TWI833582B - 具有單側電容器的半導體結構的製備方法 - Google Patents
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Abstract
本揭露提供一種半導體結構的製備方法。該製備方法包括：提供一基底；依序形成一第一氮化物層、一第一犧牲層、一第二氮化物層、一第二犧牲層以及一第三氮化物層在該基底上；形成一第一開口以及一第二開口，其中該第一開口暴露在該基底中的一第一著陸墊，而該第二開口暴露在該基底中的一第二著陸墊；形成一第一電極在該第一開口中以及形成一第二電極在該第二開口中；同時移除該第一犧牲層與該第二犧牲層；以及形成一導電層以共形於該第一電極、該第二電極、該第一氮化物層、該第二氮化物層以及該第三氮化物層。
Description
本申請案主張2022年5月19日申請之美國正式申請案第17/748,201及17/748,869號的優先權及益處，該美國正式申請案之內容以全文引用之方式併入本文中。
本揭露係關於一種具有一單側電容器的一半導體結構的製備方法。特別是有關於一種具有一單側電容器的一半導體結構的製備方法。
半導體元件使用在不同的電子應用，例如個人電腦、手機、數位相機，或其他電子設備。半導體元件通常藉由在一半導體基底上依序沉積多個隔離或介電層、多個導電層以及多個半導體材料層，並使用微影而圖案化各種材料層以在其上形成多個電路組件與元件來製造。隨著半導體產業為了追求更佳的元件密度、更高的效能以及更低的成本而發展到先進的技術製程節點，已經出現簡單的電容器結構以及更好的一記憶體單元效能的挑戰。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且
上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露之一實施例提供一種半導體結構。該半導體結構包括一基底，包括在其中的一第一著陸墊；以及一第一電容器，設置在該基底上。該第一電容器包括一第一電極，設置在該第一著陸墊上並遠離該第一著陸墊而垂直延伸；一第一介電層，至少部分圍繞該第一電極，其中該第一電極比該第一介電層更短；以及一第二電極，圍繞該第一介電層與該第一電極。
在一些實施例中，該半導體結構還包括一第一氮化物層，設置在該第一電極與該第一介電層上。
在一些實施例中，該第一氮化物層朝向該第一電極突伸。
在一些實施例中，該第二電極圍繞該第一氮化物層。
在一些實施例中，該半導體結構還包括一第二氮化物層，圍繞該第一電容器的一中間部分。
在一些實施例中，該第二氮化物層接觸該第一介電層。
在一些實施例中，該第二氮化物層被該第二電極所圍繞。
在一些實施例中，該第一介電層包括一或多個高介電常數的材料。
在一些實施例中，該第一電極與該第二電極包含一相同金屬材料。
在一些實施例中，該第一電容器覆蓋該第一著陸墊之一暴露表面的全部。
在一些實施例中，該半導體結構還包括一第二電容器，設
置在鄰近該第一電容器的該基底上，且包括：一第三電極，設置在鄰近該第一著陸墊之該基底中的一第二著陸墊上並遠離該第二著陸墊而垂直延伸；一第二介電層，至少部分圍繞該第三電極，其中該第三電極比該第二介電層更短；以及一第四電極，圍繞該第二介電層與該第三電極，其中該第四電極實體連接到該第二電極。
本揭露之另一實施例提供一種半導體結構。該半導體結構包括一第一著陸墊以及一第二著陸墊，設置在一基底上；一第一導電層，設置在該第一著陸墊上並遠離該第一著陸墊而垂直延伸；一第二導電層，設置在該第二著陸墊上並遠離該第二著陸墊而垂直延伸；一第一介電層，圍繞該第一導電層；一第二介電層，圍繞該第二導電層；一第三導電層，圍繞該第一介電層與該第二介電層；以及一第一間隙，設置在該第一介電層與該第二介電層之間，且至少部分被該第三導電層所包圍。
在一些實施例中，該半導體結構還包括一第一氮化物層，設置在該第一介電層與該第二介電層的各中間部分之間；以及一第二氮化物層，設置在該第一介電層與該第二介電層的各上部之間。
在一些實施例中，該第一間隙設置在該第一氮化物層與該基底之間。
在一些實施例中，該半導體結構還包括一第二間隙，設置在該第一間隙上以及在該第二氮化物層與該第一氮化物層之間，且至少部分被該第三導電層所包圍。
在一些實施例中，該第一導電層比該第一介電層更短，且該第二氮化物層的一部分被在該第一導電層上的該第一介電層所圍繞。
在一些實施例中，該第二導電層比該第二介電層更短，且
該第二氮化物層的一部分被在該第二導電層上的該第二介電層所圍繞。
在一些實施例中，該第一氮化物層接觸該第一介電層與該第二介電層，且該第二氮化物層接觸該第一介電層與該第二介電層。
本揭露之再另一實施例提供一種半導體結構的製備方法。該製備方法包括提供一基底；依序形成一第一氮化物層、一第一犧牲層、一第二氮化物層、一第二犧牲層以及一第三氮化物層在該基底上；形成一第一開口以及一第二開口，其中該第一開口暴露在該基底中的一第一著陸墊，而該第二開口暴露在該基底中的一第二著陸墊；形成一第一電極在該第一開口中以及形成一第二電極在該第二開口中；同時移除該第一犧牲層與該第二犧牲層；以及形成一導電層以共形於該第一電極、該第二電極、該第一氮化物層、該第二氮化物層以及該第三氮化物層。
在一些實施例中，該製備方法還包括在形成該第二氮化物層之後，移除該第二氮化物層的一部分，藉此暴露該第一犧牲層。
在一些實施例中，該第二犧牲層的一部分接觸該第一犧牲層。
在一些實施例中，該製備方法還包括在形成該第三氮化物層之後，移除該第三氮化物層的一部分，藉此暴露該第二犧牲層。
在一些實施例中，執行一濕蝕刻操作以同時移除該第一犧牲層與該第二犧牲層。
在一些實施例中，該第一犧牲層包含硼磷矽酸鹽玻璃(BPSG)。
在一些實施例中，該第二犧牲層包含矽烷氧化物(silane oxide)。
在一些實施例中，該製備方法還包括在形成該第一電極與該第二電極之前，形成一高介電常數層，藉此加襯該第一開口與該第二開口的各側壁。
在一些實施例中，該製備方法還包括移除在該第一開口中之該第一電極的一上部以及在該第二開口中之該第二電極的一上部。
在一些實施例中，該製備方法還包括在移除該第一犧牲層與該第二犧牲層之前，形成一第四氮化物層，藉此填充在該第一電極上的該第一開口以及在該第二電極上的該第二開口。
在一些實施例中，該第四氮化物層設置在該第三氮化物層上。
在一些實施例中，該導電層圍繞該第四氮化物層。
在一些實施例中，在移除該第一犧牲層與該第二犧牲層之後，一第一間隙形成在該第一電極與該第二電極之間以及在該第二氮化物層與該第三氮化物層之間。
在一些實施例中，從一剖視圖來看，該導電層包圍該第一間隙。
在一些實施例中，在移除該第一犧牲層與該第二犧牲層之後，一第二間隙形成在該第一電極與該第二電極之間以及在該第一氮化物層與該第二氮化物層之間。
在一些實施例中，該導電層至少部分包圍該第二間隙。
在一些實施例中，該第一開口暴露該第一著陸墊之一上表面的全部，且該第二開口暴露該第二著陸墊之一上表面的全部。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下
文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
10:基底
30:電容器
30a:第一電容器
30b:第二電容器
31a:上部
31b:上部
32a:中間部分
32b:中間部分
33a:下部
33b:下部
41:第一間隙
42:第二間隙
102:著陸墊
102a:著陸墊
102b:著陸墊
103:導電島狀物
104:隔離層
105:介電層
106:介電層
107:單元區
108:周圍區
201:氮化物層
202:第一犧牲層
203:氮化物層
204:開口
205:第二犧牲層
206:氮化物層
207:氮化物層
208:開口
301:開口
301a:第一開口
301b:第二開口
302:介電層
302a:第一介電層
302b:第二介電層
303:導電層
303a:第一下電極
303b:第二下電極
303R:上部
304:上電極
H1:高度
H2:高度
H3:高度
H4:高度
S1:製備方法
S11:步驟
S12:步驟
S13:步驟
S14:步驟
S15:步驟
S16:步驟
S102:上表面
S102a:上表面
S102b:上表面
S104:上表面
藉由參考詳細描述以及申請專利範圍可獲得對本揭露之更完整的理解。本揭露還應理解為與圖式的元件編號相關聯，圖式的元件編號是在整個描述中代表類似的元件。
圖1是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體結構。
圖2是流程示意圖，例示本揭露一些實施例之半導體結構的製備方法。
圖3到圖7是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例在形成半導體結構中的多個中間階段。
圖8是頂視示意圖，例示本揭露一些實施例如圖7所示的中間結構。
圖9到圖17是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例在形成半導體結構中的多個中間階段。
圖18是頂視示意圖，例示本揭露一些實施例如圖17所示的中間結構。
圖19到圖21是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例在形成半導體結構中的多個中間階段。
圖22是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例沿圖18所示之剖線B-B'
的半導體結構。
圖23是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例沿圖18所示之剖線C-C'的半導體結構。
圖24是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例沿圖18所示之剖線D-D'的半導體結構。
現在使用特定語言描述附圖中所示之本揭露的實施例或例子。應當理解，本揭露的範圍無意由此受到限制。所描述之實施例的任何修改或改良，以及本文件中描述之原理的任何進一步應用，所屬技術領域中具有通常知識者都認為是通常會發生的。元件編號可以在整個實施例中重複，但這並不一定意味著一個實施例的特徵適用於另一實施例，即使它們共享相同的元件編號。
應當理解，雖然用語「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」等可用於本文中以描述不同的元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些用語所限制。這些用語僅用於從另一元件、部件、區域、層或部分中區分一個元件、部件、區域、層或部分。因此，以下所討論的「第一裝置(first element)」、「部件(component)」、「區域(region)」、「層(layer)」或「部分(section)」可以被稱為第二裝置、部件、區域、層或部分，而不背離本文所教示。
本文中使用之術語僅是為了實現描述特定實施例之目的，而非意欲限制本發明。如本文中所使用，單數形式「一(a)」、「一(an)」，及「該(the)」意欲亦包括複數形式，除非上下文中另作明確指示。將進一步理解，當術語「包括(comprises)」及/或「包括(comprising)」用於本說
明書中時，該等術語規定所陳述之特徵、整數、步驟、操作、元件，及/或組件之存在，但不排除存在或增添一或更多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件，及/或上述各者之群組。
圖1是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體結構。該半導體結構具有一基底10以及設置在基底10上的一電容器30。在一些實施例中，基底10包括多個主動元件、多個被動元件及/或多個導電元件。該等主動元件可包括一記憶體晶粒(例如一動態隨機存取記憶體(DRAM)晶粒、一靜態隨機存取記憶體(SRAM)晶粒等等)、一電源管理晶粒(例如一電源管理積體電路(PMIC)晶粒)、一邏輯晶粒(例如系統單晶片(SoC)、中央處理單元(CPU)、圖形處理單元(GPU)、應用處理器(AP)、微處理器等等)、一射頻(RF)晶粒、一感測器晶粒、一微機電系統(MEMS)晶粒、一訊號處理晶粒(例如一數位訊號處理(DSP)晶粒)、一前端晶粒(例如一類比前端(AFE)晶粒)或是其他主動元件。該等被動元件可包括一電容器、一電阻器、一電感器、一熔絲或是其他被動元件。該等導電元件可包括多個金屬線、多個金屬島狀物(metal islands)、多個導電通孔、多個接觸點或是其他導電元件。
如上所述的該等主動元件、該等被動元件及/或該等導電元件可形成在一半導體基底中及/或在該半導體基底上。該半導體基底可為一塊狀(bulk)半導體、一絕緣體上覆半導體(SOI)基底或類似物。該半導體基底可包括一元素半導體材料，其具有呈一單晶形式、一多晶形式或是一非晶形式的矽或鍺；一化合物半導體材料，其具有以下至少其一：碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦以及銻化銦；一合金半導體材料，其具有以下至少其一：SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、
GaInP以及GaInAsP；任何其他適合的材料；或是其組合。在一些實施例中，該合金半導體基底可為具有梯度Si：Ge特徵的SiGe合金，其中Si與Ge成分從梯度SiGe特徵之一個位置處的一個比率變化為另一個位置處的另一個比率。在其他實施例中，SiGe合金形成在一矽基底上。在一些實施例中，一SiGe合金可以被與SiGe合金接觸的另一種材料機械應變。
術語「基底(substrate)」可為一通用術語，且基底10可包括設置在電容器30下方的所有層、元件以及組件。為了便於繪示以及簡化圖式，圖中僅描繪了基底10的一上部。
在一些實施例中，基底10包括一單元區107以及一周圍區108。在一些實施例中，該等主動元件主要設置在單元區107中。在一些實施例中，周圍區108圍繞單元區107。在一些實施例中，基底10具有一或多個著陸墊102以及將在單元區107中的該等著陸墊102分開的一隔離層104。在一些實施例中，藉由隔離層104而該等著陸墊102相互電性絕緣。在一些實施例中，基底10包括位於周圍區108中的一導電島狀物103，其高度與該等接合墊102以及絕緣層104的高度相同。在一些實施例中，基底10包括多個介電層(例如105與106)，設置在周圍區108中的導電島狀物103上。在一些實施例中，介電層105與106位於比該等著陸墊102更高的高度處。
在一些實施例中，電容器30表示一單個電容器。在一些實施例中，電容器30可為在相同高度處設置在基底10上之所有電容器的統稱。在一些實施例中，電容器30包括一第一電容器30a以及一第二電容器30b。第一電容器30a與第二電容器30b可共用一電極。在一些實施例中，第一電容器30a與第二電容器30b結構上相互類似或是相互鏡像。
第一電容器30a可包括一第一下電極303a、一第一介電層302a以及一上電極304。在一些實施例中，第一下電極303a當作是一上電極，而電極304可當作式第一電容器30a的一下電極。在一些實施例中，第一電容器30a設置在其中一個著陸墊102並遠離該其中一個著陸墊102而垂直延伸。為了便於說明，被第一下電極303a所覆蓋的著陸墊102在圖1中被標示為102a。在一些實施例中，第一介電層302a至少部分圍繞第一下電極303a，其中第一下電極303a比第一介電層302a更短。在一些實施例中，第一介電層302a可包含氧化矽(SiOx)、氮化矽(SixNy)、氮氧化矽(SiON)或其組合。在一些實施例中，第一介電層302a可包含介電材料，例如高介電常數的介電材料。在一些實施例中，該高介電常數的介電材料具有大於3.9的一介電常數。該高介電常數的介電材料可包含氧化鉿(HfO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鑭(La2O3)、氧化釔(Y2O3)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、ZrO2、HfO2、Al2O3、Y2O3、La2O3之其中一個或多個的矽酸鹽、或是ZrO2、HfO2、Al2O3、Y2O3、La2O3之其中一個或多個的鋁酸鹽、其他可應用的材料或其組合。其他適合的材料在本揭露的預期範圍內。
第二電容器30b可包括一第二下電極303b、一第二介電層302b以及上電極304。在一些實施例中，第二下電極303b當作是一上電極，且上電極304當作是第二電容器30b的一下電極。換言之，第一電容器30a與第二電容器30b共用上電極304。在一些實施例中，上電極304當作是第一電容器30a與第二電容器30b的下電極。在一些實施例中，第二電容器30b設置在鄰近著陸墊102a的其中一個著陸墊102上並遠離在鄰近著陸墊102a的其中一個著陸墊102而垂直延伸。為了便於說明，被第二下
電極303b所覆蓋的著陸墊102在圖1中被標示為102b。在一些實施例中，第二介電層302b至少部分圍繞第二下電極303b，其中第二下電極303b比第二介電層302b更短。在一些實施例中，第二介電層302b的一材料相同於第一介電層302a的材料。
該半導體結構還可包括一氮化物層207，設置在第一下電極303a與第一介電層302a上。在一些實施例中，氮化物層207朝向第一下電極303a而突伸。在一些實施例中，氮化物層207至少部分被第一介電層302a所圍繞。氮化物層207亦可設置在第二下電極303b與第二介電層302b上。在一些實施例中，氮化物層207朝向第二下電極303b而突伸。在一些實施例中，氮化物層207至少部分被第二介電層302b所圍繞。在一些實施例中，氮化物層207被上電極304所圍繞。
該半導體結構還可包括一氮化物層203，圍繞第一介電層302a的一中間部分32a以及第二介電層302b的一中間部分32b。在一些實施例中，氮化物層203接觸第一介電層302a。在一些實施例中，氮化物層203接觸第二介電層302b。在一些實施例中，中間部分32a與中間部分32b位在一相同高度處。在一些實施例中，氮化物層203被上電極304所圍繞。在一些實施例中，一第一間隙41界定在第一介電層302a的一下部33a與第二介電層302b的一下部33b之間。在一些實施例中，第一間隙41設置在氮化物層203與基底10之間。在一些實施例中，第一間隙41被上電極304所包圍。在一些實施例中，一第二間隙42界定在第一介電層302a的一上部31a與第二介電層302b的一上部31b之間。在一些實施例中，第二間隙42在氮化物層203上。在一些實施例中，第二間隙42部分被上電極304所包圍。
圖2是流程示意圖，例示本揭露一些實施例之半導體結構的製備方法S1。製備方法S1包括多個步驟(S11、S12、S13、S14、S15以及S16)，描述與說明並不視為對該等步驟順序的限制。在步驟S11中，提供一基底。在步驟S12中，一第一氮化物層、一第一犧牲層、一第二氮化物層、一第二犧牲層以及一第三氮化物層依序形成在該基底上。在步驟S13中，形成一第一開口以及一第二開口，其中該第一開口暴露在該基底中的一第一著陸墊，而該第二開口暴露在該基底中的一第二著陸墊。在步驟S14中，一第一電極形成在該第一開口中，且一第二電極形成在該第二開口中。在步驟S15中，同時移除該第一犧牲層與該第二犧牲層。在步驟S16中，形成一導電層，其中該導電層共形於該第一電極、該第二電極、該第一氮化物層、該第二氮化物層以及該第三氮化物層。應當理解，製備方法S1的該等步驟可在各個方面的範圍內重新配置或以其他方式修改。在製備方法S1之前、期間以及之後可提供額外的製程，並且在此可能僅簡要描述一些其他製程。因此，在文中所描述的各個方面的範圍內，其他實現是有可能的。
為了進一步說明本揭露的概念，下面提供各種實施例。為了清楚與簡單的目的，具有相同或類似功能之元件的元件編號在不同的實施例中重複使用。然而，這樣的使用並不意指在將本揭露限制到特定實施例或特定元件。此外，在不同實施例中所說明的條件或參數可組合或修改以形成實施例的不同組合，只要所使用的參數或條件不衝突即可。
請參考圖3，圖3是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S11，提供、形成或容置一基底10。基底10可包括由一般半導體製程所製的多層、元件以及組件。為了便於繪示與
簡化圖式，圖式中僅描繪基底10的一上部。在一些實施例中，基底10包括一或多個著陸墊102以及將在一單元區107中的多個著陸墊102分開的一隔離層104。在一些實施例中，暴露該等著陸墊102的各上表面S102以及隔離層104的一上表面S104。
在一些實施例中，基底10包括單元區107以及一周圍區108。在一些實施例中，該等主動元件主要設置在單元區107中。在一些實施例中，圍繞單元區107的周圍區108提供用於在該等電子元件之間的電子佈線的一空間。在一些實施例中，基底10包括在周圍區108中的一導電島狀物103，位於與該等著陸墊102與隔離層104相同的高度處。在一些實施例中，基底10包括多個介電層(例如105與106)，設置在周圍區108中的導電島狀物103上。在一些實施例中，介電層105與106位在比該等著陸墊102更高的一高度處。在一些實施例中，該等著陸墊102的各上表面S102以及隔離層104的上表面S104在此階段暴露。
請參考圖4，圖4是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S12中，一第一氮化物層201形成在基底10上。在一些實施例中，第一氮化物層201共形於基底10。在一些實施例中，第一氮化物層201包含氮化矽(SixNy)、氮氧化矽(SiON)、一低介電常數的介電材料、其組合及/或其他適合的材料。該低介電常數的介電材料可具有小於3.9的一介電常數(k值)。在一些實施例中，第一氮化物層201包含氮化矽。在一些實施例中，第一氮化物層201的製作技術包含一沉積製程。在一些實施例中，該沉積製程包括一化學氣相沉積(CVD)、一物理氣相沉積(PVD)、一原子層沉積(ALD)、一低壓化學氣相沉積(LPCVD)、一電漿加強CVD(PECVD)或其組合。在一些實施例中，第一氮化物層201
形成在單元區107與周圍區108中。在一些實施例中，第一氮化物層201具有一階梯輪廓，其中第一氮化物層201在周圍區108中的一部分位在比第一氮化物層201在單元區107中的一部分更高的一高度處。
請參考圖5，圖5是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S12中，一第一犧牲層202形成在第一氮化物層201上。在一些實施例中，第一犧牲層202僅形成在單元區107中。在一些實施例中，第一犧牲層202形成在單元區107與周圍區108中，且為了簡化的目的，在圖式中省略第一犧牲層202在周圍區108中的一部分。在一些實施例中，第一犧牲層202至少覆蓋該等著陸墊102的各上表面S102。在一些實施例中，第一犧牲層202包含矽酸鹽玻璃、氧化矽、矽烷氧化物或其組合。在一些實施例中，第一犧牲層202包含硼磷矽酸鹽玻璃(BPSG)。在一些實施例中，為了選擇性蝕刻的目的，第一犧牲層202包含不同於第一氮化物層201的一介電材料。
請參考圖6，圖6是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S12中，一第二氮化物層203形成在第一犧牲層202上。在一些實施例中，第二氮化物層203僅形成在單元區107中。在一些實施例中，第二氮化物層203形成在單元區107與周圍區108中，且為了簡化的目的，在圖式中省略第二氮化物層203在周圍區108中的一部分。類似地，在之後的製程中所形成的多個元件可僅形成在單元區107中或者是形成在單元區107與周圍區108兩者中，但為了簡化的目的，僅顯示在單元區107中的各部分。該等元件的配置可依據不同的應用而進行調整。在說明書中則不再重複說明。在一些實施例中，第二氮化物層203的材料相同於第一氮化物層201的材料。在一些實施例中，第二氮化
物層203的製作技術包含一沉積製程。在一些實施例中，該沉積製程包括一化學氣相沉積(CVD)、一物理氣相沉積(PVD)、一原子層沉積(ALD)、一低壓化學氣相沉積(LPCVD)、一電漿加強CVD(PECVD)或其組合。
請參考圖7，圖7是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S12中，在形成第二氮化物層203之後，移除第二氮化物層203的一或多個部分，且藉此暴露第一犧牲層202的至少一部分。在一些實施例中，多個開口204藉由一蝕刻製程而形成在第二氮化物層203上。在一些實施例中，該蝕刻製程包括一濕蝕刻製程、一乾蝕刻製程、一定向乾蝕刻製程或其組合。在一些實施例中，亦藉由該蝕刻製程移除第一犧牲層202的一部分。
請參考圖8，圖8是依據本揭露一些實施例在如圖7所示之該階段處的第二氮化物層203的頂視示意圖。在一些實施例中，圖7是沿圖8中之剖線A-A'的剖視示意圖。每一個開口204的一配置可為如圖8所示的一圓形。然而，本揭露並不以此為限。在其他實施例中，一開口204的一配置可為一正方形、一矩形、一個三角形、一個六邊形或是其他多邊形。在一些實施例中，為了簡化製造的目的，從如圖8所示的頂視示意圖來看，所有開口204都是呈圓形的。在其他實施例中，從頂視圖來看，不同開口204具有不同配置。該等開口204的形成是為了同時移除第二氮化物層203上方和下方的該等犧牲層(詳細說明提供在下文中)，因此只要該等0犧牲層可以連接，則該等開口204的數量以及配置並不在此做限制。圖8所示之該等開口204的配置僅代表一個實施例，並非用以限制本揭露。
請參考圖9，圖9是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之
一階段處的剖視示意圖。在步驟S12中，在形成該等開口204之後，一第二犧牲層205形成在第二氮化物層203上。在一些實施例中，第二犧牲層205填充該等開口204並穿過第二氮化物層203。在一些實施例中，第二犧牲層205接觸第一犧牲層202。在一些實施例中，第二犧牲層205包含一介電材料。第一犧牲層202與第二犧牲層205可包含相同或不同材料。在一些實施例中，第二犧牲層205的介電材料相同於第一犧牲層202的一介電材料。在一些實施例中，第一犧牲層202以及第二犧牲層205兩者均包含氧化物。在一些實施例中，第二犧牲層205包含矽烷氧化物。
請參考圖10，圖10是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S12中，在形成第二犧牲層205之後，一第三氮化物層206形成在第二犧牲層205上。在一些實施例中，第三氮化物層206的一材料相同於第二氮化物層203的材料。在一些實施例中，第三氮化物層206包含氮化矽。在一些實施例中，第三氮化物層206的製作技術包含一沉積製程。在一些實施例中，該沉積製程包括一化學氣相沉積(CVD)、一物理氣相沉積(PVD)、一原子層沉積(ALD)、一低壓化學氣相沉積(LPCVD)、一電漿加強CVD(PECVD)或其組合。
請參考圖11，圖11是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S13中，形成多個開口301。在一些實施例中，每一個開口301穿過第三氮化物層206、第二犧牲層205、第二氮化物層203、第一犧牲層202以及第一氮化物層201。在一些實施例中，該等開口301的製作技術包含一或多個蝕刻製程。在一些實施例中，該等蝕刻製程包括一選擇性濕蝕刻、一定向乾蝕刻、一離子束蝕刻、一反應性離子蝕刻或其組合。在一些實施例中，每一個開口301暴露在基底10中的一
著陸墊102。圖11顯示該等開口301暴露兩個相鄰著陸墊102而當作一例示實施例，而該等開口301包括一第一開口301a以及一第二開口301b。在其他實施例中，該等開口301的數量可大於2，且藉由該等開口301而暴露的該等著陸墊102可不相鄰。為了說明的目的，在下文的圖式中，經由第一開口301a而暴露的著陸墊標示為102a，並且經由第二開口301b而暴露的著陸墊標示為102b。在一些實施例中，第一開口301a暴露著陸墊102a之一上表面S102a的全部。在一些實施例中，第二開口301b暴露著陸墊102b之一上表面S102b的全部。
請參考圖12，圖12是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S13之後，多個介電層302形成在每一個開口301中。在一些實施例中，該等介電層302包含一相同材料。在一些實施例中，該等介電層302包含一或多個高介電常數的介電材料。在一些實施例中，該高介電常數的介電材料具有大於3.9的一介電常數(k值)。該高介電常數的介電材料可包含氧化鉿(HfO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鑭(La2O3)、氧化釔(Y2O3)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、ZrO2、HfO2、Al2O3、Y2O3、La2O3之其中一個或多個的矽酸鹽、或是ZrO2、HfO2、Al2O3、Y2O3、La2O3之其中一個或多個的鋁酸鹽、其他可應用的材料或其組合。其他適合的材料在本揭露的預期範圍內。
在一些實施例中，該等介電層302包括加襯第一開口301a之各側壁的一第一介電層302a以及加襯第二開口301b之各側壁的一第二介電層302b。在一些實施例中，著陸墊102a之上表面S102a的一部分經由第一介電層302a而暴露。在一些實施例中，著陸墊102b之上表面S102b的一部分經由第二介電層302b而暴露。在一些實施例中，第一介電層302a
的全部設置在第一開口301a內。在一些實施例中，第二介電層302b的全部設置在第二開口301b內。
請參考圖13，圖13是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在形成該等介電層302之後，一導電層303形成在該等開口301中。在一些實施例中，導電層303填充該等開口301並覆蓋第三氮化物層206。在一些實施例中，導電層303接觸著陸墊102a與102b的上表面S102a與S102b。在一些實施例中，導電層303包含金屬材料，例如鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈦鋁合金(TiAl)、鈦鋁氮化物(TiAlN)、碳化鈦(TaC)、鉭碳氮化物(TiAlN)、碳化鉭(TaC)、鉭碳氮化物(TaCN)、鉭矽氮化物(TaSiN)、錳(Mn)、鋯(Zr)、氮化鈦(TiN)、氮化鎢(WN)、氮化鉭(TaN)、釕(Ru)、鈦矽氮化物(TiSiN)或其他適合的材料。導電層303的製作技術可包含低壓化學氣相沉積(LPCVD)、電漿加強化學氣相沉積(PECVD)、一電子束物理氣相沉積(EBPVD)、一噴濺製程、一電鍍製程、一網版印刷製程或其他適合的方法。
請參考圖14，圖14是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在形成導電層303之後，移除導電層303的一部分。在一些實施例中，移除導電層303設置在第三氮化物層206上的該部分。在一些實施例中，導電層303之該部分的移除包括離子束蝕刻、定向乾蝕刻、反應性離子蝕刻、溶液濕蝕刻、化學機械研磨(CMP)或其組合。在一些實施例中，在移除之後，導電層303在該等開口301中的各部分則維持在原處。在一些實施例中，第三氮化物層206、該等介電層302以及導電層303維持在開口301a與301b中的該等部分的各上表面是呈共面的。
請參考圖15，圖15是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S14中，部分移除導電層303維持在該等開口301中的該等部分，藉此一第一電極303a以及一第二電極303b分別形成在第一開口301a與第二開口301b中。在一些實施例中，在導電層303的該等維持部分上執行一回蝕製程。在一些實施例中，移除導電層303設置在該等開口303中之該等維持部分的各上部303R(在圖14中以虛線表示)，留在該等開口301中的導電層303變成在第一開口301a中的第一電極303a以及在第二開口301b中的第二電極303b。
在一些實施例中，第一電極303a設置在著陸墊102a上並遠離著陸墊102a而垂直延伸。在一些實施例中，第一介電層302a圍繞在第一開口301a中的第一電極303a。在一些實施例中，第一電極303a完全位在第三氮化物層206下方。在一些實施例中，第一介電層302a的一高度H3大於第一電極303a的一高度H1。在一些實施例中，第二電極303b設置在著陸墊102b上並遠離著陸墊102b而垂直延伸。在一些實施例中，第二介電層302b圍繞在第二開口301b中的第二電極303b。在一些實施例中，第二電極303b完全位在第三氮化物層206下方。在一些實施例中，第二介電層302b的一高度H4大於第二電極303b的一高度H2。
請參考圖16，圖16是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在形成第一電極303a與第二電極303b之後，一第四氮化物層207形成在第三氮化物層206上。在一些實施例中，第四氮化物層207包含與第三氮化物層206相同的一材料。在一些實施例中，可能不會觀察到在第三氮化物層206與第四氮化物層207之間的一界面。在一些實施例中，第四氮化物層207填充在第一電極303a與第二電極303b
上的該等開口301。在一些實施例中，第四氮化物層207的一部分設置在第三氮化物層206上。在一些實施例中，第四氮化物層207的一部分朝向第一電極303a突伸，且第四氮化物層207的該部分被第一介電層302a所圍繞。在一些實施例中，第四氮化物層207的一部分朝向第二電極303b突伸，且第四氮化物層207的該部分被第二介電層302b所圍繞。第四氮化物層207可當作一電容器的不同電極之間的一電性絕緣體(此一配置的詳細描述在之後提供)。在一些實施例中，第四氮化物層207的製作技術包含一化學氣相沉積(CVD)、一物理氣相沉積(PVD)、一原子層沉積(ALD)、一低壓化學氣相沉積(LPCVD)、一電漿加強CVD(PECVD)或其組合。
請參考圖17，圖17是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在形成第四氮化物層207之後，暴露第二犧牲層205的至少一部分。在一些實施例中，執行一或多個蝕刻製程以形成多個開口208，開口208穿過第三氮化物層206以及第四氮化物層207覆蓋第二犧牲層205之部分的多個部分。在一些實施例中，一些開口208形成在該等開口301之間。在一些實施例中，在第四氮化物層207與第三氮化物層206上執行一或多個蝕刻製程，以暴露在該等開口208處的第二犧牲層205。在一些實施例中，藉由不同蝕刻製程而移除第三氮化物層206的一些部分以及第四氮化物層207的一些部分。在一些實施例中，藉由一個蝕刻製程而同時移除第三氮化物層206的該等部分以及第四氮化物層207的該等部分。在一些實施例中，該一或多個蝕刻製程包括一濕蝕刻製程、一乾蝕刻製程、一定向乾蝕刻製程或其組合。在一些實施例中，亦藉由一或多個蝕刻製程而移除第二犧牲層205在該等開口208處的該等部分。在一些實施例中，從頂視圖來看，該等開口208的一配置以及排列可以類似於
或不同於該等開口204的配置與排列。
請參考圖18，圖18是依據本揭露一些實施例在如圖17所示之階段處的第四氮化物層207的頂視示意圖。在一些實施例中，圖17是沿圖18之剖線A-A'的剖視示意圖。每一個開口208的一配置可為如圖18所示的一圓形，但本揭露並不以此為限。該等開口208的形成是為了將第二犧牲層205暴露在一濕蝕刻製程(詳細說明如下)，因此只要是可暴露第二犧牲層205，該等開口208的數量以及配置並不在此做限制。
請參考圖19，圖19是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S15中，同時移除第一犧牲層202與第二犧牲層205。在一些實施例中，執行一濕蝕刻製程以同時移除第一犧牲層202與第二犧牲層205。在一些實施例中，使用具有在第一犧牲層202與第二犧牲層205之間的一低選擇性之濕蝕刻製程的一蝕刻劑，以便同時移除第一犧牲層202與第二犧牲層205。在一些實施例中，該濕蝕刻製程的該蝕刻劑具有在該等犧牲層(205以及202)與該等氮化物層(201、203、206以及207)之間的一高選擇性。在一些實施例中，該濕蝕刻製程的該蝕刻劑具有在該等犧牲層(205以及202)與該等介電層(302)之間的一高選擇性。在一些實施例中，該蝕刻劑對氮化物層201、203、206、207以及該等介電層302具有低移除率。在一些實施例中，該蝕刻劑在氮化物層201、203、206、207以及該等介電層302上的該等移除率是非常低並可被忽略。氮化物層201、203、206、207保持貼附到該等介電層302以及電極303a、303b並為其提供支撐。
穿過氮化物層207與206之該等開口208的存在為該蝕刻劑與犧牲層205的反應提供通道，而穿過第二氮化物層203之該等開口204的
存在為該蝕刻劑與第一犧牲層202的反應提供通道。為了有效移除開口301a與301b之間的犧牲層202與205，至少一些開口208以及一些開口204設置在開口301a與301b之間。理論上，更多數量的開口208與開口204可以提供更好的犧牲層202與205的移除率。然而，在移除第二犧牲層205之後，過多數量的開口208會導致氮化物層206與207的損壞或失效。類似地，在移除第一犧牲層202之後，過多的開口204會導致氮化物層203的損壞或失效。因此，開口208與開口204的數量以及配置可依據不同的應用進行調整以及最佳化，且在此不做限制。
請參考圖20，圖20是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S16中，一導電層304形成在基底10上。在一些實施例中，導電層304共形於第一氮化物層201、第二氮化物層203、第三氮化物層206、第四氮化物層207以及該等介電層302。在一些實施例中，導電層304圍繞介電層302a與第一電極303a。在一些實施例中，導電層304圍繞介電層302b與第二電極303b。一第一間隙41可界定在介電層302a與302b之間並設置在第二氮化物層203下方。一第二間隙42可界定在介電層302a與302b之間並設置在第二氮化物層203上方。導電層304的製作技術可包含低壓化學氣相沉積(LPCVD)、電漿加強CVD(PECVD)、一電子束物理氣相沉積(EBPVD)、一噴濺製程、一電鍍製程、一網版印刷製程或是其他適合的方法。
請參考圖21，圖21是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處的剖視示意圖。在步驟S16之後，移除導電層304的一部分。在一些實施例中，形成一保護層(圖未示)且至少覆蓋該等介電層302。在一些實施例中，該保護層側向圍繞且垂直覆蓋該等介電層302。在一些實
施例中，執行一濕蝕刻以移除導電層304經由該保護層而暴露的該部分。在一些實施例中，移除該保護層，且導電層被該保護層所覆蓋的一部分則留在原位。可採用其他習知方法移除導電層304的該部分，而移除的方法在此並不做限制。
在一些實施例中，導電層304的一維持部分變成一第三電極304。在一些實施例中，第一電極303a可為第一電容器30a的一上電極，而第三電極304可為第一電容器30a的一下電極。在一些實施例中，第二電極303b可為第二電容器30b的一上電極，而第三電極304可為第二電容器30b的一下電極。在一些實施例中，第三電極304是第一電容器30a與第二電容器30b的一共用電極。換言之，第一電容器30a與第二電容器30b的各下電極實體連接或者為一整體結構(monolithic structure)。在一些實施例中，第三電極304圍繞該等介電層302、第一電極303a、第二電極303b、氮化物層206與207垂直在該等介電層302與電極303a、303b上的一些部分，以及第二氮化物層203接觸該等介電層302的一部分。在一些實施例中，第三電極304覆蓋第一氮化物層201接觸該等介電層302的一部分。在一些實施例中，第一電容器30a覆蓋著陸墊102a之上表面S102a的全部。在一些實施例中，第二電容器30b覆蓋著陸墊102b之上表面S102b的全部。
為了便於說明，第一電容器30a、第一介電層302a以及第一電極303a在第二氮化物層203上方的該等部分可稱為這些元件的上部31a；類似地，第二電容器30b、第二介電層302b以及第二電極303b在第二氮化物層203上方的該等部分可稱為這些元件的上部31b。此外，第一電容器30a、第一介電層302a以及第一電極303a被第二氮化物層203所圍
繞的該等部分可稱為這些元件的中間部分32a，而第二電容器30b、第二介電層302b以及第二電極303b被第二氮化物層203所圍繞的該等部分可稱為這些元件的中間部分32b。同樣地，第一電容器30a、第一介電層302a以及第一電極303a在第二氮化物層203下方的該等部分可稱為這些元件的下部33a；第二電容器30b、第二介電層302b以及第二電極303b在第二氮化物層203下方的該等部分可稱為這些元件的下部33b。為了附圖的簡潔和說明的清晰，圖式中僅標示第一介電層302a與第二介電層302b的上部31a與31b、中間部分32a與32b以及下部33a與33b，並在以下說明書中進行說明。
在一些實施例中，第一間隙41設置在第一介電層302a的一下部33a與第二介電層302b的一下部33b之間。在一些實施例中，第一間隙41位在第一氮化物層201上方以及位在第二氮化物層203下方。在一些實施例中，第二間隙42設置在第一介電層302a的一上部31a與第二介電層302b的一上部31b之間。在一些實施例中，第二間隙42位在第二氮化物層203上方。應當理解，間隙41與42的位置相對於電極303a、303b或是電容器30a、30b的位置可類似於間隙41與42的位置相對於如上所述之介電層302a、302b的位置。在文中省略其重複說明。
在一些實施例中，第一間隙41或是第二間隙42至少部分被第三電極303所包圍。然而，不同剖面可具有第三電極303相對於第一間隙41及/或第二間隙42的不同配置。在一些實施例中，第一間隙41完全被第三電極303所包圍。在一些實施例中，在如圖21所示的剖視圖中，第二間隙42是一開放間隙且部分被第三電極303所包圍，其為在製備方法S1的一階段處沿圖18之剖線A-A'的剖視示意圖。
請參考圖22，圖22是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處沿圖18之剖線B-B'的剖視示意圖。在一些實施例中，第一間隙41與第二間隙42是連接的。在一些實施例中，一些開口204形成在如圖8所示的第一介電層302a與第二介電層302b之間。在一些實施例中，第二氮化物層203設置在第一介電層302a與第二介電層302b之間的該等部分在如圖22所示的剖視圖中是分開的。在一些實施例中，第二間隙42是朝向第一間隙41與第三氮化物層207而呈開放的。
請參考圖23，圖23是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處沿圖18之剖線C-C'的剖視示意圖。在一些實施例中，在如圖23所示的剖視圖中，第一間隙41與第二間隙42均為封閉的間隙。在一些實施例中，第一間隙41完全被第三電極303所包圍。在一些實施例中，第二間隙42完全被第三電極303所包圍。在一些實施例中，第二間隙42藉由介電層302與氮化物層203、206所界定。
請參考圖24，圖24是依據本揭露一些實施例在製備方法S1之一階段處沿圖18之剖線D-D'的剖視示意圖。在一些實施例中，如圖24所示的剖視圖中，第二間隙42連接到第一間隙41，且被第三電極303所包圍。在一些實施例中，第二間隙的一頂部被氮化物層206、207以及第三電極303所覆蓋。在一些實施例中，第二間隙42朝向第一間隙41是呈開放的。
本揭露之一實施例提供一種半導體結構。該半導體結構包括一基底，包括在其中的一第一著陸墊；以及一第一電容器，設置在該基底上。該第一電容器包括一第一電極，設置在該第一著陸墊上並遠離該第一著陸墊而垂直延伸；一第一介電層，至少部分圍繞該第一電極，其中該
第一電極比該第一介電層更短；以及一第二電極，圍繞該第一介電層與該第一電極。
本揭露之另一實施例提供一種半導體結構。該半導體結構包括一第一著陸墊以及一第二著陸墊，設置在一基底上；一第一導電層，設置在該第一著陸墊上並遠離該第一著陸墊而垂直延伸；一第二導電層，設置在該第二著陸墊上並遠離該第二著陸墊而垂直延伸；一第一介電層，圍繞該第一導電層；一第二介電層，圍繞該第二導電層；一第三導電層，圍繞該第一介電層與該第二介電層；以及一第一間隙，設置在該第一介電層與該第二介電層之間，且至少部分被該第三導電層所包圍。
本揭露之再另一實施例提供一種半導體結構的製備方法。該製備方法包括提供一基底；依序形成一第一氮化物層、一第一犧牲層、一第二氮化物層、一第二犧牲層以及一第三氮化物層在該基底上；形成一第一開口以及一第二開口，其中該第一開口暴露在該基底中的一第一著陸墊，而該第二開口暴露在該基底中的一第二著陸墊；形成一第一電極在該第一開口中以及形成一第二電極在該第二開口中；同時移除該第一犧牲層與該第二犧牲層；以及形成一導電層以共形於該第一電極、該第二電極、該第一氮化物層、該第二氮化物層以及該第三氮化物層。
總之，本申請案揭露一種半導體結構，其包括一或多個電容器，其位在一個或多個著陸墊上。該等電容器可包括在兩個相鄰的著陸墊上的多個上電極，其中一個上電極形成在一個著陸墊上。本揭露亦提供一種半導體結構的製備方法。該製備方法提供不同犧牲層之間的連接，因此可以同時移除不同的犧牲層。可以降低製程的製造成本以及複雜度。此外，在該等電容器的各上電極上執行一回蝕製程以及在該等上電極與該等
下電極之間形成一氮化物層可防止該等上電極與該等下電極的短路。為相鄰電容器提供一單片下電極，因此可簡化與該電極的一電性連接。
雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質上相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。
10:基底
30:電容器
30a:第一電容器
30b:第二電容器
31a:上部
31b:上部
32a:中間部分
32b:中間部分
33a:下部
33b:下部
41:第一間隙
42:第二間隙
102:著陸墊
102a:著陸墊
102b:著陸墊
103:導電島狀物
104:隔離層
105:介電層
106:介電層
107:單元區
108:周圍區
201:氮化物層
203:氮化物層
206:氮化物層
207:氮化物層
302:介電層
302a:第一介電層
302b:第二介電層
303:導電層
303a:第一下電極
303b:第二下電極
304:上電極
S102a:上表面
S102b:上表面
Claims (16)
- 一種半導體結構的製備方法，包括：提供一基底；依序形成一第一氮化物層、一第一犧牲層、一第二氮化物層、一第二犧牲層以及一第三氮化物層在該基底上；形成一第一開口以及一第二開口，其中該第一開口暴露該基底中的一第一著陸墊，而該第二開口暴露該基底中的一第二著陸墊；形成一第一電極在該第一開口中以及形成一第二電極在該第二開口中；同時移除該第一犧牲層與該第二犧牲層；形成一導電層以共形於該第一電極、該第二電極、該第一氮化物層、該第二氮化物層以及該第三氮化物層；以及在形成該第二氮化物層之後，移除該第二氮化物層的一部分，藉此暴露該第一犧牲層。
- 如請求項1所述之半導體結構的製備方法，其中該第二犧牲層接觸該第一犧牲層。
- 如請求項1所述之半導體結構的製備方法，還包括在形成該第三氮化物層之後，移除該第三氮化物層的一部分，藉此暴露該第二犧牲層。
- 如請求項1所述之半導體結構的製備方法，其中執行一濕蝕刻操作以 同時移除該第一犧牲層與該第二犧牲層。
- 如請求項1所述之半導體結構的製備方法，其中該第一犧牲層包含硼磷矽酸鹽玻璃。
- 如請求項1所述之半導體結構的製備方法，其中該第二犧牲層包含矽烷氧化物。
- 如請求項1所述之半導體結構的製備方法，還包括在形成該第一電極與該第二電極之前，形成一高介電常數層，藉此加襯該第一開口與該第二開口的各側壁。
- 如請求項1所述之半導體結構的製備方法，還包括移除在該第一開口中之該第一電極的一上部以及在該第二開口中之該第二電極的一上部。
- 如請求項8所述之半導體結構的製備方法，還包括在移除該第一犧牲層與該第二犧牲層之前，形成一第四氮化物層，藉此填充在該第一電極上的該第一開口以及在該第二電極上的該第二開口。
- 如請求項9所述之半導體結構的製備方法，其中該第四氮化物層設置在該第三氮化物層上。
- 如請求項9所述之半導體結構的製備方法，其中該導電層圍繞該第四 氮化物層。
- 如請求項1所述之半導體結構的製備方法，其中在移除該第一犧牲層與該第二犧牲層之後，一第一間隙形成在該第一電極與該第二電極之間以及在該第二氮化物層與該第三氮化物層之間。
- 如請求項12所述之半導體結構的製備方法，其中從一剖視圖來看，該導電層包圍該第一間隙。
- 如請求項1所述之半導體結構的製備方法，其中在移除該第一犧牲層與該第二犧牲層之後，一第二間隙形成在該第一電極與該第二電極之間以及在該第一氮化物層與該第二氮化物層之間。
- 如請求項14所述之半導體結構的製備方法，其中該導電層至少部分包圍該第二間隙。
- 如請求項1所述之半導體結構的製備方法，其中該第一開口暴露該第一著陸墊之一上表面的全部，且該第二開口暴露該第二著陸墊之一上表面的全部。
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