TWI839340B - 有機el元件、具有苯并唑環結構之胺化合物、及將其用於有機el元件之覆蓋層之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之有機EL元件係依序至少具有陽極電極、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極電極及覆蓋層者，且上述覆蓋層含有具有下述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物。

Description

有機EL元件、具有苯并唑環結構之胺化合物、及將其用於有機EL元件之覆蓋層之方法
本發明係關於一種適於作為適合各種顯示裝置之自發光元件之有機電致發光元件(以下，簡稱為有機EL元件)與元件，詳細而言，本發明係關於一種具有苯并唑環結構之化合物、使用該化合物之有機EL元件、及將該化合物用於有機EL元件之方法。
由於有機EL元件為自發光性元件，故而與液晶元件相比較明亮，視認性優異，可進行清晰之顯示，故而業界進行了活躍之研究。
1987年Eastman Kodak公司之C. W. Tang等人藉由開發出將各種作用分擔至各材料之積層構造元件，而使使用有機材料之有機EL元件成為實用者。他們藉由積層可傳輸電子之螢光體與可傳輸電洞之有機物，並將兩種電荷注入至螢光體之層中使之發光，而於10 V以下之電壓下獲得1000 cd/m2 以上之高亮度(例如參照專利文獻1及專利文獻2)。
迄今為止，業界為了有機EL元件之實用化而進行大量改良，進而將積層構造之各種作用細分化，於在基板上依序設置有陽極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極之電致發光元件中，利用自底部發光之底部發光構造之發光元件達成高效率與高耐久性(例如參照非專利文獻1)。
近年來，業界使用將具有較高之功函數之金屬用於陽極，且自上部發光之頂部發光構造之發光元件。於自具有像素電路之底部提取光之底部發光構造中，發光部之面積受到限制，相對於此，於頂部發光構造之發光元件中，藉由自上部提取光，像素電路未遮擋，故而存在可較寬地取得發光部之優點。於頂部發光構造之發光元件中，陰極可使用LiF/Al/Ag(例如參照非專利文獻2)、Ca/Mg(例如參照非專利文獻3)、LiF/MgAg等半透明電極。
關於此種發光元件，於在發光層中發出之光入射至其他膜之情形時，若以某角度以上入射，則於發光層與其他膜之界面處被全反射。因此，僅可利用所發出之光之一部分。近年來，為了提高光提取效率，業界提出有於折射率較低之半透明電極之外側設置有折射率較高之「覆蓋層」之發光元件(例如參照非專利文獻2及3)。
關於頂部發光構造之發光元件中之覆蓋層之效果，於將Ir(ppy)3 用於發光材料之發光元件中，於無覆蓋層之情形時，相對於電流效率為38 cd/A者，於使用膜厚60 nm之ZnSe作為覆蓋層之發光元件中，確認到約1.7倍之效率提高而為64 cd/A。又，顯示半透明電極與覆蓋層之透過率之極大點與效率之極大點未必一致，且顯示光提取效率之最大點係由干涉效果所決定(例如參照非專利文獻3)。
先前，業界提出有於覆蓋層之形成中使用精細度較高之金屬遮罩，但於高溫條件下之使用中有如下問題：於金屬遮罩中產生由熱所引起之應變，故而對位精度降低。故而ZnSe之熔點較高而為1100℃以上(例如參照非專利文獻3)，藉由精細度較高之金屬遮罩無法於正確之位置進行蒸鍍，亦有可能對發光元件本身帶來影響。進而，由於利用濺鍍法進行之成膜亦對發光元件帶來影響，故而將無機物作為構成材料之覆蓋層不適合使用。
除此以外，於使用三(8-羥基喹啉)鋁(以下，簡稱為Alq3 )作為調整折射率之覆蓋層之情形時(例如參照非專利文獻2)，Alq3 係作為通常用作綠色發光材料或電子傳輸材料之有機EL材料而為人所知，但於用於藍色發光材料之450 nm附近具有較弱之吸收，故而於藍色發光元件之情形時，亦有色純度之降低及光提取效率降低之問題。
又，於先前之覆蓋層中所製作之元件中，太陽光之波長400 nm至410 nm之光通過，對元件內部之材料帶來影響，亦有色純度降低及光提取效率降低之問題。
為了改善有機EL元件之元件特性，尤其是為了吸收太陽光之波長400 nm至410 nm之光，不對元件內部之材料帶來影響，又，為了大幅改善光提取效率，作為覆蓋層之材料，要求吸光係數較高，折射率較高，薄膜之穩定性或耐久性優異之材料。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平8-048656號公報 [專利文獻2]日本專利第3194657號公報 [專利文獻3]國際公開第2014/009310號 [專利文獻4]國際公開第2013/038627號 [非專利文獻]
[非專利文獻1]應用物理學會第9次講習會預稿集55～61頁(2001) [非專利文獻2]Appl. Phys. Let., 78, 544 (2001) [非專利文獻3]Appl. Phys. Let., 82, 466 (2003) [非專利文獻4]Aust. J. Chem., 45, 371 (1992) [非專利文獻5]J. Org. Chcm., 60, 7508 (1995) [非專利文獻6]Synth. Commun., 11, 513 (1981) [非專利文獻7]Appl. Phys. Lett., 98, 083302 (2011)
[發明所欲解決之問題]
本發明之目的在於：為了改善有機EL元件之元件特性，尤其是為了吸收太陽光之波長400 nm至410 nm之光，不對元件內部之材料帶來影響，又，為了大幅改善光提取效率，提供一種有機EL元件，其具備由(1)吸光係數較高、(2)折射率較高、(3)薄膜之穩定性良好、(4)耐久性優異、(5)耐光性優異、(6)於藍、綠、及紅色各波長範圍中不具有吸收之材料所構成之覆蓋層。
作為適於本發明之覆蓋層之材料之物理特性，可列舉：(1)吸光係數較高、(2)折射率較高、(3)可進行蒸鍍、(4)薄膜狀態較穩定、(5)玻璃轉移溫度較高。又，作為適於本發明之元件之物理特性，可列舉：(1)吸收400 nm至410 nm之光、(2)光提取效率較高、(3)無色純度之降低、(4)不產生經時變化地使光透過、(5)為長壽命。 [解決問題之技術手段]
因此，本發明者等人為了達成上述目的，著眼於芳基胺系材料之薄膜之穩定性或耐久性優異，對折射率較高之具有特定之苯并唑環結構之胺化合物篩選於濃度10-5 mol/L之吸收光譜中波長400 nm至410 nm下之吸光度較高之材料。製作使用其作為構成覆蓋層之材料之有機EL元件，並努力進行元件之特性評價，結果完成本發明。
即，根據本發明，提供以下之有機EL元件。 一種有機EL元件，其係依序至少具有陽極電極、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極電極及覆蓋層者，且上述覆蓋層含有具有下述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物。
[化1]
(式中，A表示將下述通式(B-1)所表示之R1 ～R6 之其中1處設為鍵結部位之一價基，B及C相互可相同亦可不同，表示將下述通式(B-1)所表示之R1 ～R6 之其中1處設為鍵結部位之一價基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基，Ar分別相互可相同亦可不同，表示經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基之二價基或單鍵。又，經由氮原子相互鄰接之Ar可利用單鍵、經取代或者未經取代之亞甲基、氧原子或硫原子進行鍵結而形成環)
[化2]
(式中，R1 ～R6 相互可相同亦可不同，表示作為鍵結部位之連結基、氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷基、可具有取代基之碳原子數2至6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷氧基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基、或經取代或者未經取代之芳氧基，X及Y表示碳原子或氮原子。其中，於X及Y為氮原子之情形時，X或Y係設為不具有R5 或R6 者，且X及Y為碳原子之情形除外)
又，根據本發明，提供一種具有下述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物。
[化3]
(式中，A表示將下述通式(B-1)所表示之R1 ～R6 之其中1處設為鍵結部位之一價基，B及C相互可相同亦可不同，表示將下述通式(B-1)所表示之R1 ～R6 之其中1處設為鍵結部位之一價基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基，Ar分別相互可相同亦可不同，表示經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基之二價基或單鍵。又，經由氮原子相互鄰接之Ar可利用單鍵、經取代或者未經取代之亞甲基、氧原子或硫原子進行鍵結而形成環)
[化4]
(式中，R1 ～R6 相互可相同亦可不同，表示作為鍵結部位之連結基、氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷基、可具有取代基之碳原子數2至6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷氧基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基、或經取代或者未經取代之芳氧基，X及Y表示碳原子或氮原子。其中，於X及Y為氮原子之情形時，X或Y係設為不具有R5 或R6 者，且X及Y為碳原子之情形除外) [發明之效果]
本發明之有機EL元件藉由具有設置於透明或半透明電極之外側、且折射率高於半透明電極之覆蓋層，可獲得可大幅提高光提取效率之有機EL元件。又，藉由覆蓋層使用具有上述通式(A-1)所表示之苯并唑環化合物之胺化合物，可於400℃以下之溫度下成膜，故而可不對發光元件造成損傷，又，使用高精細遮罩使各色之光提取效率最佳化，並且可適宜地應用於全彩顯示器，能夠顯示色純度良好清晰且明亮之圖像。
本發明之有機EL元件由於使用吸光係數較高、折射率較高、薄膜之穩定性或耐久性、耐光性優異之有機EL元件用之材料作為覆蓋層之材料，故而與先前之有機EL元件相比，不會受到太陽光之影響，保持色純度，可大幅提高光提取效率。進而，可實現高效率、長壽命之有機EL元件。
以下，對本發明之實施形態詳細地進行說明。首先，對本實施形態列舉其態樣而進行說明。再者，於本案中「至」之用語係表示範圍之用語。例如「5至10」之記載係指「5以上且10以下」，表示亦包含於「至」之前後所記載之數值本身之範圍。
1)一種有機EL元件，其係依序至少具有陽極電極、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極電極及覆蓋層者，且上述覆蓋層含有具有下述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物。
[化5]
(式中，A表示將下述通式(B-1)所表示之R1 ～R6 之其中1處設為鍵結部位之一價基，B及C相互可相同亦可不同，表示將下述通式(B-1)所表示之R1 ～R6 之其中1處設為鍵結部位之一價基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基，Ar分別相互可相同亦可不同，表示經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基之二價基或單鍵。又，經由氮原子相互鄰接之Ar可利用單鍵、經取代或者未經取代之亞甲基、氧原子或硫原子進行鍵結而形成環)
[化6]
(式中，R1 ～R6 相互可相同亦可不同，表示作為鍵結部位之連結基、氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷基、可具有取代基之碳原子數2至6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷氧基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基、或經取代或者未經取代之芳氧基，X及Y表示碳原子或氮原子。其中，於X及Y為氮原子之情形時，X或Y係設為不具有R5 或R6 者，且X及Y為碳原子之情形除外)
2)如1)中所記載之有機EL元件，其中上述具有苯并唑環結構之胺化合物於波長400 nm至410 nm下具有0.20以上之消光係數，且於濃度1.0×10-5 mol/L之甲苯溶液之吸收光譜中，於波長400 nm至410 nm下具有0.20以上之吸光度。
3)如1)中所記載之有機EL元件，其中上述通式(B-1)係由下述通式(B-2)或(B-3)所表示。
[化7]
[化8]
(式中，將虛線部設為鍵結部位，R7 ～R11 相互可相同亦可不同，表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷基、可具有取代基之碳原子數2至6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷氧基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基、或經取代或者未經取代之芳氧基，X及Y表示碳原子或氮原子。其中，於X及Y為氮原子之情形時，Y係設為不具有R11 者，且X及Y為碳原子之情形除外)
4)如1)中所記載之有機EL元件，其中上述通式(B-1)係由下述通式(B-4)或(B-5)所表示。
[化9]
[化10]
(式中，將虛線部設為鍵結部位，R12 ～R15 相互可相同亦可不同，表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷基、可具有取代基之碳原子數2至6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷氧基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基、或經取代或者未經取代之芳氧基)
5)如1)至4)中任一項所記載之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A、B及C具有苯并唑環結構。
6)如1)至4)中任一項所記載之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A及B具有苯并唑環結構，且C表示經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基。
7)如1)至4)中任一項所記載之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A具有苯并唑環結構，且B及C表示經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基。
8)如1)中所記載之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A、B及C相同。
9)如5)或6)中所記載之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A及B相同。
10)如5)至7)中任一項所記載之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A、B及C不相同。
11)如5)至7)中任一項所記載之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A及B不相同。
12)如1)中所記載之有機EL元件，其中上述覆蓋層之厚度為30 nm～120 nm之範圍內。
13)如1)中所記載之有機EL元件，其中上述覆蓋層之折射率相對於波長為400 nm～410 nm之範圍內之光為1.85以上。
14)一種將胺化合物用於機EL元件之覆蓋層之方法，其中該胺化合物具有如1)中所記載之上述通式(A-1)中之A或B係由如4)中所記載之上述通式(B-4)或(B-5)所表示之苯并三唑環結構。
15)一種胺化合物，其具有下述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構。
[化11]
(式中，A表示將下述通式(B-1)所表示之R1 ～R6 之其中1處設為鍵結部位之一價基，B及C相互可相同亦可不同，表示將下述通式(B-1)所表示之R1 ～R6 之其中1處設為鍵結部位之一價基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基，Ar分別相互可相同亦可不同，表示經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基之二價基或單鍵。又，經由氮原子相互鄰接之Ar可利用單鍵、經取代或者未經取代之亞甲基、氧原子或硫原子進行鍵結而形成環)
[化12]
(式中，R1 ～R6 相互可相同亦可不同，表示作為鍵結部位之連結基、氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷基、可具有取代基之碳原子數2至6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷氧基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基、或經取代或者未經取代之芳氧基，X及Y表示碳原子或氮原子。其中，於X及Y為氮原子之情形時，X或Y係設為不具有R5 或R6 者，且X及Y為碳原子之情形除外)
作為通式(A-1)、(B-1)、(B-2)、(B-3)、(B-4)及(B-5)中之B、C、Ar及R1 至R15 所表示之「經取代或者未經取代之芳香族烴基」、「經取代或者未經取代之芳香族雜環基」或「經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基」中之「芳香族烴基」、「芳香族雜環基」或「縮合多環芳香族基」，具體而言，係選自苯基、聯苯基、三聯苯基(terphenylyl)、萘基、蒽基、菲基、茀基、螺二茀基、茚基、芘基、苝基、丙二烯合茀基、聯三苯基(triphenylenyl)、吡啶基、嘧啶基、三𠯤基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并㗁唑基、苯并噻唑基、喹㗁啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘啶基、啡啉基、吖啶基、及咔啉基等、及此外之包含碳數6～30之芳基、或包含碳數2～20之雜芳基。
作為通式(B-1)、(B-2)、(B-3)、(B-4)及(B-5)中之R1 至R15 所表示之「可具有取代基之碳原子數1～6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基」、「可具有取代基之碳原子數5～10之環烷基」、「可具有取代基之碳原子數2～6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基」、「可具有取代基之碳原子數1～6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基」、「可具有取代基之碳原子數5～10之環烷氧基」、或「經取代或者未經取代之芳氧基」中之「碳原子數1～6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基」、「碳原子數5～10之環烷基」、「碳原子數2～6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基」、「碳原子數1～6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基」、「碳原子數5～10之環烷氧基」、或「芳氧基」，具體而言，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、環戊基、環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、乙烯基、烯丙基、異丙烯基、2-丁烯基、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、環戊氧基、環己氧基、1-金剛烷氧基、苯氧基、甲苯氧基、及聯苯氧基等。
作為通式(A-1)、(B-1)、(B-2)、(B-3)、(B-4)及(B-5)中之B、C、Ar及R1 至R15 所表示之「經取代之芳香族烴基」、「經取代之芳香族雜環基」、「經取代之縮合多環芳香族基」、「可具有取代基之碳原子數1～6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基」、「可具有取代基之碳原子數5～10之環烷基」、「可具有取代基之碳原子數2～6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基」、「可具有取代基之碳原子數1～6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基」、「可具有取代基之碳原子數5～10之環烷氧基」、「經取代之芳氧基」、或「經取代之亞甲基」中之「取代基」，具體而言，可列舉：氘原子、氰基、硝基；氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子；三甲基矽烷基、三苯基矽烷基等矽烷基；甲基、乙基、丙基等碳原子數1～6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基等碳原子數1～6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基；乙烯基、烯丙基等烯基；苯氧基、甲苯氧基等芳氧基；苄氧基、苯乙氧基等芳基烷氧基；苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、蒽基、菲基、茀基、螺二茀基、茚基、芘基、苝基、丙二烯合茀基、聯三苯基等芳香族烴基或者縮合多環芳香族基；吡啶基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并㗁唑基、苯并噻唑基、喹㗁啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔啉基等、此外之包含碳數6～30之芳基、或包含碳數2～20之雜芳基等，該等取代基可進而由上述所例示之取代基進行取代。又，該等取代基與於進行了取代之苯環或相同之苯環上進行了複數個取代之取代基彼此可經由單鍵、經取代或者未經取代之亞甲基、氧原子或硫原子相互鍵結而形成環。
又，於本實施形態之有機EL元件中，上述通式(A-1)中之Ar較佳為經取代或者未經取代之芳香族烴基，更佳為經取代或者未經取代之苯基。
又，於本實施形態之有機EL元件中，上述覆蓋層之厚度較佳為30 nm～120 nm之範圍，更佳為40 nm～80 nm之範圍。
又，於本實施形態之有機EL元件中，相對於波長為400 nm～410 nm之範圍內之光，該覆蓋層之折射率較佳為1.85以上，更佳為1.90以上。
又，於本實施形態之有機EL元件中，可藉由將2種以上之不同之構成材料積層或混合層而製作上述覆蓋層。
本實施形態之具有上述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物為新穎化合物，作為該等化合物之主骨架之苯并唑衍生物例如可如下所述般藉由其本身公知之方法而進行合成(例如參照非專利文獻4)。進而，藉由使所合成之鹵化苯并唑衍生物與芳基胺利用銅觸媒或鈀觸媒等進行偶合反應，可合成本實施形態之具有上述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物。除此以外，藉由將鹵化苯并唑衍生物製成硼酸衍生物、或硼酸酯衍生物，並利用與鹵化芳基胺之偶合反應，同樣地可合成本實施形態之具有上述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物(例如參照非專利文獻5、6)。
[化13]
將可適宜地用於本實施形態之有機EL元件之上述通式(A-1)所表示之苯并唑化合物中之較佳之化合物之具體例示於以下，但並不限定於該等化合物。
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
通式(A-1)所表示之化合物之精製係藉由利用管柱層析儀之精製、利用矽膠、活性碳、活性白土等之吸附精製、利用溶劑之再結晶或晶析法、昇華精製法等而進行，化合物之鑑定係藉由NMR(Nuclear Magnetic Resonance，核磁共振)分析而進行。作為物性值之熔點、玻璃轉移點(Tg)與折射率之測定係以如下順序進行。再者，熔點成為蒸鍍性之指標，玻璃轉移點(Tg)成為薄膜狀態之穩定性之指標，折射率成為與光提取效率之提高相關之指標。
熔點與玻璃轉移點(Tg)係使用通式(A-1)所表示之化合物之粉體，並利用高感度示差掃描熱量計(Bruker AXS製造、DSC3100SA)進行測定。
折射率與消光係數係於矽基板上製作80 nm之通式(A-1)所表示之化合物之薄膜，並使用分光測定裝置(FILMETRICS公司製造、F10-RT-UV)進行測定。
吸光度係對濃度1.0×10-5 mol/L之包含通式(A-1)所表示之化合物之甲苯溶液進行調節，並使用紫外可見近紅外分光光度計(日本分光製造、V-650)進行測定。吸光係數係將甲苯溶液之濃度調節為5.0×10-6 mol/L、1.0×10-5 mol/L、1.5×10-5 mol/L、2.0×10-5 mol/L之4種濃度，使用紫外可見近紅外分光光度計(日本分光製造、V-650)測定峰值波長下之吸光度，獲得校準曲線，並根據所獲得之校準曲線而算出。
作為本實施形態之有機EL元件之構造，例如於頂部發光構造之發光元件之情形時，可列舉：於玻璃基板上依序包含陽極、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極及覆蓋層者；又，於陽極與電洞傳輸層之間具有電洞注入層者；於電洞傳輸層與發光層之間具有電子阻擋層者；於發光層與電子傳輸層之間具有電洞阻擋層者；於電子傳輸層與陰極之間具有電子注入層者。於該等多層構造中，可省略若干層有機層或兼作有機層，例如亦可設為兼作電洞注入層與電洞傳輸層之構成、兼作電洞傳輸層與電子阻擋層之構成、兼作電洞阻擋層與電子傳輸層之構成、兼作電子傳輸層與電子注入層之構成等。又，可設為積層有2層以上之具有相同功能之有機層之構成，亦可設為積層有2層電洞傳輸層之構成、積層有2層發光層之構成、積層有2層電子傳輸層之構成、積層有2層覆蓋層之構成等。
有機EL元件之各層之膜厚之合計較佳為200 nm～750 nm左右，更佳為350 nm～600 nm左右。又，覆蓋層之膜厚例如較佳為30 nm～120 nm，更佳為40 nm～80 nm。於該情形時，可獲得良好之光提取效率。再者，覆蓋層之膜厚可根據發光元件中所使用之發光材料之種類、覆蓋層以外之有機EL元件之厚度等，適當加以變更。
作為本實施形態之有機EL元件之陽極，可使用如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)或金之功函數較大之電極材料。
作為本實施形態之有機EL元件之電洞注入層，可使用於分子中具有將3個以上之三苯基胺結構利用單鍵或不含雜原子之二價基連結而成之結構之芳基胺化合物、例如星爆型三苯基胺衍生物、各種三苯基胺四聚物等材料或以銅酞菁為代表之卟啉化合物、六氰基氮雜苯并菲之類的受體性雜環化合物或塗佈型高分子材料。該等可單獨進行成膜，亦可用作與其他材料一併混合並成膜而得之單層，亦可設為單獨成膜而得之層彼此、混合並成膜而得之層彼此、或與單獨成膜而得之層混合並成膜而得之層之積層構造。該等材料除藉由蒸鍍法以外，還可藉由旋轉塗佈法或噴墨法等公知之方法進行薄膜形成。
作為本實施形態之有機EL元件之電洞傳輸層，較佳為使用N,N'-二苯基-N,N'-二(間甲苯基)聯苯胺(以下，簡稱為TPD)或N,N'-二苯基-N,N'-二(α-萘基)聯苯胺(以下，簡稱為NPD)、N,N,N',N'-四聯苯基聯苯胺等聯苯胺衍生物、1,1-雙[4-(二-4-甲苯基胺基)苯基]環己烷(以下，簡稱為TAPC)、尤其是於分子中具有將2個三苯基胺結構利用單鍵或不含雜原子之二價基連結而成之結構之芳基胺化合物、例如N,N,N',N'-四聯苯基聯苯胺等。又，較佳為使用於分子中具有將3個以上三苯基胺結構利用單鍵、或不含雜原子之二價基連結而成之結構之芳基胺化合物、例如各種三苯基胺三聚物及四聚物等。該等可單獨進行成膜，可用作與其他材料一併混合並成膜而得之單層，亦可設為單獨成膜而得之層彼此、混合並成膜而得之層彼此、或與單獨成膜而得之層混合並成膜而得之層之積層構造。又，作為電洞之注入、傳輸層，可使用聚(3,4-乙二氧基噻吩)(以下，簡稱為PEDOT)/聚(苯乙烯磺酸鹽)(以下，簡稱為PSS)等塗佈型之高分子材料。該等材料除藉由蒸鍍法以外，還可藉由旋轉塗佈法或噴墨法等公知之方法進行薄膜形成。
又，於電洞注入層或電洞傳輸層中，可使用對該層中通常所使用之材料進一步P摻雜三溴苯基胺六氯化銻、軸烯(Radialene)衍生物(例如參照專利文獻3)等而成者、或於其部分結構中具有TPD等聯苯胺衍生物之結構之高分子化合物等。
作為本實施形態之有機EL元件之電子阻擋層，可使用4,4',4''-三(N-咔唑基)三苯基胺(以下，簡稱為TCTA)、9,9-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]茀、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(以下，簡稱為mCP)、2,2-雙(4-咔唑-9-基-苯基)金剛烷(以下，簡稱為Ad-Cz)等咔唑衍生物、9-[4-(咔唑-9-基)苯基]-9-[4-(三苯基矽烷基)苯基]-9H-茀所代表之具有三苯基矽烷基與三芳基胺結構之化合物等具有電子阻擋作用之化合物。該等可單獨進行成膜，可用作與其他材料一併混合並成膜而得之單層，亦可設為單獨成膜而得之層彼此、混合並成膜而得之層彼此、或與單獨成膜而得之層混合並成膜而得之層之積層構造。該等材料除藉由蒸鍍法以外，還可藉由旋轉塗佈法或噴墨法等公知之方法進行薄膜形成。
作為本實施形態之有機EL元件之發光層，除使用以Alq3 為代表之羥喹啉衍生物之金屬錯合物以外，還可使用各種金屬錯合物、蒽衍生物、雙苯乙烯基苯衍生物、芘衍生物、㗁唑衍生物、聚對苯乙烯衍生物等。又，可利用主體材料與摻雜劑材料構成發光層，作為主體材料，可較佳地使用蒽衍生物，除此以外，可使用上述發光材料、此外之具有吲哚環作為縮合環之部分結構之雜環化合物、具有咔唑環作為縮合環之部分結構之雜環化合物、咔唑衍生物、噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、聚二烷基茀衍生物等。又，作為摻雜劑材料，可使用喹吖啶酮、香豆素、紅螢烯、苝及該等之衍生物、苯并吡喃衍生物、玫瑰紅衍生物、胺基苯乙烯基衍生物等。該等可單獨進行成膜，可用作與其他材料一併混合並成膜而得之單層，亦可設為單獨成膜而得之層彼此、混合並成膜而得之層彼此、或與單獨成膜而得之層混合並成膜而得之層之積層構造。
又，亦可使用磷光發光體作為發光材料。作為磷光發光體，可使用銥或鉑等金屬錯合物之磷光發光體。可使用Ir(ppy)3 等綠色之磷光發光體、FIrpic、FIr6等藍色之磷光發光體、Btp2 Ir(acac)等紅色之磷光發光體等，作為此時之主體材料，可使用4,4'-二(N-咔唑基)聯苯(以下，簡稱為CBP)或TCTA、mCP等咔唑衍生物作為電洞注入、傳輸性之主體材料。作為電子傳輸性之主體材料，可使用對雙(三苯基矽烷基)苯(以下，簡稱為UGH2)或2,2',2''-(1,3,5-伸苯基)-三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(以下，簡稱為TPBI)等，可製作高性能之有機EL元件。
關於磷光性發光材料向主體材料中之摻雜，為了避免濃度淬滅，較佳為相對於整個發光層，於1〜30重量百分比之範圍內，藉由共蒸鍍而進行摻雜。
又，作為發光材料，亦可使用PIC-TRZ、CC2TA、PXZ-TRZ、4CzIPN等CDCB衍生物等發射出延遲螢光之材料(例如參照非專利文獻7)。該等材料除藉由蒸鍍法以外，還可藉由旋轉塗佈法或噴墨法等公知之方法進行薄膜形成。
作為本實施形態之有機EL元件之電洞阻擋層，可使用2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-啡啉(以下，簡稱為BCP)等啡啉衍生物、或鋁(III)雙(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基酚鹽(以下，簡稱為BAlq)等羥喹啉衍生物之金屬錯合物、各種稀土錯合物、三唑衍生物、三𠯤衍生物、嘧啶衍生物、㗁二唑衍生物、苯并唑衍生物等具有電洞阻擋作用之化合物。該等材料亦可兼作電子傳輸層之材料。該等可單獨進行成膜，可用作與其他材料一併混合並成膜而得之單層，亦可設為單獨成膜而得之層彼此、混合並成膜而得之層彼此、或與單獨成膜而得之層混合並成膜而得之層之積層構造。該等材料除藉由蒸鍍法以外，還可藉由旋轉塗佈法或噴墨法等公知之方法進行薄膜形成。
作為本實施形態之有機EL元件之電子傳輸層，除使用以Alq3 、BAlq為代表之羥喹啉衍生物之金屬錯合物以外，還可使用各種金屬錯合物、三唑衍生物、三𠯤衍生物、嘧啶衍生物、㗁二唑衍生物、吡啶衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并唑衍生物、噻二唑衍生物、蒽衍生物、碳二醯亞胺衍生物、喹㗁啉衍生物、吡啶并吲哚衍生物、啡啉衍生物、矽羅衍生物等。該等可單獨進行成膜，可用作與其他材料一併混合並成膜而得之單層，亦可設為單獨成膜而得之層彼此、混合並成膜而得之層彼此、或與單獨成膜而得之層混合並成膜而得之層之積層構造。該等材料除藉由蒸鍍法以外，還可藉由旋轉塗佈法或噴墨法等公知之方法進行薄膜形成。
作為本實施形態之有機EL元件之電子注入層，可使用氟化鋰、氟化銫等鹼金屬鹽、氟化鎂等鹼土金屬鹽、羥基喹啉鋰等羥喹啉衍生物之金屬錯合物、氧化鋁等金屬氧化物、或鐿(Yb)、釤(Sm)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、銫(Cs)等金屬等，但於電子傳輸層與陰極之較佳之選擇中，可將其省略。
進而，於電子注入層或電子傳輸層中，可使用對該層中通常所使用之材料進一步N摻雜銫等金屬而成者。
作為本實施形態之有機EL元件之陰極，鋁之類的功函數低之電極材料、或鎂銀合金、鎂鈣合金、鎂銦合金、鋁鎂合金之類的功函數更低之合金或ITO、IZO等可用作電極材料。
作為本實施形態之有機EL元件之覆蓋層，較佳為使用具有上述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物等。該等可單獨進行成膜，可用作與其他材料一併混合並成膜而得之單層，亦可設為單獨成膜而得之層彼此、混合並成膜而得之層彼此、或與單獨成膜而得之層混合並成膜而得之層之積層構造。該等材料除藉由蒸鍍法以外，還可藉由旋轉塗佈法或噴墨法等公知之方法進行薄膜形成。
再者，於上述中，對頂部發光構造之有機EL元件進行了說明，但本發明並不限定於此，關於底部發光構造之有機EL元件、或自上部及底部之兩者發光之雙發光構造之有機EL元件，亦可同樣地應用。於該等情形時，位於將光自發光元件取出至外部之方向之電極必須為透明或半透明。
構成覆蓋層之材料之折射率較佳為大於鄰接之電極之折射率。即，利用覆蓋層，有機EL元件中之光提取效率雖然提高，但關於其效果，於覆蓋層及與覆蓋層接觸之材料之界面處之反射率較大者之光干涉之效果較大，故而較有效。因此，較佳為構成覆蓋層之材料之折射率大於鄰接之電極之折射率，折射率只要為1.70以上即可，更佳為1.80以上，尤佳為1.85以上。
以下，藉由實施例對本發明之實施形態具體地進行說明，但本發明只要不超出其主旨，則並不限定於以下之實施例。 [實施例1]
＜{4'-(苯并三唑-2-基)聯苯-4-基}-雙(聯苯-4-基)胺(化合物17)之合成＞ 向經氮氣置換之反應容器中，添加2-(4-溴苯基)-2H-苯并三唑：3.7 g、雙(聯苯-4-基)-{4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧雜硼烷-2-基)苯基}胺：9.4 g、甲苯：80 mL、乙醇：20 mL，繼而，添加預先使碳酸鉀：5.6 g溶解於H2 O：20 mL中所得之水溶液，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加四(三苯基膦)鈀：0.8 g並於加熱回流下攪拌4小時。於放置冷卻後，添加H2 O，並藉由分液操作萃取有機層，於減壓下進行濃縮而獲得粗產物。利用管柱層析儀(載體：矽膠、溶離液：甲苯/正己烷)對所獲得之粗產物進行精製，而獲得{4'-(苯并三唑-2-基)聯苯-4-基}-雙(聯苯-4-基)胺(化合物17)之黃色粉體：6.4 g(產率85%)。
[化20]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (THF-d8 )檢測以下之30個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.46 (2H)、7.94 - 7.92 (2H)、7.88 (2H)、7.69 (2H)、7.62 (4H)、7.59 (4H)、7.43 - 7.38 (6H)、7.29 - 7.23 (8H)。 [實施例2]
＜{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-雙(聯苯-4-基)胺(化合物6)之合成＞ 向反應容器中添加2-(4-溴苯基)-2H-苯并三唑：9.0 g、雙(聯苯-4-基)胺：9.6 g、第三丁醇鈉：4.3 g、甲苯：150 ml，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加乙酸鈀(II)：0.1 g、三(第三丁基)膦之50%(w/v)甲苯溶液：0.24 ml並於加熱回流下攪拌2小時。於放置冷卻後，添加甲苯實施分散洗淨，對不溶物進行過濾，並向濾液中添加矽膠、活性白土而進行吸附精製。藉由過濾去除吸附劑，並對濾液進行濃縮而獲得粗產物。利用甲苯/丙酮混合溶劑對粗產物進行晶析精製，採集所析出之固體，而獲得{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-雙(聯苯-4-基)胺(化合物6)之黃色粉體：11.6 g(產率75.3%)。
[化21]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (CDCl3 )檢測以下之26個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.27 - 8.31 (2H)、7.95 - 7.99 (2H)、7.58 - 7.66 (8H)、7.28 - 7.51 (14H)。 [實施例3]
＜{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-(聯苯-4-基)-9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺(化合物7)之合成＞ 向反應容器中添加2-(4-溴苯基)-2H-苯并三唑：8.3 g、(聯苯-4-基)-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺：10.0 g、第三丁醇鈉：4.0 g、甲苯：150 ml，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加乙酸鈀(II)：0.1 g、三(第三丁基)膦之50%(w/v)甲苯溶液：0.22 ml並於加熱回流下攪拌2小時。於放置冷卻後，添加甲苯實施分散洗淨，對不溶物進行過濾，並向濾液中添加矽膠、活性白土而進行吸附精製。藉由過濾去除吸附劑，並對濾液進行濃縮而獲得粗產物。利用丙酮對粗產物進行晶析精製，並採集所析出之固體，而獲得{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-(聯苯-4-基)-9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺(化合物7)之黃色粉體：12.3 g(產率80.4%)。
[化22]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (CDCl3 )檢測以下之30個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.24 - 8.27 (2H)、7.94 - 7.97 (2H)、7.57 - 7.72 (6H)、7.28 - 7.50 (13H)、7.16 - 7.20 (1H)、1.48 (6H)。 [實施例4]
＜9-{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-3,6-二苯基-9H-咔唑(化合物23)之合成＞ 向反應容器中添加2-(4-溴苯基)-2H-苯并三唑：7.6 g、3,6-二苯基-9H-咔唑：8.0 g、第三丁醇鈉：3.6 g、甲苯：130 ml，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加乙酸鈀(II)：0.1 g、三(第三丁基)膦之50%(w/v)甲苯溶液：0.20 ml並於加熱回流下攪拌12小時。於放置冷卻後，添加甲苯實施分散洗淨，對不溶物進行過濾，並向濾液中添加矽膠、活性白土而進行吸附精製。藉由過濾去除吸附劑，並對濾液進行濃縮而獲得粗產物。利用丙酮對粗產物進行晶析精製，並採集所析出之固體，而獲得9-{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-3,6-二苯基-9H-咔唑(化合物23)之黃色粉體：6.9 g(產率54%)。
[化23]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (CDCl3 )檢測以下之30個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.67 - 8.68 (2H)、8.45 (2H)、8.00 - 8.03 (2H)、7.73 - 7.87 (8H)、7.39 - 7.57 (10H)。 [實施例5]
＜{(2-苯基苯并三唑-5-基)苯基-4-基}-雙(聯苯-4-基)胺(化合物30)之合成＞ 向經氮氣置換之反應容器中，添加5-溴-2-苯基-2H-苯并三唑：2.3 g、雙(聯苯-4-基)-{4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧雜硼烷-2-基)苯基}胺：5.3 g、甲苯：52 mL、乙醇：13 mL，繼而，添加預先使碳酸鉀：3.5 g溶解於H2 O：13 mL中所得之水溶液，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加四(三苯基膦)鈀：0.5 g並於加熱回流下攪拌6小時。於放置冷卻後，添加H2 O，並藉由分液操作萃取有機層，於減壓下進行濃縮而獲得粗產物。利用管柱層析儀(載體：矽膠、溶離液：甲苯/正己烷)對所獲得之粗產物進行精製，而獲得{(2-苯基苯并三唑-5-基)苯基-4-基}-雙(聯苯-4-基)胺(化合物30)之黃色粉體：3.5 g(產率71%)。
[化24]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (THF-d8 )檢測以下之30個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.41 (2H)、8.15 (1H)、7.98 (1H)、7.80 (1H)、7.72 (2H)、7.56 - 7.65 (10H)、7.47 (1H)、7.40 (4H)、7.24 - 7.29 (8H)。 [實施例6]
＜{(2-苯基苯并三唑-5-基)苯基-4-基}-(聯苯-4-基)-9,9-二甲基-9H-茀-2-基)(化合物31)之合成＞ 向經氮氣置換之反應容器中，添加5-溴-2-苯基-2H-苯并三唑：2.2 g、雙(聯苯-4-基)-{4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧雜硼烷-2-基)苯基}胺：5.4 g、甲苯：48 mL、乙醇：12 mL，繼而，添加預先使碳酸鉀：3.3 g溶解於H2 O：12 mL中所得之水溶液，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加四(三苯基膦)鈀：0.5 g並於加熱回流下攪拌5小時。於放置冷卻後，添加H2 O，並藉由分液操作萃取有機層，於減壓下進行濃縮而獲得粗產物。利用管柱層析儀(載體：矽膠、溶離液：甲苯/正己烷)對所獲得之粗產物進行精製，而獲得{(2-苯基苯并三唑-5-基)苯基-4-基}-(聯苯-4-基)-9,9-二甲基-9H-茀-2-基)(化合物31)之黃色粉體：3.9 g(產率77%)。
[化25]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (THF-d8 )檢測以下之34個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.41 (2H)、8.16 (1H)、7.98 (1H)、7.81 (1H)、7.72 (2H)、7.69 (2H)、7.63 (2H)、7.59 (2H)、7.58 (2H)、7.47 (1H)、7.38 - 7.43 (4H)、7.21 - 7.30 (7H)、7.12 (1H)、1.44 (6H)。 [實施例7]
＜雙-{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-{4-(萘-2-基)苯基}胺(化合物43)之合成＞ 向反應容器中添加4-(萘-2-基)苯基胺：5.0 g、2-(4-溴苯基)-2H-苯并三唑：13.1 g、第三丁醇鈉：6.6 g、甲苯：130 ml，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)：0.21 g、2,2'-雙(二苯基膦基)-1,1'-聯萘：0.28 g並於加熱回流下攪拌1天。於放置冷卻至80℃後，對不溶物進行過濾，並向濾液中添加矽膠，而實施吸附精製。藉由過濾去除吸附劑，並對濾液進行濃縮而獲得粗產物。利用甲苯對粗產物進行晶析精製，並採集所析出之固體，而獲得雙-{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-{4-(萘-2-基)苯基}胺(化合物43)之黃色粉體：6.5 g(產率47%)。
[化26]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (CDCl3 )檢測以下之27個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.33-8.35 (4H)、8.31 (1H)、7.73 - 7.98 (10H)、7.34 - 7.55 (12H) [實施例8]
＜雙-{4-(苯并㗁唑-2-基)苯基}-{4-(萘-1-基)苯基}胺(化合物44)之合成＞ 向反應容器中添加4-(萘-1-基)苯基胺：5.0 g、2-(4-溴苯基)-2H-苯并三唑：13.8 g、第三丁醇鈉：6.6 g、甲苯：50 ml，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)：0.6 g、三(第三丁基)膦之50%(w/v)甲苯溶液：0.6 ml並於加熱回流下攪拌8小時。於放置冷卻至80℃後，對不溶物進行過濾，並對濾液進行濃縮而獲得粗產物。利用丙酮對粗產物進行晶析精製，並採集所析出之固體，而獲得雙-{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-{4-(萘-1-基)苯基}胺(化合物44)之黃色粉體：6.4 g(產率46%)。
[化27]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (DMSO-d6)檢測以下之27個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.33 - 8.36 (4H)、7.96 - 8.06 (7H)、7.37 - 7.63 (16H) [實施例9]
＜雙-{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺(化合物47)之合成＞ 向反應容器中添加9,9-二甲基-9H-茀-2-胺：3.8 g、2-(4-溴苯基)-2H-苯并三唑：10.9 g、第三丁醇鈉：5.2 g、甲苯：40 ml，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加三(二亞苄基丙酮)鈀(0)：0.5 g、三(第三丁基)膦之50%(w/v)甲苯溶液：0.44 ml並於加熱回流下攪拌7小時。添加甲苯實施分散洗淨，對不溶物進行熱過濾，並對濾液進行濃縮而獲得粗產物。利用甲苯/甲醇混合溶劑對粗產物進行晶析精製，並採集所析出之固體，而獲得雙-{4-(苯并三唑-2-基)苯基}-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺(化合物47)之黃色粉體：6.8 g(產率63%)。
[化28]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (DMSO-d6)檢測以下之28個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.29 - 8.31 (4H)、8.01 - 8.04 (4H)、7.81 - 7.90 (2H)、7.19 - 7.56 (13H)、1.43 (6H)。 [實施例10]
＜雙-{4-(苯并㗁唑-2-基)苯基}-(9,9-二苯基-9H-茀-2-基)胺(化合物48)之合成＞ 向反應容器中添加9,9-二苯基-9H-茀-2-胺：5.0 g、2-(4-溴苯基)-2H-苯并三唑：9.0 g、第三丁醇鈉：4.3 g、甲苯：60 ml，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加三(二亞苄基丙酮)鈀(0)：0.4 g、三(第三丁基)膦之50%(w/v)甲苯溶液：0.4 ml並於加熱回流下攪拌7小時。於放置冷卻後，添加甲苯實施分散洗淨，對不溶物進行過濾，並對濾液進行濃縮而獲得粗產物。利用甲苯對粗產物進行晶析精製，並採集所析出之固體，而獲得雙-{4-(苯并㗁唑-2-基)苯基}-(9,9-二苯基-9H-茀-2-基)胺(化合物48)之黃色粉體：8.1 g(產率75%)。
[化29]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (DMSO-d6)檢測以下之32個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.24 - 8.27 (4H)、7.91 - 8.04 (6H)、7.40 - 7.54 (6H)、7.23 - 7.34 (12H)、7.09 - 7.12 (4H)。 [實施例11]
＜{3-(苯并三唑-2-基)苯基}-雙(聯苯-4-基)胺(化合物68)之合成＞ 向反應容器中添加2-(3-溴苯基)-2H-苯并三唑：9.6 g、雙(聯苯-4-基)胺：9.0 g、第三丁醇鈉：4.3 g、甲苯：150 ml，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加乙酸鈀(II)：0.1 g、三(第三丁基)膦之50%(w/v)甲苯溶液：0.24 ml並於加熱回流下攪拌2小時。於放置冷卻後，添加甲苯實施分散洗淨，對不溶物進行過濾，並向濾液中添加矽膠、活性白土而進行吸附精製。藉由過濾去除吸附劑，並對濾液進行濃縮而獲得粗產物。利用甲苯/丙酮混合溶劑對粗產物進行晶析精製，並採集所析出之固體，而獲得{3-(苯并三唑-2-基)苯基}-雙(聯苯-4-基)胺(化合物68)之黃色粉體：8.2 g(產率53%)。
[化30] [實施例12]
＜雙-{3-(苯并三唑-2-基)苯基}-{4-(萘-2-基)苯基}胺(化合物77)之合成＞ 向反應容器中添加4-(萘-2-基)苯基胺：6.1 g、2-(3-溴苯基)-2H-苯并三唑：16.0 g、第三丁醇鈉：8.0 g、甲苯：170 ml，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)：0.25 g、2,2'-雙(二苯基膦基)-1,1'-聯萘：0.35 g並於加熱回流下攪拌一晩。追加甲苯於放置冷卻至80℃後，對不溶物進行過濾，並向濾液中添加矽膠，而實施吸附精製。藉由過濾去除吸附劑，並對濾液進行濃縮而獲得粗產物。利用甲苯對粗產物進行晶析精製，並採集所析出之固體，而獲得雙-{3-(苯并三唑-2-基)苯基}-{4-(萘-2-基)苯基}胺(化合物77)之黃色粉體：6.2 g(產率37%)。
[化31]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (CDCl3 )檢測以下之27個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.24 - 8.25 (2H)、8.08 -8.11 (3H)、7.89 - 7.96 (7H)、7.72 - 7.81 (3H)、7.30 - 7.55 (12H)。 [實施例13]
＜三-(4-苯并三唑-2-基-苯基)胺(化合物85)之合成＞ 向反應容器中添加4-苯并三唑-2-基-苯基胺：2.5 g、第三丁醇鈉：3.4 g、甲苯：60 ml，一面照射超音波30分鐘，一面通入氮氣。添加三(二亞苄基丙酮)鈀(0)：0.2 g、三(第三丁基)膦之50%(w/v)甲苯溶液：0.5 ml並於加熱回流下攪拌一晩。添加甲苯實施分散洗淨，對不溶物進行熱過濾，並對濾液進行濃縮而獲得粗產物。利用管柱層析儀(載體：矽膠、溶離液：甲苯/正己烷)對所獲得之粗產物進精製，而獲得三-(4-苯并三唑-2-基-苯基)胺(化合物85)之黃色粉體：3.3 g(產率46.5%)。
[化32]
使用NMR對所獲得之黃色粉體鑑定結構。 利用1 H-NMR (CDCl3 )檢測以下之24個氫之訊號。 δ (ppm) = 8.26 (6H)、7.93 (6H)、7.42 (6H)、7.33 (6H)。 [實施例14]
對通式(A-1)所表示之苯并唑化合物，利用高感度示差掃描熱量計(Bruker AXS製造、DSC3100SA)測定熔點與玻璃轉移點。
具有通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之化合物具有100℃以上之玻璃轉移點，其表示薄膜狀態較穩定。 [實施例15]
使用具有通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物，於矽基板上製作膜厚80 nm之蒸鍍膜，並使用分光測定裝置(FILMETRICS公司製造、F10-RT-UV)，測定波長400 nm、410 nm下之折射率n與消光係數k。為了比較，亦對下述結構式之比較化合物(2-1)及Alq3 進行測定(例如參照專利文獻4)。將測定結果彙總示於表1。
[化33]
[化34]
[表1]
如此本實施例之化合物具有與比較化合物(2-1)及Alq3 之折射率同等以上之值，可期待有機EL元件中之光提取效率之提高。又，波長400 nm至410 nm下之消光係數係大於波長410 nm下之消光係數之值。關於波長400 nm至410 nm下之消光係數，比較化合物(2-1)及Alq3 未達0.20，相對於此，本實施例之化合物具有較大之值，該情況顯示充分吸收太陽光之波長400 nm至410 nm之光，不會對元件內部之材料帶來影響。 [實施例16]
將本實施例之化合物調節為濃度1.0×10-5 mol/L之甲苯溶液，並測定波長400 nm、410 nm下之該溶液之吸光度。又，將甲苯溶液之濃度調節為5.0×10-6 mol/L、1.0×10-5 mol/L、1.5×10-5 mol/L、2.0×10-5 mol/L之4種濃度，使用紫外可見近紅外分光光度計(日本分光製造、V-650)測定吸光度，並根據峰值波長下之吸光度之校準曲線算出吸光係數。為了比較，亦對上述結構式之比較化合物(2-1)及Alq3 進行測定。將測定結果彙總示於表2。
[表2]
再者，於吸收光譜中，波長400 nm至410 nm下之吸光度為大於波長410 nm下之吸光度之值。如此，關於波長400 nm至410 nm下之吸光度，比較化合物(2-1)及Alq3 為0.10以下，相對於此，本實施例之化合物為0.20以上之較大之值，該情況顯示充分吸收太陽光之波長400 nm至410 nm之光。又，關於吸光係數，與比較化合物(2-1)及Alq3 相比，本實施例之化合物亦具有較大之值，若為相同之濃度條件則充分地吸收光。關於薄膜，可知係越於膜厚方面進行厚膜化越充分吸光，耐光性優異之材料。 [實施例17]
如圖1所示，於在玻璃基板1上預先形成有作為金屬陽極2之反射ITO電極者上，依序蒸鍍電洞注入層3、電洞傳輸層4、發光層5、電子傳輸層6、電子注入層7、陰極8、覆蓋層9而製作有機EL元件。
具體而言，使依序成膜有膜厚50 nm之ITO、膜厚100 nm之銀合金之反射膜、膜厚5 nm之ITO之玻璃基板1於異丙醇中超音波洗淨20分鐘後，於加熱至250℃之加熱板上進行乾燥10分鐘。其後，於進行UV(Ultra Violet，紫外線)臭氧處理2分鐘後，將該附有ITO之玻璃基板安裝於真空蒸鍍機內，並減壓至0.001 Pa以下。繼而，以覆蓋透明陽極2之方式形成電洞注入層3，對下述結構式之電子受體(受體(Acceptor)-1)與下述結構式之化合物(3-1)以蒸鍍速度比成為Acceptor-1：化合物(3-1)＝3：97之蒸鍍速度進行二元蒸鍍，以成為膜厚10 nm之方式形成電洞注入層3。於該電洞注入層3上，以成為膜厚140 nm之方式形成作為電洞傳輸層4之下述結構式之化合物(3-1)之層。於該電洞傳輸層4上，對作為發光層5之下述結構式之化合物(3-2)與下述結構式之化合物(3-3)以蒸鍍速度比成為(3-2)：(3-3)＝5：95之蒸鍍速度進行二元蒸鍍，以成為膜厚20 nm之方式形成發光層5。於該發光層5上，對作為電子傳輸層6之下述結構式之化合物(3-4)與下述結構式之化合物(3-5)以蒸鍍速度比成為(3-4)：(3-5)＝50：50之蒸鍍速度進行二元蒸鍍，以成為膜厚30 nm之方式形成電子傳輸層6。於該電子傳輸層6上，以成為膜厚1 nm之方式形成作為電子注入層7之氟化鋰之層。 於該電子注入層7上，以成為膜厚12 nm之方式形成作為陰極8之鎂銀合金之層。最後，以成為膜厚60 nm之方式形成作為覆蓋層9之實施例1之化合物17之層。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。 將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓之發光特性之測定結果彙總示於表3。
[化35] [實施例18]
於實施例17中，使用實施例2之化合物6代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例19]
於實施例17中，使用實施例3之化合物7代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例20]
於實施例17中，使用實施例4之化合物23代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例21]
於實施例17中，使用實施例5之化合物30代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例22]
於實施例17中，使用實施例6之化合物31代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例23]
於實施例17中，使用實施例7之化合物43代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例24]
於實施例17中，使用實施例8之化合物44代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例25]
於實施例17中，使用實施例9之化合物47代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例26]
於實施例17中，使用實施例10之化合物48代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例27]
於實施例17中，使用實施例11之化合物68代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例28]
於實施例17中，使用實施例12之化合物77代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。 [實施例29]
於實施例17中，使用實施例13之化合物85代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9之材料，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓時之發光特性之測定結果彙總示於表3。
[比較例1] 為了比較，於實施例17中，以成為膜厚60 nm之方式形成上述結構式之比較化合物(2-1)之層代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓之發光特性之測定結果彙總示於表3。
[比較例2] 為了比較，於實施例17中，以成為膜厚60 nm之方式形成Alq3 之層代替實施例1之化合物17作為覆蓋層9，除此以外，於同樣之條件下製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件，於大氣中，於常溫下進行特性測定。將對所製作之有機EL元件施加了直流電壓之發光特性之測定結果彙總示於表3。
使用於實施例17～29與比較例1及比較例2中所製作之有機EL元件，測定元件壽命，將所得之結果彙總示於表3。關於元件壽命，於進行10 mA/cm2 之定電流驅動時，係以至衰減為將初始亮度設為100%時之95%衰減為止之時間之形式進行測定。
[表3]
如表3所示，關於電流密度10 mA/cm2 時之驅動電壓，於比較例1與比較例2之元件及實施例17～29之元件中大致同等。另一方面，關於亮度、發光效率、電力效率、壽命，相對於比較例1與比較例2之元件，於實施例17～29之元件中有所提高。該情況顯示，藉由包含覆蓋層之折射率較高且可適宜地用於本實施例之有機EL元件之材料，可大幅改善光提取效率。
以上參照特定之態樣而對本發明詳細地進行了說明，但本領域業者明瞭可於不偏離本發明之精神與範圍之情況下進行各種變更及修正。 再者，本案係基於2018年1月10日提出申請之日本專利申請(日本專利特願2018-001564)，其整體係藉由引用而援用。又，本文中所引用之所有參照係以整體之形式併入。 [產業上之可利用性]
如上所述，可適宜地用於本發明之有機EL元件之具有通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物由於吸光係數較高，折射率較高，可大幅改善光提取效率，薄膜狀態較穩定，故而作為有機EL元件用之化合物較優異。藉由使用該化合物製作有機EL元件，可獲得較高之效率，並且能夠以吸收太陽光之光而不會對元件內部之材料帶來影響之方式，改善耐久性或耐光性。又，藉由使用於藍、綠及紅各波長範圍中不具有吸收之該化合物，於欲顯示色純度良好、清晰且明亮之圖像之情形時尤其適宜。例如可向家庭電器或照明之用途展開。
1‧‧‧玻璃基板 2‧‧‧透明陽極 3‧‧‧電洞注入層 4‧‧‧電洞傳輸層 5‧‧‧發光層 6‧‧‧電子傳輸層 7‧‧‧電子注入層 8‧‧‧陰極 9‧‧‧覆蓋層
圖1係表示實施例17～29、比較例1、2之有機EL元件構成之圖。

Claims (15)

  1. 一種有機EL元件，其係依序至少具有陽極電極、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極電極及覆蓋層者，且上述覆蓋層含有具有下述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構之胺化合物，
    Figure 108100997-A0305-02-0058-1
     (式中，A表示將下述通式(B-1)所表示之R1~R6之其中1處設為鍵結部位之一價基，B及C相互可相同亦可不同，表示將下述通式(B-1)所表示之R1~R6之其中1處設為鍵結部位之一價基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基，Ar分別相互可相同亦可不同，表示經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基之二價基或單鍵；又，經由氮原子相互鄰接之Ar可利用單鍵、經取代或者未經取代之亞甲基、氧原子或硫原子進行鍵結而形成環)
    Figure 108100997-A0305-02-0058-2
     (式中，R1~R6相互可相同亦可不同，表示作為鍵結部位之連結基、氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5至10之環 烷基、可具有取代基之碳原子數2至6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷氧基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基、或經取代或者未經取代之芳氧基，X及Y表示碳原子或氮原子；其中，於X及Y為氮原子之情形時，X或Y係設為不具有R5或R6者，且X及Y為碳原子之情形除外)，其中，作為通式(A-1)及(B-1)中之B、C、Ar及R1至R6所表示之「經取代之芳香族烴基」、「經取代之芳香族雜環基」、「經取代之縮合多環芳香族基」、「可具有取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基」、「可具有取代基之碳原子數5~10之環烷基」、「可具有取代基之碳原子數2~6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基」、「可具有取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基」、「可具有取代基之碳原子數5~10之環烷氧基」、「經取代之芳氧基」、或「經取代之亞甲基」中之「取代基」，係選自由氘原子、氰基、硝基、鹵素原子、矽烷基、碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、烯基、芳氧基、芳基烷氧基、芳香族烴基、縮合多環芳香族基、包含碳數6~30之芳基、及包含碳數2~20之雜芳基所組成之群中。
  2. 如請求項1之有機EL元件，其中上述具有苯并唑環結構之胺化合物於波長400nm至410nm下具有0.20以上之消光係數，且於濃度1.0×10-5mol/L之甲苯溶液之吸收光譜中，於波長400nm至410nm下具有0.20以上之吸光度。
  3. 如請求項1之有機EL元件，其中上述通式(B-1)係由下述通式(B-2)或(B-3)所表示，
    Figure 108100997-A0305-02-0060-3
    Figure 108100997-A0305-02-0060-4
     (式中，將虛線部設為鍵結部位，R7~R11相互可相同亦可不同，表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷基、可具有取代基之碳原子數2至6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷氧基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基、或經取代或者未經取代之芳氧基，X及Y表示碳原子或氮原子；其中，於X及Y為氮原子之情形時，Y係設為不具有R11者，且X及Y為碳原子之情形除外)，其中，作為通式(B-2)及(B-3)中之R7至R11所表示之「經取代之芳香族烴基」、「經取代之芳香族雜環基」、「經取代之縮合多環芳香族基」、「可具有取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基」、「可具有取代基之碳原子數5~10之環烷基」、「可具有取代基之碳原子數2~6之直鏈狀或 者支鏈狀之烯基」、「可具有取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基」、「可具有取代基之碳原子數5~10之環烷氧基」、或「經取代之芳氧基」中之「取代基」，係選自由氘原子、氰基、硝基、鹵素原子、矽烷基、碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、烯基、芳氧基、芳基烷氧基、芳香族烴基、縮合多環芳香族基、包含碳數6~30之芳基、及包含碳數2~20之雜芳基所組成之群中。
  4. 如請求項1之有機EL元件，其中上述通式(B-1)係由下述通式(B-4)或(B-5)所表示，
    Figure 108100997-A0305-02-0061-5
    Figure 108100997-A0305-02-0061-6
     (式中，將虛線部設為鍵結部位，R12~R15相互可相同亦可不同，表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷基、可具有取代基之碳原子數2至6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷氧基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族 基、或經取代或者未經取代之芳氧基)，其中，作為通式(B-4)及(B-5)中之R12至R15所表示之「經取代之芳香族烴基」、「經取代之芳香族雜環基」、「經取代之縮合多環芳香族基」、「可具有取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基」、「可具有取代基之碳原子數5~10之環烷基」、「可具有取代基之碳原子數2~6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基」、「可具有取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基」、「可具有取代基之碳原子數5~10之環烷氧基」、或「經取代之芳氧基」中之「取代基」，係選自由氘原子、氰基、硝基、鹵素原子、矽烷基、碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、烯基、芳氧基、芳基烷氧基、芳香族烴基、縮合多環芳香族基、包含碳數6~30之芳基、及包含碳數2~20之雜芳基所組成之群中。
  5. 如請求項1至4中任一項之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A、B及C具有苯并唑環結構。
  6. 如請求項1至4中任一項之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A及B具有苯并唑環結構，且C表示經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基。
  7. 如請求項1至4中任一項之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A具有苯并唑環結構，且B及C表示經取代或者未經取代之芳香族烴基、經 取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基。
  8. 如請求項5之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A、B及C相同。
  9. 如請求項5之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A及B相同。
  10. 如請求項5之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A、B及C不相同。
  11. 如請求項5之有機EL元件，其中於上述通式(A-1)中，A及B不相同。
  12. 如請求項1之有機EL元件，其中上述覆蓋層之厚度為30nm~120nm之範圍內。
  13. 如請求項1之有機EL元件，其中上述覆蓋層之折射率相對於波長為400nm~410nm之範圍內之光為1.85以上。
  14. 一種將胺化合物用於機EL元件之覆蓋層之方法，其中該胺化合物具有如請求項1之上述通式(A-1)中之A或B係由如請求項4之上述通式(B-4)或(B-5)所表示之苯并三唑環結構。
  15. 一種胺化合物，其具有下述通式(A-1)所表示之苯并唑環結構，
    Figure 108100997-A0305-02-0064-7
     (式中，A表示將下述通式(B-1)所表示之R1~R6之其中1處設為鍵結部位之一價基，B及C相互可相同亦可不同，表示將下述通式(B-1)所表示之R1~R6之其中1處設為鍵結部位之一價基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基，Ar分別相互可相同亦可不同，表示經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基或經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基之二價基；又，經由氮原子相互鄰接之Ar可利用單鍵、經取代或者未經取代之亞甲基、氧原子或硫原子進行鍵結而形成環)
    Figure 108100997-A0305-02-0064-8
     (式中，R1~R6相互可相同亦可不同，表示作為鍵結部位之連結基、氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷基、可具有取代基之碳原子數2至6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1至6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5至10之環烷氧基、經取代或者未經取代之芳香族烴基、經取代或者未經取代之芳香族雜環基、經取代或者未經取代之縮合多環芳香族基、或經取代或者未經取代之芳氧基，X及Y表示碳原子或氮原子；其中，於X及Y為氮原子之情形時，X或Y係設為不具有R5或R6者，且X及Y為碳原 子之情形除外)，其中，作為通式(A-1)及(B-1)中之B、C、Ar及R1至R6所表示之「經取代之芳香族烴基」、「經取代之芳香族雜環基」、「經取代之縮合多環芳香族基」、「可具有取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基」、「可具有取代基之碳原子數5~10之環烷基」、「可具有取代基之碳原子數2~6之直鏈狀或者支鏈狀之烯基」、「可具有取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基」、「可具有取代基之碳原子數5~10之環烷氧基」、「經取代之芳氧基」、或「經取代之亞甲基」中之「取代基」，係選自由氘原子、氰基、硝基、鹵素原子、矽烷基、碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷基、碳原子數1~6之直鏈狀或者支鏈狀之烷氧基、烯基、芳氧基、芳基烷氧基、芳香族烴基、縮合多環芳香族基、包含碳數6~30之芳基、及包含碳數2~20之雜芳基所組成之群中。
TW108100997A 2018-01-10 2019-01-10 有機el元件、具有苯并唑環結構之胺化合物、及將其用於有機el元件之覆蓋層之方法 TWI839340B (zh)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2017183625A1 (ja) 2016-04-22 2017-10-26 保土谷化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子

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