TWI836553B - 對包括氮化矽層的板進行處理的方法 - Google Patents
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Abstract
根據本發明的基板處理方法是在氧化矽層與氮化矽層交
替堆疊的基板中對所述氮化矽層選擇性地進行刻蝕的基板處理方法，包括將多種氣體電漿化並對氮化矽層進行電漿刻蝕的步驟，所述多種氣體包含含有除三氟化氮以外的氟的第一氣體及含有氫的第二氣體，且對所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比進行調節以對氮化矽層的厚度方向的刻蝕輪廓進行控制。根據本發明的基板處理方法，可對氮化矽層的刻蝕輪廓進行調節，增大刻蝕氣體的電漿化效率，且自由基可充分到達最下部的氮化物層。
Description
本發明涉及一種基板處理方法。更詳細來說，涉及一種可對形成在基板上的氮化矽層的刻蝕輪廓進行調節的基板處理方法。
近來隨著半導體元件的微細化，半導體元件漸漸高集成化。由於氮化矽膜用作在化學上具有穩定的特性的介電膜或絕緣膜，因此不僅在存儲器元件的基本的元件分離製程中而且在接觸件(Contact)製程或封蓋(Capping)製程中廣泛用於用作側壁(Sidewall)原材料等的動態隨機存取存儲器(dynamic random access memory，DRAM)及快閃存儲器(FLASH Memory)製造製程。
另一方面，在製造半導體元件時，存在在基板上形成多層氧化矽膜及氮化矽膜的情況。在這種情況下，為了對氮化矽膜選擇性地進行刻蝕，應應用與氧化矽膜相比具有高刻蝕選擇比的刻蝕劑。
以往，已知磷酸系刻蝕劑作為與氧化矽膜相比具有高刻蝕選擇比的刻蝕劑。使用磷酸系刻蝕劑的氮化矽膜的刻蝕屬於濕式刻蝕。然而，濕式刻蝕存在由於表面張力而刻蝕劑滲透到元件圖案內且刻蝕不能順利進行到最下部氮化膜的問題。這種問題隨著半導體元件的層數變得更多且圖案變得更微細而進一步變嚴重。
作為這種濕式刻蝕的替代方案，提出乾式刻蝕。乾式刻蝕是將刻蝕氣體電漿化並利用由此產生的刻蝕自由基對氮化矽膜進行刻蝕的方式。作為用於進行氮化矽膜刻蝕的刻蝕氣體，提出四氟化碳(CF4)、三氟化氮(NF3)等。
另一方面，在進行氮化矽乾式刻蝕時不太使用單氟甲烷(CH3F)或二氟甲烷(CH2F2)等含有氫的刻蝕氣體，這是因為在將刻蝕氣體電漿化時生成由氫自由基形成的厚的聚合物膜。這種厚的聚合物膜使氮化矽膜的刻蝕率下降。
然而，在欲抑制聚合物膜的形成而僅使用不含氫的刻蝕氣體的情況，氮化矽膜相對於氧化矽膜的刻蝕選擇比不高，因此存在氧化矽膜在一定程度上也被刻蝕的問題。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]韓國公開專利公報第10-2013-0056039號(2013年05月29日公開)
本發明的目的是提供一種基板處理方法，所述基板處理方法可進行相對於氧化矽層的氮化矽層的選擇性刻蝕，且透過對刻蝕氣體中所包含的氟與氫的原子比、射頻(radio frequency，RF)頻率等進行控制可對氮化矽層的厚度方向的刻蝕輪廓進行調節。
用於解決上述課題的根據本發明實施例的基板處理方法是在氧化矽層與氮化矽層交替堆疊的基板中對所述氮化矽層選擇性地進行刻蝕的基板處理方法，其特徵在於包括將多種氣體電漿化並對氮化矽層進行電漿刻蝕的步驟，所述多種氣體包含含有除三氟化氮(NF3)以外的氟的第一氣體及含有氫的第二氣體，且對所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比進行調節以對氮化矽層的厚度方向的刻蝕輪廓進行控制。
所述氟與所述氫的原子比(F：H)可為15：1~35：1。
所述第一氣體為四氟化碳(CF4)，且所述第二氣體可為選自二氟甲烷(CH2F2)、單氟甲烷(CH3F)、甲烷(CH4)、氫(H2)、氨(NH3)及三氟甲烷(CHF3)中的一種以上。
所述多種氣體可額外包含氮及氧。
所述電漿刻蝕可在15MHz以上且小於60MHz的射頻頻率條件下執行。
所述電漿刻蝕可在電容性耦合電漿(Capacitively Coupled Plasma，CCP)模式下執行。
用於解決上述課題的根據本發明另一實施例的基板處理方法是在氧化矽層與氮化矽層交替堆疊的基板中對所述氮化矽層選擇性地進行刻蝕的基板處理方法，其特徵在於包括以下步驟：將多種氣體電漿化，並以使最上部的氮化矽層的刻蝕率與最下部的氮化矽層的刻蝕率相同或者從最上部的氮化矽層到最下部的氮化矽層刻蝕率逐漸增加的方式對氮化矽層進行電漿刻蝕，所述多種氣體包含含有除三氟化氮以外的氟的第一氣體及含有氫的第二氣體，且所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比(F：H)為22.5：1以上且35：1以下。
用於解決上述課題的根據本發明又一實施例的基板處理方法是在氧化矽層與氮化矽層交替堆疊的基板中對所述氮化矽層選擇性地進行刻蝕的基板處理方法，其特徵在於包括以下步驟：將多種氣體電漿化，並以使從最上部的氮化矽層到最下部的氮化矽層刻蝕率逐漸減小的方式對氮化矽層進行電漿刻蝕，所述多種氣體包含含有除三氟化氮以外的氟的第一氣體及含有氫的第二氣體，且所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比(F：H)為15：1以上且小於22.5：1。
根據本發明的基板處理方法是透過在刻蝕氣體中不包含三氟化氮(NF3)且包含如四氟化碳(CF4)等含氟氣體、如二氟甲烷(CH2F2)等含氫氣體，從而可進行相對於氧化矽層的氮化矽層的選擇性刻蝕。
特別是，根據本發明的基板處理方法利用將刻蝕氣體中所包含的氟與氫的原子比控制為15：1~35：1，從而可對氮化矽層的刻蝕輪廓進行調節。
進而，根據本發明的基板處理方法透過將用於電漿刻蝕的RF頻率控制在15MHz以上且小於60MHz的範圍，從而可增大刻蝕氣體的電漿化效率，且自由基可充分到達最下部的氮化物層。
本發明的效果不限於以上所提及的效果，未提及的另一效果透過以下詳細的說明對本領域技術人員而言可清楚地理解。
10:腔室
20:基座
30:噴頭
31:上部部分
32:下部部分
40:氣體供給源
50:RF電源
201:矽晶片
210、O:氧化矽層
220、N:氮化矽層
S:基板
圖1是概略性地示出可用於本發明的刻蝕裝置的例子。
圖2a示出成為可用於本發明的刻蝕對象的基板的例子。
圖2b示出從最下部的氮化矽層到最上部的氮化矽層以相同的刻蝕率進行刻蝕的例子。
圖2c示出以從最上部的氮化矽層向最下部的氮化矽層逐漸增加的刻蝕率進行刻蝕的例子。
圖2d示出以從最上部的氮化矽層向最下部的氮化矽層逐漸減小的刻蝕率進行刻蝕的例子。
圖3示出根據刻蝕氣體中所包含的氟與氫的原子比的最上部氮化矽層與最下部氮化矽層的相對刻蝕率。
本發明的優點及特徵、以及達成其等的方法將參照附圖以及以下詳細描述的實施例而變得明確。然而，本發明不限定於以下揭示的實施例，而是以彼此不同的各種形態實現，但本實施例僅是為了使本發明的揭示完整，且對本發明所屬技術領域中具有通常知識者完整地告知發明的範疇而提供，本發明僅由權利要求書的範疇定義。貫穿整個說明書，相同的參考符號指代相同的構成要素。為了說明的明了性，對圖中層及區域的大小及相對大小可進行誇張說明。
稱要素或層位於另一元件「上方」或「上」的情形不僅包括直接位於另一元件或層的上方，而且包括在中間介置其他層或其他元件的情形。相反，稱元件「直接位於…上方」或「正上」的情形表示在中間不介置其他元件或其他層。另外，應理解的是，在某種構成要素被記載為與另一構成要素「連接」、「結合」或「相連」的情況，雖然所述構成要素可彼此直接連接或相連，但在各構成要素之間也可「介置」其他構成要素，或者各構成要素透過其他構成要素進行「連接」、「結合」或「相連」。
作為空間相對性用語的「下方」、「下部」、「上方」、「上部」等可用於容易地記述如圖所示一個元件或構成要素與另一元件或構成要素的相關關係。空間相對性用語應理解為除圖中所示的方向以外還包括元件在使用或操作時彼此不同的方向的用語。例如，
在將圖中所示的元件翻轉的情況，被記述為另一元件的「下方」的元件可能被置於另一元件的「上方」。因此，作為例示性的用語的「下方」可包括下方與上方兩個方向。
在本說明書中使用的用語用於對實施例進行說明，因此並非對本發明進行限制。在本說明書中，除非在上下文中特別提及，否則單數形也包括複數形。在說明書中使用的「包括」和/或「包括的」提及的構成要素、步驟、動作和/或元件不排除存在或附加一個以上的其他構成要素、步驟、動作和/或元件。
以下，參照附圖針對根據本發明優選實施例的基板處理方法詳細地進行說明，如下所示。
圖1是概略性地示出可用於根據本發明的基板處理方法的刻蝕裝置的例子。
參照圖1，示出的刻蝕裝置包括腔室10、基座20、噴頭30、多個氣體供給源40及RF電源50。
在腔室10內部的下側配置基座20，且在腔室10內部的上側配置噴頭30。
在基座20的上部配置作為處理對象的基板S。在基座20中可具有如熱線或冷卻液管路等溫度調節構件。另外，基座20可連接到地。
噴頭30配置在腔室10內部的上側。噴頭30起到對反應氣體進行分配並供給到腔室10內部的作用。另外，噴頭30可起到RF電極的作用，以使得在噴頭內部形成電漿，或者在噴頭與基
座之間的空間中形成電漿。例如，在噴頭30內部形成電漿的情況，噴頭30的上部部分31與RF電源50連接以起到RF電極的作用，且噴頭的下部部分32連接到地從而可起到接地電極的作用。
多個氣體供給源40配置在腔室10外部，且將包含含氟氣體的多種氣體供給到腔室10內部。為了進行基板處理，將包含含氟氣體的多種氣體從多個氣體供給源40透過噴頭30提供到腔室10內部。在多個氣體供給源40與腔室10之間可配置用於對各氣體的流量進行調節的流量調節計。可將多種氣體在腔室外部預先進行混合併供給到噴頭30，或者在噴頭30內部進行混合。
RF電源50可施加具有預先確定的RF頻率(例如27.12MHz、50MHz等)功率。在向腔室10內部(例如噴頭內部)供給電漿點火氣體或多種氣體後，向作為電極起作用的噴頭的上部部分31施加具有在RF電源50中預先確定的RF頻率的RF功率(例如高頻功率)，從而在噴頭30內部形成電漿。形成電漿的情形也可指供給到腔室內部的氣體轉換為電漿狀態、即電漿化。
根據本發明實施例的基板處理方法包括基板配置步驟及氮化矽層刻蝕步驟。
在基板配置步驟中，在腔室內的基座上配置形成有一個以上氧化矽層與兩個以上氮化矽層的基板。
圖2a示出成為可用於本發明的刻蝕對象的基板的例子。
參照圖2a，基板可在矽晶片201上交替堆疊氧化矽層210及氮化矽層220。氧化矽層210及氮化矽層220可例示性地如圖
2a所示分別形成九個層及八個層，但並非限定於此。
在氮化矽層刻蝕步驟中，將多種氣體供給到腔室內並對兩個以上氮化矽層選擇性地進行刻蝕。
圖2b示出從最下部的氮化矽層到最上部的氮化矽層以相同的刻蝕率進行刻蝕的例子。圖2c示出以從最上部的氮化矽層向最下部的氮化矽層逐漸增加的刻蝕率進行刻蝕的例子。圖2d示出以從最上部的氮化矽層向最下部的氮化矽層逐漸減小的刻蝕率進行刻蝕的例子。
氮化矽層的刻蝕輪廓如圖2b至圖2d所示的例子般可為多樣的。特別是，可能需要如圖2b所示的例子般從最上部的氮化矽層到最下部的氮化矽層以相同的刻蝕率進行刻蝕，或者如圖2c所示的例子般向最下部的氮化矽層刻蝕率逐漸變高。
在本發明中，如下所示，在刻蝕氣體中包含含有氫的氣體及含有氟的氣體，且透過調節氟與氫的原子比來調節刻蝕輪廓。
首先，為了進行對氮化矽層的選擇性刻蝕，在本發明中將多種氣體供給到腔室內。多種氣體包含含有氟(F)的第一氣體及含有氫(H)的第二氣體。
另一方面，在本發明中優選為從第一氣體排除三氟化氮(NF3)。三氟化氮(NF3)由於不僅對氮化矽層進行刻蝕，而且在一定程度上也對氧化矽層進行刻蝕，因此優選為盡可能從用於對氮化矽層進行選擇性刻蝕的多種氣體中排除。
在本發明中，第一氣體及第二氣體在腔室內部、例如噴頭
內部被電漿化。
作為用於進行電漿刻蝕的製程條件，優選為利用刻蝕裝置的RF電源對噴頭施加具有15MHz以上且小於60MHz的RF頻率的高頻功率，且更優選為15MHz~50MHz的RF頻率。在RF頻率為如13.56MHz般小於15MHz的情況，多種氣體的電漿化、分解效率低，且因此大部分刻蝕自由基在上部側的氮化矽層中被消耗。因此，在RF頻率小於15MHz的情況，由於下部側的氮化矽層的刻蝕難以順利進行，且因上部側的氮化矽層的過刻蝕而可能產生如圖案崩塌等損壞，因此優選為RF頻率為15MHz以上。另一方面，在RF頻率為如60MHz、67.8MHz般60MHz以上的情況，因過度的離子化、分解效率而即使透過調節其他製程條件也可能難以獲得期望的刻蝕輪廓。
另外，在本發明中使用的電漿模式在電感性耦合電漿(Inductively Coupled Plasma，ICP)模式或電容性耦合電漿(Capacitively Coupled Plasma，CCP)模式中更優選為CCP模式。這是因為在CCP模式的情況，由於與ICP模式相比均勻性優異，因此在大容量基板處理中可具有器件的更均勻的製程結果。
除此之外，作為用於進行電漿刻蝕的製程條件，可提出700W~2500W的RF功率、0.3托(Torr)~10托的製程壓力、0~50℃的基座表面溫度等，但並非限定於此，且可應用公知的各種製程條件。
所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比(F：H)優選為
15：1~35：1。氟與氫的原子比(F：H)可透過對含氟氣體與含氫氣體的流量進行控制來達成。
在氟與氫的原子比(F：H)小於15：1的情況，存在過多的氫，由電漿生成的聚合物膜在氧化矽層及氮化矽層表面形成得厚，因此氮化矽層的刻蝕率可能大大下降。相反，在氟與氫的原子比(F：H)超過35：1的情況，因氫不足而使聚合物膜形成得過薄，因此氧化矽膜的刻蝕率也變高，因而可能對圖案造成損壞。
所述第一氣體可為四氟化碳(CF4)。所述第二氣體可為選自二氟甲烷(CH2F2)、單氟甲烷(CH3F)、甲烷(CH4)、氫(H2)、氨(NH3)及三氟甲烷(CHF3)中的一種以上。更優選為第一氣體為四氟化碳(CF4)，且第二氣體為二氟甲烷(CH2F2)。第一氣體的流量可確定為約800sccm以下，且第二氣體的流量可確定為200sccm以下，但不限定於此。
另一方面，多種氣體可額外包含氮及氧。氮結合成NO並有助於對氮化矽層進行刻蝕。另外，氧有助於移除製程副產物。氮可以例如2000sccm以下的流量供給到腔室內，且氧可以例如3000sccm以下的流量供給到腔室內。
在對氮化矽層進行選擇性刻蝕之後，在進行刻蝕的過程中可執行移除在氮化矽層表面形成的凝縮膜的熱處理。熱處理可在80℃~300℃的溫度範圍內執行。
實施例
以下，將透過本發明優選的實施例對本發明的構成及作
用更詳細地進行說明。但，此情形作為本發明的優選例示提出且無論作為何種含義也不能被解釋為利用其限製本發明。由於此處未記載的內容只要是本技術領域內熟練的技術人員則可在技術上充分地推斷，因此將省略對其的說明。
準備如圖2a所示的例子般的基板。在矽晶片201上交替堆疊氧化矽層210(O)及氮化矽層220(N)。氮化矽層220(N)共形成有八層。氧化矽層210(O)以熱氧化方式形成。
使用四氟化碳(CF4)與二氟甲烷(CH2F2)作為刻蝕氣體，且以表1的氟與氫的原子比(F：H)控制流量。除此之外，應用如下所示的製程條件。
-RF電源的RF頻率：27.12MHz
-RF電源的RF功率：1000W
-電漿模式：CCP模式
-腔室內部壓力1托
-基座表面溫度：室溫
表1示出表示根據氟與氫的原子比(F：H)的SiN刻蝕率、SiN選擇比及最上部的氮化矽層對最下部的氮化矽層的刻蝕率的T/B比率(T/B ratio)。
在表1中，SiN刻蝕率及SiO2刻蝕率是透過非圖案晶片製程結果獲得的值。
而且，T/B比率表示最上部的氮化矽層對最下部的氮化矽層的刻蝕率。在T/B比率為1的情況，最下部的氮化矽層與最
上部的氮化矽層的刻蝕率相同。在T/B比率大於1的情況，最上部的氮化矽層比最下部的氮化矽層被刻蝕得更多。相反，在T/B比率小於1的情況，最下部的氮化矽層比最上部的氮化矽層被刻蝕得更多。
參照表1可看出，在氟與氫的原子比(F：H)不到15：1的情況，幾乎不進行最下部的氮化矽層的刻蝕。氟與氫的原子比(F：H)不到15：1的情形意指與其他例子相比氫比率相對高。由於氫比率非常高，因此在進行電漿刻蝕時來源於電漿的聚合物膜在氧化矽層及氮化矽層表面形成得過厚，因此氮化矽層看起來幾乎未被刻蝕。因此，氟與氫的原子比(F：H)優選為15：1以上。
另外，參照表1可看出，在氟與氫的原子比(F：H)超
過35：1的情況，產生圖案崩塌。觀察到由於氫比率非常低，聚合物膜在氧化矽層及氮化矽層表面形成得薄，因此氧化矽層的刻蝕量也大大增加，從而產生圖案崩塌。因此，氟與氫的原子比(F：H)優選為35：1以下。
圖3示出根據刻蝕氣體中所包含的氟與氫的原子比的最上部氮化矽層與最下部氮化矽層的相對刻蝕率。
參照表1及圖3，在氟與氫的原子比(F：H)為15：1的情況，表示最上部的氮化矽層對最下部的氮化矽層的刻蝕率的T/B比率顯示為約2.6，且在氟與氫的原子比(F：H)為18：1的情況，T/B比率顯示為約2.3。此情形如圖2d所示在需要越向最下部的氮化矽層刻蝕率相對逐漸下降時可有用。
另外，在氟與氫的原子比(F：H)為22.5：1的情況，T/B比率顯示為約1.0，且此情形如圖2b所示在需要使最上部的氮化矽層與最下部的氮化矽層的刻蝕率均一時可有用。
另外，在氟與氫的原子比(F：H)為25：1、30：1、35：1的情況，T/B比率顯示為小於1.0，且此情形如圖2c所示在需要越向最下部的氮化矽層刻蝕率逐漸升高時可有用。
另外，可看出氟與氫的原子比(F：H)從22.5：1變高到30：1時T/B比率變低，但氟與氫的原子比(F：H)從30：1變高到35：1時T/B比率反而增加。
如上所述，利用根據本發明的基板處理方法，可獲得以下效果：可進行相對於氧化矽層的氮化矽層的選擇性刻蝕，且透
過對刻蝕氣體中所包含的氟與氫的原子比進行控制也可對形成在基板上的氮化矽層的刻蝕輪廓進行調節。
特別是，透過將氟與氫的原子比(F：H)控制為22.5：1以上且35：1以下，在多層的氮化矽層中可從最上部的氮化矽層到最下部的氮化矽層均勻地進行刻蝕，或者從最上部的氮化矽層越向最下部的氮化矽層逐漸刻蝕得更多，從而可獲得如圖2b或圖2c所示般的刻蝕輪廓。
另一方面，透過將氟與氫的原子比(F：H)控制為15：1以上且小於22.5：1，從最上部的氮化矽層向最下部的氮化矽層刻蝕量逐漸減少，從而可獲得如圖2d所示般的刻蝕輪廓。
另一方面，即使在將RF頻率固定為50MHz時，透過將氟與氫的原子比(F：H)調節為15：1~35：1，也可獲得與表1相似的T/B比率結果。
相反，在將RF頻率固定為60MHz時，即使以各種RF功率及壓力對製程配方進行變更，也無法對氮化矽層的厚度方向輪廓進行調節。這是緣於在進行電漿刻蝕時過度的離子化、分解效率。因此，從這種結果可看出適用於根據本發明的基板處理方法的RF頻率更優選為小於60MHz。
以上，雖然以本發明的實施例為中心進行說明，但可在本領域技術人員的水平上進行各種變更或變形。這種變更與變形在不脫離本發明的範圍的情況下均可屬於本發明。因此，本發明的權利範圍應根據以上所記載的權利要求書來判斷。
201:矽晶片
210、O:氧化矽層
220、N:氮化矽層
Claims (7)
- 一種基板處理方法，是在氧化矽層與氮化矽層交替堆疊的基板中對所述氮化矽層選擇性地進行刻蝕的基板處理方法，包括將多種氣體電漿化並對氮化矽層進行電漿刻蝕的步驟，所述多種氣體包含含有除三氟化氮(NF3)以外的氟的第一氣體及含有氫的第二氣體，且對所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比進行調節，以對氮化矽層的厚度方向的刻蝕輪廓進行控制，所述氟與所述氫的原子比(F：H)為15：1~35：1，所述電漿刻蝕在15MHz以上且小於60MHz的射頻頻率條件下執行。
- 如請求項1所述的基板處理方法，其中所述第一氣體為四氟化碳(CF4)，所述第二氣體為選自二氟甲烷(CH2F2)、單氟甲烷(CH3F)、甲烷(CH4)、氫(H2)、氨(NH3)及三氟甲烷(CHF3)中的一種以上。
- 如請求項1所述的基板處理方法，其中所述多種氣體額外包含氮及氧。
- 如請求項1所述的基板處理方法，其中所述電漿刻蝕在電容性耦合電漿(CCP)模式下執行。
- 一種基板處理方法，是在氧化矽層與氮化矽層交替堆疊的基板中對所述氮化矽層選擇性地進行刻蝕的基板處理方法，包括以下步驟：將多種氣體電漿化，並以使最上部的氮化矽層的刻蝕率與最下部的氮化矽層的刻蝕率相同或者從最上部的氮化矽層到最下部的氮化矽層刻蝕率逐漸增加的方式對氮化矽層進行電漿刻蝕，所述多種氣體包含含有除三氟化氮以外的氟的第一氣體及含有氫的第二氣體，且所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比(F：H)為22.5：1以上且35：1以下，所述電漿刻蝕在15MHz以上且小於60MHz的射頻頻率條件下執行。
- 一種基板處理方法，是在氧化矽層與氮化矽層交替堆疊的基板中對所述氮化矽層選擇性地進行刻蝕的基板處理方法，包括以下步驟：將多種氣體電漿化，並以使從最上部的氮化矽層到最下部的氮化矽層刻蝕率逐漸減小的方式對氮化矽層進行電漿刻蝕，所述多種氣體包含含有除三氟化氮以外的氟的第一氣體及含有氫的第二氣體，且 所述多種氣體中所包含的氟與氫的原子比(F：H)為15：1以上且小於22.5：1，所述電漿刻蝕在15MHz以上且小於60MHz的射頻頻率條件下執行。
- 如請求項5或6所述的基板處理方法，其中所述第一氣體為四氟化碳(CF4)，所述第二氣體為選自二氟甲烷(CH2F2)、單氟甲烷(CH3F)、甲烷(CH4)、氫(H2)、氨(NH3)及三氟甲烷(CHF3)中的一種以上。
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