TWI833393B - 具有抵靠接合線而設置之支撐件的半導體元件及其製備方法 - Google Patents
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Abstract
本揭露提供一種半導體元件及其製備方法。該半導體元件具有一基底、一電子元件、一接合線以及一支撐件。該電子元件設置在該基底上。該接合線包括一第一端子以及一第二端子，該第一端子連接到該電子元件，該第二端子連接到該基底。該接合線抵靠該支撐件而設置。
Description
本申請案主張美國第17/829,515及17/829,601號專利申請案之優先權（即優先權日為「2022年6月1日」），其內容以全文引用之方式併入本文中。
本揭露關於一種半導體元件以及其製備方法。特別是有關於一種半導體元件，該半導體元件具有一支撐件，該支撐件抵靠一接合線而設置。
隨著電子產業的快速發展，積體電路(IC)已實現高效能以及小型化。在IC材料與設計方面的技術進步已產生數個世代的IC，其中每一代都具有更小以及更複雜的電路。
已經開發許多用於整合一電子元件以及一基板的技術。舉例來說，該電子元件以及該基板可藉由一接合線進行連接。為了避免該接合線抵靠該電子元件的角落而設置，則延長該接合線，從而增大半導體元件的尺寸及其電阻。因此，需要一種新的半導體元件以及改善這些問題的方法。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露之一實施例提供一種半導體元件。該半導體元件包括一基底、一電子元件、一接合線以及一支撐件。該電子元件設置在該基底上。該接合線包括一第一端子以及一第二端子，該第一端子連接到該電子元件，該第二端子連接到該基底。該接合線抵靠該支撐件設置。
本揭露之另一實施例提供一種半導體元件。該半導體元件包括一基底、一電子元件、一接合線以及一支撐件。該電子元件設置在該基底上。該接合線包括一第一端子以及一第二端子，該第一端子連接到該電子元件，該第二端子連接到該基底。該支撐件設置在該接合線的該第一端子與該第二端子之間。
本揭露之再另一實施例提供一種半導體元件的製備方法。該製備方法包括提供一基底。該製備方法亦包括將一電子元件貼附到該基底。該製備方法還包括將一支撐件貼附到該基底。此外，該製備方法包括形成一接合線以連接該基底與該電子元件。該接合線抵靠該支撐件設置。
在本揭露的實施例中，該半導體元件可包括用於固定接合線的一支撐件。該支撐件可設置在該接合線的兩個端子之間。該支撐件可提供一平滑區域，例如一平滑表面、一平滑邊緣或其上設置有該接合線的一平滑角落。囙此，該接合線可以一可容忍的張力而抵靠該支撐件設置。可以減少該接合線的長度，導致該半導體元件的一相對較小尺寸以及該接合線之相對低的電阻。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
現在使用特定語言描述附圖中所示之本揭露的實施例或例子。應當理解，本揭露的範圍無意由此受到限制。所描述之實施例的任何修改或改良，以及本文件中描述之原理的任何進一步應用，所屬技術領域中具有通常知識者都認為是通常會發生的。元件編號可以在整個實施例中重複，但這並不一定意味著一個實施例的特徵適用於另一實施例，即使它們共享相同的元件編號。
應當理解，雖然用語「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」等可用於本文中以描述不同的元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些用語所限制。這些用語僅用於從另一元件、部件、區域、層或部分中區分一個元件、部件、區域、層或部分。因此，以下所討論的「第一裝置(first element)」、「部件(component)」、「區域(region)」、「層(layer)」或「部分(section)」可以被稱為第二裝置、部件、區域、層或部分，而不背離本文所教示。
本文中使用之術語僅是為了實現描述特定實施例之目的，而非意欲限制本發明。如本文中所使用，單數形式「一(a)」、「一(an)」，及「該(the)」意欲亦包括複數形式，除非上下文中另作明確指示。將進一步理解，當術語「包括(comprises)」及/或「包括(comprising)」用於本說明書中時，該等術語規定所陳述之特徵、整數、步驟、操作、元件，及/或組件之存在，但不排除存在或增添一或更多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件，及/或上述各者之群組。
圖1A及圖1B繪示本揭露之一些實施例的一半導體元件100a，其中圖1A是頂視示意圖，而圖1B是沿圖1A之剖線A-A’的剖視示意圖。
在一些實施例中，半導體元件100a包括一基底110。在一些實施例中，舉例來說，基底110可為或包括一印刷電路板(PCB)，例如一紙基銅箔積層板(paper-based copper foil laminate)、一複合銅箔積層板(composite copper foil laminate)或一聚合物浸漬玻璃纖維基銅箔積層板(polymer-impregnated glass-fiber-based copper foil laminate)。
在一些實施例中，基底110可包括一表面110s1以及一表面110s2，而表面110s2相對於表面110s1。在一些實施例中，表面110S1亦可視為一下表面。在一些實施例中，表面110s2亦可視為一上表面。
在一些實施例中，基底110可包括導電墊、跡線、通孔、層或其他互連結構。舉例來說，基底110可包括一或多個傳輸線(例如通訊纜線)以及一或多個接地線及/或接地面。舉例來說，基底110可包括一或多個導電墊(例如112)在接近、鄰近或埋置在基底110的表面110s1及/或表面110s2中以及暴露在基底110的表面110s1及/或表面110s2處。
在一些實施例中，半導體元件110a可包括一黏著層120。在一些實施例中，黏著層120可設置在基底110的表面110s2上。
在一些實施例中，半導體元件110a可包括一電子元件130。在一些實施例中，電子元件130可設置在基底110的表面110s2上。在一些實施例中，電子元件130可經由黏著層120而貼附到基底110的表面110s2。
在一些實施例中，電子元件130可包括一記憶體元件，例如一動態隨機存取記憶體(DRAM)、一單次可程式化(OTP)記憶體元件、一靜態隨機存取記憶體(SRAM)元件或其他適合的記憶體元件。在一些實施例中，電子元件130可包括一邏輯元件(例如系統單晶片(SoC)、中央處理單元(CPU)、圖形處理單元(GPU)、應用處理器(AP)、微處理器等等)、一射頻(RF)元件、一感測器元件、一微機電系統(MEMS)元件、一訊號處理元件(例如數位訊號處理(DSP)元件)、一前端元件(例如類比前端(AFE)元件)或其他元件。
電子元件130可具有一表面130s1以及一表面130s2，表面130s2相對於表面130s1。在一些實施例中，表面130s1亦可視為一後側表面或是一下表面。在一些實施例中，表面130s2亦可視為一主動表面或是一上表面。如本文所用，用語「主動表面(active surface)」可表示成其上設置端子的一表面，而端子是用於傳輸及/或接收訊號。在一些實施例中，電子元件130的表面130s1可面對基底110的表面110s2。電子元件130可具有一表面130s3(或是一側表面)，在電子元件130的表面130s1與表面130s2之間延伸。
在一些實施例中，電子元件130可包括多個導電墊132。導電墊132可設置在電子元件130的表面130s2上。在一些實施例中，導電墊132可包含金屬，例如銅(Cu)、鎢(W)、銀(Ag)、金(Au)、釕(Ru)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鋨(Os)、銠(Rh)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鈷(Co)、其合金、其組合或其他適合的材料。
在一些實施例中，半導體元件100a可包括一或多個支撐件140a。在一些實施例中，該等支撐件140a可設置在基底110的表面110s2上。在一些實施例中，該等支撐件140a可設置在電子元件130的兩相對表面130s3上。然而，本揭露並不以此為限。
在一些實施例中，支撐件140a可經配置以提供一區域，例如一表面、一邊緣或是一角落，而抵靠所設置的一接合線(或是一導電線)。在一些實施例中，支撐件140a的至少一部分可具有一圓凸表面、一圓凸邊緣或是一圓凸角落，以抵靠所設置的一導電線。在一些實施例中，間隙子142a的一部分可具有一平滑表面、一平滑邊緣或是一平滑角落，以抵靠所設置的一導電線。如本文所使用，用語「平滑表面、邊緣或角落」可表示成相對較鈍的表面、邊緣或角落。
在一些實施例中，支撐件140a可接觸基底110的表面110s2。在一些實施例中，支撐件140a可接觸電子元件130的表面130s3。在一些實施例中，支撐件140a可抵靠電子元件130設置。在一些實施例中，支撐件140a可抵靠電子元件130的表面130s3設置。如本文所使用，用語「X抵靠Y設置」可指除了重力之外，X還對Y施加一力或一應力。
在一些實施例中，支撐件140a可包括一間隙子142a以及一黏著元件144a。在一些實施例中，間隙子142a的至少一部分可具有一圓凸表面、一圓凸邊緣或是一圓凸角落，以抵靠所設置的一導電線。在一些實施例中，間隙子142a的至少一部分可具有一平滑表面、一平滑邊緣或是一平滑角落，以抵靠所設置的一導電線。在一些實施例中，間隙子142a可包括一電性隔離材料或是一電性導電材料。在一些實施例中，間隙子142a可包含樹脂、玻璃或其他適合的材料。間隙子142a可包含金屬、合金或其他適合的材料。在一些實施例中，間隙子142a可呈圓形、橢圓形或其他輪廓形狀。
在一些實施例中，黏著元件144a可覆蓋間隙子142a的一外部表面(圖中未標註)。在一些實施例中，黏著元件144a可包圍間隙子142a。在一些實施例中，黏著元件144a可共形地設置在間隙子142a上。在一些實施例中，黏著元件144a可包括一電性隔離材料。
在一些實施例中，半導體元件100a可包括一或多個接合線150。在一些實施例中，每一個接合線150可具有一端子150t1以及一端子150t2，端子150t1連接到(或接合到)電子元件130的表面130s2，端子150t2連接到(或接合到)基底110的表面110s2。在一些實施例中，接合線150的端子150t1可接合到電子元件130的導電墊132。在一些實施例中，接合線150的端子150t2可接合到基底110的導電墊112。在一些實施例中，支撐件140a可設置在接合線150的端子150t1與端子150t2之間。在一些實施例中，接合線150可包含金屬，例如銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、鋁(Al)、其合金、其組合或是其他適合的材料。
在一些實施例中，接合線150可設置在支撐件140a上。在一些實施例中，接合線150可抵靠支撐件140a設置。在一些實施例中，接合線150可抵靠一平滑區域140s1(或圓凸區域)設置，而平滑區域140s1(或圓凸區域)例如支撐件140a的表面、邊緣或角落。在一些實施例中，接合線150可接觸支撐件140a，導致施加在支撐件140a上的一力或一應力。因此，接合線150可經由支撐件140a而抵靠電子元件130設置。
接合線150的端子150t1與電子元件130的表面130s3之間沿著X軸可具有一長度L1。接合線150的端子150t2與電子元件130的表面130s3之間沿著X軸可具有一長度L2。在一些實施例中，長度L1可大致等於或超過長度L2。在一些實施例中，長度L1與長度L2之間的一比率可介於大約1.1到大約10的範圍之間，例如1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、2.7、2.8、2.9或10。
當長度L1與長度L2之間的比率從大約1.1到大約3的範圍之間時，接合線150可以相對小的張力抵靠支撐件140a設置，藉此避免接合線150斷裂。再者，支撐件140a可導致一相對小的長度L1與長度L2的總和，藉此縮減半導體元件100a的尺寸。再者，當接合線150的長度減少時，則相對降低接合線的電阻。
電子元件130的表面130s2與接合線150的端子150t1之間沿著Y軸可具有一長度L3。支撐件140a沿著Y軸可具有一長度L4(或厚度或是直徑)。在一些實施例中，長度L4可超過長度L3。在一些實施例中，長度L3與長度L4之間的比率可從大約1.2到大約1.8的範圍之間，例如1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7或1.8。
當長度L3與長度L4之間的比率從大約1.2到大約1.8的範圍之間時，則接合線150可以相對小的張力抵靠支撐件140a設置，藉此避免接合線150斷裂或接觸到電子元件130的角落。
如圖1A所示，多個接合線150可共用一共同支撐件140a。在一些實施例中，支撐件140a可接觸多個接合線150。在一些實施例中，接合線150可沿著X軸延伸。在一些實施例中，支撐件140a可沿著Y軸延伸。
在一些實施例中，半導體元件100a可包括一囊封件(encapsulant)160。在一些實施例中，囊封件160可設置在基底110的表面110s2上。在一些實施例中，囊封件160可覆蓋基底110的表面110s2。在一些實施例中，囊封件160可囊封支撐件140a。在一些實施例中，囊封件160可囊封接合線150。囊封件160可包含隔離或介電材料。在一些實施例中，囊封件160可包含模塑材料，舉例來說，模塑材料可包括一酸醛基樹脂(Novolac-based resin)、一環氧基樹脂(epoxy-based resin)、一矽基樹脂(silicone-based resin)或其他適合的囊封件。亦可包括適合的填充劑(fillers)，例如是粉狀的二氧化矽(powdered SiO
2)。
在一些實施例中，半導體元件100a可包括多個電性連接件170。電性連接件170可設置在基底110的表面110s1上。在一些實施例中，電性連接件170可經配置以電性連接半導體元件100a與一外部裝置(圖未示)。在一些實施例中，電性連接件170可包括銲錫材料，例如金與錫的合金銲料或是銀與錫的合金銲料。
在一比較的例子中，該等接合線連接在一電子元件與一基低之間而沒有一支撐件。在這種情況下，該接合線的長度應大於一預定值，以避免該接合線抵靠該電子元件的角落。若不是這樣的話，則該接合線可能由於相對較高的張力而易於斷裂。因此，該比較例子可具有一相對較大的寬度。在本揭露的該等實施例中，該等接合線可以相對小的張力抵靠該支撐件的一平滑區域設置，而該平滑區域例如一表面、一邊緣或一角落。此外，可減少該接合線的長度，導致該半導體元件的尺寸相對較小並且電阻相對較小。
圖2是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件100b。半導體元件100b類似於如圖1B所示的半導體元件100a，且其間的差異如下所述。
在一些實施例中，半導體元件100b包括一支撐件140b。 支撐件140b可包括一間隙子142b。在一些實施例中，間隙子142b可呈矩形、正方形或其他適合的輪廓形狀。在一些實施例中，支撐件140b可具有一圓凸表面、一圓凸邊緣或是一圓凸角落，以抵靠所設置的接合線150。在一些實施例中，支撐件140b的至少一部分可具有一平滑表面、一平滑邊緣或是一平滑角落，以抵靠所設置的接合線150。
在一些實施例中，支撐件140b可完全接觸電子元件130的表面130s3。在一些實施例中，間隙子142b的至少一部分可具有一圓凸表面、一圓凸邊緣或是一圓凸角落，以抵靠所設置的接合線150。在一些實施例中，間隙子142b的至少一部分可具有一平滑表面、一平滑邊緣或是一平滑角落，以抵靠所設置的接合線150。因此，接合線150可具有施加在接合線150上之相對小的張力。
圖3是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件100c。半導體元件100c類似於如圖1B所示的半導體元件100a，且其間的差異如下所述。
在一些實施例中，半導體元件100c可包括一支撐件140c。在一些實施例中，支撐件140c可設置在基底110的表面110s2上並與電子元件130的表面130s3分隔開。在一些實施例中，支撐件140c可提供一平滑(或圓凸)表面、邊緣或角落，以抵靠所設置的接合線150。在一些實施例中，支撐件140c的至少一部分可具有一平滑表面、一平滑邊緣或是一平滑角落，以抵靠所設置的接合線150。
當支撐件140c與電子元件130分隔開時，可縮減支撐件140c的厚度(或直徑)。因此，可縮減半導體元件100c的尺寸。
圖4是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件100d。半導體元件100d類似於如圖1B所示的半導體元件100a，且其間的差異如下所述。
在一些實施例中，半導體元件100d可包括一支撐件140d。在一些實施例中，支撐件140d可設置在電子元件130的表面130s2上。在一些實施例中，支撐件140s可抵靠電子元件130的表面130s2設置。在一些實施例中，支撐件140s可接觸電子元件130的表面130s2。在一些實施例中，支撐件140d可與基底110的表面110s2分隔開。在一些實施例中，支撐件140s可提供一平滑(或圓凸)表面、邊緣或角落，以抵靠所設置的接合線150。
當支撐件140s設置在電子元件130上時，可縮減接合線150沿著X軸的長度。因此，可縮減半導體元件100s的尺寸。
圖5是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件100e。半導體元件100e類似於如圖1B所示的半導體元件100a，且其間的差異如下所述。
在一些實施例中，半導體元件100e可包括一支撐件140e。在一些實施例中，支撐件140e可設置在電子元件130的表面130s3上。在一些實施例中，支撐件140e可接觸電子元件130的表面130s3。在一些實施例中，支撐件140e可與電子元件130的表面130s2分隔開。在一些實施例中，支撐件140e可與基底110的表面110s2分隔開。在一些實施例中，支撐件140e可提供一平滑(或圓凸)表面、邊緣或角落，以抵靠所設置的接合線150。
可藉由改良支撐件140e的位置而調整接合線150的張力。因此，可最佳化接合線150的長度以及張力。
圖6是頂視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件100f。半導體元件100f類似於如圖1A所示的半導體元件100a，且其間的差異如下所述。
在一些實施例中，半導體元件100f可包括多個支撐件140f。在一些實施例中，每一個支撐件140f可提供一平滑(或圓凸)表面、邊緣或角落，以抵靠所設置的接合線150。每一個支撐件140f對應其中一個接合線150。在一些實施例中，每一個支撐件140f可接觸一相對應的接合線150。
圖7是流程示意圖，例示本揭露一些實施例之半導體元件的製備方法200。
製備方法200以步驟202開始，其為提供一基底。該基底可具有一下表面以及一上表面，該上表面相對該下表面設置。該基底可包括一或多個導電墊，在接近、鄰近或埋置在該基底的該下表面及/或該上表面中以及暴露在該基底110的該下表面及/或該上表面處。
製備方法200以步驟204繼續，其為一電子元件可形成在該基底的該上表面上。在一些實施例中，該電子元件可藉由一黏著層而貼附到該基底的該上表面。該電子元件具有一後表面、一主動表面以及一側表面，該側表面延伸在該電子元件的該後表面與該主動表面之間。該電子元件可具有一導電墊在該電子元件的該主動表面上。
製備方法200以步驟206繼續，其為一支撐件可形成在該基底的該上表面上。在一些實施例中，該支撐件可接觸該基底的該上表面。在一些實施例中，該支撐件可接觸該電子元件的該側表面。在一些實施例中，該支撐件的至少一部分可具有一圓凸表面、一圓凸邊緣或是一圓凸角落。在一些實施例中，該支撐件的至少一部分可具有一平滑表面、一平滑邊緣或是一平滑角落。
在一些實施例中，該支撐件可具有一間隙子以及一黏著元件。在一些實施例中，該間隙子的至少一部分可具有一圓凸表面、一圓凸邊緣或是一圓凸角落。在一些實施例中，該間隙子的至少一部分可具有一平滑表面、一平滑邊緣或是一平滑角落。在一些實施例中，該黏著元件共形地形成在該間隙子上。
製備方法200以步驟208繼續，其為可形成一接合線。在一些實施例中，該接合線可具有一第一端子以及一第二端子，該第一端子連接到該電子元件，該第二端子連接到該基底。在一些實施例中，該接合線可抵靠該支撐件設置。在一些實施例中，該接合線的一部分可接觸該支撐件。在一些實施例中，該接合線的至少一部分可抵靠該支撐件的一平滑區域設置，而該平滑區域例如一表面、一邊緣或是一角落。
製備方法200以步驟210繼續，其為一囊封件可形成在該基底的該上表面上。在一些實施例中，該囊封件可囊封該電子元件、該支撐件以及該接合線。
製備方法200以步驟212繼續，其為多個電性連接件可形成在該基底的該下表面上，藉此產生一半導體元件。
在本揭露的該等實施例中，該半導體元件可包括一支撐件。該支撐件可設置在該接合線的兩端子之間。該接合線可以相對較小的張力抵靠該支撐件的一平滑區域設置，該平滑區域例如一表面、一邊緣或是一角落。再者，可縮減該接合線的長度，導致該半導體元件的一相對較小尺寸以及該接合線之相對低的電阻。
製備方法200僅僅是一個例子，並不意旨在將本揭露限制在申請專利範圍中明確記載的範圍之外。可以在製備方法200的每個步驟之前、期間或之後提供額外的步驟，並且對於製備方法的額外實施例可以替換、消除或重新排序所描述的一些步驟。在一些實施例中，製備方法200可包括圖7中未描繪的進一步之步驟。在一些實施例中，製備方法200可以包括圖7中所描繪的其中一個或多個步驟。
圖8A到圖8F是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例用於製備半導體元件之一例示方法的一或多個階段。在一些實施例中，可經由關於圖8A到圖8F所描述的步驟來製造半導體元件100a。
請參考圖8A，可提供一基底110。基底110可具有一表面110s1以及一表面110s2，表面110s2相對表面110s1設置。基底110可包括一或多個導電墊(例如112)在接近、鄰近或埋置在基底的表面110s1及/或表面110s2中以及暴露在基底的表面110s1及/或表面110s2處。
請參考圖8B，一電子元件130可形成在基底110的表面110s2上。在一些實施例中，電子元件130可藉由一黏著層120而貼附到基底110的表面110s2。電子元件130可具有一表面130s1、一表面130s2以及一表面130s3，而表面130s3在電子元件130的表面130s1與表面130s2之間延伸。電子元件130可具有一導電墊132在電子元件130的表面130s2上。
請參考圖8C，一支撐件140a可形成在基底110的表面110s2上。在一些實施例中，支撐件140a可接觸基底110的表面110s2。在一些實施例中，支撐件140a可接觸電子元件130的表面130s3。在一些實施例中，支撐件140a的至少一部分可具有一圓凸表面、一圓凸邊緣或是一圓凸角落。在一些實施例中，支撐件140a的至少一部分可具有一平滑表面、一平滑邊緣或是一平滑角落。
在一些實施例中，支撐件140a可具有一間隙子142a以及一黏著元件144a。在一些實施例中，間隙子142a的至少一部分可具有一圓凸表面、一圓凸邊緣或是一圓凸角落。在一些實施例中，間隙子142a的至少一部分可具有一平滑表面、一平滑邊緣或是一平滑角落。在一些實施例中，黏著元件144a共形地形成在間隙子142a上。
請參考圖8D，可形成一接合線150。在一些實施例中，接合線150可具有一端子150t1以及一端子150t2，端子150t1連接到電子元件130，端子150t2連接到基底110。在一些實施例中，接合線150可抵靠支撐件140a設置。在一些實施例中，接合線150的至少一部分可抵靠支撐件140a的一平滑區域140s1設置，而平滑區域140s1例如一表面、一邊緣或是一角落。在一些實施例中，接合線150的一部分可接觸支撐件140a。
請參考圖8E，一囊封件160可形成在基底110的表面110s2上。囊封件160的製作技術可包含一成模操作。在一些實施例中，囊封件160可囊封電子元件130、支撐件140a以及接合線150。
請參考圖8F，多個電性連接件170可形成在基底110的表面110s1上，藉此產生半導體元件100a。電性連接件170可包含一銲錫材料。
設想在圖8C中，若是該支撐件設置在基底110的表面110s2上並與電子元件130的表面130s3分隔開的話，則可形成與參考圖3所示以及描述之半導體元件100c相同或類似的一半導體元件。
設想在圖8C中，若是該支撐件設置在電子元件130的表面130s2上並與基底110分隔開的話，則可形成與參考圖4所示以及描述之半導體元件100d相同或類似的一半導體元件。
設想在圖8C中，若是該支撐件設置在電子元件130的表面130s3上並與基底110分隔開的話，則可形成與參考圖5所示以及描述之半導體元件100e相同或類似的一半導體元件。
設想在圖8C中，若是每一個可用於固定一相對應之接合線150的多個支撐件設置在基底110的表面110s2上的話，則可形成與參考圖6所示以及描述之半導體元件100f相同或類似的一半導體元件。
在本揭露的該等實施例中，該半導體元件可包括一支撐件。該支撐件可設置在該接合線的兩端子之間。該接合線可以相對較小的張力抵靠該支撐件的一平滑區域設置，該平滑區域例如一表面、一邊緣或是一角落。再者，可縮減該接合線的長度，導致該半導體元件的一相對較小尺寸以及該接合線之相對低的電阻。
本揭露之一實施例提供一種半導體元件。該半導體元件包括一基底、一電子元件、一接合線以及一支撐件。該電子元件設置在該基底上。該接合線包括一第一端子以及一第二端子，該第一端子連接到該電子元件，該第二端子連接到該基底。該接合線抵靠該支撐件設置。
本揭露之另一實施例提供一種半導體元件。該半導體元件包括一基底、一電子元件、一接合線以及一支撐件。該電子元件設置在該基底上。該接合線包括一第一端子以及一第二端子，該第一端子連接到該電子元件，該第二端子連接到該基底。該支撐件設置在該接合線的該第一端子與該第二端子之間。
本揭露之再另一實施例提供一種半導體元件的製備方法。該製備方法包括提供一基底。該製備方法亦包括將一電子元件貼附到該基底。該製備方法還包括將一支撐件貼附到該基底。此外，該製備方法包括形成一接合線以連接該基底與該電子元件。該接合線抵靠該支撐件設置。
在本揭露的實施例中，該半導體元件可包括用於固定接合線的一支撐件。該支撐件可設置在該接合線的兩個端子之間。該支撐件可提供一平滑區域，例如一平滑表面、一平滑邊緣或其上設置有該接合線的一平滑角落。囙此，該接合線可以一可容忍的張力而抵靠該支撐件設置。可以減少該接合線的長度，導致該半導體元件的一相對較小尺寸以及該接合線之相對低的電阻。
雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質上相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。
100a:半導體元件
100b:半導體元件
100c:半導體元件
100d:半導體元件
100e:半導體元件
100f:半導體元件
110:基底
110s1:表面
110s2:表面
112:導電墊
120:黏著層
130:電子元件
130s1:表面
130s2:表面
130s3:表面
132:導電墊
140a:支撐件
140b:支撐件
140c:支撐件
140d:支撐件
140e:支撐件
140f:支撐件
140s1:平滑區域
142a:間隙子
142b:間隙子
144a:黏著元件
150:接合線
150t1:端子
150t2:端子
160:囊封件
170:電性連接件
200:製備方法
202:步驟
204:步驟
206:步驟
208:步驟
210:步驟
212:步驟
L1:長度
L2:長度
L3:長度
L4:長度
X:軸
Y:軸
Z:軸
藉由參考詳細描述以及申請專利範圍可獲得對本揭露之更完整的理解。本揭露還應理解為與圖式的元件編號相關聯，圖式的元件編號是在整個描述中代表類似的元件。
圖1A是頂視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件。
圖1B是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例沿如圖1A所示之半導體元件的剖線A-A’的剖面。
圖2是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件。
圖3是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件。
圖4是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件。
圖5是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件。
圖6是頂視示意圖，例示本揭露一些實施例的半導體元件。
圖7是流程示意圖，例示本揭露一些實施例之半導體元件的製備方法。
圖8A是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例用於製備半導體元件之一例示方法的一或多個階段。
圖8B是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例用於製備半導體元件之一例示方法的一或多個階段。
圖8C是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例用於製備半導體元件之一例示方法的一或多個階段。
圖8D是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例用於製備半導體元件之一例示方法的一或多個階段。
圖8E是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例用於製備半導體元件之一例示方法的一或多個階段。
圖8F是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例用於製備半導體元件之一例示方法的一或多個階段。
100a:半導體元件
110:基底
110s1:表面
110s2:表面
112:導電墊
120:黏著層
130:電子元件
130s1:表面
130s2:表面
130s3:表面
132:導電墊
140a:支撐件
140s1:平滑區域
142a:間隙子
144a:黏著元件
150:接合線
150t1:端子
150t2:端子
160:囊封件
170:電性連接件
L1:長度
L2:長度
L3:長度
L4:長度
X:軸
Y:軸
Z:軸
Claims (17)
- 一種半導體元件，包括：一基底；一電子元件，設置在該基底上；一接合線，包括一第一端子以及一第二端子，該第一端子連接到該電子元件，該第二端子連接到該基底；以及一支撐件，設置在該基底上，其中該接合線抵靠該支撐件設置；其中該支撐件包括一間隙子以及一黏著元件，該黏著元件覆蓋該間隙子。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該支撐件與該電子元件並排設置。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該支撐件接觸該電子元件。
- 如請求項3所述之半導體元件，其中該支撐件接觸該電子元件的一上表面。
- 如請求項3所述之半導體元件，其中該支撐件接觸該電子元件的一側表面。
- 如請求項5所述之半導體元件，其中該支撐件部分接觸該電子元件的 一側表面。
- 如請求項5所述之半導體元件，其中該支撐件完全接觸該電子元件的一側表面。
- 如請求項3所述之半導體元件，其中該支撐件抵靠該電子元件設置。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該支撐件與該電子元件分隔開。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該支撐件與該基底分隔開。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該接合線的該第一端子與該電子元件的一側表面沿著一第一方向具有一第一長度，該第一方向大致垂直於該電子元件的該側表面，且該第二端子與該電子元件的該側表面沿著該第一方向具有一第二長度，而該第二長度小於該第一長度。
- 如請求項11所述之半導體元件，其中該第一長度與該第二長度之間的一比率介於大約1.1到大約3的範圍之間。
- 如請求項12所述之半導體元件，其中該電子元件的一上表面與該接合線的該第二端子沿著一第二方向具有一第三長度，該第二方向垂直於該電子元件的該上表面，該支撐件沿著該第二方向具有一厚度，且該支撐件的該厚度大於該第三長度。
- 如請求項13所述之半導體元件，其中該支撐件的該厚度大於該第一長度的1.5倍。
- 一種半導體元件的製備方法，包括：提供一基底；將一電子元件貼附到該基底；將一支撐件貼附到該基底；以及形成一接合線以連接該基底與該電子元件；其中該接合線抵靠該支撐件設置；其中該支撐件貼附到該電子元件的一側表面。
- 如請求項15所述之製備方法，其中該支撐件貼附到該基底的一上表面。
- 如請求項15所述之製備方法，其中該支撐件貼附到該電子元件的一上表面。
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| US17/829,515 | 2022-06-01 | ||
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| US20090189292A1 (en) * | 2008-01-29 | 2009-07-30 | Martin Reiss | Integrated Circuit, Semiconductor Module and Method for Manufacturing a Semiconductor Module |
-
2022
- 2022-10-19 TW TW111139660A patent/TWI833393B/zh active
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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| TW202349622A (zh) | 2023-12-16 |
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