TWI839597B - 偏光板製造廢液之處理方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種偏光板製造廢液之處理方法，其能夠回收對於再利用而言具有充分品質之碘化鉀。
本發明之偏光板製造廢液之處理方法係用於從偏光板製造廢液中回收碘化鉀之方法。該方法包括如下步驟：第一濃縮步驟，其將偏光板製造廢液蒸發濃縮，生成主要包含含硼化合物及聚乙烯醇之第一析出物；第一固液分離步驟，其對第一析出物進行固液分離而生成第一濾液；第二濃縮步驟，其對第一濾液進行蒸發濃縮，生成主要包含碘化鉀之第二析出物；第二固液分離步驟，其對第二析出物進行固液分離而生成第二濾液；濾液排出步驟，其將第二濾液之至少一部分排出至系外；以及回收步驟，其從所分離之第二析出物中回收碘化鉀。
Description
本發明係關於一種偏光板製造廢液之處理方法。更詳細而言，本發明係關於一種從在偏光板之製造中產生之廢液中回收碘化鉀之偏光板製造廢液之處理方法。
在偏光板之製造中，染色、交聯及拉伸步驟等中大量使用碘、碘化鉀(KI)、含硼化合物(例如硼酸)。因此，於偏光板之製造中產生之廢液(以下稱為偏光板製造廢液)中包含一定量以上之此種化合物。近年來，從環境問題、可持續開發等觀點出發，研究了從偏光板製造廢液中回收KI，並對所回收之KI加以再利用。但是，此種回收KI中之含硼化合物未被充分降低，存在對於再利用而言品質不充分之問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-314864號公報
[專利文獻2]日本專利特開2006-231325號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係為了解決上述先前問題而完成者，其主要目的在於，提供一種能夠回收對於再利用而言具有充分品質之碘化鉀之偏光板製造廢液之處理方法。
[解決問題之技術手段]
本發明之實施方式之偏光板製造廢液之處理方法係用於從偏光板製造廢液中回收碘化鉀之方法。偏光板製造廢液之處理方法包括如下步驟：第一濃縮步驟，其將偏光板製造廢液蒸發濃縮，生成主要包含含硼化合物及聚乙烯醇之第一析出物；第一固液分離步驟，其從包含該第一析出物之偏光板製造廢液中固液分離出該第一析出物，生成第一濾液；第二濃縮步驟，其對該第一濾液進行蒸發濃縮，生成主要包含碘化鉀之第二析出物；第二固液分離步驟，其從包含該第二析出物之該第一濾液中固液分離出該第二析出物，生成第二濾液；濾液排出步驟，其將該第二濾液之至少一部分排出至系外；以及回收步驟，其從所分離之該第二析出物中回收碘化鉀。
於一實施方式中，上述偏光板製造廢液之處理方法進而包括如下步驟：水溶液製備步驟，其將上述第二析出物溶解於水，製備主要包含碘化鉀之水溶液；第三濃縮步驟，其將該水溶液蒸發濃縮，生成以比該第二析出物更高之純度包含碘化鉀之第三析出物；以及第三固液分離步驟，其從包含該第三析出物之該水溶液中固液分離出該第三析出物；上述回收步驟包括從所分離之該第三析出物中回收碘化鉀。
於一實施方式中，上述偏光板製造廢液之處理方法包括：向未被排出到系外之上述第二濾液中補充上述第一濾液，將該補充後之液體供於上述第二濃縮步驟。
於一實施方式中，上述回收後之碘化鉀中之硼濃度為0.01重量%以下。
於一實施方式中，上述偏光板製造廢液之處理方法在上述第一濃縮步驟與上述第一固液分離步驟之間進而包括冷卻晶析步驟，其對蒸發濃縮後之上述偏光板製造廢液進行冷卻晶析。
[發明之效果]
根據本發明之實施方式，可實現能夠回收對於再利用而言具有充分品質(純度)之碘化鉀之偏光板製造廢液之處理方法。
以下，參照圖式，針對本發明之實施方式進行說明，但本發明不限定於該等實施方式。
圖1係對本發明之一實施方式之偏光板製造廢液之處理方法中可使用之裝置與處理方法之程序進行組合說明之方塊圖。如圖1所示，偏光板製造廢液之處理裝置具備第一濃縮裝置、第一固液分離裝置、第二濃縮裝置及第二固液分離裝置，進而根據需要具備水溶液製備裝置、第三濃縮裝置及第三固液分離裝置。圖示例係具備至第三固液分離裝置為止之形態。於實用方面，偏光板製造廢液之處理裝置於第一濃縮裝置之上游具備原水槽(廢液坑)。偏光板製造廢液之處理裝置根據需要可在第一濃縮裝置與第一固液分離裝置之間進而具備冷卻晶析裝置(未圖示)。以下，說明使用此種偏光板製造廢液之處理裝置之偏光板製造廢液之處理方法之代表例。
首先，將偏光板製造廢液從原水槽導入至第一濃縮裝置，並進行蒸發濃縮(第一濃縮步驟)。偏光板製造廢液係在偏光板之製造中產生之廢液。於偏光板之製造中，染色、交聯及拉伸步驟等中大量使用碘、碘化鉀(KI)、含硼化合物(具有代表性的是硼酸(H3
BO3
))。進而，使用聚乙烯醇(PVA)系樹脂薄膜作為偏光板之坯料。因此，偏光板製造廢液中，具有代表性的是包含碘、KI、含硼化合物(具有代表性的是硼酸(H3
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))、PVA及在偏光板之製造中產生或混入之雜質。KI及H3
BO3
具有代表性的是以離子形態包含在偏光板製造廢液中。偏光板製造廢液之pH值具有代表性的是3.5～8.0。再者，偏光板製造廢液因包含硼酸(H3
BO3
)而通常為酸性，但亦可為中性或弱鹼性(例如pH值為7.0～8.0)。為了抑制處理裝置之腐蝕，亦可向偏光板製造廢液中添加氫氧化鉀等中和劑。
作為第一濃縮裝置，只要能夠藉由蒸發來使偏光板製造廢液濃縮，則可採用任意適當之構成。作為具體例，可例舉出熱泵型、噴射驅動型、蒸汽型、閃蒸型等之蒸發濃縮裝置。第一濃縮裝置可單獨使用，亦可組合使用2個以上。組合使用2個以上之濃縮裝置時，各個濃縮裝置可均為相同類型，亦可組合有不同類型之濃縮裝置。於一實施方式中，可將熱泵型濃縮裝置配置於前段(上游)，並將對利用該裝置濃縮後之偏光板製造廢液進一步進行蒸發濃縮之閃蒸型濃縮裝置配置於後段(下游)。蒸發濃縮具有代表性的是藉由將偏光板製造廢液加熱至特定溫度(例如70℃)而使其水分蒸發來進行。於第一濃縮裝置中生成之水蒸氣藉由基於加熱之自冷凝或者與冷卻水之熱交換而被冷卻，成為冷凝水(未圖示)。為了抑制在偏光板製造廢液之濃縮時發生之游離碘之氧化，可對第一濃縮裝置進行氮氣吹掃。
若偏光板製造廢液於第一濃縮裝置中被濃縮，則該廢液所包含之含硼化合物(具有代表性的是硼酸(H3
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))析出。廢液所包含之含硼化合物實質上為硼酸，因此，以下以硼酸作為代表例來說明機理。圖2係用相對於溶液之重量%來表示KI及H3
BO3
之互溶度之圖。向第一濃縮裝置中導入時之偏光板製造廢液所包含之KI及H3
BO3
之濃度用A點表示之情形時，若將偏光板製造廢液以70℃進行蒸發濃縮，則KI及H3
BO3
之濃度向B點移動。KI及H3
BO3
於從A點移動至B點為止之期間，維持溶解在偏光板製造廢液中之狀態。其後，若一邊維持在70℃一邊對偏光板製造廢液進一步進行蒸發濃縮，則H3
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開始析出，一邊生成H3
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之結晶，KI及H3
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之濃度一邊從B點向C點移動。C點處之濃縮後之偏光板製造廢液中，KI未飽和且濃度高(例如為20重量%以上、圖示例中為約50重量%)，另一方面，H3
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為低濃度(圖示例中為約10重量%)。此外，由於偏光板製造廢液中包含PVA，因此，藉由如上所述將偏光板製造廢液以高溫進行蒸發濃縮，從而PVA例如進一步聚合而呈現膠體狀。其結果，偏光板製造廢液所包含之H3
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及PVA大多形成淤渣。其結果，生成主要包含含硼化合物(具有代表性的是硼酸)及PVA之第一析出物。第一析出物可包含除H3
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及PVA之外之雜質。
繼而，根據需要將包含第一析出物之偏光板製造廢液在配置於第一濃縮裝置與第一固液分離裝置之間之冷卻晶析裝置(未圖示)中進行冷卻晶析(冷卻晶析步驟)。作為冷卻晶析裝置，可採用任意適當之構成。作為具體例，可例舉出夾套式、真空式等之冷卻晶析裝置。冷卻晶析較佳為將偏光板製造廢液冷卻至45℃以下、更佳為40℃以下、進而較佳為30℃以下、尤佳為常溫(例如25℃)附近。藉由進行冷卻晶析，硼酸進一步晶析，因此，偏光板製造廢液中之硼酸濃度會進一步降低。更詳細而言，圖2中，移動至C點為止之KI及H3
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之濃度藉由冷卻至25℃為止之冷卻晶析而移動至D點，藉此，硼酸進一步晶析(圖示例中，D點處之硼酸濃度為5重量%以下)。再者，於第一濃縮步驟中，偏光板製造廢液中之H3
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濃度得以充分降低時，可省略冷卻晶析步驟。
繼而，將包含第一析出物之偏光板製造廢液導入至第一固液分離裝置中，從偏光板製造廢液中固液分離出第一析出物(第一固液分離步驟)。藉此，從偏光板製造廢液中去除第一析出物，生成第一濾液。藉由從偏光板製造廢液中去除第一析出物，從而在第一濾液中，H3
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被去除例如60%～90%左右，PVA被去除例如60%～90%左右。作為第一固液分離裝置，可採用任意適當之構成。作為具體例，可例舉出過濾裝置(例如加壓過濾(過濾器加壓)裝置、真空過濾裝置、離心過濾裝置)、離心分離裝置(例如傾析器型離心分離裝置)。
分離得到之第一析出物係以H3
BO3
為主體之結晶，包含PVA及少許之KI結晶。分離得到之第一析出物具有代表性的是被排出至系外。再者，第一析出物(H3
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主體結晶)可藉由例如利用在第一濃縮裝置中生成之冷凝水等進行清洗、回收而於例如半導體、LED等之製造步驟中再利用。此外，由於清洗後之清洗廢液中包含上述KI結晶，因此，亦可將該清洗廢液與上述第一濾液一同導入至後述第二濃縮裝置中。
繼而，將上述得到之第一濾液導入至第二濃縮裝置中，進行蒸發濃縮(第二濃縮步驟)。如上所述，藉由第一濃縮步驟，第一濾液所包含之H3
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及PVA濃度充分降低，第一濾液中以高濃度溶解有KI，因此，藉由在第二濃縮裝置中進一步濃縮，KI變得過飽和。其結果，能夠生成主要包含KI之第二析出物。更詳細而言，第二析出物係以KI為主體之結晶，包含少許之H3
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及PVA。再者，若為了提高KI之產率而提高濃縮倍率，則第二析出物所包含之PVA量亦增大，因此，較佳為清洗第二析出物(KI結晶)而去除PVA。作為第二濃縮裝置，可與第一濃縮裝置同樣地採用任意適當之構成。於一實施方式中，可採用閃蒸型濃縮裝置。第二濃縮可在例如濃縮液之比重達到濃縮前之第一濾液之比重之1.1倍～1.4倍左右之時刻結束。
繼而，將包含上述第二析出物之第一濾液(漿料液)導入至第二固液分離裝置中，從第一濾液中固液分離出第二析出物(第二固液分離步驟)。藉此，從第一濾液中分離出第二析出物，生成第二濾液。作為第二固液分離裝置，可與第一固液分離裝置同樣地採用任意適當之構成。
分離得到之第二濾液中，具有代表性的是包含KI、H3
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及PVA。第二濾液中之KI濃度為30重量%～55重量%左右，H3
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濃度為1重量%～5重量%左右，PVA濃度為少量而處於在後述第三濃縮步驟中實質上全部被去除之程度。於一實施方式中，將第二濾液之一部分排出至系外而不回送至第二濃縮步驟中。此時，排出至系外之第二濾液之比率相對於第二濾液整體較佳為1重量%～50重量%，更佳為5重量%～40重量%，進而較佳為10重量%～33重量%。此時，向未被排出至系外之第二濾液中補充第一濾液。補充了該第一濾液之液體(第二濾液與第一濾液之混合液)被供給至第二濃縮步驟及隨後之第二固液分離步驟中。第一濾液之補充量(重量)具有代表性的是大於第二濾液之排出量(重量)。更詳細而言，第一濾液之補充量可相當於「第二濾液之排出量+在第二濃縮步驟中為了使第一濾液之比重為第二濾液之比重而蒸發之水之量」。藉由將第二濾液之一部分排出至系外，能夠顯著降低最終回收之KI中之硼濃度。先前，從偏光板製造廢液中回收之KI大多不具有對於再利用而言充分之品質(純度)，但本發明人等發現：其原因係KI中之硼(實質為含硼化合物)。並且，經反覆試驗，結果發現：作為降低回收KI中之硼濃度(可對應於含硼化合物含量)之方法，有用的是將第二濾液之一部分排出至系外而不加以再利用(實質上不回送至第二濃縮步驟中)。更詳細而言，由於第二濾液中包含KI，因此，業者為了提高KI回收率而會將第二濾液全部再利用，但本發明人等發現：與藉由此種再利用而實現之KI回收率提高相比，由H3
BO3
引起之KI純度之降低更具支配性作用。即，本發明之實施方式基於藉由反覆試驗而得到之與業界之技術常識相反之技術構思，因此，其效果係預料不到之優異效果。於其他實施方式中，亦可將第二濾液全部排出至系外。此時亦可獲得與上述相同之效果。再者，向系外排出之第二濾液可直接廢棄，亦可回送至第一濃縮步驟(即，並非緊跟在前之濃縮步驟(第二濃縮步驟)，而是其前一個濃縮步驟)，還可回送至比第一濃縮步驟靠前之階段(例如原水槽)。藉此，能夠進一步抑制所回收之KI中之硼濃度之上升。較佳為，使排出到系外之第二濾液回送至比第一濃縮步驟靠前之階段(例如原水槽)中。
於一實施方式中，從分離得到之第二析出物(KI結晶)中回收KI。第二析出物較佳為利用KI水溶液進行清洗。藉由利用KI水溶液進行清洗，與利用水進行清洗之情況相比，能夠減小所得KI之減損。其原因在於，能夠抑制所得KI在清洗液中之溶解。從抑制所得KI溶解之觀點出發，作為清洗液之KI水溶液之濃度較佳為接近飽和濃度之高濃度。並且，藉由此種清洗，能夠有效地去除殘留之PVA。偏光板製造廢液所包含之PVA之大部分以上述第一析出物之形式被去除，並且，以第一析出物之形式被去除之PVA之分子量大，因此，殘留之PVA之分子量小。因此，即使於KI結晶中殘留PVA之情形時，亦能夠利用清洗而有效率地去除。
如上操作，能夠從偏光板製造廢液中回收KI。
於一實施方式中，根據需要，可代替從第二析出物中回收KI，而將第二析出物導入至水溶液製備裝置中，製備主要包含KI之水溶液(水溶液製備步驟)，並將該水溶液供給至後述第三濃縮步驟及第三固液分離步驟中。作為水溶液製備裝置，可採用任意適當之構成。例如，只要在槽中使第二析出物溶解於水即可。水溶液可以第二析出物之濃度較佳為達到40重量%～60重量%之方式進行製備。若該濃度為此種範圍，則於後述第三濃縮步驟中能夠有效率地去除H3
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、PVA及雜質，最終能夠獲得純度非常高之KI。根據需要，亦可使所得水溶液通過特定之過濾器。藉由使水溶液藉由過濾器，能夠更有效率地去除雜質等。
繼而，將上述得到之水溶液導入至第三濃縮裝置中，進行蒸發濃縮(第三濃縮步驟)。如上所述，水溶液所包含之H3
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及PVA濃度與第一濾液相比進一步降低，H3
BO3
、PVA及雜質相對於KI之比率與第一濾液相比顯著小，因此，藉由在第三濃縮裝置中進一步濃縮，能夠生成以比第二析出物更高之純度包含KI結晶之第三析出物。作為第三濃縮裝置，可與第一濃縮裝置及第二濃縮裝置同樣地採用任意適當之構成。第三濃縮可在任意適當之指標達到特定值之情形時結束。實質上，由於第三濃縮係連續進行，因此，於指標達到特定值之情形時，包含第三析出物之水溶液(濃縮液)被供給至第三固液分離步驟，後續之水溶液可供給至第三濃縮裝置中。作為該指標之具體例，可例舉出濃縮液之比重、濃縮液中之第三析出物與水溶液之比率。例如，將濃縮液之比重作為指標時，於濃縮液之比重達到濃縮前之水溶液之比重之1.1倍～1.4倍左右之時刻，可結束第三濃縮。若濃縮液之比重過大，則含硼化合物之去除有時變得不充分。若濃縮液之比重過小，則KI之提純及回收效率有時變得不充分。再者，可將濃縮液全部供給至第三固液分離步驟中，亦可將一部分殘留在第三濃縮裝置中。
繼而，將包含上述第三析出物之水溶液導入至第三固液分離裝置中，從水溶液中固液分離出第三析出物(第三固液分離步驟)。作為第三固液分離裝置，可與第一固液分離裝置及第二固液分離裝置同樣地採用任意適當之構成。再者，從水溶液中固液分離出第三析出物而得到之第三濾液可回送至第三濃縮步驟中，亦可直接排出至系外。於一實施方式中，與第二濾液之情況同樣地，第三濾液之一部分可被排出至系外。藉此，能夠顯著降低最終回收之KI中之硼濃度。再者，排出至系外之第三濾液可直接被廢棄，亦可與偏光板製造廢液一同供給至第一濃縮步驟中，可與第一濾液一同供給至第二濃縮步驟中，還可回送至比第一濃縮步驟靠前之階段(例如原水槽)。藉此，能夠進一步抑制所回收之KI中之硼濃度上升。較佳為使排出至系外之第三濾液回送至比第一濃縮步驟靠前之階段(例如原水槽)。
從分離得到之第三析出物(KI結晶)中回收KI。第三析出物與第二析出物之情況同樣地利用KI水溶液進行清洗。基於KI水溶液之清洗效果與第二析出物之情況相同。
藉由如上所述進一步進行第三濃縮步驟及第三固液分離步驟，能夠回收純度更高之KI。
根據需要，亦可進一步進行第四濃縮步驟及第四固液分離步驟。具體而言，可將第三析出物溶解於水而製備水溶液，將該水溶液供給至第四濃縮步驟及第四固液分離步驟中，並回收第四析出物(KI結晶)。第四析出物(KI結晶)可含有與第三析出物相比純度更高之KI。第四濃縮步驟及第四固液分離步驟分別與第三濃縮步驟及第三固液分離步驟相同。藉由進一步進行第四濃縮步驟及第四固液分離步驟，能夠回收更高純度之KI。
所回收之KI中之硼濃度較佳為0.01重量%以下，更佳為0.009重量%以下，進而較佳為0.008重量%以下，尤佳為0.0075重量%以下。硼濃度越小越佳，其下限例如可為0.001重量%。根據本發明之實施方式，如上所述，藉由將第二濾液之至少一部分排出至系外而不進行再利用，能夠回收硼濃度非常低(即純度非常高)之KI。此種高純度之KI具有對於再利用而言充分之品質。再者，本說明書中，「硼濃度」係指相對於所回收之KI總重量之硼量(%)。硼量可藉由例如感應耦合電漿(ICP)分析來測定。
實施例
以下，藉由實施例來具體說明本發明，但本發明不限定於該等實施例。
＜實施例1＞
將實際之偏光板製造中產生之偏光板製造廢液依次供於第一濃縮步驟、冷卻晶析步驟、第一固液分離步驟、第二濃縮步驟、第二固液分離步驟、水溶液製備步驟、第三濃縮步驟及第三固液分離步驟，回收偏光板製造廢液中之KI。
第一濃縮步驟藉由將熱泵型濃縮裝置配置於前段(上游)，並將閃蒸型濃縮裝置配置於後段(下游)來進行。於第一濃縮步驟中，一邊將溫度維持在70℃一邊將偏光板製造廢液蒸發濃縮。冷卻晶析步驟藉由將溫度從70℃冷卻至25℃來進行。藉由第一濃縮步驟及冷卻晶析步驟而生成第一析出物。
第一固液分離步驟使用離心分離裝置來進行。藉此，從偏光板製造廢液中去除第一析出物，得到第一濾液。第一析出物排出至系外。
於第二濃縮步驟中，使用閃蒸型濃縮裝置，一邊將溫度維持在70℃，一邊對第一濾液進行蒸發濃縮。藉此，生成第二析出物。
第二固液分離步驟使用離心分離裝置來進行。藉此，從第一濾液中分離第二析出物，得到第二濾液。將第二濾液之一部分(本實施例中，相對於第二濾液整體為約33重量%)直接(即，不進行再利用地)排出至系外。向未排出至系外之第二濾液中補充第一濾液，回送至第二濃縮步驟而進行再利用。
於水溶液製備步驟中，將第二析出物溶解於水來製備水溶液。水溶液中之第二析出物之濃度調整至約50重量%。
於第三濃縮步驟中，使用閃蒸型濃縮裝置，一邊將溫度維持在70℃，一邊對水溶液進行蒸發濃縮。藉此，生成第三析出物。
第三固液分離步驟使用離心分離裝置來進行。藉此，從水溶液中分離第三析出物。將所得第三析出物利用KI飽和水溶液進行清洗，得到KI結晶。所得KI結晶中之硼濃度為0.0072重量%。再者，將藉由第三固液分離步驟而得到之第三濾液之約10重量%排出至系外，並將餘量回送至第三濃縮步驟中。
＜比較例1＞
將第二濾液全部回送至第二濃縮步驟中，且將第三濾液全部回送至第三濃縮步驟來進行再利用，除此之外，與實施例1同樣操作而得到KI結晶。所得KI結晶中之含硼化合物濃度為0.2456重量%。
圖1係對本發明之一實施方式之偏光板製造廢液之處理方法中可使用之裝置與處理方法之程序進行組合說明之方塊圖。
圖2係表示碘化鉀及硼酸之互溶度之圖。
Claims (8)
- 一種偏光板製造廢液之處理方法，其係從偏光板製造廢液中回收碘化鉀者，包括如下步驟：第一濃縮步驟，其將偏光板製造廢液蒸發濃縮，生成主要包含含硼化合物及聚乙烯醇之第一析出物；第一固液分離步驟，其從包含該第一析出物之偏光板製造廢液中固液分離出該第一析出物，生成第一濾液；第二濃縮步驟，其將該第一濾液蒸發濃縮，生成主要包含碘化鉀之第二析出物；第二固液分離步驟，其從包含該第二析出物之該第一濾液中固液分離出該第二析出物，生成第二濾液；濾液排出步驟，將該第二濾液之至少一部分排出至偏光板製造廢液之處理裝置外；以及回收步驟，以碘化鉀水溶液清洗所分離之該第二析出物，去除殘留之聚乙烯醇，藉此從該第二析出物中回收碘化鉀；其中排出至偏光板製造廢液之處理裝置外之第二濾液不回送至第二濃縮步驟中，且不進行再利用，於未被排出至偏光板製造廢液之處理裝置外之第二濾液存在之情形，將未被排出之第二濾液供給至第二濃縮步驟。
- 如請求項1之偏光板製造廢液之處理方法，其中於上述濾液排出步驟中，將上述第二濾液之10重量%~33重量%排出至偏光板製造廢液之處理 裝置外。
- 如請求項1或2之偏光板製造廢液之處理方法，其進而包括如下步驟：水溶液製備步驟，其將上述第二析出物溶解於水，製備主要包含碘化鉀之水溶液；第三濃縮步驟，其將該水溶液蒸發濃縮，生成以比該第二析出物更高之純度包含碘化鉀之第三析出物；以及第三固液分離步驟，其從包含該第三析出物之該水溶液中固液分離出該第三析出物；其中上述回收步驟包括以碘化鉀水溶液清洗所分離之該第三析出物，去除殘留之聚乙烯醇，藉此從該第三析出物中回收碘化鉀。
- 如請求項3之偏光板製造廢液之處理方法，其中於上述水溶液製備步驟中，以上述第二析出物之濃度成為40重量%~60重量%之方式製備上述水溶液。
- 如請求項4之偏光板製造廢液之處理方法，其中於上述第三濃縮步驟之前，進而包括使上述水溶液通過過濾器。
- 如請求項1或2之偏光板製造廢液之處理方法，其中向未被排出至偏光板製造廢液之處理裝置外之上述第二濾液中補充上述第一濾液，將該補充後之液體供於上述第二濃縮步驟。
- 如請求項1或2之偏光板製造廢液之處理方法，其中上述回收之碘化鉀中之硼濃度為0.01重量%以下。
- 如請求項1或2之偏光板製造廢液之處理方法，其中在上述第一濃縮步驟與上述第一固液分離步驟之間，進而包括對蒸發濃縮後之上述偏光板製造廢液進行冷卻晶析之冷卻晶析步驟。
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