CN116454106A - 微型发光二极管、显示器、巨量转移系统和巨量转移方法 - Google Patents

微型发光二极管、显示器、巨量转移系统和巨量转移方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116454106A
CN116454106A CN202210006949.7A CN202210006949A CN116454106A CN 116454106 A CN116454106 A CN 116454106A CN 202210006949 A CN202210006949 A CN 202210006949A CN 116454106 A CN116454106 A CN 116454106A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
micro light
emitting diodes
suspension
micro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210006949.7A
Other languages
English (en)
Inventor
麦真富
戴孟杰
张宇
胡敏
肖岚清
刘平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Century Display Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Century Display Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Century Display Shenzhen Co Ltd filed Critical Century Display Shenzhen Co Ltd
Priority to CN202210006949.7A priority Critical patent/CN116454106A/zh
Priority to TW111103460A priority patent/TWI829081B/zh
Priority to US18/079,770 priority patent/US20230215987A1/en
Publication of CN116454106A publication Critical patent/CN116454106A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67138—Apparatus for wiring semiconductor or solid state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供一种微型发光二极管，其包括：电极部，包括至少一电极；发光部，设于所述电极部的一侧，用于发出一颜色光；悬浮部，设于所述发光部远离所述电极部的一侧，所述悬浮部与所述颜色光的颜色相同，且所述悬浮部的密度小于所述发光部和所述电极部的密度。本申请还提供一种显示器、一种巨量转移系统以及一种巨量转移方法。

Description

微型发光二极管、显示器、巨量转移系统和巨量转移方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种微型发光二极管及使用该微型发光二极管的自发光显示器，还涉及用于对该微型发光二极管进行转移的巨量转移系统和巨量转移方法。
背景技术
目前市面上的显示器以液晶显示器为主，但随着显示技术的发展，对于显示器解析度和对比度的要求越来越高，微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，MicroLED)显示技术作为亮度更高、发光效率更好、功效更低的新技术，具有较好的发展前景。然而，由于Micro-LED是将LED的尺寸从几百微米缩小至几十微米甚至几微米，因此如何将小尺寸的Micro LED以较高的效率和较低的成本组装到显示基板上并保持较低的差错率是目前急需解决的问题。
发明内容
本申请第一方面提供一种微型发光二极管，其包括：
电极部，包括至少一电极；
发光部，设于所述电极部的一侧，用于发出一颜色光；
悬浮部，设于所述发光部远离所述电极部的一侧，且所述悬浮部的密度小于所述发光部和所述电极部的密度。
在一实施例中，所述微型发光二极管还包括上电极，所述上电极设于所述发光部远离所述电极部的一侧，且所述悬浮部不覆盖所述上电极。
在一实施例中，所述悬浮部与所述颜色光的颜色相同。
本申请第二方面提供一种显示器，其包括：
阵列基板；以及
设置于所述阵列基板上呈阵列排布的多个微型发光二极管，每一所述微型发光二极管为上述任意一项所述的微型发光二极管。
本申请第三方面提供一种巨量转移系统，其包括：
容纳腔，所述容纳腔用于盛装包括有多个微型发光二极管的悬浮液；
定位板，所述定位板上开设有阵列排布的多个定位通孔，每一所述定位通孔用于容纳一个所述微型发光二极管，所述定位板用于在容纳腔中盛装有所述悬浮液时设置在所述悬浮液的液面上，使得一个所述微型发光二极管穿过一个所述定位通孔且部分位于所述定位板远离所述悬浮液的一侧；
转印辊，用于从所述定位板远离所述悬浮液的一侧滚动以沾附所述多个定位通孔中的多个所述微型发光二极管，并用于将所述多个微型发光二极管转移到一阵列基板上。
在一实施例中，所述转印辊上设置有粘性材料，用于粘附多个所述微型发光二极管。
在一实施例中，所述巨量转移系统还包括所述包含有微型发光二极管的悬浮液，所述微型发光二极管为上述任意一项所述的微型发光二极管，且每一所述微型发光二极管的密度小于所述悬浮液的密度；所述容纳腔用于盛装所述含有所述微型发光二极管的悬浮液。
在一实施例中，所述转印辊上设置有多个吸盘，每一所述吸盘用于吸附一个所述微型发光二极管，当所述转印辊在所述定位板上滚动时，每一所述定位通孔分别与一所述吸盘对应。
在一实施例中，每一所述微型发光二极管均包括具有磁性的电极，使得所述微型发光二极管在磁场的作用下从所述转印辊上转移到所述阵列基板上。
在一实施例中，所述容纳腔还包括一连通装置，用于控制所述容纳腔内外两侧的连通，所述连通装置设于所述悬浮液远离所述定位板的一侧。
本申请实施例提供的巨量转移系统，通过设置容纳有悬浮液的容纳腔，并使微型发光二极管的密度小于悬浮液的密度，可以使微型发光二极管在悬浮液中向上漂浮，通过设置定位板，可以使微型发光二极管漂浮进所述定位板上的定位通孔中，通过使用转印辊，可以将定位板上的多个微型发光二极管吸附，并批量转移到阵列基板上，从而可以高效地实现微型发光二极管的巨量转移。
本申请第四方面提供一种巨量转移方法，其包括：
提供一容纳腔，所述容纳腔中设有悬浮液；
提供多个微型发光二极管，向所述悬浮液中放入所述多个微型发光二极管，所述多个微型发光二极管的密度小于所述悬浮液的密度；
提供一定位板，所述定位板上设有阵列排布的多个定位通孔；
将所述定位板设于所述悬浮液的液面上，使得每一所述定位通孔容纳一个所述微型发光二极管，且所述微型发光二极管部分位于所述定位板远离所述悬浮液的一侧；
提供一转印辊，并在所述定位板远离所述悬浮液的一侧滚动所述转印辊以沾附所述多个微型发光二极管；
提供一阵列基板，在所述阵列基板上滚动所述转印辊，使得每一所述微型发光二极管从所述转印辊上转移到所述阵列基板上。
在一实施例中，所述提供多个微型发光二极管具体为：
在一基板上生成多个电极部，在每一所述电极部远离所述基板的一侧设置一发光部，并在每一所述发光部远离所述电极部的一侧设置一悬浮部；
将所述多个电极部与所述基板分离，从而生成多个包括电极部、发光部和悬浮部的微型发光二极管，所述悬浮部的密度小于所述发光部和所述电极部的密度，使得每一所述微型发光二极管位于一所述定位通孔中时，所述悬浮部远离所述悬浮液，所述电极部靠近所述悬浮液。
在一实施例中，所述悬浮部的材料为透光的光阻，所述光阻的颜色与所述微型发光二极管发出的光的颜色相同。
在一实施例中，在将所述多个微型发光二极管转移到所述阵列基板后，还包括：通过所述光阻校对所述多个微型发光二极管的位置。
在一实施例中，使得每一所述定位通孔被一所述微型发光二极管填充的步骤具体为：振动所述定位板，从而带动所述多个微型发光二极管振动，直到每一所述定位通孔均被一所述微型发光二极管填充。
在一实施例中，所述转印辊上设置有粘性材料；
在所述定位板远离所述悬浮液的一侧滚动所述转印辊以沾附所述多个微型发光二极管具体为：通过所述粘性材料将多个所述微型发光二极管粘合到所述转印辊上。
在一实施例中，所述转印辊上设置有多个吸盘，每一吸盘用于吸附一个所述微型发光二极管，当所述转印辊在所述定位板上滚动时，每一所述定位通孔分别与一所述吸盘对应；
在所述定位板远离所述悬浮液的一侧滚动所述转印辊以沾附所述多个微型发光二极管具体为：通过所述多个吸盘，将多个所述微型发光二极管吸附到所述转印辊上。
在一实施例中，每一所述微型发光二极管均包括具有磁性的电极；
所述使得所述多个微型发光二极管从所述转印辊上转移到所述阵列基板上具体为：在所述阵列基板远离所述转印辊的一侧提供磁力发生器，启动所述磁力发生器，使得所述多个微型发光二极管在磁力的作用下从所述转印辊上脱落，并固定到所述阵列基板上。
在一实施例中，所述容纳腔还包括一连通装置，用于控制所述容纳腔内外两侧的连通，所述连通装置设于所述悬浮液远离所述定位板的一侧；
向所述悬浮液中放入多个微型发光二极管的步骤具体为：通过所述连通装置，向所述悬浮液中注入多个所述微型发光二极管，使得多个所述微型发光二极管在浮力的作用下从所述悬浮液中向所述悬浮液的液面移动。
本申请实施例提供的巨量转移方法，通过在容纳腔中设置悬浮液，使多个微型发光二极管悬浮在悬浮液的液面，并设置定位板，可以使每一微型发光二极管漂浮进所述定位板的定位通孔中，通过设置微型发光二极管包括密度小于发光部和电极部的悬浮部，可以使转印辊在定位板上滚动时可以沾附每一所述微型发光二极管的悬浮部，从而实现转印时方向的统一，进而实现高效快捷的微型发光二极管巨量转移。此外，通过设置微型发光二极管包括由透光光阻制成的悬浮部，且光阻的颜色与微型发光二极管发出的光的颜色相同，可以在转移到阵列基板上后确定相应颜色的微型发光二极管的位置，从而避免需要通电检测。
附图说明
图1为本申请一实施例的巨量转移系统的结构示意图。
图2为本申请一实施例的巨量转移方法的流程图。
图3为本申请一实施例的微型发光二极管的结构图。
图4为本申请另一实施例的微型发光二极管的结构图。
图5为图2的巨量转移方法中步骤S2的示意图。
图6为本申请一实施例的定位板的结构图。
图7为图2的巨量转移方法中步骤S4的示意图。
图8为图2的巨量转移方法中步骤S5的示意图。
图9为图2的巨量转移方法中步骤S6的示意图。
图10为本申请一实施例的显示器的结构示意图。
主要元件符号说明
巨量转移系统 100
容纳腔 10
悬浮液 11
液面 110
连通装置 13
定位板 30
定位通孔 31
转印辊 50
粘性材料 51
吸盘 53
阵列基板 70
捕集孔位 71
磁力发生器 73
微型发光二极管 90
电极部 91
发光部 93
悬浮部 95
上电极 97
显示器 200
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。
除非另有定义，本申请所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
为能进一步阐述本申请达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施方式，对本申请作出如下详细说明。
本申请实施例提供一种巨量转移系统，可用于一次性转移大数量的(几万甚至几十万颗)微型发光二极管。请参阅图1，巨量转移系统100包括：容纳腔10，定位板30以及转印辊50。其中，容纳腔10用于盛装悬浮液11，悬浮液11包括有多个微型发光二极管90，其中每一微型发光二极管90的密度小于悬浮液11的密度。定位板30上设有阵列排布的多个定位通孔31，每一定位通孔31用于容纳一个微型发光二极管90，定位板30设于悬浮液11的液面110上，使得一个微型发光二极管90穿过一个定位通孔31并且部分位于定位板30远离液面110的一侧。转印辊50用于从定位板30远离悬浮液11的一侧滚动以沾附位于多个定位通孔31中的多个微型发光二极管90，并用于将多个微型发光二极管90转移到一阵列基板上。
在一些实施例中，所述巨量转移系统100还包括所述包含有微型发光二极管90的悬浮液11，且每一微型发光二极管90的平均密度小于所述悬浮液11的密度；所述容纳腔用于盛装所述含有所述微型发光二极管的悬浮液。
本申请实施例还提供一种巨量转移方法，请参阅图2，巨量转移方法包括：
步骤S1：提供一容纳腔，所述容纳腔中设有悬浮液；
步骤S2：提供多个微型发光二极管，并向所述悬浮液中放入所述多个微型发光二极管；
步骤S3：提供一定位板，所述定位板上设有阵列排布的多个定位通孔；
步骤S4：将所述定位板设于所述悬浮液的液面上，使得每一所述定位通孔容纳一个所述微型发光二极管，且所述微型发光二极管部分位于所述定位板远离所述悬浮液的一侧；
步骤S5：提供一转印辊，并在所述定位板远离所述悬浮液的一侧滚动所述转印辊以沾附所述多个微型发光二极管；
步骤S6：提供一阵列基板，在所述阵列基板上滚动所述转印辊，使得所述多个微型发光二极管从所述转印辊上转移到所述阵列基板上。
下面将结合所述巨量转移方法的各个步骤，对本申请的巨量转移系统100作具体说明。
在一实施例中，请一并参阅图3和图4，步骤S2中的提供多个微型发光二极管90包括依次层叠设置的电极部91、发光部93和悬浮部95。具体来说，微型发光二极管90可以为如图3所示的倒装型微型发光二极管，其阴极电极与阳极电极共同构成电极部91，发光部93设于电极部91的一侧，悬浮部95设于发光部93远离电极部91的一侧。微型发光二极管90还可以是如图4所示的垂直型微型发光二极管，其电极部91包括阴极电极或阳极电极的一种，发光部93远离电极部91的一侧还设有上电极97，上电极97具体为阴极电极或阳极电极的另一种。悬浮部95同样设置于发光部93远离电极部91的一侧，且悬浮部95不覆盖上电极97。
在一实施例中，悬浮部95的材料为透光的光阻，光阻的颜色与微型发光二极管90发出的光的颜色相同。在其他实施例中，悬浮部95也可以为无色透明的光阻或其他与微型发光二极管90发出的光的颜色相同的透光材料。
在一实施例中，悬浮部95的密度小于发光部93和电极部91的密度。因此，当微型发光二极管90设置于悬浮液11中时，总能在浮力的作用下变为悬浮部95朝上的状态，并且当微型发光二极管90最终漂浮在悬浮液11的液面110上时，悬浮部95相较于电极部91远离悬浮液11。
在一实施例中，步骤S2的提供多个微型发光二极管90还包括制备多个微型发光二极管90，具体为：在一基板(图未示)上设置多个电极部91，在每一电极部91远离所述基板的一侧设置一个发光部93，并在每一发光部93远离电极部91的一侧设置一悬浮部95；以及将多个电极部91与所述基板分离，从而生成多个微型发光二极管90，每一微型发光二极管90均包括电极部91、发光部93和悬浮部95。在其他实施例中，制备多个微型发光二极管还可以为：在所述基板上依次铺设电极层、发光层和悬浮层；以及切割所述基板，从而得到多个微型发光二极管90。
在一实施例中，请参阅图5，容纳腔10还包括一连通装置13，用于控制容纳腔10内外两侧的连通，连通装置13设于悬浮液11远离定位板30的一侧。具体来说，连通装置13为设于容纳腔10底部的管道，多个微型发光二极管90通过连通装置13输送至容纳腔10中，并在浮力的作用下从悬浮液11中朝向液面110的方向上浮。在其他实施例中，连通装置13还可以为设置于容纳腔10的侧壁的多个管道，使得多个微型发光二极管90分别从不同的位置输送进容纳腔10中，从而实现在悬浮液11中均匀分布。本申请实施例通过设置连通装置13，使多个微型发光二极管90从悬浮液11中上浮，可以控制悬浮液11中微型发光二极管90的数量，避免大量的微型发光二极管90同时位于悬浮液11的液面110，导致多个定位通孔31处出现堵塞，进而影响微型发光二极管90漂浮进定位通孔31中。
在一实施例中，请参阅图6，定位板30上包括阵列排布的多个定位通孔31，定位通孔31的孔径和形状与微型发光二极管90的孔径和形状相匹配，使得每一定位通孔31可以刚好容纳一个微型发光二极管90。通过设置相邻定位通孔31之间的距离，可以控制转移到一阵列基板上后相邻微型发光二极管90之间的距离。
在一实施例中，定位板30的材料可以为金属、塑料等，本申请对此不做限制。
在一实施例中，请参阅图7，步骤S4中，使得每一定位通孔31容纳一个微型发光二极管90具体为：振动定位板30，从而带动所述多个微型发光二极管90振动，直到每一定位通孔31均被一微型发光二极管90填充。具体来说，当多个微型发光二极管90上浮时，可能会在定位通孔31的附近出现堆积和错位的情况，此时通过振动定位板30，可以带动多个微型发光二极管90振动，从而改变位置，在浮力的作用下，当微型发光二极管90的位置与定位通孔31的位置匹配时，即可上浮进定位通孔31中。其中，振动定位板30可以包括沿平行于液面110的方向振动，还可以包括沿垂直于液面110的方向振动。
在一实施例中，当微型发光二极管90漂浮进定位通孔31中时，由于微型发光二极管90的密度小于悬浮液11的密度，因此微型发光二极管90会有部分露出于悬浮液11的液面110上，通过设置定位板30的位置，可以使微型发光二极管90穿过定位通孔31并部分位于定位板30远离悬浮液11的一侧。由于悬浮部95的密度小于发光部93和电极部91，因此每一悬浮于定位通孔31中的微型发光二极管90，其悬浮部95均相对于电极部91远离悬浮液11，也即悬浮部95至少部分位于定位板30远离悬浮液11的一侧。
在一实施例中，请参阅图8，转印辊50上设置有粘性材料51，步骤S5具体为：通过所述粘性材料51将多个微型发光二极管90粘合到转印辊50上。具体来说，设置有粘性材料51的转印辊50在定位板30远离悬浮液11的一侧滚动，当转印辊50经过容纳有微型发光二极管90的定位通孔31时，可以粘附悬浮部95，从而将微型发光二极管90粘附到转印辊50上，并从定位通孔31中带出。
在又一实施例中，转印辊50上还可以设置有多个吸盘53，每一吸盘53用于吸附一个微型发光二极管90，且当转印辊50在定位板30上滚动时，每一定位通孔31与一吸盘53对应。步骤S5具体为：通过多个吸盘53，将多个微型发光二极管90吸附到转印辊50上。
在一实施例中，请参阅图9，步骤S6具体为：提供一阵列基板70，阵列基板70上设置有多个捕集孔位71，每一捕集孔位71用于容纳一个微型发光二极管90。将沾附有多个微型发光二极管90的转印辊50在阵列基板70上滚动，从而将多个微型发光二极管90转移到阵列基板70的多个捕集孔位71上。
在一实施例中，每一微型发光二极管90均包括均由磁性的电极，也即每一微型发光二极管90的电极部91具有磁性，阵列基板70远离捕集孔位71的一侧还设有多个磁力发生器73，每一磁力发生器73对应一捕集孔位71设置。步骤S6还包括：当转印辊50上带有的微型发光二极管90与对应的捕集孔位71重合时，启动对应的磁力发生器73，从而产生一磁场，使得微型发光二极管90在磁力的作用下从转印辊50上脱落，并固定到对应的捕集孔位71上。在其他实施例中，一个磁力发生器73也可以对应多个捕集孔位71，本申请对此不做限制。
在一实施例中，巨量转移系统100还可以包括多个容纳腔10，不同的容纳腔10分别容纳用于发出不同颜色的光的微型发光二极管90，每一容纳腔10中的多个微型发光二极管90发出的光的颜色相同。多个转印辊50分别将不同容纳腔10中的多个微型发光二极管90转移到阵列基板70上，从而在阵列基板70上排布不同颜色的微型发光二极管90，实现图像显示。在其他实施例中，也可以使用同一容纳腔10，在将发出同一颜色光的多个微型发光二极管90转移到阵列基板70上后，再向容纳腔10中放入发出另一种颜色光的多个微型发光二极管90，多次重复步骤S2-步骤S6，直至阵列基板70上的多个捕集孔位71分别被不同颜色的多个微型发光二极管90填充。
在一实施例中，在步骤S6之后，还包括：通过光阻校对多个微型发光二极管90的位置。具体来说，由于微型发光二极管90的悬浮部95的材料为与微型发光二极管90发出的光的颜色相同的光阻，因此通过光阻可以直接判断对应颜色的微型发光二极管的位置是否准确，从而避免了需要对每一微型发光二极管90进行通电来校对位置，节约了制备流程。
本申请实施例提供的巨量转移系统100和巨量转移方法，通过将多个微型发光二极管90放入盛有悬浮液11的容纳腔10中，并利用浮力将多个微型发光二极管90悬浮在定位板30的多个定位通孔31中，可以准确的设置多个微型发光二极管90之间的距离，通过转印辊50将多个微型发光二极管90从定位板30转移到阵列基板70上，可以以较高的效率和较低的成本转移多个微型发光二极管90。通过设置悬浮部95，可以实现对微型发光二极管90在定位通孔31中的排列方向的控制，通过设置悬浮部95的材料为与微型发光二极管90发出的光的颜色相同的透光材料，可以在将多个微型发光二极管90转移到阵列基板70上之后通过悬浮部95来校对微型发光二极管90的位置。从而优化校对流程。
请参阅图10，本申请实施例还提供一种显示器200，在本实施例中，显示器200为自发光显示器，其包括阵列基板70以及在阵列基板70上呈阵列排布的多个微型发光二极管90，具体来说，阵列基板70上包括多个捕集孔位71，每一微型发光二极管90设置于一捕集孔位71中。阵列基板70还包括用于与每一微型发光二极管90电连接并用于分别控制每一微型发光二极管90发光的薄膜晶体管电路(图未示)，通过控制每一微型发光二极管90的发光状态，从而实现图像显示。在其他本实施例中，显示器200也可以为非自发光显示器，此时阵列基板70以及在阵列基板70上呈阵列排布的多个微型发光二极管90可作为显示器200的背光。
本技术领域的普通技术人员应当认识到，以上的实施方式仅是用来说明本申请，而并非用作为对本申请的限定，只要在本申请的实质精神范围之内，对以上实施例所作的适当改变和变化都落在本申请要求保护的范围之内。

Claims (19)

1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：
电极部，包括至少一电极；
发光部，设于所述电极部的一侧，用于发出一颜色光；
悬浮部，设于所述发光部远离所述电极部的一侧，且所述悬浮部的密度小于所述发光部和所述电极部的密度。
2.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，还包括上电极，所述上电极设于所述发光部远离所述电极部的一侧，且所述悬浮部不覆盖所述上电极。
3.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述悬浮部与所述颜色光的颜色相同。
4.一种显示器，其特征在于，包括：
阵列基板；以及
设置于所述阵列基板上呈阵列排布的多个微型发光二极管，每一所述微型发光二极管为如权利要求1-3任意一项所述的微型发光二极管。
5.一种巨量转移系统，其特征在于，包括：
容纳腔，所述容纳腔用于盛装包括有多个微型发光二极管的悬浮液；
定位板，所述定位板上开设有阵列排布的多个定位通孔，每一所述定位通孔用于容纳一个所述微型发光二极管，所述定位板用于在容纳腔中盛装有所述悬浮液时设置在所述悬浮液的液面上，使得一个所述微型发光二极管穿过一个所述定位通孔且部分位于所述定位板远离所述悬浮液的一侧；
转印辊，用于从所述定位板远离所述悬浮液的一侧滚动以沾附所述多个定位通孔中的多个所述微型发光二极管，并用于将所述多个微型发光二极管转移到一阵列基板上。
6.如权利要求5所述的巨量转移系统，其特征在于，所述转印辊上设置有粘性材料，用于粘附多个所述微型发光二极管。
7.如权利要求5所述的巨量转移系统，其特征在于，所述巨量转移系统还包括所述包括有多个微型发光二极管的悬浮液，所述微型发光二极管为权利要求1-3任意一项所述的微型发光二极管，且每一所述微型发光二极管的密度小于所述悬浮液的密度；所述容纳腔用于盛装所述包括有多个所述微型发光二极管的悬浮液。
8.如权利要求5所述的巨量转移系统，其特征在于，所述转印辊上设置有多个吸盘，每一所述吸盘用于吸附一个所述微型发光二极管，当所述转印辊在所述定位板上滚动时，每一所述定位通孔分别与一所述吸盘对应。
9.如权利要求5所述的巨量转移系统，其特征在于，每一所述微型发光二极管均包括具有磁性的电极，使得所述微型发光二极管在磁场的作用下从所述转印辊上转移到所述阵列基板上。
10.如权利要求5所述的巨量转移系统，其特征在于，所述容纳腔还包括一连通装置，用于控制所述容纳腔内外两侧的连通，所述连通装置设于所述悬浮液远离所述定位板的一侧。
11.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：
提供一容纳腔，所述容纳腔中设有悬浮液；
提供多个微型发光二极管，向所述悬浮液中放入所述多个微型发光二极管，所述多个微型发光二极管的密度小于所述悬浮液的密度；
提供一定位板，所述定位板上设有阵列排布的多个定位通孔；
将所述定位板设于所述悬浮液的液面上，使得每一所述定位通孔容纳一个所述微型发光二极管，且所述微型发光二极管部分位于所述定位板远离所述悬浮液的一侧；
提供一转印辊，并在所述定位板远离所述悬浮液的一侧滚动所述转印辊以沾附所述多个微型发光二极管；
提供一阵列基板，在所述阵列基板上滚动所述转印辊，使得每一所述微型发光二极管从所述转印辊上转移到所述阵列基板上。
12.如权利要求11所述的巨量转移方法，其特征在于，所述提供多个微型发光二极管具体为：
在一基板上生成多个电极部，在每一所述电极部远离所述基板的一侧设置一发光部，并在每一所述发光部远离所述电极部的一侧设置一悬浮部；
将所述多个电极部与所述基板分离，从而生成多个所述微型发光二极管，每一所述微型发光二极管包括电极部、发光部和悬浮部，所述悬浮部的密度小于所述发光部和所述电极部的密度，使得每一所述微型发光二极管位于一所述定位通孔中时，所述悬浮部远离所述悬浮液，所述电极部靠近所述悬浮液。
13.如权利要求12所述的巨量转移方法，其特征在于，所述悬浮部的材料为透光的光阻，所述光阻的颜色与所述微型发光二极管发出的光的颜色相同。
14.如权利要求13所述的巨量转移方法，其特征在于，在将所述多个微型发光二极管转移到所述阵列基板后，还包括：通过所述光阻校对所述多个微型发光二极管的位置。
15.如权利要求11所述的巨量转移方法，其特征在于，使得每一所述定位通孔被一所述微型发光二极管填充的步骤具体为：振动所述定位板，从而带动所述多个微型发光二极管振动，直到每一所述定位通孔均被一所述微型发光二极管填充。
16.如权利要求11所述的巨量转移方法，其特征在于，所述转印辊上设置有粘性材料；
在所述定位板远离所述悬浮液的一侧滚动所述转印辊以沾附所述多个微型发光二极管具体为：通过所述粘性材料将多个所述微型发光二极管粘合到所述转印辊上。
17.如权利要求11所述的巨量转移方法，其特征在于，所述转印辊上设置有多个吸盘，每一吸盘用于吸附一个所述微型发光二极管，当所述转印辊在所述定位板上滚动时，每一所述定位通孔分别与一所述吸盘对应；
在所述定位板远离所述悬浮液的一侧滚动所述转印辊以沾附所述多个微型发光二极管具体为：通过所述多个吸盘，将多个所述微型发光二极管吸附到所述转印辊上。
18.如权利要求11所述的巨量转移方法，其特征在于，每一所述微型发光二极管均包括具有磁性的电极；
所述使得所述多个微型发光二极管从所述转印辊上转移到所述阵列基板上具体为：在所述阵列基板远离所述转印辊的一侧提供磁力发生器，启动所述磁力发生器，使得所述多个微型发光二极管在磁力的作用下从所述转印辊上脱落，并固定到所述阵列基板上。
19.如权利要求11所述的巨量转移方法，其特征在于，所述容纳腔还包括一连通装置，用于控制所述容纳腔内外两侧的连通，所述连通装置设于所述悬浮液远离所述定位板的一侧；
向所述悬浮液中放入多个微型发光二极管的步骤具体为：通过所述连通装置，向所述悬浮液中注入多个所述微型发光二极管，使得多个所述微型发光二极管在浮力的作用下从所述悬浮液中向所述悬浮液的液面移动。
CN202210006949.7A 2022-01-05 2022-01-05 微型发光二极管、显示器、巨量转移系统和巨量转移方法 Pending CN116454106A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210006949.7A CN116454106A (zh) 2022-01-05 2022-01-05 微型发光二极管、显示器、巨量转移系统和巨量转移方法
TW111103460A TWI829081B (zh) 2022-01-05 2022-01-26 微型發光二極體、顯示器、巨量轉移系統和巨量轉移方法
US18/079,770 US20230215987A1 (en) 2022-01-05 2022-12-12 Micro led, system of transferring same in mass, and mass transfer method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210006949.7A CN116454106A (zh) 2022-01-05 2022-01-05 微型发光二极管、显示器、巨量转移系统和巨量转移方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116454106A true CN116454106A (zh) 2023-07-18

Family

ID=86991024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210006949.7A Pending CN116454106A (zh) 2022-01-05 2022-01-05 微型发光二极管、显示器、巨量转移系统和巨量转移方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230215987A1 (zh)
CN (1) CN116454106A (zh)
TW (1) TWI829081B (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825202B2 (en) * 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
TWI647810B (zh) * 2017-10-13 2019-01-11 行家光電股份有限公司 微元件之巨量排列方法及系統
CN111725123B (zh) * 2020-05-22 2022-12-20 深圳市隆利科技股份有限公司 微型发光二极管显示装置的制造方法
CN112967951B (zh) * 2021-01-29 2023-02-17 天马微电子股份有限公司 一种发光元件组装系统及组装方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20230215987A1 (en) 2023-07-06
TW202332099A (zh) 2023-08-01
TWI829081B (zh) 2024-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110047866B (zh) 阵列基板、显示面板及微型led的转移方法
CN110349989B (zh) 发光二极管、显示基板和转移方法
CN100539007C (zh) 激光诱发热成像设备及激光诱发热成像方法
CN102077167B (zh) 拼接电子显示器
CN111492489B (zh) 半导体发光元件的自组装装置及方法
CN109671670B (zh) 微元件的巨量排列方法及系统
CN110379758B (zh) 吸附装置、转移系统及转移方法
US20180342555A1 (en) Micro light-emitting diode array substrate encapsulation structure and encapsulation method thereof
US11359770B2 (en) High-yield low-cost large-area flexible OLED lighting module
CN111492488B (zh) 使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法
TWI736930B (zh) 吸附裝置、吸附裝置的製作方法及轉移系統
JP6600060B2 (ja) マイクロコンポーネントデバイスの大量配列方法およびシステム
US20240168322A1 (en) Quantum dot complex, three-dimensional display element, and process for quantum dot complex
CN111276438A (zh) Led芯片的转移方法及转移装置
WO2020233298A1 (zh) 封装结构及封装方法、显示装置
CN116454106A (zh) 微型发光二极管、显示器、巨量转移系统和巨量转移方法
CN112017988B (zh) 转移设备
US20230207373A1 (en) Mass transfer device for transferring micro-leds onto array substrate, mass transfer system, and mass transfer method
CN114420799B (zh) 基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置
CN115347088A (zh) 一种芯片生长阵列及芯片转移方法
CN111244016B (zh) 转移装置、转移装置的制备方法、转移方法
CN112992755B (zh) 一种巨量转移装置及其转移方法
CN113363192A (zh) 一种基于磁悬浮的巨量转移装置、系统及其方法
CN114424329A (zh) 用于半导体发光器件的自组装的组装腔室
US20230317872A1 (en) Mass transfer system, attaching device, and mass transfer method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination