TWI829081B - 微型發光二極體、顯示器、巨量轉移系統和巨量轉移方法 - Google Patents

微型發光二極體、顯示器、巨量轉移系統和巨量轉移方法 Download PDF

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Abstract

本申請提供一種微型發光二極體,其包括:電極部,包括至少一電極;發光部,設於所述電極部的一側,用於發出一顏色光;懸浮部,設於所述發光部遠離所述電極部的一側,所述懸浮部與所述顏色光的顏色相同,且所述懸浮部的密度小於所述發光部和所述電極部的密度。本申請還提供一種顯示器、一種巨量轉移系統以及一種巨量轉移方法。

Description

微型發光二極體、顯示器、巨量轉移系統和巨量轉移方 法
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種微型發光二極體及使用該微型發光二極體的自發光顯示器,還涉及用於對該微型發光二極體進行轉移的巨量轉移系統和巨量轉移方法。
目前市面上的顯示器以液晶顯示器為主,但隨著顯示技術的發展,對於顯示器解析度和對比度的要求越來越高,微型發光二極體(Micro Light-Emitting Diode,Micro LED)顯示技術作為亮度更高、發光效率更好、功效更低的新技術,具有較好的發展前景。然而,由於Micro-LED是將LED的尺寸從幾百微米縮小至幾十微米甚至幾微米,是故如何將小尺寸的Micro LED以較高的效率和較低的成本組裝到顯示基板上並保持較低的差錯率是目前急需解決的問題。
本申請第一方面提供一種微型發光二極體,其包括:電極部,包括至少一電極;發光部,設於所述電極部的一側,用於發出一顏色光;懸浮部,設於所述發光部遠離所述電極部的一側,且所述懸浮部的密度小於所述發光部和所述電極部的密度。
在一實施例中,所述微型發光二極體還包括上電極,所述上電極設於所述發光部遠離所述電極部的一側,且所述懸浮部不覆蓋所述上電極。
在一實施例中,所述懸浮部與所述顏色光的顏色相同。
本申請第二方面提供一種顯示器,其包括:陣列基板;以及設置於所述陣列基板上呈陣列排布的複數微型發光二極體,每一所述微型發光二極體為上述任意一項所述的微型發光二極體。
本申請第三方面提供一種巨量轉移系統,其包括:容納腔,所述容納腔用於盛裝包括有複數微型發光二極體的懸浮液;定位板,所述定位板上開設有陣列排布的複數定位通孔,每一所述定位通孔用於容納一個所述微型發光二極體,所述定位板用於在容納腔中盛裝有所述懸浮液時設置在所述懸浮液的液面上,使得一個所述微型發光二極體穿過一個所述定位通孔且部分位於所述定位板遠離所述懸浮液的一側;轉印輥,用於從所述定位板遠離所述懸浮液的一側滾動以沾附所述複數定位通孔中的複數所述微型發光二極體,並用於將所述複數微型發光二極體轉移到一陣列基板上。
在一實施例中,所述轉印輥上設置有黏性材料,用於黏附複數所述微型發光二極體。
在一實施例中,所述巨量轉移系統還包括所述包含有微型發光二極體的懸浮液,所述微型發光二極體為上述任意一項所述的微型發光二極體,且每一所述微型發光二極體的密度小於所述懸浮液的密度;所述容納腔用於盛裝所述含有所述微型發光二極體的懸浮液。
在一實施例中,所述轉印輥上設置有複數吸盤,每一所述吸盤用於吸附一個所述微型發光二極體,當所述轉印輥在所述定位板上滾動時,每一所述定位通孔分別與一所述吸盤對應。
在一實施例中,每一所述微型發光二極體均包括具有磁性的電極,使得所述微型發光二極體在磁場的作用下從所述轉印輥上轉移到所述陣列基板上。
在一實施例中,所述容納腔還包括一連通裝置,用於控制所述容納腔內外兩側的連通,所述連通裝置設於所述懸浮液遠離所述定位板的一側。
本申請實施例提供的巨量轉移系統,藉由設置容納有懸浮液的容納腔,並使微型發光二極體的密度小於懸浮液的密度,可以使微型發光二極體在懸浮液中向上漂浮,藉由設置定位板,可以使微型發光二極體漂浮進所述定 位板上的定位通孔中,藉由使用轉印輥,可以將定位板上的複數微型發光二極體吸附,並批量轉移到陣列基板上,從而可以高效地實現微型發光二極體的巨量轉移。
本申請第四方面提供一種巨量轉移方法,其包括:提供一容納腔,所述容納腔中設有懸浮液;提供複數微型發光二極體,向所述懸浮液中放入所述複數微型發光二極體,所述複數微型發光二極體的密度小於所述懸浮液的密度;提供一定位板,所述定位板上設有陣列排布的複數定位通孔;將所述定位板設於所述懸浮液的液面上,使得每一所述定位通孔容納一個所述微型發光二極體,且所述微型發光二極體部分位於所述定位板遠離所述懸浮液的一側;提供一轉印輥,並在所述定位板遠離所述懸浮液的一側滾動所述轉印輥以沾附所述複數微型發光二極體;提供一陣列基板,在所述陣列基板上滾動所述轉印輥,使得每一所述微型發光二極體從所述轉印輥上轉移到所述陣列基板上。
在一實施例中,所述提供複數微型發光二極體具體為:在一基板上生成複數電極部,在每一所述電極部遠離所述基板的一側設置一發光部,並在每一所述發光部遠離所述電極部的一側設置一懸浮部;將所述複數電極部與所述基板分離,從而生成複數包括電極部、發光部和懸浮部的微型發光二極體,所述懸浮部的密度小於所述發光部和所述電極部的密度,使得每一所述微型發光二極體位於一所述定位通孔中時,所述懸浮部遠離所述懸浮液,所述電極部靠近所述懸浮液。
在一實施例中,所述懸浮部的材料為透光的光阻,所述光阻的顏色與所述微型發光二極體發出的光的顏色相同。
在一實施例中,在將所述複數微型發光二極體轉移到所述陣列基板後,還包括:藉由所述光阻校對所述複數微型發光二極體的位置。
在一實施例中,使得每一所述定位通孔被一所述微型發光二極體填充的步驟具體為:振動所述定位板,從而帶動所述複數微型發光二極體振動,直到每一所述定位通孔均被一所述微型發光二極體填充。
在一實施例中,所述轉印輥上設置有黏性材料; 在所述定位板遠離所述懸浮液的一側滾動所述轉印輥以沾附所述複數微型發光二極體具體為:藉由所述黏性材料將複數所述微型發光二極體黏合到所述轉印輥上。
在一實施例中,所述轉印輥上設置有複數吸盤,每一吸盤用於吸附一個所述微型發光二極體,當所述轉印輥在所述定位板上滾動時,每一所述定位通孔分別與一所述吸盤對應;在所述定位板遠離所述懸浮液的一側滾動所述轉印輥以沾附所述複數微型發光二極體具體為:藉由所述複數吸盤,將複數所述微型發光二極體吸附到所述轉印輥上。
在一實施例中,每一所述微型發光二極體均包括具有磁性的電極;所述使得所述複數微型發光二極體從所述轉印輥上轉移到所述陣列基板上具體為:在所述陣列基板遠離所述轉印輥的一側提供磁力發生器,啟動所述磁力發生器,使得所述複數微型發光二極體在磁力的作用下從所述轉印輥上脫落,並固定到所述陣列基板上。
在一實施例中,所述容納腔還包括一連通裝置,用於控制所述容納腔內外兩側的連通,所述連通裝置設於所述懸浮液遠離所述定位板的一側;向所述懸浮液中放入複數微型發光二極體的步驟具體為:藉由所述連通裝置,向所述懸浮液中注入複數所述微型發光二極體,使得複數所述微型發光二極體在浮力的作用下從所述懸浮液中向所述懸浮液的液面移動。
本申請實施例提供的巨量轉移方法,藉由在容納腔中設置懸浮液,使複數微型發光二極體懸浮在懸浮液的液面,並設置定位板,可以使每一微型發光二極體漂浮進所述定位板的定位通孔中,藉由設置微型發光二極體包括密度小於發光部和電極部的懸浮部,可以使轉印輥在定位板上滾動時可以沾附每一所述微型發光二極體的懸浮部,從而實現轉印時方向的統一,進而實現高效快捷的微型發光二極體巨量轉移。此外,藉由設置微型發光二極體包括由透光光阻製成的懸浮部,且光阻的顏色與微型發光二極體發出的光的顏色相同,可以在轉移到陣列基板上後確定相應顏色的微型發光二極體的位置,從而避免需要通電檢測。
100:巨量轉移系統
10:容納腔
11:懸浮液
110:液面
13:連通裝置
30:定位板
31:定位通孔
50:轉印輥
51:黏性材料
53:吸盤
70:陣列基板
71:捕集孔位
73:磁力發生器
90:微型發光二極體
91:電極部
93:發光部
95:懸浮部
97:上電極
200:顯示器
圖1為本申請一實施例的巨量轉移系統的結構示意圖。
圖2為本申請一實施例的巨量轉移方法的流程圖。
圖3為本申請一實施例的微型發光二極體的結構圖。
圖4為本申請另一實施例的微型發光二極體的結構圖。
圖5為圖2的巨量轉移方法中步驟S2的示意圖。
圖6為本申請一實施例的定位板的結構圖。
圖7為圖2的巨量轉移方法中步驟S4的示意圖。
圖8為圖2的巨量轉移方法中步驟S5的示意圖。
圖9為圖2的巨量轉移方法中步驟S6的示意圖。
圖10為本申請一實施例的顯示器的結構示意圖。
下面將結合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本申請的一部分實施例,而不是全部的實施例。
除非另有定義,本申請所使用的所有的技術和科學術語與屬於本申請的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。在本申請的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在於限制本申請。
為能進一步闡述本發明達成預定目的所採取的技術手段及功效,以下結合附圖及較佳實施方式,對本申請作出如下詳細說明。
本申請實施例提供一種巨量轉移系統,可用於一次性轉移大數量的(幾萬甚至幾十萬顆)微型發光二極體。請參閱圖1,巨量轉移系統100包括:容納腔10,定位板30以及轉印輥50。其中,容納腔10用於盛裝懸浮液11,懸浮液11包括有複數微型發光二極體90,其中每一微型發光二極體90的密度小於懸浮液11的密度。定位板30上設有陣列排布的複數定位通孔31,每一定位通孔31用於容納一個微型發光二極體90,定位板30設於懸浮液11的液面110上,使得一個微型發光二極體90穿過一個定位通孔31並且部分位於定位板30遠離液面110的一側。轉印輥50用於從定位板30遠離懸浮液11的一側滾動以沾附位於複數定位通孔31中的複數微型發光二極體90,並用於將複數微型發光二極體90轉移到一陣列基板上。
在一些實施例中,所述巨量轉移系統100還包括所述包含有微型發光二極體90的懸浮液11,且每一微型發光二極體90的平均密度小於所述懸浮液11的密度;所述容納腔用於盛裝所述含有所述微型發光二極體的懸浮液。
本申請實施例還提供一種巨量轉移方法,請參閱圖2,巨量轉移方法包括:步驟S1:提供一容納腔,所述容納腔中設有懸浮液;步驟S2:提供複數微型發光二極體,並向所述懸浮液中放入所述複數微型發光二極體;步驟S3:提供一定位板,所述定位板上設有陣列排布的複數定位通孔;步驟S4:將所述定位板設於所述懸浮液的液面上,使得每一所述定位通孔容納一個所述微型發光二極體,且所述微型發光二極體部分位於所述定位板遠離所述懸浮液的一側;步驟S5:提供一轉印輥,並在所述定位板遠離所述懸浮液的一側滾動所述轉印輥以沾附所述複數微型發光二極體;步驟S6:提供一陣列基板,在所述陣列基板上滾動所述轉印輥,使得所述複數微型發光二極體從所述轉印輥上轉移到所述陣列基板上。
下面將結合所述巨量轉移方法的各個步驟,對本申請的巨量轉移系統100作具體說明。
在一實施例中,請一併參閱圖3和圖4,步驟S2中的提供複數微型發光二極體90包括依次層疊設置的電極部91、發光部93和懸浮部95。具體來說,微型發光二極體90可以為如圖3所示的倒裝型微型發光二極體,其陰極電極與陽極電極共同構成電極部91,發光部93設於電極部91的一側,懸浮部95設於發光部93遠離電極部91的一側。微型發光二極體90還可以是如圖4所示的垂直型微型發光二極體,其電極部91包括陰極電極或陽極電極的一種,發光部93遠離電極部91的一側還設有上電極97,上電極97具體為陰極電極或陽極電極的另一種。懸浮部95同樣設置於發光部93遠離電極部91的一側,且懸浮部95不覆蓋上電極97。
在一實施例中,懸浮部95的材料為透光的光阻,光阻的顏色與微型發光二極體90發出的光的顏色相同。在其他實施例中,懸浮部95也可以為無色透明的光阻或其他與微型發光二極體90發出的光的顏色相同的透光材料。
在一實施例中,懸浮部95的密度小於發光部93和電極部91的密度。是故,當微型發光二極體90設置於懸浮液11中時,總能在浮力的作用下變為懸浮部95朝上的狀態,並且當微型發光二極體90最終漂浮在懸浮液11的液面110上時,懸浮部95相較於電極部91遠離懸浮液11。
在一實施例中,步驟S2的提供複數微型發光二極體90還包括製備複數微型發光二極體90,具體為:在一基板(圖未示)上設置複數電極部91,在每一電極部91遠離所述基板的一側設置一個發光部93,並在每一發光部93遠離電極部91的一側設置一懸浮部95;以及將複數電極部91與所述基板分離,從而生成複數微型發光二極體90,每一微型發光二極體90均包括電極部91、發光部93和懸浮部95。在其他實施例中,製備複數微型發光二極體還可以為:在所述基板上依次鋪設電極層、發光層和懸浮層;以及切割所述基板,從而得到複數微型發光二極體90。
在一實施例中,請參閱圖5,容納腔10還包括一連通裝置13,用於控制容納腔10內外兩側的連通,連通裝置13設於懸浮液11遠離定位板30的一側。具體來說,連通裝置13為設於容納腔10底部的管道,複數微型發光二極體90藉由連通裝置13輸送至容納腔10中,並在浮力的作用下從懸浮液11中朝向液面110的方向上浮。在其他實施例中,連通裝置13還可以為設置於容納腔10的側壁的複數管道,使得複數微型發光二極體90分別從不同的位置輸送進容納腔10中,從而實現在懸浮液11中均勻分佈。本申請實施例藉由設置連通裝置13,使複數微型發光二極體90從懸浮液11中上浮,可以控制懸浮液11中微型發光二極體90的數量,避免大量的微型發光二極體90同時位於懸浮液11的液面110,導致複數定位通孔31處出現堵塞,進而影響微型發光二極體90漂浮進定位通孔31中。
在一實施例中,請參閱圖6,定位板30上包括陣列排布的複數定位通孔31,定位通孔31的孔徑和形狀與微型發光二極體90的孔徑和形狀相匹配,使得每一定位通孔31可以剛好容納一個微型發光二極體90。藉由設置相鄰定位通孔31之間的距離,可以控制轉移到一陣列基板上後相鄰微型發光二極體90之間的距離。
在一實施例中,定位板30的材料可以為金屬、塑膠等,本申請對此不做限制。
在一實施例中,請參閱圖7,步驟S4中,使得每一定位通孔31容納一個微型發光二極體90具體為:振動定位板30,從而帶動所述複數微型發光二極體90振動,直到每一定位通孔31均被一微型發光二極體90填充。具體來說,當複數微型發光二極體90上浮時,可能會在定位通孔31的附近出現堆積和錯位的情況,此時藉由振動定位板30,可以帶動複數微型發光二極體90振動,從而改變位置,在浮力的作用下,當微型發光二極體90的位置與定位通孔31的位置匹配時,即可上浮進定位通孔31中。其中,振動定位板30可以包括沿平行於液面110的方向振動,還可以包括沿垂直於液面110的方向振動。
在一實施例中,當微型發光二極體90漂浮進定位通孔31中時,由於微型發光二極體90的密度小於懸浮液11的密度,是故微型發光二極體90會有部分露出於懸浮液11的液面110上,藉由設置定位板30的位置,可以使微型發光二極體90穿過定位通孔31並部分位於定位板30遠離懸浮液11的一側。由於懸浮部95的密度小於發光部93和電極部91,是故每一懸浮於定位通孔31中的微型發光二極體90,其懸浮部95均相對於電極部91遠離懸浮液11,也即懸浮部95至少部分位於定位板30遠離懸浮液11的一側。
在一實施例中,請參閱圖8,轉印輥50上設置有黏性材料51,步驟S5具體為:藉由所述黏性材料51將複數微型發光二極體90黏合到轉印輥50上。具體來說,設置有黏性材料51的轉印輥50在定位板30遠離懸浮液11的一側滾動,當轉印輥50經過容納有微型發光二極體90的定位通孔31時,可以黏附懸浮部95,從而將微型發光二極體90黏附到轉印輥50上,並從定位通孔31中帶出。
在又一實施例中,轉印輥50上還可以設置有複數吸盤53,每一吸盤53用於吸附一個微型發光二極體90,且當轉印輥50在定位板30上滾動時,每一定位通孔31與一吸盤53對應。步驟S5具體為:藉由複數吸盤53,將複數微型發光二極體90吸附到轉印輥50上。
在一實施例中,請參閱圖9,步驟S6具體為:提供一陣列基板70,陣列基板70上設置有複數捕集孔位71,每一捕集孔位71用於容納一個微型發光二極體90。將沾附有複數微型發光二極體90的轉印輥50在陣列基板70上滾動,從而將複數微型發光二極體90轉移到陣列基板70的複數捕集孔位71上。
在一實施例中,每一微型發光二極體90均包括均由磁性的電極,也即每一微型發光二極體90的電極部91具有磁性,陣列基板70遠離捕集孔位71 的一側還設有複數磁力發生器73,每一磁力發生器73對應一捕集孔位71設置。步驟S6還包括:當轉印輥50上帶有的微型發光二極體90與對應的捕集孔位71重合時,啟動對應的磁力發生器73,從而產生一磁場,使得微型發光二極體90在磁力的作用下從轉印輥50上脫落,並固定到對應的捕集孔位71上。在其他實施例中,一個磁力發生器73也可以對應複數捕集孔位71,本申請對此不做限制。
在一實施例中,巨量轉移系統100還可以包括複數容納腔10,不同的容納腔10分別容納用於發出不同顏色的光的微型發光二極體90,每一容納腔10中的複數微型發光二極體90發出的光的顏色相同。複數轉印輥50分別將不同容納腔10中的複數微型發光二極體90轉移到陣列基板70上,從而在陣列基板70上排布不同顏色的微型發光二極體90,實現圖像顯示。在其他實施例中,也可以使用同一容納腔10,在將發出同一顏色光的複數微型發光二極體90轉移到陣列基板70上後,再向容納腔10中放入發出另一種顏色光的複數微型發光二極體90,多次重複步驟S2-步驟S6,直至陣列基板70上的複數捕集孔位71分別被不同顏色的複數微型發光二極體90填充。
在一實施例中,在步驟S6之後,還包括:藉由光阻校對複數微型發光二極體90的位置。具體來說,由於微型發光二極體90的懸浮部95的材料為與微型發光二極體90發出的光的顏色相同的光阻,是故藉由光阻可以直接判斷對應顏色的微型發光二極體的位置是否準確,從而避免了需要對每一微型發光二極體90進行通電來校對位置,節約了製備流程。
本申請實施例提供的巨量轉移系統100和巨量轉移方法,藉由將複數微型發光二極體90放入盛有懸浮液11的容納腔10中,並利用浮力將複數微型發光二極體90懸浮在定位板30的複數定位通孔31中,可以準確的設置複數微型發光二極體90之間的距離,藉由轉印輥50將複數微型發光二極體90從定位板30轉移到陣列基板70上,可以以較高的效率和較低的成本轉移複數微型發光二極體90。藉由設置懸浮部95,可以實現對微型發光二極體90在定位通孔31中的排列方向的控制,藉由設置懸浮部95的材料為與微型發光二極體90發出的光的顏色相同的透光材料,可以在將複數微型發光二極體90轉移到陣列基板70上之後藉由懸浮部95來校對微型發光二極體90的位置,從而優化校對流程。
請參閱圖10,本申請實施例還提供一種顯示器200,在本實施例中,顯示器200為自發光顯示器,其包括陣列基板70以及在陣列基板70上呈陣列排布 的複數微型發光二極體90,具體來說,陣列基板70上包括複數捕集孔位71,每一微型發光二極體90設置於一捕集孔位71中。陣列基板70還包括用於與每一微型發光二極體90電連接並用於分別控制每一微型發光二極體90發光的薄膜晶體管電路(圖未示),藉由控制每一微型發光二極體90的發光狀態,從而實現圖像顯示。在其他本實施例中,顯示器200也可以為非自發光顯示器,此時陣列基板70以及在陣列基板70上呈陣列排布的複數微型發光二極體90可作為顯示器200的背光。
本領域具有通常知識者應當認識到,以上的實施方式僅是用來說明本發明,而並非用作為對本發明的限定,只要在本發明的實質精神範圍之內,對以上實施例所作的適當改變和變化都落在本發明要求保護的範圍之內。
100:巨量轉移系統
10:容納腔
11:懸浮液
110:液面
30:定位板
31:定位通孔
50:轉印輥
90:微型發光二極體
91:電極部
93:發光部
95:懸浮部

Claims (17)

  1. 一種微型發光二極體,其改良在於,包括:電極部,包括至少一電極;發光部,設於所述電極部的一側,用於發出一顏色光;懸浮部,設於所述發光部遠離所述電極部的一側,且所述懸浮部的密度小於所述發光部和所述電極部的密度;其中,所述懸浮部的材料為透光的光阻,所述光阻的顏色與所述微型發光二極體發出的光的顏色相同。
  2. 如請求項1所述之微型發光二極體,其中,還包括上電極,所述上電極設於所述發光部遠離所述電極部的一側,且所述懸浮部不覆蓋所述上電極。
  3. 一種顯示器,其改良在於,包括:陣列基板;以及設置於所述陣列基板上呈陣列排布的複數微型發光二極體,每一所述微型發光二極體為如請求項1-2任意一項所述的微型發光二極體。
  4. 一種巨量轉移系統,用於轉移如請求項1-2任意一項中所述之微型發光二極體,其改良在於,包括:容納腔,所述容納腔用於盛裝包括有複數微型發光二極體的懸浮液;定位板,所述定位板上開設有陣列排布的複數定位通孔,每一所述定位通孔用於容納一個所述微型發光二極體,所述定位板用於在容納腔中盛裝有所述懸浮液時設置在所述懸浮液的液面上,使得一個所述微型發光二極體穿過一個所述定位通孔且部分位於所述定位板遠離所述懸浮液的一側;轉印輥,用於從所述定位板遠離所述懸浮液的一側滾動以沾附所述複數定位通孔中的複數所述微型發光二極體,並用於將所述複數微型發光二極體轉移到一陣列基板上。
  5. 如請求項4所述之巨量轉移系統,其中,所述轉印輥上設置有黏性材料,用於黏附複數所述微型發光二極體。
  6. 如請求項4所述之巨量轉移系統,其中,所述巨量轉移系統還包括所述包括有複數微型發光二極體的懸浮液,所述微型發光二極體為請求項1-3任意一項所述的微型發光二極體,且每一所述微型發光二極體的密度小於所述懸浮液的密度;所述容納腔用於盛裝所述包括有複數所述微型發光二極體的懸浮液。
  7. 如請求項4所述之巨量轉移系統,其中,所述轉印輥上設置有複數吸盤,每一所述吸盤用於吸附一個所述微型發光二極體,當所述轉印輥在所述定位板上滾動時,每一所述定位通孔分別與一所述吸盤對應。
  8. 如請求項4所述之巨量轉移系統,其中,每一所述微型發光二極體均包括具有磁性的電極,使得所述微型發光二極體在磁場的作用下從所述轉印輥上轉移到所述陣列基板上。
  9. 如請求項4所述之巨量轉移系統,其中,所述容納腔還包括一連通裝置,用於控制所述容納腔內外兩側的連通,所述連通裝置設於所述懸浮液遠離所述定位板的一側。
  10. 一種巨量轉移方法,用於轉移如請求項1-2任意一項中所述之微型發光二極體,其改良在於,包括:提供一容納腔,所述容納腔中設有懸浮液;提供複數微型發光二極體,向所述懸浮液中放入所述複數微型發光二極體,所述複數微型發光二極體的密度小於所述懸浮液的密度;提供一定位板,所述定位板上設有陣列排布的複數定位通孔;將所述定位板設於所述懸浮液的液面上,使得每一所述定位通孔容納一個所述微型發光二極體,且所述微型發光二極體部分位於所述定位板遠離所述懸浮液的一側;提供一轉印輥,並在所述定位板遠離所述懸浮液的一側滾動所述轉印輥以沾附所述複數微型發光二極體;提供一陣列基板,在所述陣列基板上滾動所述轉印輥,使得每一所述微型發光二極體從所述轉印輥上轉移到所述陣列基板上。
  11. 如請求項10所述之巨量轉移方法,其中,所述提供複數微型發光二極體具體為:在一基板上生成複數電極部,在每一所述電極部遠離所述基板的一側設置一發光部,並在每一所述發光部遠離所述電極部的一側設置一懸浮部;將所述複數電極部與所述基板分離,從而生成複數所述微型發光二極體,每一所述微型發光二極體包括電極部、發光部和懸浮部,所述懸浮部的密度小於所述發光部和所述電極部的密度,使得每一所述微型發光二極體位於一所述定位通孔中時,所述懸浮部遠離所述懸浮液,所述電極部靠近所述懸浮液。
  12. 如請求項11所述之巨量轉移方法,其中,在將所述複數微型發光二極體轉移到所述陣列基板後,還包括:藉由所述光阻校對所述複數微型發光二極體的位置。
  13. 如請求項10所述之巨量轉移方法,其中,使得每一所述定位通孔被一所述微型發光二極體填充的步驟具體為:振動所述定位板,從而帶動所述複數微型發光二極體振動,直到每一所述定位通孔均被一所述微型發光二極體填充。
  14. 如請求項10所述之巨量轉移方法,其中,所述轉印輥上設置有黏性材料;在所述定位板遠離所述懸浮液的一側滾動所述轉印輥以沾附所述複數微型發光二極體具體為:藉由所述黏性材料將複數所述微型發光二極體黏合到所述轉印輥上。
  15. 如請求項10所述之巨量轉移方法,其中,所述轉印輥上設置有複數吸盤,每一吸盤用於吸附一個所述微型發光二極體,當所述轉印輥在所述定位板上滾動時,每一所述定位通孔分別與一所述吸盤對應;在所述定位板遠離所述懸浮液的一側滾動所述轉印輥以沾附所述複數微型發光二極體具體為:藉由所述複數吸盤,將複數所述微型發光二極體吸附到所述轉印輥上。
  16. 如請求項10所述之巨量轉移方法,其中,每一所述微型發光二極體均包括具有磁性的電極;所述使得所述複數微型發光二極體從所述轉印輥上轉移到所述陣列基板上具體為:在所述陣列基板遠離所述轉印輥的一側提供磁力發生器,啟動所述磁力發生器,使得所述複數微型發光二極體在磁力的作用下從所述轉印輥上脫落,並固定到所述陣列基板上。
  17. 如請求項10所述之巨量轉移方法,其中,所述容納腔還包括一連通裝置,用於控制所述容納腔內外兩側的連通,所述連通裝置設於所述懸浮液遠離所述定位板的一側;向所述懸浮液中放入複數微型發光二極體的步驟具體為:藉由所述連通裝置,向所述懸浮液中注入複數所述微型發光二極體,使得複數所述微型發光二極體在浮力的作用下從所述懸浮液中向所述懸浮液的液面移動。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170133550A1 (en) * 2014-10-31 2017-05-11 eLux Inc. Display with surface mount emissive elements
TW201916320A (zh) * 2017-10-13 2019-04-16 行家光電股份有限公司 微元件之巨量排列方法及系統
CN111725123A (zh) * 2020-05-22 2020-09-29 深圳市隆利科技股份有限公司 微型发光二极管显示装置的制造方法
CN112967951A (zh) * 2021-01-29 2021-06-15 天马微电子股份有限公司 一种发光元件组装系统及组装方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170133550A1 (en) * 2014-10-31 2017-05-11 eLux Inc. Display with surface mount emissive elements
TW201916320A (zh) * 2017-10-13 2019-04-16 行家光電股份有限公司 微元件之巨量排列方法及系統
CN111725123A (zh) * 2020-05-22 2020-09-29 深圳市隆利科技股份有限公司 微型发光二极管显示装置的制造方法
CN112967951A (zh) * 2021-01-29 2021-06-15 天马微电子股份有限公司 一种发光元件组装系统及组装方法

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