(亦即，不藉由使用彩色濾光器而執行藍色光、綠色光及紅色光之光譜分離)之一固態成像裝置，藉由在一個像素中堆疊對在光入射方向上具有複數類型之波長之光敏感之成像元件而組態該同一像素，可能改良每單位體積之敏感度及像素密度。另外，由於一有機材料具有一高吸收係數，因此有機光電轉換層可經組態以具有比相關技術之一基於Si之光電轉換層小之一厚度，且減輕自毗鄰像素之光洩漏或對一光入射角度之限制。此外，在相關技術之基於Si之成像元件中，在三個色彩像素當中執行一內插程序，使得偽色彩發生以便產生一色彩信號。然而，在根據本發明之第二實施例之具有一堆疊型成像元件之固態成像裝置中，抑制偽色彩之發生。由於有機光電轉換層自身具有作為一彩色濾光器之一功能，因此可在不配置彩色濾光器之情況下獲得色彩分離。 另一方面，在根據本發明之第一實施例之其中使用彩色濾光器之固態成像裝置中，可減輕對針對藍色光、綠色光及紅色光之光譜分離特性之要求，且可獲得一高生產率。根據本發明之第一實施例之固態成像裝置中之成像元件之一陣列包含但不限於以下各項中之一或多者：一拜耳陣列、一行間配置、一G條帶RB棋盤式陣列、一G條帶RB完全棋盤式陣列、一棋盤式補色陣列、一條帶陣列、一對角線條帶配置、一原色色差陣列、一場色差順序陣列、一圖框色差順序陣列、一MOS型陣列、一經改良MOS型陣列、一圖框交錯陣列及一場交錯陣列。本文中，一個像素(或子像素)組態有一個成像元件。 其中配置根據本發明之一實施例之複數個成像元件或根據本發明之一實施例之複數個堆疊型成像元件之一像素區域組態有複數個像素，該複數個像素規則地配置成一個二維陣列形狀。像素區域通常經組態以包含一有效像素區域，該有效像素區域實際上接收光、放大透過光電轉換產生之信號電荷且將信號電荷讀出至一驅動電路及一黑色參考像素區域以用於輸出光學黑色作為一黑色位準之一參考。黑色參考像素區域通常配置於有效像素區域之外周邊中。 在根據本發明之一實施例之包含上文所闡述之各種例示性形式及組態之成像元件或諸如此類中，使光照明且在光電轉換層中發生光電轉換，使得電洞及電子分離為載子。然後，將其中電洞被提取之電極定義為一陽極，且將其中電子被提取之電極定義為一陰極。可存在其中第一電極構成陽極且第二電極構成陰極之一形式。相反，亦可存在其中第一電極構成陰極且第二電極構成陽極之一形式。 在構成堆疊型成像元件之情形中，第一電極、電荷儲存電極、轉移控制電極、電荷射出電極及第二電極可經組態以由一透明導電材料製成。注意，在某些情形中，第一電極、電荷儲存電極、轉移控制電極及電荷射出電極統稱為一「第一電極或諸如此類」。另一選擇係，在其中根據本發明之一實施例之成像元件或諸如此類配置於一平面中(舉例而言，如一拜耳陣列中)之情形中，第二電極可經組態以由一透明導電材料製成，且第一電極可經組態以由一金屬材料製成。在此情形中，具體而言，位於光入射側處之第二電極可經組態以由一透明導電材料製成，且第一電極及諸如此類可經組態以由(舉例而言) Al-Nd (鋁及釹之合金)或ASC (鋁、釤及銅之合金)製成。注意，在某些情形中，由一透明導電材料製成之一電極稱為一「透明電極」。透明導電材料之帶隙能量係2.5 eV或者更佳地3.1 eV或更大。作為構成透明電極之一透明導電材料，可例示一導電金屬氧化物；導電氧化物可包含但不限於以下各項中之一或多者：一種氧化銦、一種氧化銦錫(ITO—Sn摻雜之In 2O 3，包含一結晶ITO及一非晶ITO)、藉由將銦作為一摻雜劑添加至一種氧化鋅而形成之一種氧化銦鋅(IZO)、藉由將銦作為一摻雜劑添加至一種氧化鎵而形成之一種氧化銦鎵(IGO)、藉由將銦及鎵作為摻雜劑添加至一種氧化鋅而形成之一種氧化銦鎵鋅(IGZO—In-GaZnO 4)、藉由將錫作為一摻雜劑添加至一種氧化鋅而形成之一種氧化銦錫鋅(ITZO)、一IFO (F摻雜之In 2O 3)、一種氧化錫(SnO 2)、一ATO (Sb摻雜之SnO 2)、一FTO (F摻雜之SnO 2)、一種氧化鋅(包含摻雜有另一些元素之ZnO)、藉由將鋁作為一摻雜劑添加至一種氧化鋅而形成之一種氧化鋁鋅(AZO)、藉由將鎵作為一摻雜劑添加至一種氧化鋅而形成之一種氧化鎵鋅(GZO)、一種氧化鈦(TiO 2)、藉由將鈮作為一摻雜劑添加至一種氧化鈦而形成之一種氧化鈮鈦(TNO)、一種氧化銻、一尖晶石型氧化物及具有一YbFe 2O 4結構之一種氧化物。另一選擇係，可例示使用以下各項中之一或多者作為一母層之一透明電極：一種氧化鎵、一種氧化鈦、一種氧化鈮、一種氧化鎳或諸如此類。作為透明電極之一厚度，一非限制性範圍之一實例可為2 × 10 -8m至2 × 10 -7m，較佳地3 × 10 -8m至1 × 10 -7m之一範圍。在其中透明性對於第一電極為必要之情形中，自簡化製造程序之觀點來看，較佳地電荷射出電極亦由一透明導電材料製成。 在其中透明性並非必要之情形中，較佳地構成具有作為射出電洞之一電極之一功能之一正電極的一導電材料係具有一高功函數(舉例而言，ϕ = 4.5 eV至5.5 eV)之一導電材料。具體而言，導電材料可包含但不限於以下各項中之一或多者：金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鐵(Fe)、銥(Ir)、鍺(Ge)、鋨(Os)、錸(Re)或碲(Te)。另一方面，較佳地構成具有作為射出電子之一電極之一功能之一負電極的一導電材料係具有一低功函數(舉例而言，ϕ = 3.5 eV至4.5 eV)之一導電材料。具體而言，導電材料可包含但不限於以下各項中之一或多者：一鹼金屬(舉例而言Li、Na、K或諸如此類)及其一種氟化物或其一種氧化物、一鹼土金屬(舉例而言，Mg、Ca或諸如此類)及其一種氟化物或其一種氧化物、鋁(Al)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鉈(Tl)、一鈉鉀合金、一鋁鋰合金、一鎂銀合金、銦、一稀土金屬(諸如鐿)或其合金。構成陽極或陰極之材料包含但不限於一或多種金屬，諸如鉑(Pt)、金(Au)、鈀(Pd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銀(Ag)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鈦(Ti)、銦(In)、錫(Sn)、鐵(Fe)、鈷(Co)及鉬(Mo)、含有此等金屬原子之合金、由此等金屬製成之導電粒子、含有此等金屬之合金之導電粒子或導電材料(諸如含有雜質之多晶矽、基於碳之材料、氧化物半導體、碳奈米管及石墨烯)，且可使用含有此等原子之層之一堆疊結構。此外，構成陽極或陰極之材料包含但不限於以下各項中之一或多者：一有機材料(導電聚合物)，諸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸[PEDOT/PSS]。另外，藉由混合導電材料與一黏合劑(聚合物)而獲得之一膏或墨之一固化材料可用作一電極。 作為用於第一電極或諸如此類或者第二電極(一陽極或一陰極)之一膜形成方法，可使用一乾式方法或一濕式方法。一乾式方法之實例包含但不限於一物理汽相沈積(PVD)方法及一化學汽相沈積(CVD)方法。使用PVD方法之原理之一膜形成方法之實例包含但不限於：使用電阻加熱或高頻率加熱之一真空汽相沈積方法、一EB (電子束)汽相沈積方法、各種濺鍍方法(一磁控管濺鍍方法、一RF-DC耦合類型偏壓濺鍍方法、一ECR濺鍍方法、一面向目標濺鍍方法及一高頻率濺鍍方法)、一離子電鍍方法、一雷射剝蝕方法、一分子束磊晶方法及一雷射轉印方法。另外，一CVD方法之實例包含但不限於：一電漿CVD方法、一熱CVD方法、一金屬有機(MO) CVD方法及一光CVD方法。另一方面，一濕式方法之實例包含但不限於：一電解電鍍方法或一無電式電鍍方法、一旋塗方法、一噴墨方法、一噴塗方法、一衝壓方法、一微接觸印刷方法、一柔版印刷方法、一平版印刷方法、一凹版印刷方法、一浸塗方法及諸如此類。一圖案化方法之實例包含但不限於化學蝕刻(諸如陰影遮罩、雷射轉印或光微影)及使用紫外線光、雷射或諸如此類之物理蝕刻。用於第一電極或諸如此類或者第二電極之平坦化技術可包含但不限於：一雷射平坦化方法、一回銲方法、一化學機械拋光(CMP)方法及諸如此類。 絕緣層可包含以下非限制性材料中之一或多者：除例示為金屬氧化物高介電絕緣材料(諸如一基於氧化矽之材料)之無機絕緣材料之外；一種氮化矽(SiN Y)；及一種氧化鋁(Al 2O 3)，諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；聚乙烯苯酚(PVP)；聚乙烯醇(PVA)；聚醯亞胺；聚碳酸酯(PC)；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)；聚苯乙烯；一矽醇衍生物(矽烷耦合劑，諸如N-2 (胺乙基) 3-胺丙基三乙氧基矽烷(AEAPTMS)、3-巰丙基三甲氧基矽烷(MPTMS)或十八烷基三氯矽烷(OTS)；酚醛清漆類型酚醛樹脂；一基於氟之樹脂；及有機絕緣材料(有機聚合物)，例示為一直鏈碳氫化合物，該直鏈碳氫化合物在其一端中具有能夠結合至一控制電極之一官能基(諸如十八硫醇或十二烷基異氰酸酯)，且可使用其一組合。注意，作為一基於氧化矽之材料，非限制性實例包含但不限於：一種氧化矽(SiO X)、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、一種氮氧化矽(SiON)、一SOG (旋塗玻璃)及一低介電常數材料(舉例而言，聚芳基醚、環全氟碳化物聚合物及苯并環丁烯、一環狀氟樹脂、聚四氟乙烯、一芳基醚氟化物、一聚醯亞胺氟化物、一非晶碳及一有機SOG)。亦可自前述材料適當地選擇構成各種層間絕緣層或絕緣膜之材料。 構成控制單元之浮動擴散層、放大電晶體、重設電晶體及選擇電晶體之組態及結構可經形成以類似於相關技術中之浮動擴散層、放大電晶體、重設電晶體及選擇電晶體之組態及結構。驅動電路亦可形成有一眾所周知之組態及結構。 第一電極連接至浮動擴散層及放大電晶體之閘極部分，且因此期望接觸孔部分經形成以用於第一電極與浮動擴散層之間以及第一電極與放大電晶體之閘極部分之間的連接。構成接觸孔部分之材料可包含但不限於以下各項中之一或多者：摻雜有雜質之多晶矽、一高熔點金屬或金屬矽化物(諸如鎢、Ti、Pt、Pd、Cu、TiW、TiN、TiNW、WSi 2及MoSi 2)及由此等材料製成之層之一堆疊結構(舉例而言，Ti/TiN/W)。 一第一載子阻擋層可設置於有機光電轉換層與第一電極之間，且一第二載子阻擋層可設置於有機光電轉換層與第二電極之間。另外，一第一電荷注入層可設置於第一載子阻擋層與第一電極之間，且一第二電荷注入層可設置於第二載子阻擋層與第二電極之間。構成電極注入層之材料可包含但不限於以下各項中之一或多者：鹼金屬(諸如鋰(Li)、鈉(Na)及鉀(K))、其氟化物、其氧化物，鹼土金屬(諸如鎂(Mg)及鈣(Ca))、其氟化物及其氧化物。 用於形成各種有機層之一方法可包含但不限於以下各項中之一或多者：一乾式膜形成方法及一濕式膜形成方法。一乾式膜形成方法之一實例包含但不限於以下各項中之一或多者：一電阻加熱或高頻率加熱方法、使用電子束加熱之一真空汽相沈積方法、一閃蒸汽相沈積方法、一電漿汽相沈積方法、一EB汽相沈積方法、各種濺鍍方法(一2極濺鍍方法、一DC濺鍍方法、一DC磁控管濺鍍方法、一高頻率濺鍍方法、一磁控管濺鍍方法、一RF-DC耦合類型偏壓濺鍍方法、一ECR濺鍍方法、一面向目標濺鍍方法、一高頻率濺鍍方法及一離子束濺鍍)、一直流(DC)方法、一RF方法、一多陰極方法、一活化反應方法、一電場汽相沈積方法、各種離子電鍍方法(諸如一高頻率離子電鍍方法及一反應離子電鍍方法)、一雷射剝蝕方法、一分子束磊晶方法、一雷射轉印方法及一分子束磊晶(MBE)方法。另外，一CVD方法之一實例包含但不限於：一電漿CVD方法、一熱CVD方法、一MOCVD方法及一光CVD方法。另一方面，一濕式方法之實例包含但不限於：一旋塗方法；一浸沒方法；一鑄造方法；一微接觸印刷方法；一滴鑄方法；各種印刷方法，諸如一絲網印刷方法、一噴墨印刷方法、一平版印刷方法、一凹版印刷方法及一柔版印刷方法；一衝壓方法；一噴霧方法；及各種塗佈方法，諸如一氣刀塗佈機方法、一刮刀塗佈機方法、一桿式(rod)塗佈機方法、一刀式塗佈機方法、一擠壓式塗佈機方法、一逆轉輥式塗佈機方法、一轉印輥式塗佈機方法、一凹版塗佈機方法、一吻合式(kiss)塗佈機方法、一流延(cast)塗佈機方法、一噴塗方法、一狹縫孔塗佈機方法及一壓延(calendar)塗佈機方法。注意，在塗佈方法中，可使用包含但不限於以下各項之一溶劑：不具有極性或具有低極性之有機溶劑，諸如甲苯、三氯甲烷、己烷及乙醇。一圖案化方法之一實例包含但不限於以下各項中之一或多者：化學蝕刻(諸如陰影遮罩、雷射轉印或光微影)及使用紫外線光、雷射或諸如此類之物理蝕刻。用於各種類型之有機層之一平坦化技術之一實例包含但不限於以下各項中之一或多者：一雷射平坦化方法、一回銲方法及諸如此類。 在如上文所闡述之成像元件或固態成像裝置中，若需要，則可提供一晶片上微透鏡或一光屏蔽層，且提供用於驅動成像元件之一驅動電路或一導線。若需要，則可提供用於控制光在成像元件上之入射之一快門，且固態成像裝置可根據其目的而包含一光學截止濾光器。 舉例而言，在其中堆疊一固態成像裝置及一讀出積體電路(ROIC)之情形中，允許其中形成讀出積體電路及由銅(Cu)製成之一連接部分之一驅動基板以及其中形成一連接部分之成像元件彼此重疊，使得該等連接部分彼此接觸，且然後藉由黏合連接部分而執行堆疊。另一選擇係，連接部分可藉由使用焊料凸塊或諸如此類而彼此黏合。 [實例1] 實例1係關於根據本發明之一實施例之一成像元件、根據本發明之一實施例之一堆疊型成像元件及根據本發明之一第二實施例之一固態成像裝置。 在圖1A中圖解說明實例1之成像元件及堆疊型成像元件之一部分之一示意性部分剖面圖。在圖2及圖3中圖解說明實例1之成像元件及堆疊型成像元件之等效電路圖。在圖4中圖解說明構成實例1之成像元件之第一電極及電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖。在圖5中圖解說明處於實例1之成像元件之一操作週期中之組件之電位狀態。另外，在圖6中圖解說明構成實例1之成像元件之第一電極及電荷儲存電極之一示意性佈局圖。在圖7中圖解說明構成實例1之成像元件之第一電極、電荷儲存電極、一第二電極及一接觸孔部分之一示意性透視圖。在圖8中圖解說明實例1之固態成像裝置之一概念圖式。 實例1之成像元件(舉例而言，稍後所闡述之綠色成像元件)經組態以包含藉由堆疊一第一電極11、一光電轉換層15及一第二電極16而形成之一光電轉換單元。光電轉換單元經組態以包含一電荷儲存電極12，該電荷儲存電極經配置以與第一電極11分離且經配置以面向光電轉換層15，其中一絕緣層82插置於該電荷儲存電極與該光電轉換層之間。 如圖1B至圖1D中所繪示，絕緣層82可包含多個層82E及82F。舉例而言，可存在絕緣材料82之介於電荷儲存電極12與光電轉換層15之間的一第一區域，且可存在絕緣材料82之介於電荷儲存電極12與第一電極11之間的一第二區域。在某些實施例中，絕緣材料之第二區域包含一第一絕緣層82E (其包含絕緣材料)及一第二絕緣層82F (其包含絕緣材料)，且第一絕緣材料82F堆疊於第二絕緣材料82E上。圖1B至圖1D進一步繪示關於絕緣層82之各種組態(例如，層82E及82F之組態改變)。 另外，實例1之堆疊型成像元件包含實例1之至少一個成像元件。在實例1中，堆疊型成像元件包含實例1之一個成像元件。 此外，實例1之固態成像裝置包含實例1之複數個堆疊型成像元件。 此外，進一步包含一半導體基板(更具體而言，一矽半導體層) 70，且光電轉換單元配置於半導體基板70上方。另外，進一步包含一控制單元，該控制單元設置於半導體基板70中且具有第一電極11連接至的一驅動電路。本文中，半導體基板70之光入射側設定至「半導體基板上方」，且半導體基板70之相對側設定至「半導體基板下方」。組態有複數個導線之一導線層62設置於半導體基板70下方。半導體基板70設置有構成控制單元之至少一浮動擴散層FD 1及一放大電晶體TR1 amp，且第一電極11連接至浮動擴散層FD 1及放大電晶體TR1 amp之閘極部分。半導體基板70進一步設置有構成控制單元之一重設電晶體TR1 rst及一選擇電晶體TR1 sel。浮動擴散層FD 1連接至重設電晶體TR1 rst之一個源極/汲極區域，放大電晶體TR1 amp之一個源極/汲極區域連接至選擇電晶體TR1 sel之一個源極/汲極區域，且選擇電晶體TR1 sel之另一源極/汲極區域連接至一信號線VSL 1。放大電晶體TR1 amp、重設電晶體TR1 rst及選擇電晶體TR1 sel構成一驅動電路。 具體而言，實例1之成像元件及堆疊型成像元件係一背面照明型成像元件及一背面照明型堆疊型成像元件且包含如下三個成像元件之一堆疊結構：實例1之一第一類型綠色成像元件(下文中，稱為一「第一成像元件」)，其對綠色敏感且包含吸收綠色光之一第一類型綠色光電轉換層；相關技術之一第二類型藍色成像元件(下文中，稱為一「第二成像元件」)，其對藍色敏感且包含吸收藍色光之一第二類型藍色光電轉換層；及相關技術之一第二類型紅色成像元件(下文中，稱為一「第三成像元件」)，其對紅色敏感且包含吸收紅色光之一第二類型紅色光電轉換層。紅色成像元件(第三成像元件)及藍色成像元件(第二成像元件)設置於半導體基板70中，且第二成像元件經定位以比第三成像元件更接近於光入射側。另外，綠色成像元件(第一成像元件)設置於藍色成像元件(第二成像元件)上方。一個像素係以第一成像元件、第二成像元件及第三成像元件之一堆疊結構而組態。不提供彩色濾光器。 在第一成像元件中，第一電極11及電荷儲存電極12形成於一層間絕緣層81上以彼此分離。層間絕緣層81及電荷儲存電極12覆蓋有絕緣層82。光電轉換層15形成於絕緣層82上，且第二電極16形成於光電轉換層15上。在整個表面(包含第二電極16)中，形成一保護層83，且一晶片上微透鏡90設置於保護層83上。第一電極11、電荷儲存電極12及第二電極16組態有由(舉例而言) ITO製成之透明電極。光電轉換層15組態有含有對綠色敏感之一眾所周知之有機光電轉換材料(舉例而言，諸如但不限於一基於羅丹明之染料、一基於梅拉什寧之染料及喹吖酮之一有機材料)之一層。另外，光電轉換層15可進一步具有包含適合於電荷儲存之一材料層之一組態。亦即，適合於電荷儲存之材料層可形成於光電轉換層15與第一電極11之間(舉例而言，在連接部分67中)。層間絕緣層81、絕緣層82及保護層83組態有眾所周知之絕緣材料(舉例而言，SiO 2或SiN)。光電轉換層15與第一電極11藉由設置至絕緣層82之連接部分67而彼此連接。光電轉換層15延伸於連接部分67中。亦即，光電轉換層15延伸於設置至絕緣層82之一開口部分84中以連接至第一電極11。 電荷儲存電極12連接至驅動電路。具體而言，電荷儲存電極12透過設置於層間絕緣層81中之一連接孔66、一墊部分64及一導線V OA而連接至構成驅動單元之一垂直驅動電路112。 電荷儲存電極12大於第一電極11。當電荷儲存電極12之面積由S 1'表示且第一電極11之面積由S 1表示時，雖然並不限於此，但較佳地滿足以下關係， 4 ≤ S 1'/S 1而且在實例1中，雖然並不限於此，但(舉例而言)設定以下關係。 S 1'/S 1= 8 一元件隔離區域71形成於半導體基板70之一第一表面(前表面) 70A側中，且一種氧化物膜72形成於半導體基板70之第一表面70A上。此外，半導體基板70之第一表面側設置有構成第一成像元件之控制單元之重設電晶體TR1 rst、放大電晶體TR1 amp及選擇電晶體TR1 sel且進一步設置有第一浮動擴散層FD 1。 重設電晶體TR1 rst組態有一閘極部分51、一通道形成區域51A以及源極/汲極區域51B及51C。重設電晶體TR1 rst之閘極部分51連接至一重設線RST 1，重設電晶體TR1 rst之一個源極/汲極區域51C亦用作一第一浮動擴散層FD 1，且其另一源極/汲極區域51B連接至一電源V DD。 第一電極11透過設置於層間絕緣層81中之一連接孔65及一墊部分63、設置至半導體基板70及層間絕緣層76之一接觸孔部分61以及形成於層間絕緣層76中之導線層62而連接至重設電晶體TR1 rst之一個源極/汲極區域51C (第一浮動擴散層FD 1)。 放大電晶體TR1 amp組態有一閘極部分52、一通道形成區域52A以及源極/汲極區域52B及52C。閘極部分52透過導線層62而連接至第一電極11及重設電晶體TR1 rst之一個源極/汲極區域51C (第一浮動擴散層FD 1)。另外，一個源極/汲極區域52C與構成重設電晶體TR1 rst之另一源極/汲極區域51B共用區域且連接至電源V DD。 選擇電晶體TR1 sel組態有一閘極部分53、一通道形成區域53A以及源極/汲極區域53B及53C。閘極部分53連接至選擇線SEL 1。另外，一個源極/汲極區域53B與構成放大電晶體TR1 amp之另一源極/汲極區域52C共用區域，且另一源極/汲極區域53C連接至信號線(資料輸出線) VSL 1(117)。 第二成像元件包含作為一光電轉換層設置至半導體基板70之一n型半導體區域41。轉移電晶體TR2 trs之組態有一垂直型電晶體之一閘極部分45延伸至n型半導體區域41且連接至一轉移閘極線TG 2。另外，一第二浮動擴散層FD 2設置至半導體基板70之在轉移電晶體TR2 trs之閘極部分45附近之一區域45C。儲存於n型半導體區域41中之電荷透過沿著閘極部分45形成之一轉移通道而被讀出至第二浮動擴散層FD 2。 在第二成像元件中，在半導體基板70之第一表面側中，進一步提供構成第二成像元件之控制單元之一重設電晶體TR2 rst、一放大電晶體TR2 amp及一選擇電晶體TR2 sel。 重設電晶體TR2 rst組態有一閘極部分、一通道形成區域及源極/汲極區域。重設電晶體TR2 rst之閘極部分連接至重設線RST 2，重設電晶體TR2 rst之一個源極/汲極區域連接至電源V DD，且其另一源極/汲極區域用作一第二浮動擴散層FD 2。 放大電晶體TR2 amp組態有一閘極部分、一通道形成區域及源極/汲極區域。閘極部分連接至重設電晶體TR2 rst之另一源極/汲極區域(第二浮動擴散層FD 2)。另外，其一個源極/汲極區域與構成重設電晶體TR2 rst之另一源極/汲極區域共用區域且連接至電源V DD。 選擇電晶體TR2 sel組態有一閘極部分、一通道形成區域及源極/汲極區域。閘極部分連接至選擇線SEL 2。另外，其一個源極/汲極區域與構成放大電晶體TR2 amp之另一源極/汲極區域共用區域，且另一源極/汲極區域連接至信號線(資料輸出線) VSL 2。 第三成像元件包含作為一光電轉換層設置至半導體基板70之一n型半導體區域43。轉移電晶體TR3 trs之閘極部分46連接至轉移閘極線TG 3。另外，一第三浮動擴散層FD 3設置至半導體基板70之在轉移電晶體TR3 trs之閘極部分46附近之區域46C。儲存於n型半導體區域43中之電荷透過沿著閘極部分46形成之一轉移通道46A而被讀出至第三浮動擴散層FD 3。 在第三成像元件中，在半導體基板70之第一表面側中，進一步提供構成第三成像元件之控制單元之一重設電晶體TR3 rst、一放大電晶體TR3 amp及一選擇電晶體TR3 sel。 重設電晶體TR3 rst組態有一閘極部分、一通道形成區域及源極/汲極區域。重設電晶體TR3 rst之閘極部分連接至重設線RST 3，重設電晶體TR3 rst之一個源極/汲極區域連接至電源VDD，且其另一源極/汲極區域用作一第三浮動擴散層FD 3。 放大電晶體TR3 amp組態有一閘極部分、一通道形成區域及源極/汲極區域。閘極部分連接至重設電晶體TR3 rst之另一源極/汲極區域(第三浮動擴散層FD 3)。另外，其一個源極/汲極區域與構成重設電晶體TR3 rst之另一源極/汲極區域共用區域且連接至電源V DD。 選擇電晶體TR3 sel組態有一閘極部分、一通道形成區域及源極/汲極區域。閘極部分連接至選擇線SEL 3。另外，一個源極/汲極區域與構成放大電晶體TR3 amp之另一源極/汲極區域共用區域，且其另一源極/汲極區域連接至信號線(資料輸出線) VSL 3。 重設線RST 1、RST 2及RST 3、選擇線SEL 1、SEL 2及SEL 3以及轉移閘極線TG 2及TG 3連接至構成驅動電路之垂直驅動電路112，且信號線(資料輸出線) VSL 1、VSL 2及VSL 3連接至構成驅動電路之一行信號處理電路113。 一p+層44設置於n型半導體區域43與半導體基板70之表面70A之間，使得抑制暗電流之發生。一p+層42形成於n型半導體區域41與n型半導體區域43之間，且n型半導體區域43之側表面之一部分由p+層42環繞。一p+層73形成於半導體基板70之後表面70B側中，且一HfO 2膜74及一絕緣膜75形成於半導體基板70內側之一部分中，其中接觸孔部分61將由p+層73形成。在層間絕緣層76中，雖然導線形成於多個層上，但省略圖解說明。 HfO2膜74係具有負固定電荷之一膜，且藉由製備此一膜，可抑制暗電流之發生。注意，替代HfO 2膜，可使用一種氧化鋁(Al 2O 3)膜、一種氧化鋯(ZrO 2)膜、一種氧化鉭(Ta 2O 5)膜、一種氧化鈦(TiO 2)膜、一種氧化鑭(La 2O 3)膜、一種氧化鐠(Pr 2O 3)膜、一種氧化鈰(CeO 2)膜、一種氧化釹(Nd 2O 3)膜、一種氧化鉕(Pm 2O 3)膜、一種氧化釤(Sm 2O 3)膜、一種氧化銪(Eu 2O 3)膜、一種氧化釓(Gd 2O 3)膜、一種氧化鋱(Tb 2O 3)膜、一種氧化鏑(Dy 2O 3)膜、一種氧化鈥(Ho 2O 3)膜、一種氧化銩(Tm 2O 3)膜、一種氧化鐿(Yb 2O 3)膜、一種氧化鑥(Lu 2O 3)膜、一種氧化釔(Y 2O 3)膜、一種氮化鉿膜、一種氮化鋁膜、一種氮氧化鉿膜或一種氮氧化鋁膜。作為用於此等膜之一膜形成方法，可例示一CVD方法、一PVD方法及一ALD方法。 下文中，將參考圖5闡述實例1之成像元件(第一成像元件)之操作。本文中，將第一電極11之電位設定為高於第二電極之電位。亦即，舉例而言，當將第一電極11設定至一正電位且將第二電極設定至一負電位時，電子透過光電轉換層15中之光電轉換而被讀出至浮動擴散層。在其他實例中執行一類似操作。注意，在其中當將第一電極11設定至一負電位且將第二電極設定至一正電位時電洞透過光電轉換層15中之光電轉換而被讀出至浮動擴散層之一形式中，可將下文中所提及之電位之位準設定為相反的。 稍後闡述用於實例4中之圖5、圖20及圖21中之元件符號，且用於稍後所闡述之實例6中之圖32及圖33中之元件符號係如下。 PA ……光電轉換層15之面向電荷儲存電極12之區域之一點PA的電位或光電轉換層15之面向電荷儲存電極分段12C之區域之一點PA的電位； PB ……光電轉換層15之面向位於電荷儲存電極12與第一電極11之間的中間之一區域之區域之一點PB的電位、光電轉換層15之面向轉移控制電極(電荷轉移電極) 13之區域之一點PB的電位或光電轉換層15之面向電荷儲存電極分段12B之區域之一點PB的電位； PC ……光電轉換層15之面向第一電極11之區域之一點PC的電位或光電轉換層15之面向電荷儲存電極分段12A之區域之一點PC的電位； PD ……光電轉換層15之面向位於電荷儲存電極分段12C與第一電極11之間的中間之一區域之區域之一點PD的電位； FD ……第一浮動擴散層FD 1之電位； VOA ……電荷儲存電極12之電位。 VOA-A ……電荷儲存電極分段12A之電位； VOA-B ……電荷儲存電極分段12B之電位； VOA-C ……電荷儲存電極分段12C之電位； VOT ……轉移控制電極(電荷轉移電極) 13之電位； RST ……重設電晶體TR1 rst之閘極部分51之電位； VDD ……電源之電位； VSL_1 ……信號線(資料輸出線) VSL 1； TR1_rst ……重設電晶體TR1 rst； TR1_amp ……放大電晶體TR1 amp；及 TR1_sel ……選擇電晶體TR1 sel。 在一電荷儲存週期中，將一電位V 11自驅動電路施加至第一電極11，且將一電位V 12自驅動電路施加至電荷儲存電極12。藉由入射於光電轉換層15上之光，在光電轉換層15中發生光電轉換。透過光電轉換產生之電洞自第二電極16透過導線V OU而轉移至驅動電路。另一方面，由於將第一電極11之電位設定為高於之第二電極16電位，亦即，(舉例而言)由於將一正電位施加至第一電極11且將一負電位施加至第二電極16，因此設定V 12≥ V 11、較佳地V 12＞ V 11。因此，透過光電轉換產生之電子被電荷儲存電極12吸引，且因此電子停止於光電轉換層15之面向電荷儲存電極12之區域中。亦即，電荷被儲存於光電轉換層15中。由於V 12＞ V 11，因此光電轉換層15之內部分中所產生之電子並不朝向第一電極11移動。隨著光電轉換之時間逝去，光電轉換層15之面向電荷儲存電極12之區域之電位變為另一負值。 在電荷儲存週期之最後階段中，執行一重設操作。因此，重設第一浮動擴散層FD 1之電位，且第一浮動擴散層FD 1之電位變為電源之電位V DD。 在完成重設操作之後，執行電荷讀出。亦即，在電荷轉移週期中，自驅動電路，將一電位V 21施加至第一電極11且將一電位V 22施加至電荷儲存電極12。本文中，設定V 22＜ V 21。藉由進行此，可將已停止於光電轉換層15之面向電荷儲存電極12之區域中之電子讀出至第一電極11，此外讀出至第一浮動擴散層FD 1。亦即，將儲存於光電轉換層15中之電荷讀出至控制單元。 包含介於電荷儲存電極12與第一電極11之間的絕緣層82之結構可約束PB電位之變化。在不具有位於此一位置處之絕緣層82之情況下，絕緣層82之邊緣之各種位置可除導致電荷儲存電極12與第一電極11之間的一距離之變化之外亦導致PB電位之一變化。相反，絕緣層82在電荷儲存電極12與第一電極11之間的一開口中之存在允許電荷儲存電極12與第一電極11之間的距離來判定PB電位之效應。因此，藉由包含如上文所提及之絕緣層82，絕緣層82可致使最小PB電位增加，此使電子有效地侷限於PA位置且進一步減小一電流洩漏。 以目前為止所闡述之此方式，完成電荷儲存、重設操作及電荷轉移之一系列操作。 在將電子讀出至第一浮動擴散層FD 1之後的放大電晶體TR1 amp及選擇電晶體TR1 sel之操作與相關技術中之此等電晶體之操作相同。另外，第二成像元件及第三成像元件之電荷儲存、重設操作及電荷轉移之一系列操作類似於相關技術中之電荷儲存、重設操作及電荷轉移之一系列操作。另外，類似於相關技術，可藉由一相關雙取樣(CDS)程序而移除第一浮動擴散層FD 1之重設雜訊。 如上文所闡述，在實例1中，由於提供電荷儲存電極(其經配置以與第一電極分離且經配置以面向光電轉換層，其中絕緣層插置於該電荷儲存電極與該光電轉換層之間)，因此當用光來照明光電轉換單元且在光電轉換單元中執行光電轉換時，藉由光電轉換層、絕緣層及電荷儲存電極而形成一個種類的電容器，使得電荷可被儲存於光電轉換層中。因此，在開始曝光時，藉由完全耗盡一電荷儲存單元，可能抹除電荷。因此，可能抑制kTC雜訊之一增加、隨機雜訊之劣化及成像中之影像品質之一劣化之現象的發生。另外，由於可同時重設全部像素，因此可實施一所謂的全域快門功能。 在圖8中圖解說明實例1之一固態成像裝置之一概念圖式。實例1之固態成像裝置100經組態以包含一成像區域111 (其中堆疊型成像元件101配置成一個二維陣列形狀)及驅動電路(周邊電路) (諸如一垂直驅動電路112、一行信號處理電路113、一水平驅動電路114、一輸出電路115及一驅動控制電路116)。注意，此等電路可組態有眾所周知之電路。顯而易見，亦可使用其他電路組態(舉例而言，用於相關技術中之一CCD成像裝置或一CMOS成像裝置之各種電路)來組態此等電路。注意，在圖8中，僅一個列之堆疊型成像元件101由元件符號「101」指示。 驅動控制電路116產生一時脈信號及一控制信號，該時脈信號及該控制信號基於一垂直同步信號、一水平同步信號及一主時脈而變為垂直驅動電路112、行信號處理電路113及水平驅動電路114之操作之參考。然後，將所產生時脈信號或控制信號輸入至垂直驅動電路112、行信號處理電路113及水平驅動電路114。 舉例而言，垂直驅動電路112組態有移位暫存器且在垂直方向上以一列為單元依序選擇性地掃描成像區域111之堆疊型成像元件101。然後，將基於根據每一堆疊型成像元件101之一所接收光量產生之一電流(信號)之一像素信號(影像信號)穿過信號線(資料輸出線) 117及VSL傳輸至行信號處理電路113。 舉例而言，行信號處理電路113針對堆疊型成像元件101之每個行而配置且根據來自每個成像元件之一黑色參考像素(未展示但形成於一有效像素區域之周邊中)之一信號而對自堆疊型成像元件101之一個列輸出之影像信號執行一信號處理(諸如雜訊移除或信號放大)。 提供將連接於行信號處理電路113之輸出級與水平信號線118之間的一水平選擇開關(未展示)。 舉例而言，水平驅動電路114組態有移位暫存器且藉由依序輸出水平掃描脈衝而依序選擇行信號處理電路113以將行信號處理電路113之信號輸出至水平信號線118。 輸出電路115對透過水平信號線118自行信號處理電路113依序供應之信號執行一信號處理並輸出該等信號。 在圖9中圖解說明實例1之成像元件及堆疊型成像元件之一經修改實例之一等效電路圖。當在圖10中圖解說明構成實例1之成像元件之一經修改實例之一第一電極及一電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖時，重設電晶體TR1 rst之另一源極/汲極區域51B可接地而非連接至電源V DD。 舉例而言，可藉由下文中所闡述之方法而製造實例1之成像元件及堆疊型成像元件。亦即，首先，製備一SOI基板。然後，基於一磊晶生長方法而在SOI基板之表面上形成一第一矽層，且在第一矽層上形成一p+層73及一n型半導體區域41。接下來，基於一磊晶生長方法而在第一矽層上形成一第二矽層，且在第二矽層上形成一元件隔離區域71、一種氧化物膜72、一p+層42、一n型半導體區域43及一p+層44。另外，在第二矽層中形成構成成像元件之一控制單元之各種電晶體及諸如此類，且在該等各種電晶體及諸如此類上形成一導線層62、一層間絕緣層76及各種導線。允許層間絕緣層76及一支撐基板(未展示)彼此黏合。在此之後，藉由移除SOI基板，使第一矽層曝露。注意，第二矽層之表面對應於半導體基板70之表面70A，且第一矽層之表面對應於半導體基板70之後表面70B。另外，將第一矽層及第二矽層共同地表達為半導體基板70。接下來，在半導體基板70之後表面70B側中，形成用於形成一接觸孔部分61之一開口部分；形成一HfO 2膜74、一絕緣膜75及接觸孔部分61；且形成墊部分63及64、一層間絕緣層81、連接孔65及66、一第一電極11、一電荷儲存電極12以及一絕緣層82。接下來，開通一連接部分67，且形成一光電轉換層15、一第二電極16、一保護層83及一晶片上微透鏡90。藉由進行此，可獲得實例1之成像元件及堆疊型成像元件。 [實例2] 實例2係實例1之一修改。實例2之一成像元件及一堆疊型成像元件(在圖11中圖解說明其一示意性部分剖面圖)係一正面照明型成像元件及一正面照明型堆疊型成像元件且具有如下三個成像元件之一堆疊結構：實例1之一第一類型綠色成像元件(第一成像元件)，其對綠色敏感且具有吸收綠色光之一第一類型綠色光電轉換層；相關技術之一第二類型藍色成像元件(第二成像元件)，其對藍色敏感且具有吸收藍色光之一第二類型藍色光電轉換層；及相關技術之一第二類型紅色成像元件(第三成像元件)，其對紅色敏感且具有吸收紅色光之一第二類型紅色光電轉換層。本文中，紅色成像元件(第三成像元件)及藍色成像元件(第二成像元件)設置於半導體基板70中，且第二成像元件經定位以比第三成像元件更接近於光入射側。另外，綠色成像元件(第一成像元件)設置於藍色成像元件(第二成像元件)上方。 類似於實例1，構成控制單元之各種電晶體設置於半導體基板70之表面70A側中。此等電晶體可形成有實質上與實例1中所闡述之電晶體之組態及結構類似之一組態及結構。另外，雖然第二成像元件及第三成像元件設置於半導體基板70中，但此等成像元件可形成有實質上與實例1中所闡述之第二成像元件及第三成像元件之組態及結構類似之一組態及結構。 在半導體基板70之表面70A上形成層間絕緣層77及78，且在層間絕緣層78上設置構成實例1之成像元件之光電轉換單元(第一電極11、光電轉換層15及第二電極16)、電荷儲存電極12及諸如此類。 以此方式，惟成像元件及堆疊型成像元件係正面照明型除外，由於實例2之成像元件及堆疊型成像元件之組態及結構可經形成以類似於實例1之成像元件及堆疊型成像元件之組態及結構，因此省略詳細說明。 [實例3] 實例3係實例1及2之一修改。 實例3之一成像元件及一堆疊型成像元件(在圖12中圖解說明其一示意性部分剖面圖)係一背面照明型成像元件及一背面照明型堆疊型成像元件且具有如下兩個成像元件之一堆疊結構：實例1之一第一類型第一成像元件及一第二類型第二成像元件。另外，實例3之成像元件及堆疊型成像元件之經修改實例(在圖13中圖解說明其一示意性部分剖面圖)係一正面照明型成像元件及一正面照明型堆疊型成像元件且具有如下兩個成像元件之一堆疊結構：實例1之一第一類型第一成像元件及一第二類型第二成像元件。本文中，第一成像元件吸收原色光，且第二成像元件吸收補色光。另一選擇係，第一成像元件吸收白色光，且第二成像元件吸收一紅外線。 實例3之成像元件之一經修改實例(在圖14中圖解說明其一示意性部分剖面圖)係一背面照明型成像元件且組態有實例1之一第一類型第一成像元件。另一選擇係，實例3之成像元件之一經修改實例(在圖15A中圖解說明其一示意性部分剖面圖)係一正面照明型成像元件且組態有實例1之一第一類型第一成像元件。本文中，第一成像元件組態有三種類型的成像元件：吸收紅色光之一成像元件；吸收綠色光之一成像元件；及吸收藍色光之一成像元件。此外，根據本發明之第一實施例之固態成像裝置組態有複數個成像元件。作為複數個成像元件之一陣列，可例示一拜耳陣列。若需要，將用於執行藍色光、綠色光及紅色光之光譜分離之彩色濾光器配置於每一成像元件之光入射側中。此外，且如圖15B至圖15D中所繪示，絕緣層82可包含多個層。如圖15B至圖15D中所繪示，絕緣層82可包含多個層82E及82F。舉例而言，可存在絕緣材料82之介於電荷儲存電極12與光電轉換層15之間的一第一區域，且可存在絕緣材料82之介於電荷儲存電極12與第一電極11之間的一第二區域。在某些實施例中，絕緣材料之第二區域包含一第一絕緣層82E (其包含絕緣材料)及一第二絕緣層82F (其包含絕緣材料)，且第一絕緣材料82F堆疊於第二絕緣材料82E上。圖15B至圖15D進一步繪示關於絕緣層82之各種組態(例如，層82E及82F之組態改變)。 注意，替代製備實例1之一個第一類型成像元件，可將兩個成像元件堆疊(亦即，將兩個光電轉換單元堆疊且在半導體基板中製備用於兩個成像元件之控制單元)，或可將三個成像元件堆疊(亦即，將三個光電轉換單元堆疊且在半導體基板中製備用於三個成像元件之控制單元)。在下表中列示第一類型成像元件及第二類型成像元件之經堆疊結構之實例。 [表1]
   第一類型 第二類型 參考圖
背面照明型及正面照明型 1 2 圖1A至圖1D
綠色 藍色+紅色 圖11
1 1 圖12
原色 補色 圖13
1 1   
白色 紅外線   
1 0 圖14
藍色或綠色或紅色    圖15A至圖15D
2 2   
綠色+紅外線光 藍色+紅色   
2 1   
綠色+藍色 紅色   
2 0   
白色+紅外線光      
3 2   
綠色+藍色+紅色 藍綠色(翡翠色)+紅外線光   
3 1   
綠色+藍色+紅色 紅外線光   
3 0   
藍色+綠色+紅色      
[實例4] 實例4係實例1至3之一修改且係關於根據本發明之一實施例之具有轉移控制電極(電荷轉移電極)之一成像元件或諸如此類。在圖16中圖解說明實例4之成像元件及堆疊型成像元件之一部分之一示意性部分剖面圖。在圖17及圖18中圖解說明實例4之成像元件及堆疊型成像元件之等效電路圖。在圖19中圖解說明構成實例4之成像元件之一第一電極、一轉移控制電極及一電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖。在圖20及圖21中圖解說明處於實例4之成像元件之一操作週期中之組件之電位狀態。另外，在圖22中圖解說明構成實例4之成像元件之第一電極、轉移控制電極及電荷儲存電極之一示意性佈局圖。在圖23中圖解說明構成實例4之成像元件之第一電極、轉移控制電極、電荷儲存電極、一第二電極及一接觸孔部分之一示意性透視圖。 實例4之成像元件及堆疊型成像元件經組態以進一步包含一轉移控制電極(電荷轉移電極) 13，該轉移控制電極配置於第一電極11與電荷儲存電極12之間、將與第一電極11及電荷儲存電極12分離且經配置以透過絕緣層82而面向光電轉換層15。轉移控制電極13透過設置於層間絕緣層81中之一連接孔68B、一墊部分68A及一導線V OT而連接至構成驅動電路之像素驅動電路。注意，為方便起見，由元件符號91共同地表示成像元件之位於層間絕緣層81下方之各種組件以便簡化圖式。 下文中，將參考圖20及圖21闡述實例4之成像元件(第一成像元件)之操作。注意，圖20及圖21彼此不同，特定而言在施加至電荷儲存電極12之電位及點PB之電位方面。 在電荷儲存週期中，自驅動電路，將一電位V 11施加至第一電極11、將一電位V 12施加至電荷儲存電極12且將一電位V 13施加至轉移控制電極13。藉由入射於光電轉換層15上之光，在光電轉換層15中發生光電轉換。透過光電轉換產生之電洞自第二電極16透過導線V OU而轉移至驅動電路。另一方面，由於將第一電極11之電位設定為高於之第二電極16電位，亦即，(舉例而言)由於將一正電位施加至第一電極11且將一負電位施加至第二電極16，因此設定V 12＞ V 13(舉例而言，V 12＞ V 11＞ V 13或V 11＞ V 12＞ V 13)。因此，透過光電轉換產生之電子被電荷儲存電極12吸引，且因此電子停止於光電轉換層15之面向電荷儲存電極12之區域中。亦即，電荷被儲存於光電轉換層15中。由於V 12＞ V 13，因此可能可靠地防止產生於光電轉換層15中之電子朝向第一電極11移動。隨著光電轉換之時間逝去，光電轉換層15之面向電荷儲存電極12之區域之電位變為另一負值。 在電荷儲存週期之最後階段中，執行一重設操作。因此，重設第一浮動擴散層FD 1之電位，且第一浮動擴散層FD 1之電位變為電源之電位V DD。 在完成重設操作之後，執行電荷讀出。亦即，在電荷轉移週期中，自驅動電路，將一電位V 21施加至第一電極11、將一電位V 22施加至電荷儲存電極12且將一電位V 23施加至轉移控制電極13。本文中，設定V 22≤ V 23≤ V 21。藉由進行此，可將已停止於光電轉換層15之面向電荷儲存電極12之區域中之電子可靠地讀出至第一電極11，且此外讀出至第一浮動擴散層FD 1。亦即，將儲存於光電轉換層15中之電荷讀出至控制單元。 以目前為止所闡述之此方式，完成電荷儲存、重設操作及電荷轉移之一系列操作。 在將電子讀出至第一浮動擴散層FD 1之後的放大電晶體TR1 amp及選擇電晶體TR1 sel之操作與相關技術中之此等電晶體之操作相同。另外，(舉例而言)第二成像元件及第三成像元件之電荷儲存、重設操作及電荷轉移之一系列操作類似於相關技術中之電荷儲存、重設操作及電荷轉移之一系列操作。 當在圖24中圖解說明構成實例4之成像元件之一經修改實例之第一電極及電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖時，重設電晶體TR1 rst之另一源極/汲極區域51B可接地而非連接至電源V DD。 [實例5] 實例5係實例1至4之一修改且係關於根據本發明之一實施例之具有一電荷射出電極之一成像元件或諸如此類。在圖25中圖解說明實例5之成像元件及堆疊型成像元件之一部分之一示意性部分剖面圖。在圖26中圖解說明構成實例5之成像元件之一第一電極、一電荷儲存電極及一電荷射出電極之一示意性佈局圖。在圖27中圖解說明構成實例5之成像元件之第一電極、電荷儲存電極、電荷射出電極、一第二電極及一接觸孔部分之一示意性透視圖。 在實例5之成像元件及堆疊型成像元件中，成像元件經組態以進一步包含一電荷射出電極14，該電荷射出電極透過一連接部分69連接至一光電轉換層15且經配置以與第一電極11及電荷儲存電極12分離。電荷射出電極14經配置以環繞第一電極11及電荷儲存電極12 (亦即，呈一框架形狀)。電荷射出電極14連接至構成驅動電路之像素驅動電路。光電轉換層15延伸於連接部分69中。亦即，光電轉換層15延伸於設置於絕緣層82中之第二開口部分85中以連接至電荷射出電極14。電荷射出電極14由複數個成像元件共用(共同使用)。 在實例5中，在電荷儲存週期中，自驅動電路，將一電位V 11施加至第一電極11、將一電位V 12施加至電荷儲存電極12且將一電位V 14施加至電荷射出電極14，使得電荷被儲存於光電轉換層15中。藉由入射於光電轉換層15上之光，在光電轉換層15中發生光電轉換。透過光電轉換產生之電洞自第二電極16透過導線V OU而轉移至驅動電路。另一方面，由於將第一電極11之電位設定為高於之第二電極16電位，亦即，(舉例而言)由於將一正電位施加至第一電極11且將一負電位施加至第二電極16，因此設定V 14＞ V 11(舉例而言，V 12＞ V 14＞ V 11)。因此，透過光電轉換產生之電子被電荷儲存電極12吸引，且因此電子停止於光電轉換層15之面向電荷儲存電極12之區域中，使得可能可靠地防止電子朝向第一電極11移動。然而，未被電荷儲存電極12充分吸引或未儲存於光電轉換層15中之電子(所謂的溢流電子)透過電荷射出電極14而轉移至驅動電路。 在電荷儲存週期之最後階段中，執行一重設操作。因此，重設第一浮動擴散層FD 1之電位，且第一浮動擴散層FD 1之電位變為電源之電位V DD。 在完成重設操作之後，執行電荷讀出。亦即，在電荷轉移週期中，自驅動電路，將一電位V 21施加至第一電極11、將一電位V 22施加至電荷儲存電極12且將一電位V 24施加至電荷射出電極14。本文中，設定V 24＜ V 21(舉例而言，V 24＜ V 22＜ V 21)。藉由進行此，可將已停止於光電轉換層15之面向電荷儲存電極12之區域中之電子可靠地讀出至第一電極11，且此外讀出至第一浮動擴散層FD 1。亦即，將儲存於光電轉換層15中之電荷讀出至控制單元。 以目前為止所闡述之此方式，完成電荷儲存、重設操作及電荷轉移之一系列操作。 在將電子讀出至第一浮動擴散層FD 1之後的放大電晶體TR1 amp及選擇電晶體TR1 sel之操作與相關技術中之此等電晶體之操作相同。另外，(舉例而言)第二成像元件及第三成像元件之電荷儲存、重設操作及電荷轉移之一系列操作類似於相關技術中之電荷儲存、重設操作及電荷轉移之一系列操作。 在實例5中，由於溢流電子透過電荷射出電極14而轉移至驅動電路，因此可抑制向毗鄰像素之電荷儲存單元之洩漏，使得可能抑制模糊(blooming)之發生。此外，因此，可能改良成像元件之成像效能。 [實例6] 實例6係實例1至5之一修改且係關於根據本發明之一實施例之具有複數個電荷儲存電極分段之一成像元件或諸如此類。 在圖28中圖解說明實例6之成像元件之一部分之一示意性部分剖面圖。在圖29及圖30中圖解說明實例6之成像元件及堆疊型成像元件之等效電路圖。在圖31中圖解說明構成實例6之成像元件之一第一電極及一電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖。在圖32及圖33中圖解說明處於實例6之成像元件之一操作週期中之組件之電位狀態。另外，在圖34中圖解說明構成實例6之成像元件之第一電極及電荷儲存電極之一示意性佈局圖。在圖35中圖解說明構成實例6之成像元件之第一電極、電荷儲存電極、一第二電極及一接觸孔部分之一示意性透視圖。 在實例6中，電荷儲存電極12組態有複數個電荷儲存電極分段12A、12B及12C。電荷儲存電極分段之數目可為兩個或兩個以上，且在實例6中，將該數目設定為「3」。然後，在實例6之成像元件及堆疊型成像元件中，由於第一電極11之電位高於第二電極16之電位，亦即，(舉例而言)由於將一正電位施加至第一電極11且將一負電位施加至第二電極16，因此在電荷轉移週期中，施加至位於最接近於第一電極11之位置處之電荷儲存電極分段12A之電位高於施加至位於距第一電極11最遠之位置處之電荷儲存電極分段12C之電位。以此方式，對電荷儲存電極12提供電位梯度，使得將已停止於光電轉換層15之面向電荷儲存電極12之區域中之電子可靠地讀出至第一電極11，且此外讀出至第一浮動擴散層FD 1。亦即，將儲存於光電轉換層15中之電荷讀出至控制單元。 在圖32中所圖解說明之實例中，在電荷轉移週期中，設定電荷儲存電極分段12C之電位＜電荷儲存電極分段12B之電位＜電荷儲存電極分段12A之電位，且因此，將已停止於光電轉換層15之區域中之電子同時讀出至第一浮動擴散層FD 1。另一方面，在圖33中所圖解說明之實例中，在電荷轉移週期中，允許電荷儲存電極分段12C之電位、電荷儲存電極分段12B之電位及電荷儲存電極分段12A之電位逐漸地改變(亦即，逐步或以一斜坡形狀改變)。因此，允許使已停止於光電轉換層15之面向電荷儲存電極分段12C之區域中之電子移動至面向電荷儲存電極分段12B之光電轉換層15。隨後，允許使已停止於光電轉換層15之面向電荷儲存電極分段12B之區域中之電子移動至面向電荷儲存電極分段12A之光電轉換層15。隨後，允許將已停止於光電轉換層15之面向電荷儲存電極分段12A之區域中之電子可靠地讀出至第一浮動擴散層FD 1。 當在圖36中圖解說明構成實例6之成像元件之一經修改實例之一第一電極及一電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖時，重設電晶體TR1 rst之另一源極/汲極區域51B可接地而非連接至電源V DD。 目前為止，雖然基於較佳實例而闡述本發明，但本發明並不限於該等實例。實例中所闡述之成像元件、堆疊型成像元件及固態成像裝置之結構、組態、製造條件、製造方法及所使用材料係例示性的，且因此此等經適當地改變。除其中將一個浮動擴散層設置至一個成像元件之形式之外，亦可實施其中將一個浮動擴散層設置至複數個成像元件之一形式。亦即，藉由適當地控制電荷轉移週期之一時序，可允許複數個成像元件共用一個浮動擴散層。此外，在此情形中，亦可允許複數個成像元件共用一個接觸孔部分。 當在圖37中圖解說明實例1中所闡述之成像元件及堆疊型成像元件之一經修改實例時，第一電極11可經組態以延伸於設置至絕緣層82之一開口部分84A中以連接至光電轉換層15。 另一選擇係，當在圖38中圖解說明實例1中所闡述之成像元件及堆疊型成像元件之一經修改實例且在圖39A中圖解說明第一電極之一部分及諸如此類之一示意性放大部分剖面圖時，第一電極11之頂部表面之邊緣覆蓋有絕緣層82；第一電極11曝露於一開口部分84B之底部表面；且當絕緣層82之與第一電極11之頂部表面接觸之表面由一第一表面82a界定且絕緣層82之與光電轉換層15之部分(其面向電荷儲存電極12)接觸之表面由一第二表面82b界定時，開口部分84B之側表面具有自第一表面82a朝向第二表面82b擴展之一斜坡。以此方式，由於對開口部分84B之側表面提供一斜坡，因此電荷自光電轉換層15較平滑地移動至第一電極11。注意，在圖39A中所圖解說明之實例中，將開口部分84B之軸線用作一中心，且開口部分84B之側表面具有一旋轉對稱。然而，如圖39B中所圖解說明，開口部分84C可經設置使得開口部分84C之具有自第一表面82a朝向第二表面82b擴展之一斜坡之側表面位於電荷儲存電極12側中。因此，來自光電轉換層15之位於與電荷儲存電極12相對之側(其中開口部分84C插置於該側與該電荷儲存電極之間)處之部分的電荷難以移動。另外，雖然開口部分84B之側表面具有自第一表面82a朝向第二表面82b擴展之一斜坡，但開口部分84B之側表面之在第二表面82b中之邊緣可位於自第一電極11之邊緣之外側中(如圖39A中所圖解說明)，或可位於自第一電極11之邊緣以內之側中(如圖39C中所圖解說明)。藉由採用前一組態，可較容易地執行電荷轉移；且藉由採用後一組態，可減小在形成開口部分時之形狀不規則性。 可藉由對在絕緣層中形成開口部分(基於一蝕刻方法)時所形成之由一抗蝕劑材料製成之一蝕刻遮罩進行回銲以對一蝕刻遮罩之一開口部分之側表面提供一斜坡且藉由使用蝕刻遮罩來蝕刻絕緣層82而形成開口部分84B及84C。 另一選擇係，關於實例5中所闡述之電荷射出電極14，如圖40中所圖解說明，光電轉換層15可經形成以延伸於設置至絕緣層82之一第二開口部分85A中以連接至電荷射出電極14；電荷射出電極14之頂部表面之邊緣覆蓋有絕緣層82；電荷射出電極14曝露於第二開口部分85A之底部表面中；且當絕緣層82之與電荷射出電極14之頂部表面接觸之表面由一第三表面82c界定且絕緣層82之與光電轉換層15之部分(其面向電荷儲存電極12)接觸之表面由一第二表面82b界定時，第二開口部分85A之側表面具有自第三表面82c朝向第二表面82b擴展之一斜坡。 另一選擇係，當在圖41中圖解說明實例1中所闡述之成像元件及堆疊型成像元件之一經修改實例時，光可經組態以入射於第二電極16之側上，且一光屏蔽層92可經組態以形成於第二電極16之光入射側中。注意，可允許將經設置為與至光電轉換層相比更接近於光入射側之各種導線用作光屏蔽層。 注意，在圖41中所圖解說明之實例中，雖然光屏蔽層92形成於第二電極16上方，亦即，雖然光屏蔽層92形成於第一電極11上方作為第二電極16之光入射側，但如圖42中所圖解說明，光屏蔽層可配置於第二電極16之光入射側之表面上。另外，在某些情形中，如圖43中所圖解說明，光屏蔽層92可形成於第二電極16中。 另一選擇係，可提供其中光自第二電極16側入射且無光入射於第一電極11上之一結構。具體而言，如圖41中所圖解說明，光屏蔽層92形成於第一電極11上方作為第二電極16之光入射側。另一選擇係，如圖45中所圖解說明，可提供一結構，在該結構中一晶片上微透鏡90設置於電荷儲存電極12及第二電極16上方，且入射於晶片上微透鏡90上之光收集於電荷儲存電極12中，使得光可並不到達第一電極11。注意，如實例4中所闡述，在其中提供轉移控制電極13之情形中，可能實施其中光並不入射於第一電極11及轉移控制電極13上之一形式。具體而言，如圖44中所圖解說明，可提供其中光屏蔽層92形成於第一電極11及轉移控制電極13上方之一形式。另一選擇係，可提供其中入射於晶片上微透鏡90上之光並不到達第一電極11及轉移控制電極13之一結構。 藉由採用上文所闡述組態及結構，另一選擇係，提供光屏蔽層92使得光僅入射於光電轉換層15之位於電荷儲存電極12上方之部分上，或另一選擇係設計晶片上微透鏡90，由於光電轉換層15之位於第一電極11上方(或位於第一電極11及轉移控制電極13上方)之部分並不促成光電轉換，因此可能同時較可靠地重設全部像素，使得可能較容易地實施一全域快門功能。亦即，在用於包含具有上文所闡述組態及結構之複數個成像元件之一固態成像裝置之一驅動方法中，重複以下程序： 同時在所有成像元件中，將電荷儲存於光電轉換層15中，且將第一電極11之電荷射出至外部；及 同時在所有成像元件中，將儲存於光電轉換層15中之電荷轉移至第一電極11，且在完成轉移之後，將轉移至各別成像元件中之第一電極11之電荷依序讀出。 光電轉換層並不限於其中光電轉換層係一個層之組態。舉例而言，當在圖46A中圖解說明實例1中所闡述之成像元件及堆疊型成像元件之一經修改實例時，光電轉換層15可經組態以具有實例1中所闡述之(舉例而言)一下部半導體層15A (其由IGZO製成)及一上部光電轉換層15B (其由構成光電轉換層15之一材料製成)之一堆疊層結構。以此方式，藉由提供下部半導體層15A，可能在電荷儲存週期中防止重新耦合，使得可能增加儲存於光電轉換層15中之電荷至第一電極11之轉移效率，且可能抑制暗電流之發生。另外，作為實例4之一經修改實例，如圖47中所圖解說明，可自最接近於第一電極11之位置朝向電荷儲存電極12提供複數個轉移控制電極。注意，在圖47中圖解說明其中提供兩個轉移控制電極13A及13B之一實例。 如圖46B至圖46D中所繪示，絕緣層82可包含多個層82E及82F。舉例而言，可存在絕緣材料82之介於電荷儲存電極12與光電轉換層15之間的一第一區域，且可存在絕緣材料82之介於電荷儲存電極12與第一電極11之間的一第二區域。在某些實施例中，絕緣材料之第二區域包含一第一絕緣層82E (其包含絕緣材料)及一第二絕緣層82F (其包含絕緣材料)，且第一絕緣材料82F堆疊於第二絕緣材料82E上。圖46B至圖46D進一步繪示關於絕緣層82之各種組態(例如，層82E及82F之組態改變)。 在上文中所闡述之各種經修改實例可適當地應用於實例1或其他實例。 在實例中，雖然將電子設定為信號電荷且將形成於半導體基板中之光電轉換層之導電類型設定為n型，但本發明可應用於其中將電洞設定為信號電荷之一固態成像裝置。在此情形中，每一半導體區域可組態為具有相反導電類型之一半導體區域，且形成於半導體基板中之光電轉換層之導電類型可為p型。 另外，在實例中，雖然在說明中例示應用於CMOS型固態成像裝置(其中根據作為一物理量之入射光量而偵測信號電荷之單位像素被配置成一矩陣形狀)之情形，但本發明並不限於應用於CMOS型固態成像裝置，而是本發明可應用於一CCD型固態成像裝置。在後一情形中，信號電荷藉由具有CCD型結構之一垂直轉移暫存器而在垂直方向上轉移，且信號電荷藉由一水平轉移暫存器而在水平方向上轉移以被放大，使得輸出一像素信號(影像信號)。另外，本發明並不限於其中像素形成為一個二維矩陣形狀且針對各別像素行配置行信號處理電路之整體行型固態成像裝置。此外，在某些情形中，可省略選擇電晶體。 此外，本發明之成像元件及堆疊型成像元件並不限於應用於偵測可見光之入射光量之一分佈以將該分佈成像為一影像之固態成像裝置，而是本發明之成像元件及堆疊型成像元件亦可應用於將紅外線、X射線、粒子或諸如此類之入射量之一分佈成像為一影像之一固態成像裝置。另外，在一廣泛意義上，本發明之成像元件及堆疊型成像元件可應用於偵測另一物理量(諸如壓力或靜電電容)之一分佈以將該分佈成像為一影像之整體固態成像裝置(物理量分佈偵測裝置)，諸如一指紋偵測感測器。 此外，本發明並不限於以一列為單位依序掃描成像區域之單位像素以自單位像素讀出像素信號之一固態成像裝置。本發明可應用於以一像素為單位任意地選擇像素且以一像素為單位自選擇像素讀出像素信號之一X-Y位址類型固態成像裝置。固態成像裝置可形成一個晶片，或固態成像裝置可形成為具有一成像功能之一模組形狀，其中共同地封裝一成像區域、一驅動電路或一光學系統。 另外，本發明並不限於應用於固態成像裝置，而是本發明可應用於一成像裝置。本文中，成像裝置表示一相機系統(諸如一數位靜態相機或一視訊攝影機)或一電子設備(諸如具有一成像功能之一行動電話)。在某些情形中，本發明可實施為將被安裝於一電子設備上之一模組狀形式，亦即，一相機模組。 在圖48之一概念圖式中圖解說明其中將組態有本發明之成像元件或堆疊型成像元件之一固態成像裝置201用於一電子設備(相機) 200之一實例。電子設備200包含一固態成像裝置201、一光學透鏡210、一快門裝置211、一驅動電路212及一信號處理電路213。光學透鏡210在固態成像裝置201之一成像地點上形成來自一對象之影像光(入射光)之一影像。因此，信號電荷儲存於固態成像裝置201中達一特定週期。快門裝置211控制固態成像裝置201之一光照明週期及一光屏蔽週期。驅動電路212供應驅動信號以用於控制固態成像裝置201之一轉移操作及快門裝置211之一快門操作。根據自驅動電路212供應之驅動信號(時序信號)，執行固態成像裝置201之信號轉移。信號處理電路213執行各種信號處理。將經受信號處理之一影像信號儲存於一儲存媒體(諸如一記憶體)中或輸出至一監視器。在電子設備200中，由於改良固態成像裝置201之像素大小及轉移效率，因此可能達成其像素特性經改良之電子設備200。固態成像裝置201可應用於的電子設備200並不限於相機，而是電子設備可應用於用於一行動設備(諸如一行動電話)之一成像裝置(諸如一數位靜態相機或一相機模組)。 熟習此項技術者應理解，可取決於設計要求及其他因素做出各種修改、組合、子組合及變更，只要其屬於隨附申請專利範圍或其等效內容之範疇內。 此外，舉例而言，本技術可具有以下組態。 (1)一種成像裝置，其包含： 一基板，其包含一第一光電轉換單元；及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處，該第二光電轉換單元包含：一光電轉換層；一第一電極；一第二電極，其位於該光電轉換層上方；一第三電極；及一絕緣材料，其介於該第三電極與該光電轉換層之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該第三電極之間。 (2)根據上文(1)之成像裝置，其進一步包含：該絕緣材料之一第一區域，該第一區域介於該第三電極與該光電轉換層之間；該絕緣材料之一第二區域，該第二區域介於該第三電極與該第一電極之間，其中該絕緣材料之該第二區域包含具有該絕緣材料之一第一絕緣層及具有該絕緣材料之一第二絕緣層，且其中第一絕緣材料堆疊於第二絕緣材料上。 (3)根據上文(2)之成像裝置，其中該第二區域中之該第一絕緣層之一部分介於該第一電極與該光電轉換層之間。 (4)根據上文(3)之成像裝置，其中該第一區域與該第二區域包含不同數目個具有該絕緣材料之絕緣層。 (5)根據上文(1)至(4)中任一者之成像裝置，其進一步包含一轉移控制電極，該轉移控制電極介於該第一電極與該第三電極之間。 (6)根據上文(5)之成像裝置，其中在一電荷儲存操作期間，施加至該轉移控制電極之一電位小於施加至該第三電極之一電位。 (7)根據上文(5)至(6)中任一者之成像裝置，其中該基板包含一第三光電轉換單元，且其中該第一光電轉換單元、該第二光電轉換單元及該第三光電轉換單元中之每一者耦合至分開之信號線。 (8)根據上文(1)至(7)中任一者之成像裝置，其進一步包含一電荷射出電極，該電荷射出電極與該第一電極及該第三電極分離且分開，其中該光電轉換層接觸該電荷射出電極。 (9)根據上文(8)之成像裝置，其中該電荷射出電極環繞該第一電極及該第三電極。 (10)根據上文(1)至(9)中任一者之成像裝置，其進一步包含複數個第三電極分段。 (11)根據上文(10)之成像裝置，其中位於最接近於該第一電極之一位置處之一第三電極分段之一電位大於位於距該第一電極最遠之一位置處之一第三電極分段之一電位。 (12)根據上文(1)至(11)中任一者之成像裝置，其中該光電轉換層包含一堆疊層結構，該堆疊層結構包含一下部半導體層及一上部光電轉換層。 (13)根據上文(12)之成像裝置，其中位於該第三電極上方之該下部半導體層之一材料組合物不同於位於該第一電極上方之該下部半導體層之一材料組合物。 (14)根據上文(12)至(13)中任一者之成像裝置，其中該下部半導體層包含一種含銦氧化物。 (15)根據上文(1)至(14)中任一者之成像裝置，其中在一電荷儲存週期期間，施加至該第三電極之一電位大於施加至該第一電極之一電位。 (16)根據上文(1)至(15)中任一者之成像裝置，其中該絕緣材料之至少一部分安置於該第一電極上方。 (17)根據上文(16)之成像裝置，其中隨著該第一電極與該第三電極之間的一距離減小，介於該第一電極之上部表面與該光電轉換層之間的該絕緣材料之一厚度在該第一電極之一第三電極側處增加。 (18)根據上文(1)至(17)中任一者之成像裝置，其中該成像裝置係一背面照明型成像裝置。 (19)一種電子設備，其包含：一成像裝置，該成像裝置包含：一基板，其包含一第一光電轉換單元；及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處，該第二光電轉換單元包含：一光電轉換層；一第一電極；一第二電極，其位於該光電轉換層上方；一第三電極；及一絕緣材料，其介於該第三電極與該光電轉換層之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該第三電極之間；一透鏡，其經組態以將光引導至該成像裝置之一表面上；及電路，其經組態以控制來自該成像裝置之輸出信號。 (20)一種驅動一成像裝置之方法，該方法包含：在一充電週期期間將一第一電位施加至一電荷儲存電極；在一充電週期期間將一第二電位施加至一第一電極，其中該第一電位大於該第二電位；在一電荷轉移週期期間將一第三電位施加至該電荷儲存電極；及在該電荷轉移週期期間將一第四電位施加至該第一電極，其中該第四電位大於該第三電位，且其中，該成像裝置包含：一基板，其包含一第一光電轉換單元；及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處，該第二光電轉換單元包含：一光電轉換層；該第一電極；一第二電極，其位於該光電轉換層上方；該電荷儲存電極；及一絕緣材料，其介於該電荷儲存電極與該光電轉換層之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該電荷儲存電極之間。 (A01) ＜＜成像元件＞＞ 一種成像裝置，其包含： 一光電轉換單元，其藉由堆疊一第一電極、一光電轉換層及一第二電極而組態， 其中該光電轉換單元進一步包含一電荷儲存電極，該電荷儲存電極經配置以與該第一電極分離且經配置以透過一絕緣層而面向該光電轉換層。 (A02) 根據(A01)之成像元件，其進一步包含一半導體基板， 其中該光電轉換單元配置於該半導體基板上方。 (A03] 根據(A01)或(A02)之成像元件，其中該第一電極延伸於設置至該絕緣層之一開口部分中以連接至該光電轉換層。 (A04) 根據(A01)或(A02)之成像元件，其中該光電轉換層延伸於設置至該絕緣層之一開口部分中以連接至該第一電極。 (A05) 根據(A04)之成像元件， 其中該第一電極之一頂部表面之一邊緣覆蓋有該絕緣層， 該第一電極曝露於該開口部分之一底部表面，且 當該絕緣層之與該第一電極之該頂部表面接觸之一表面由一第一表面界定且該絕緣層之與該光電轉換層之一部分(其面向該電荷儲存電極)接觸之一表面由一第二表面界定時，該開口部分之一側表面具有自該第一表面朝向該第二表面擴展之一斜坡。 (A06) 根據(A05)之成像元件，其中該開口部分之具有自該第一表面朝向該第二表面擴展之該斜坡之該側表面位於一電荷儲存電極側中。 (A07) ＜＜對第一電極及電荷儲存電極之電位之控制＞＞ 根據(A01)至(A06)中任一者之成像元件，其進一步包含一控制單元，該控制單元設置至一半導體基板且包含一驅動電路， 其中該第一電極及該電荷儲存電極連接至該驅動電路， 在一電荷儲存週期中，自該驅動電路，將一電位V 11施加至該第一電極且將一電位V 12施加至該電荷儲存電極，使得電荷被儲存於該光電轉換層中，且 在一電荷轉移週期中，自該驅動電路，將一電位V 21施加至該第一電極且將一電位V 22施加至該電荷儲存電極，使得儲存於該光電轉換層中之該等電荷透過該第一電極而被讀出至該控制單元， 在其中該第一電極之一電位高於該第二電極之一電位之情形中， V 12≥ V 11，且V 22＜ V 21，且 在其中該第一電極之該電位低於該第二電極之該電位之情形中， V 12≤ V 11且V 22＞ V 21。 (A08) ＜＜轉移控制電極＞＞ 根據(A01)至(A06)中任一者之成像元件，其進一步包含一轉移控制電極，該轉移控制電極配置於該第一電極與該電荷儲存電極之間、將與該第一電極及該電荷儲存電極分離且經配置以透過該絕緣層而面向該光電轉換層。 (A09) ＜＜對第一電極、電荷儲存電極及轉移控制電極之電位之控制＞＞ 根據(A08)之成像元件，其進一步包含一控制單元，該控制單元設置至一半導體基板且包含一驅動電路， 其中該第一電極、該電荷儲存電極及該轉移控制電極連接至該驅動電路， 在一電荷儲存週期中，自該驅動電路，將一電位V 11施加至該第一電極、將一電位V 12施加至該電荷儲存電極且將一電位V 13施加至該轉移控制電極，使得電荷被儲存於該光電轉換層中，且 在一電荷轉移週期中，自該驅動電路，將一電位V 21施加至該第一電極、將一電位V 22施加至該電荷儲存電極且將一電位V 23施加至該轉移控制電極，使得儲存於該光電轉換層中之該等電荷透過該第一電極而被讀出至該控制單元， 在其中該第一電極之一電位高於該第二電極之一電位之情形中， V 12＞ V 13且V 22≤ V 23≤ V 21，且 在其中該第一電極之該電位低於該第二電極之該電位之情形中， V 12＜ V 13且V 22≥ V 23≥ V 21。 (A10) ＜＜電荷射出電極＞＞ 根據(A01)至(A09)中任一者之成像元件，其進一步包含一電荷射出電極，該電荷射出電極連接至該光電轉換層且經配置以與該第一電極及該電荷儲存電極分離。 (A11) 根據(A10)之成像元件，其中該電荷射出電極經配置以環繞該第一電極及該電荷儲存電極。 (A12) 根據(A10)或(A11)之成像元件， 其中該光電轉換層延伸於設置至該絕緣層之一第二開口部分中以連接至該電荷射出電極， 該電荷射出電極之一頂部表面之一邊緣覆蓋有該絕緣層， 該電荷射出電極曝露於該第二開口部分之一底部表面，且 當該絕緣層之與該電荷射出電極之該頂部表面接觸之一表面由一第三表面界定且該絕緣層之與該光電轉換層之一部分(其面向該電荷儲存電極)接觸之一表面由一第二表面界定時，該第二開口部分之一側表面具有自該第三表面朝向該第二表面擴展之一斜坡。 (A13) ＜＜對第一電極、電荷儲存電極及電荷射出電極之電位之控制＞＞ 根據(A10)至(A12)中任一者之成像元件，其進一步包含一控制單元，該控制單元設置至半導體基板且具有一驅動電路， 其中該第一電極、該電荷儲存電極及該電荷射出電極連接至該驅動電路， 在一電荷儲存週期中，自該驅動電路，將一電位V 11施加至該第一電極、將一電位V 12施加至該電荷儲存電極且將一電位V 14施加至該電荷射出電極，使得電荷被儲存於光電轉換層中， 在一電荷轉移週期中，自該驅動電路，將一電位V 21施加至該第一電極、將一電位V 22施加至該電荷儲存電極且將一電位V 24施加至該電荷射出電極，使得儲存於該光電轉換層中之該等電荷透過該第一電極而被讀出至該控制單元， 在其中該第一電極之一電位高於該第二電極之一電位之情形中， V 14＞ V 11且V 24＜ V 21，且 在其中該第一電極之該電位低於該第二電極之該電位之情形中， V 14＜ V 11且V 24＞ V 21. (A14) ＜＜電荷儲存電極分段＞＞ 根據(A01)至(A13)中任一者之成像元件，其中該電荷儲存電極組態有複數個電荷儲存電極分段。 (A15) 根據(A14)之成像元件，其中在其中該第一電極之一電位高於該第二電極之一電位之情形中，在一電荷轉移週期中，施加至位於最接近於該第一電極之位置處之該電荷儲存電極分段之一電位高於施加至位於距該第一電極最遠之位置處之該電荷儲存電極分段之一電位，且在其中該第一電極之該電位低於該第二電極之該電位之情形中，在電荷轉移週期中，施加至位於最接近於該第一電極之該位置處之該電荷儲存電極分段之該電位低於施加至位於距該第一電極最遠之該位置處之該電荷儲存電極分段之該電位。 (B01) 根據(A01)至(A15)中任一者之成像元件， 其中構成一控制單元之至少一浮動擴散層及一放大電晶體設置至一半導體基板，且 該第一電極連接至該浮動擴散層及該放大電晶體之一閘極部分。 (B02) 根據(B01)成像元件， 其中構成該控制單元之一重設電晶體及一選擇電晶體進一步設置至該半導體基板， 該浮動擴散層連接至該重設電晶體之一個源極/汲極區域，且 該放大電晶體之一個源極/汲極區域連接至該選擇電晶體　一個源極/汲極區域，且該選擇電晶體之另一源極/汲極區域連接至一信號線。 (B03) 根據(A01)至(B02)中任一者之成像元件，其中該電荷儲存電極大於該第一電極。 (B04) 根據(A01)至(B03)中任一者之成像元件，其中光自一第二電極側入射，且一光屏蔽層形成於該第二電極之一光入射側中。 (B05) 根據(A01)至(B03)中任一者之成像元件，其中光自一第二電極側入射，且光並不入射於該第一電極上。 (B06) 根據(B05)之成像元件，其中一光屏蔽層形成於該第一電極上方作為該第二電極之一光入射側。 (B07) 根據(B05)之成像元件， 其中一晶片上微透鏡設置於該電荷儲存電極及該第二電極上方，且 在該電荷儲存電極中收集入射於該晶片上微透鏡上之光。 (C01) ＜＜堆疊型成像元件＞＞ 一種堆疊型成像元件，其包含根據(A01)至(B07)中任一者之至少一個成像元件。 (D01) ＜＜固態成像裝置…第一實施例＞＞ 一種固態成像裝置，其包含根據(A01)至(B04)中任一者之複數個成像元件。 (D02) ＜＜固態成像裝置…第二實施例＞＞ 一種固態成像裝置，其包含根據(C01)之複數個堆疊型成像元件。 (E01) ＜＜用於固態成像裝置之驅動方法＞＞ 一種用於一固態成像裝置之驅動方法，該固態成像裝置具有複數個成像元件，該複數個成像元件具有一結構，其中 包含一光電轉換單元，其藉由堆疊一第一電極、一光電轉換層及一第二電極而組態， 該光電轉換單元進一步包含一電荷儲存電極，該電荷儲存電極經配置以與該第一電極分離且經配置以透過一絕緣層而面向該光電轉換層，且 光自一第二電極側入射，且光並不入射於該第一電極上，該驅動方法包含重複地進行以下操作： 同時在所有成像元件中，將電荷儲存於該光電轉換層中，且將該第一電極之電荷射出至外部； 同時在所有成像元件中，將儲存於該光電轉換層中之電荷轉移至該第一電極；及 在完成該轉移之後，將轉移至各別成像元件中之第一電極之電荷依序讀出。
11:第一電極 12:電荷儲存電極 12A:電荷儲存電極分段 12B:電荷儲存電極分段 12C:電荷儲存電極分段 13:轉移控制電極/電荷轉移電極 13A:轉移控制電極/電荷轉移電極 13B:轉移控制電極/電荷轉移電極 14:電荷射出電極 15:光電轉換層 15A:下部半導體層 15B:上部光電轉換層 16:第二電極 41:n型半導體區域/構成第二成像元件之n型半導體區域 42:p+層 43:n型半導體區域/構成第三成像元件之n型半導體區域 44:p+層 45:閘極部分/轉移電晶體之閘極部分 45C:區域/浮動擴散層 46:閘極部分/轉移電晶體之閘極部分 46A:轉移通道 46C:區域/浮動擴散層 51:閘極部分/重設電晶體TR1 rst之閘極部分 51A:通道形成區域/重設電晶體TR1 rst之通道形成區域 51B:源極/汲極區域/重設電晶體TR1 rst之源極/汲極區域 51C:源極/汲極區域/重設電晶體TR1 rst之源極/汲極區域 52:閘極部分/放大電晶體TR1 amp之閘極部分 52A:通道形成區域/放大電晶體TR1 amp之通道形成區域 52B:源極/汲極區域/放大電晶體TR1 amp之源極/汲極區域 52C:源極/汲極區域/放大電晶體TR1 amp之源極/汲極區域 53:閘極部分/選擇電晶體TR1 sel之閘極部分 53A:通道形成區域/選擇電晶體TR1 sel之通道形成區域 53B:源極/汲極區域/選擇電晶體TR1 sel之源極/汲極區域 53C:源極/汲極區域/選擇電晶體TR1 sel之源極/汲極區域 61:接觸孔部分 62:導線層 63:墊部分 64:墊部分 65:連接孔 66:連接孔 67:連接部分 68A:墊部分 68B:連接孔 69:連接部分 70:半導體基板/矽半導體層 70A:第一表面/前表面/表面/第一表面(前表面)半導體基板 70B:後表面/第二表面(後表面)半導體基板 71:元件隔離區域 72:氧化物膜 73:p+層 74:HfO 2膜 75:絕緣膜 76:層間絕緣層 77:層間絕緣層 78:層間絕緣層 81:層間絕緣層 82:絕緣層/絕緣材料 82a:第一表面/絕緣層之第一表面 82b:第二表面/絕緣層之第二表面 82c:第三表面/絕緣層之第三表面 82E:層/第一絕緣層/絕緣層 82F:層/第二絕緣層 83:保護層 84:開口部分 84B:開口部分 84C:開口部分 85:第二開口部分 85A:第二開口部分 90:晶片上微透鏡 91:成像元件之位於層間絕緣層81下方之各種組件 92:光屏蔽層 100:固態成像裝置 101:堆疊型成像元件 111:成像區域 112:垂直驅動電路 113:行信號處理電路 114:水平驅動電路 115:輸出電路 116:驅動控制電路 117:信號線/資料輸出線 118:水平信號線 200:電子設備/相機 201:固態成像裝置 210:光學透鏡 211:快門裝置 212:驅動電路 213:信號處理電路 310:第一成像元件 311:第一光電轉換單元/第一電極 315:光電轉換層 316:第二電極 317:閘極部分 318:閘極部分 320:第二成像元件 321:第二光電轉換單元 322:閘極部分 330:第三成像元件 331:第三光電轉換單元 332:閘極部分 361:接觸孔部分 362:導線層 370:半導體基板 371:元件隔離區域 372:氧化物膜 376:層間絕緣層 381:層間絕緣層 383:保護層 390:晶片上微透鏡 FD:電位 FD 1:第一浮動擴散層/浮動擴散層 FD 2:第二浮動擴散層/浮動擴散層 FD 3:第三浮動擴散層/浮動擴散層 PA:點/電位 PB:點/電位 PC:點/電位 PD:點/電位 RST:電位 RST 1:重設線 RST 2:重設線 RST 3:重設線 SEL 1:選擇線 SEL 2:選擇線 SEL 3:選擇線 TG 2:轉移閘極線 TG 3:轉移閘極線 TR1_amp:放大電晶體TR1 ampTR1_rst:重設電晶體TR1 rstTR1_sel:選擇電晶體TR1 selTR1 amp:放大電晶體 TR1 rst:重設電晶體 TR1 sel:選擇電晶體 TR1 SEL:選擇電晶體 TR2 amp:放大電晶體 TR2 rst:重設電晶體 TR2 sel:選擇電晶體 TR2 trs:轉移電晶體 TR3 amp:放大電晶體 TR3 rst:重設電晶體 TR3 sel:選擇電晶體 TR3 trs:轉移電晶體 V DD:電源 VDD:電位 V OA:導線 VOA:電位 VOA-A:電位 VOA-B:電位 VOA-C:電位 V OT:導線 VOT:電位 V OU:導線 VSL_1:信號線(資料輸出線) VSL 1VSL 1:信號線/資料輸出線 VSL 2:信號線/資料輸出線 VSL 3:信號線/資料輸出線
[圖1A至圖1D] 圖1A至圖1D係實例1之一成像元件及一堆疊型成像元件之示意性部分剖面圖。 [圖2] 圖2係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之一等效電路圖。 [圖3] 圖3係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之一等效電路圖。 [圖4] 圖4係構成實例1之成像元件之一第一電極及一電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖。 [圖5] 圖5係圖解說明處於實例1之成像元件之一操作週期中之組件之電位狀態的一圖式。 [圖6] 圖6係構成實例1之成像元件之第一電極及電荷儲存電極之一示意性佈局圖。 [圖7] 圖7係構成實例1之成像元件之第一電極、電荷儲存電極、一第二電極及一接觸孔部分之一示意性透視圖。 [圖8] 圖8係實例1之一固態成像裝置之一概念圖式。 [圖9] 圖9係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之一經修改實例之一等效電路圖。 [圖10] 圖10係圖9中所圖解說明之構成實例1之成像元件之經修改實例之一第一電極及一電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖。 [圖11] 圖11係實例2之一成像元件及一堆疊型成像元件之一示意性部分剖面圖。 [圖12] 圖12係實例3之一成像元件及一堆疊型成像元件之一示意性部分剖面圖。 [圖13] 圖13係實例3之成像元件及堆疊型成像元件之一經修改實例之一示意性部分剖面圖。 [圖14] 圖14係實例3之成像元件之另一經修改實例之一示意性部分剖面圖。 [圖15A至圖15D] 圖15A至圖15D係實例3之成像元件之另一經修改實例之示意性部分剖面圖。 [圖16] 圖16係實例4之一成像元件及一堆疊型成像元件之一部分之一示意性部分剖面圖。 [圖17] 圖17係實例4之成像元件及堆疊型成像元件之一等效電路圖。 [圖18] 圖18係實例4之成像元件及堆疊型成像元件之一等效電路圖。 [圖19] 圖19係構成實例4之成像元件之一第一電極、一轉移控制電極及一電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖。 [圖20] 圖20係圖解說明處於實例4之成像元件之一操作週期中之組件之電位狀態的一圖式。 [圖21] 圖21係圖解說明處於實例4之成像元件之另一操作週期中之組件之電位狀態的一圖式。 [圖22] 圖22係構成實例4之成像元件之第一電極、轉移控制電極及電荷儲存電極之一示意性佈局圖。 [圖23] 圖23係構成實例4之成像元件之第一電極、轉移控制電極、電荷儲存電極及一第二電極以及一接觸孔部分之一示意性透視圖。 [圖24] 圖24係構成實例4之成像元件之一經修改實例之一第一電極、一轉移控制電極及一電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖。 [圖25] 圖25係實例5之一成像元件及一堆疊型成像元件之一部分之一示意性部分剖面圖。 [圖26] 圖26係構成實例5之成像元件之一第一電極、一電荷儲存電極及一電荷射出電極之一示意性佈局圖。 [圖27] 圖27係構成實例5之成像元件之第一電極、電荷儲存電極、電荷射出電極、一第二電極及一接觸孔部分之一示意性透視圖。 [圖28] 圖28係實例6之一成像元件及一堆疊型成像元件之一部分之一示意性部分剖面圖。 [圖29] 圖29係實例6之成像元件及堆疊型成像元件之一等效電路圖。 [圖30] 圖30係實例6之成像元件及堆疊型成像元件之一等效電路圖。 [圖31] 圖31係構成實例6之成像元件之一第一電極及一電荷儲存電極以及構成一控制單元之電晶體之一示意性佈局圖。 [圖32] 圖32係圖解說明處於實例6之成像元件之一操作週期中之組件之電位狀態的一圖式。 [圖33] 圖33係圖解說明處於實例6之成像元件之另一操作週期(轉移週期)中之組件之電位狀態的一圖式。 [圖34] 圖34係構成實例6之成像元件之第一電極及電荷儲存電極之一示意性佈局圖。 [圖35] 圖35係構成實例6之成像元件之第一電極、電荷儲存電極、一第二電極及一接觸孔部分之一示意性透視圖。 [圖36] 圖36係構成實例6之成像元件之一經修改實例之一第一電極及一電荷儲存電極之一示意性佈局圖。 [圖37] 圖37係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之一示意性部分剖面圖。 [圖38] 圖38係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之一示意性部分剖面圖。 [圖39A至圖39C] 圖39A、圖39B及圖39C係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之一第一電極及諸如此類之一部分的示意性放大部分剖面圖。 [圖40] 圖40係實例5之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之一電荷射出電極及諸如此類之一部分的一示意性放大部分剖面圖。 [圖41] 圖41係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之一示意性部分剖面圖。 [圖42] 圖42係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之一示意性部分剖面圖。 [圖43] 圖43係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之一示意性部分剖面圖。 [圖44] 圖44係實例4之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之一示意性部分剖面圖。 [圖45] 圖45係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之一示意性部分剖面圖。 [圖46A至圖46D] 圖46A至圖46D係實例1之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之示意性部分剖面圖。 [圖47] 圖47係實例4之成像元件及堆疊型成像元件之另一經修改實例之一示意性部分剖面圖。 [圖48] 圖48係根據本發明之一實施例之使用組態有成像元件及堆疊型成像元件之一固態成像裝置之一電子設備(相機)之一實例的一概念圖式。 [圖49] 圖49係相關技術中之一堆疊型成像元件(堆疊型固態成像裝置)之一概念圖式。
11:第一電極
12:電荷儲存電極
15:光電轉換層
16:第二電極
41:n型半導體區域/構成第二成像元件之n型半導體區域
42:p+層
43:n型半導體區域/構成第三成像元件之n型半導體區域
44:p+層
45:閘極部分/轉移電晶體之閘極部分
45C:區域/浮動擴散層
46:閘極部分/轉移電晶體之閘極部分
46A:轉移通道
46C:區域/浮動擴散層
51:閘極部分/重設電晶體TR1rst之閘極部分
51A:通道形成區域/重設電晶體TR1rst之通道形成區域
51B:源極/汲極區域/重設電晶體TR1rst之源極/汲極區域
51C:源極/汲極區域/重設電晶體TR1rst之源極/汲極區域
52:閘極部分/放大電晶體TR1amp之閘極部分
52A:通道形成區域/放大電晶體TR1amp之通道形成區域
52B:源極/汲極區域/放大電晶體TR1amp之源極/汲極區域
52C:源極/汲極區域/放大電晶體TR1amp之源極/汲極區域
53:閘極部分/選擇電晶體TR1sel之閘極部分
53A:通道形成區域/選擇電晶體TR1sel之通道形成區域
53B:源極/汲極區域/選擇電晶體TR1sel之源極/汲極區域
53C:源極/汲極區域/選擇電晶體TR1sel之源極/汲極區域
61:接觸孔部分
62:導線層
63:墊部分
64:墊部分
65:連接孔
66:連接孔
67:連接部分
70:半導體基板/矽半導體層
70A:第一表面/前表面/表面/第一表面(前表面)半導體基板
70B:後表面/第二表面(後表面)半導體基板
71:元件隔離區域
72:氧化物膜
73:p+層
74:HfO2膜
75:絕緣膜
76:層間絕緣層
81:層間絕緣層
82:絕緣層/絕緣材料
82E:層/第一絕緣層/絕緣層
82F:層/第二絕緣層
83:保護層
84:開口部分
90:晶片上微透鏡
TR1amp:放大電晶體
TR1rst:重設電晶體
TR1SEL:選擇電晶體
TR2trs:轉移電晶體
TR3trs:轉移電晶體

Claims (18)

  1. 一種光偵測裝置，其包括：一基板，其包含一第一光電轉換單元；及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處，該第二光電轉換單元包含：一光電轉換層，一第一電極，一第二電極，其位於該光電轉換層上方，一第三電極，一絕緣材料，其介於該第三電極與該光電轉換層之間，及一轉移控制電極，其介於該第一電極與該第三電極之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該第三電極之間，其中該第一電極電連接至該光電轉換層，其中該第三電極與該光電轉換層絕緣，且其中該轉移控制電極與該光電轉換層絕緣。
  2. 如請求項1之光偵測裝置，其進一步包括：該絕緣材料之一第一區域，該第一區域介於該第三電極與該光電轉換層之間；及該絕緣材料之一第二區域，該第二區域介於該第三電極與該第一電極之間，其中該絕緣材料之該第二區域包含具有該絕緣材料之一第一絕緣層及具有該絕緣材料之一第二絕緣層，且其中第一絕緣材料堆疊於第二絕 緣材料上。
  3. 如請求項2之光偵測裝置，其中該第二區域中之該第一絕緣層之一部分介於該第一電極與該光電轉換層之間。
  4. 如請求項2之光偵測裝置，其中該第一區域與該第二區域包含不同數目個具有該絕緣材料之絕緣層。
  5. 如請求項1之光偵測裝置，其中在一電荷儲存操作期間，施加至該轉移控制電極之一電位小於施加至該第三電極之一電位。
  6. 如請求項1之光偵測裝置，其中該基板包含一第三光電轉換單元，且其中該第一光電轉換單元、該第二光電轉換單元及該第三光電轉換單元中之每一者耦合至分開之信號線。
  7. 如請求項1之光偵測裝置，其進一步包括：一電荷射出電極，其與該第一電極及該第三電極分離且分開，其中該光電轉換層接觸該電荷射出電極。
  8. 如請求項7之光偵測裝置，其中該電荷射出電極環繞該第一電極及該第三電極。
  9. 如請求項1之光偵測裝置，其進一步包括： 複數個第三電極分段。
  10. 如請求項9之光偵測裝置，其中位於最接近於該第一電極之一位置處之一第三電極分段之一電位大於位於距該第一電極最遠之一位置處之一第三電極分段之一電位。
  11. 如請求項1之光偵測裝置，其中該光電轉換層包含一堆疊層結構，該堆疊層結構包含一下部半導體層及一上部光電轉換層。
  12. 如請求項11之光偵測裝置，其中位於該第三電極上方之該下部半導體層之一材料組合物不同於位於該第一電極上方之該下部半導體層之一材料組合物。
  13. 如請求項1之光偵測裝置，其中在一電荷儲存週期期間，施加至該第三電極之一電位大於施加至該第一電極之一電位。
  14. 如請求項1之光偵測裝置，其中該絕緣材料之至少一部分安置於該第一電極上方。
  15. 如請求項14之光偵測裝置，其中隨著該第一電極與該第三電極之間的一距離減小，介於該第一電極之上部表面與該光電轉換層之間的該絕緣材料之一厚度在該第一電極之一第三電極側處增加。
  16. 如請求項1之光偵測裝置，其中該光偵測裝置係一背面照明型光偵測裝置。
  17. 一種電子設備，其包括：一光偵測裝置，其包含：一基板，其包含一第一光電轉換單元，及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處，該第二光電轉換單元包含：一光電轉換層，一第一電極，一第二電極，其位於該光電轉換層上方，一第三電極，一絕緣材料，其介於該第三電極與該光電轉換層之間，及一轉移控制電極，其介於該第一電極與該第三電極之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該第三電極之間，其中該第一電極電連接至該光電轉換層，其中該第三電極與該光電轉換層絕緣，且其中該轉移控制電極與該光電轉換層絕緣；及一透鏡，其經組態以將光引導至該光偵測裝置之一表面上；以及電路，其經組態以控制來自該光偵測裝置之輸出信號。
  18. 一種驅動一光偵測裝置之方法，該方法包括：在一充電週期期間將一第一電位施加至一電荷儲存電極； 在一充電週期期間將一第二電位施加至一第一電極，其中該第一電位大於該第二電位；在一電荷轉移週期期間將一第三電位施加至該電荷儲存電極；及在該電荷轉移週期期間將一第四電位施加至該第一電極，其中該第四電位大於該第三電位，且其中，該光偵測裝置包含：一基板，其包含一第一光電轉換單元；及一第二光電轉換單元，其位於該基板之一光入射側處，該第二光電轉換單元包含：一光電轉換層，該第一電極，一第二電極，其位於該光電轉換層上方，該電荷儲存電極，一絕緣材料，其介於該電荷儲存電極與該光電轉換層之間，及一轉移控制電極，其介於該第一電極與該第三電極之間，其中該絕緣材料之一部分介於該第一電極與該電荷儲存電極之間，其中該第一電極電連接至該光電轉換層，其中該第三電極與該光電轉換層絕緣，且其中該轉移控制電極與該光電轉換層絕緣。
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