TWI826779B - 基材平坦度的檢測方法 - Google Patents

基材平坦度的檢測方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI826779B
TWI826779B TW110114723A TW110114723A TWI826779B TW I826779 B TWI826779 B TW I826779B TW 110114723 A TW110114723 A TW 110114723A TW 110114723 A TW110114723 A TW 110114723A TW I826779 B TWI826779 B TW I826779B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
straight line
flatness
substrate
detection
detection point
Prior art date
Application number
TW110114723A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202242347A (zh
Inventor
徐金旺
林文宜
Original Assignee
達運精密工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 達運精密工業股份有限公司 filed Critical 達運精密工業股份有限公司
Priority to TW110114723A priority Critical patent/TWI826779B/zh
Priority to CN202110961573.0A priority patent/CN113670235B/zh
Priority to US17/689,371 priority patent/US20220341731A1/en
Publication of TW202242347A publication Critical patent/TW202242347A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI826779B publication Critical patent/TWI826779B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/306—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/002—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring two or more coordinates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing

Abstract

一種基材平坦度的檢測方法包括提供基材。沿著第一直線，在基材表面上選取N個第一檢測點，其中第i個第一檢測點的座標為 。利用公式 ，計算出第一量測長度D。利用公式

Description

基材平坦度的檢測方法
本發明是有關於一種檢測方法，且特別是有關於一種基材平坦度的檢測方法。
現今有的顯示面板已使用精細金屬遮罩（Fine Metal Mask，FMM）來製造。以有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode，OLED）顯示面板為例，目前有的有機發光二極體顯示面板是採用蒸鍍（evaporation）來製造。在蒸鍍的過程中，精細金屬遮罩會先放置在玻璃板上，並且緊鄰玻璃板，以使蒸鍍產生的鍍料能依照精細金屬遮罩的開口圖案而沉積在開口圖案所暴露的玻璃板上。
目前顯示面板（包括有機發光二極體顯示面板）已朝向高解析度趨勢發展，而金屬遮罩需要具有相當平坦的表面，以製造出高解析度顯示面板。否則，難以製造出符合規格的高解析度顯示面板，從而造成良率下降。
本發明至少一實施例提出一種基材平坦度的檢測方法，其能幫助提升顯示面板的良率。
本發明至少一實施例所提出的基材平坦度的檢測方法包括提供基材，其具有表面。沿著第一直線，在表面上選取N個第一檢測點，其中第i個第一檢測點的座標為 。之後，利用公式： 計算出第一量測長度D。利用公式： 計算出第一平坦度指標F，其中S為第1個第一檢測點與第N個第一檢測點之間的水平距離。當第一平坦度指標F大於第一閾值時，判斷基材不合格。
在本發明至少一實施例中，上述檢測方法還包括沿著第二直線，在表面上選取M個第二檢測點，其中第二直線不平行於第一直線，而第j個第二檢測點的座標為 利用公式： 計算出第二量測長度d。利用公式： 計算出第二平坦度指標f，其中R為第1個第二檢測點與第M個第二檢測點之間的水平距離。當第二平坦度指標f大於第二閾值時，判斷基材不合格。
在本發明至少一實施例中，上述檢測方法還包括當第一平坦度指標F小於或等於第一閾值，且第二平坦度指標f小於或等於第二閾值時，判斷基材合格。
在本發明至少一實施例中，上述第一直線的長度大於第二直線的長度，且N＞M。
在本發明至少一實施例中，相鄰兩個第一檢測點之間的水平距離小於或等於1公分。
本發明另一實施例所提出的基材平坦度的檢測方法包括提供基材，其具有表面。沿著多條並列的第一直線，在表面上選取多個第一檢測點，其中沿著各條第一直線上選取N個第一檢測點，而第i個第一檢測點的座標為 。利用公式： 計算出對應於各條第一直線的第一量測長度D。利用公式： 計算出對應於各條第一直線的第一平坦度指標F，其中S為沿著同一條第一直線所選取的第1個第一檢測點與第N個第一檢測點之間的水平距離。之後，計算這些第一直線的這些第一平坦度指標F的第一平均值。當第一平均值大於第一閥值時，判斷基材不合格。
在本發明至少一實施例中，上述檢測方法還包括沿著多條並列的第二直線，在表面上選取多個第二檢測點，其中這些第二直線不平行於這些第一直線。沿著各條第二直線所選取的M個第二檢測點，而第j個第二檢測點的座標為 。利用公式： 計算出對應於各條第二直線的第二量測長度d。利用公式 ，計算出對應於各條第二直線的第二平坦度指標f，其中R為沿著同一條第二直線所選取的第1個第二檢測點與第M個第二檢測點之間的水平距離。計算這些第二直線的這些第二平坦度指標f的第二平均值。當第二平均值大於第二閥值時，判斷基材不合格。
在本發明至少一實施例中，上述檢測方法，還包括當第一平均值小於或等於第一閥值，且第二平均值小於或等於第二閥值時，判斷基材合格。
在本發明至少一實施例中，上述各條第一直線的長度大於各條第二直線的長度，且N>M。
基於上述，利用以上檢測方法，可挑選出良好平坦度的基材來製作成金屬遮罩，幫助提升顯示面板的良率。
以下的內文中，為了清楚呈現本案的技術特徵，圖式中的元件(例如層、膜、基板以及區域等)的尺寸(例如長度、寬度、厚度與深度)會以不等比例的方式放大。因此，下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件所呈現的尺寸與形狀，而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如，圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵，而圖式所示的銳角可以是圓的。所以，本案圖式所呈示的元件主要是用於示意，並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀，也非用於限制本案的申請專利範圍。
其次，本案內容中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字不僅涵蓋明確記載的數值與數值範圍，而且也涵蓋發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解的可允許偏差範圍，其中此偏差範圍可由測量時所產生的誤差來決定，而此誤差例如是起因於測量系統或製程條件兩者的限制。此外，「約」可表示在上述數值的一個或多個標準偏差內，例如±30％、±20％、±10％或±5％內。本案文中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字可依光學性質、蝕刻性質、機械性質或其他性質來選擇可以接受的偏差範圍或標準偏差，並非單以一個標準偏差來套用以上光學性質、蝕刻性質、機械性質以及其他性質等所有性質。
圖1A與圖1B是本發明至少一實施例的基材平坦度的檢測方法的示意圖。請參閱圖1A，在上述檢測方法中，首先，提供基材101，其具有表面110。基材101可以是金屬片，並且可由金屬材料經壓延（calendering）而形成，其中此金屬材料可以是不鏽鋼或鎳鐵合金，而此鎳鐵合金可以是熱膨脹係數相當低的不變鋼（invar）。
在巨觀尺度下，表面110大致上為平坦的表面。換句話說，在不使用精密儀器量測的條件下，當一般人觀看或觸摸基材101時，大多數一般人會認為表面110是平坦的表面。不過，在微觀尺度下，表面110並不是那麼平坦。例如，當使用光學尺寸量測儀（optical dimension measuring device）量測表面110時，可發現表面110具有類似於波浪般的起伏。當表面110的起伏在一定程度的高低落差以下時，基材101可進行後續製程，以製作成金屬遮罩。反之，當表面110的起伏超過一定程度的高低落差時，基材101需要重工，例如進行退火，甚至報廢。
請參閱圖1B，接著，沿著多條並列的第一直線L1，在表面110上選取多個第一檢測點P11，其中可沿著各條第一直線L1選取N個第一檢測點P11，而N為大於1的自然數。因此，每一條第一直線L1會對應至少兩個第一檢測點P11。這些第一檢測點P11可由光學尺寸量測儀10選取。即使這些第一檢測點P11沒標記在表面110上，光學尺寸量測儀10仍可在表面110上直接選取這些第一檢測點P11。所以，這些第一檢測點P11可皆為虛擬的點，而這些第一直線L1也可為虛擬的。因此，第一檢測點P11與第一直線L1在實際情況中可以是看不見的。
另外，在本實施例中，也可沿著多條並列的第二直線L2，在表面110上選取多個第二檢測點P12。這些第二檢測點P12也可由光學尺寸量測儀10在表面110上直接選取，所以第二直線L2與第二檢測點P12也可以是虛擬的，即第二檢測點P12與第二直線L2在實際情況中也可以是看不見的。
沿著各條第二直線L2選取M個第二檢測點P12，其中M為大於1的自然數，所以每一條第二直線L2會對應至少兩個第二檢測點P12。此外，在本實施例中，各條第一直線L1的長度可以大於各條第二直線L2的長度，以使N可以大於M。換句話說，各條第一直線L1所對應的第一檢測點P11的數量可大以於各條第二直線L2所對應的第二檢測點P12的數量。
這些第二直線L2不平行於這些第一直線L1。以圖1B為例，這些第一直線L1皆沿著第一方向D1而延伸，而這些第二直線L2皆沿著第二方向D2而延伸，其中第一方向D1不同於第二方向D2。例如，第一方向D1可實質上垂直於第二方向D2。因此，這些第二直線L2不平行於這些第一直線L1。以圖1B為例，這些第二直線L2可以實質上垂直於這些第一直線L1。
值得一提的是，由於第一直線L1可實質上垂直於第二直線L2，所以這些第一直線L1與這些第二直線L2可彼此交錯，以形成網狀排列，如圖1B所示。因此，這些彼此交錯的第一直線L1與第二直線L2能形成至少一對彼此重疊的第一檢測點P11與第二檢測點P12，即至少一個第一檢測點P11與至少一個第二檢測點P12彼此重疊。
以圖1B為例，圖1B繪示出彼此交錯的三條第一直線L1與三條第二直線L2，其中這三條第一直線L1與這三條第二直線L2彼此交錯於九點，而九個第一檢測點P11與九個第二檢測點P12分別位於這九點。因此，這九個第一檢測點P11與這九個第二檢測點P12會分別彼此重疊。換句話說，在這些第一直線L1與這些第二直線L2彼此交錯處中，第一檢測點P11實質上也等於第二檢測點P12，即重疊的第一直線L1與第二直線L2兩者的檢測點（即第一檢測點P11與第二檢測點P12）可彼此共用。
圖2A是圖1B中沿其中一條第一直線剖面而繪示的剖面示意圖，其中基材101具有一對彼此相對的長邊111與112，而圖2A所示的基材101例如是沿著最靠近長邊111的第一直線L1剖面，並且沿著第二方向D2觀看而繪製。
請參閱圖1B與圖2A，任意相鄰兩個第一檢測點P11之間存有水平距離G11，其中水平距離G11可以是相鄰兩個第一檢測點P11在第一方向D1上的距離，如圖2A所示。換句話說，一個水平距離G11等於相鄰兩個第一檢測點P11垂直投影在同一條第一直線L1上的兩位置之間的距離。此外，沿著同一條第一直線L1所選取的這些第一檢測點P11之間具有實質上彼此相等的水平距離G11，所以這些第一檢測點P11垂直投影在同一條第一直線L1上的多個位置實質上可以是等間距排列。
這些第一檢測點P11具有各自的座標，而且這些第一檢測點P11的座標彼此不同，其中這些第一檢測點P11的座標可以是由光學尺寸量測儀10提供。在圖2A所示的實施例中，位於最右邊的第1個第一檢測點P11具有座標 ，而鄰近此第1個第一檢測點P11的第2個第一檢測點P11具有座標 。依此類推，鄰近並位在第2個第一檢測點P11左側的第3個第一檢測點P11具有座標 ，而位於最左邊的第N個第一檢測點P11具有座標 。由此可知，第i個第一檢測點P11的座標為 ，其中i為大於零且小於或等於N的自然數。
接著，利用以下公式（1），計算出對應於各條第一直線L1的第一量測長度，其中公式（1）所示的D為第一量測長度，而 為沿著同一條第一直線L1所選取的這些第一檢測點P11的座標值，例如第1個第一檢測點P11的座標 以及第i個第一檢測點P11的座標 。第一直線L1的數量可以等於計算得到的第一量測長度D的數量，即這些第一直線L1可以一對一地對應這些第一量測長度D。 ………公式（1）
在本實施例中，水平距離G11可小於或等於1公分。由於表面110具有類似於波浪般的起伏，因此圖2A所示的表面110如同波浪形狀的曲線，其具有多個波峰與波谷。於此實施例中，預期相鄰的波峰與波谷的水平距離不會超過1公分，因此小於或等於1公分的水平距離G11可使圖2A中的這些第一檢測點P11所形的連線可貼近真實的表面110，以降低計算第一量測長度D的誤差值。
之後，可以利用以下公式（2），計算出對應於各條第一直線L1的第一平坦度指標。 …………………………………………公式（2）
在公式（2）中，F為第一平坦度指標，D為第一量測長度，而S為沿著同一條第一直線L1所選取的第1個第一檢測點P11與第N個第一檢測點P11之間的水平距離，其中水平距離（S）可以相當於單一條第一直線L1的長度，因此水平距離（S）可以接近或等於長邊111的長度，即基材101的長度。
從公式（2）可以得知，一個第一量測長度D可計算出一個第一平坦度指標F，而第一直線L1的數量可等於計算出來的第一量測長度D的數量，因此在第一直線L1的數量為多條的條件下，根據公式（2），可計算出多個第一平坦度指標F。之後，計算這些第一平坦度指標F的第一平均值，其中此第一平均值例如是算術平均值。
當第一平均值大於第一閥值時，判斷基材101不合格。舉例而言，上述第一閥值可以是2，而根據這些第一檢測點P11所計算出來的第一平均值若大於2的話，代表基材101表面110的平坦度不佳，以至於此基材101不適合用來製造高解析度顯示面板。因此，這種第一平均值大於2的基材101需要重工，例如進行退火，甚至報廢。
值得一提的是，在本實施例中，第一方向D1與第二方向D2可分別平行於第一檢測點P11座標的其中兩個座標軸，而與第一方向D1及第二方向D2皆垂直的第三方向D3可平行於第一檢測點P11座標的其他座標軸。由於第一直線L1沿著第一方向D1而延伸，因此圖2A所示的這些第一檢測點P11可座落於平行其中兩座標軸的平面。
舉例而言，在圖1B中，第一方向D1可視為座標的X軸，第二方向D2可視為座標的Y軸，而第三方向D3可視為座標的Z軸。如此，圖2A所示的這些第一檢測點P11所座落的平面平行於第一方向D1（X軸）與第三方向D3（Z軸），但與第二方向D2（Y軸）垂直，以至於圖2A所示的這些第一檢測點P11的座標具有相同的Y值，例如 ，其中 。因此，在計算第一量測長度D時，可將公式（1）簡化成以下公式（3）。 ………………………公式（3）
圖2B是圖1B中沿其中一條第二直線剖面而繪示的剖面示意圖，其中基材101還具有一對彼此相對的短邊121與122，而圖2B所示的基材101例如是沿著最靠近短邊121的第二直線L2剖面，並沿著第一方向D1觀看而繪製。
請參閱圖1B與圖2B，任意相鄰兩個第二檢測點P12之間存有水平距離G12，其可為相鄰兩個第二檢測點P12在第二方向D2上的距離，所以一個水平距離G12等於相鄰兩個第二檢測點P12垂直投影在同一條第二直線L2上的兩位置之間的距離，如圖2B所示。
沿著同一條第二直線L2所選取的這些第二檢測點P12之間具有實質上彼此相等的水平距離G12，所以這些第二檢測點P12垂直投影在同一條第二直線L2上的多個位置實質上可以是等間距排列，其中水平距離G12可小於或等於1公分，且水平距離G11與G12可彼此相等。
與第一檢測點P11相同的是，這些第二檢測點P12具有彼此不同的座標，且這些第二檢測點P12的座標可由光學尺寸量測儀10提供。在圖2B所示的實施例中，位於最左邊的第1個第二檢測點P12具有座標(A1,B1,C1)，而鄰近此第1個第二檢測點P12的第2個第二檢測點P12具有座標(A2,B2,B2)。同理，鄰近並位在第2個第二檢測點P12右側的第3個第二檢測點P12具有座標(A3,B3,C3)，而位於最右邊的第M個第二檢測點P12具有座標(AM,BM,CM)。由此可知，第j個第二檢測點P12的座標為(Aj,Bj,Cj)，其中j為大於零且小於或等於M的自然數。
接著，利用以下公式(4)，計算出對應於各條第二直線L2的第二量測長度，其中公式(4)所示的d為第二量測長度，而Aj、Aj+1、Bj、Bj+1、Cj與Cj+1為沿著同一條第二直線L2所選取的這些第二檢測點P12的座標值。第二直線L2的數量可等於計算得到的第二量測長度d的數量。換句話說，這些第二直線L2可以一對一地對應這些第二量測長度。
Figure 110114723-A0305-02-0016-1
值得一提的是，第二檢測點P12與第一檢測點P11兩者座標值可以屬於同一個座標系統。例如，Ai與Xi可以是同一個X軸的數值，Bi與Yi可以是同一個Y軸的數值，而Ci與Zi可以是同一個Z軸的數值。此外，在圖1B所示的實施例中，由於有的第一檢測點P11實質上也等於第二檢測點P12，因此至少一個第一檢測點P11的座標值會等於至少一個第二檢測點P12的座標值。
相似於圖2A所示的這些第一檢測點P11，圖2B所示的這些第二檢測點P12也可座落於與第二檢測點P12其中兩座標軸平行的平面。例如，圖2B所示的這些第二檢測點P12所座落的平面平行於第二方向D2(Y軸)與第三方向D3(Z軸)，但與第一方向D1(X軸)垂直，所以圖2B所示的這些第二檢測點P12的座標具有相同的A值(即X值)，例如A1=Ai=Ai+1。因此，在計算第二量測長度d時，可以將公式(4)簡化成以下公式(5)。
Figure 110114723-A0305-02-0016-2
之後，利用以下公式(6)，計算出對應於各條第二直線L2的第二平坦度指標。
f=(d-R)/R................................................公式(6)
在公式(6)中，f為第二平坦度指標，d為第二量測長度，而R為沿著同一條第二直線L2所選取的第1個第二檢測點P12與第M個第二檢測點P12之間的水平距離，其中R可相當於單一條第二直線L2的長度，因此R可接近或等於短邊121的長度，即基材101的寬度。
根據公式(6)，一個第二量測長度d可以計算出一個第二平坦度指標f，而第二直線L2的數量可等於計算出來的第二量測長度d的數量。因此，在第二直線L2的數量為多條的條件下，根據公式(6)，可以計算出多個第二平坦度指標f。之後，計算這些第二直線L2的第二平坦度指標f的第二平均值，其例如是算術平均值。
當第二平均值大於第二閥值時，代表基材101表面110的平坦度也不佳，以至於判斷基材101不合格，而這種不合格的基材101不適合用來製造高解析度顯示面板，且需要重工，例如進行退火，甚至報廢。此外，上述第二閥值也可以是2。
當第一平均值小於或等於第一閥值(例如2)，且第二平均值小於或等於第二閥值(例如2)時，代表基材101表面110具有良好的平坦度，適合用來製造高解析度顯示面板，因此判斷基材101合格，而這種合格的基材101可以進行後續製程，例如微影與蝕刻，以形成金屬遮罩。由此可知，利用上述實施例所揭露的檢測方法，可以挑選出良好平坦度的基材101來製作成金屬遮罩，以幫助提升顯示面板的良率，進而有助於製造出高解析度顯示面板。
須說明的是，在以上實施例中，都是沿著多條第一直線L1與多條第二直線L2來選取多個第一檢測點P11與多個第二檢測點P12。然而，在其他實施例中，可以只沿著單一條第一直線L1或單一條第二直線L2來檢測基材101的平坦度，其中利用上述公式（1）至（6），計算出單一個第一平坦度指標F或單一個第二平坦度指標f。
當第一平坦度指標F大於第一閾值（例如2）或當第二平坦度指標f大於第二閾值（例如2）時，判斷基材101不合格。當第一平坦度指標F小於或等於第一閾值，且第二平坦度指標f小於或等於第二閾值時，判斷基材101合格。換句話說，在第一直線L1或第二直線L2數量僅為一條的條件下，可以省略計算上述第一平均值與第二平均值的步驟。所以，以上基材101平坦度的檢測方法不限制要包括計算第一平均值或第二平均值的步驟。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明精神和範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:光學尺寸量測儀 101:基材 110:表面 111、112:長邊 121、122:短邊 D1:第一方向 D2:第二方向 D3:第三方向 G11、G12:水平距離 L1:第一直線 L2:第二直線 P11:第一檢測點 P12:第二檢測點
圖1A與圖1B是本發明至少一實施例的基材平坦度的檢測方法的示意圖。
圖2A是圖1B中沿其中一條第一直線剖面而繪示的剖面示意圖。
圖2B是圖1B中沿其中一條第二直線剖面而繪示的剖面示意圖。
10:光學尺寸量測儀
101:基材
110:表面
111、112:長邊
121、122:短邊
D1:第一方向
D2:第二方向
D3:第三方向
L1:第一直線
L2:第二直線
P11:第一檢測點
P12:第二檢測點

Claims (10)

  1. 一種基材平坦度的檢測方法，包括：提供一基材，其具有一表面；沿著一第一直線，令一光學尺寸量測儀在該表面上直接選取N個第一檢測點，其中第i個第一檢測點的座標為(Xi,Yi,Zi)； 利用公式
    Figure 110114723-A0305-02-0020-3
    ，計算出一第一量測長度D；利用公式F=(D-S)/S，計算出一第一平坦度指標F，其中S為第1個第一檢測點與第N個第一檢測點之間的水平距離；當該第一平坦度指標F大於一第一閾值時，判斷該基材不合格；沿著一第二直線，令該光學尺寸量測儀在該表面上直接選取M個第二檢測點，其中該第二直線垂直於該第一直線，第j個第二檢測點的座標為(Aj,Bj,Cj)，而至少一該第一檢測點與至少一該第二檢測點彼此重疊； 利用公式
    Figure 110114723-A0305-02-0020-4
    ，計算出一第二量測長度d；利用公式f=(d-R)/R，計算出一第二平坦度指標f，其中R為第1個第二檢測點與第M個第二檢測點之間的水平距離；以及當該第二平坦度指標f大於一第二閾值時，判斷該基材 不合格。
  2. 如請求項1所述的基材平坦度的檢測方法，還包括：當該第一平坦度指標F小於或等於該第一閾值，且該第二平坦度指標f小於或等於該第二閾值時，判斷該基材合格。
  3. 如請求項1所述的基材平坦度的檢測方法，其中該第一直線的長度大於該第二直線的長度，且N>M。
  4. 如請求項1所述的基材平坦度的檢測方法，其中該第一閥值與該第二閥值皆為2。
  5. 如請求項1所述的基材平坦度的檢測方法，其中相鄰兩該第一檢測點之間的水平距離小於或等於1公分。
  6. 一種基材平坦度的檢測方法，包括：提供一基材，其具有一表面；沿著多條並列的第一直線，令一光學尺寸量測儀在該表面上直接選取多個第一檢測點，其中沿著各該第一直線上選取N個第一檢測點，而第i個第一檢測點的座標為(Xi,Yi,Zi)； 利用公式
    Figure 110114723-A0305-02-0022-6
    ，計算出對應於各該第一直線的一第一量測長度D；利用公式F=(D-S)/S，計算出對應於各該第一直線的一第一平坦度指標F，其中S為沿著同一條第一直線所選取的第1個第一檢測點與第N個第一檢測點之間的水平距離；計算該些第一直線的該些第一平坦度指標F的一第一平均值；當該第一平均值大於一第一閥值時，判斷該基材不合格；沿著多條並列的第二直線，令該光學尺寸量測儀在該表面上直接選取多個第二檢測點，其中該些第二直線不平行於該些第一直線，沿著各條第二直線所選取的M個第二檢測點，第j個第二檢測點的座標為(Aj,Bj,Cj)，而至少一該第一檢測點與至少一該第二檢測點彼此重疊； 利用公式
    Figure 110114723-A0305-02-0022-7
    ，計算出對應於各該第二直線的一第二量測長度d；利用公式f=(d-R)/R，計算出對應於各該第二直線的一第二平坦度指標f，其中R為沿著同一條第二直線所選取的第1個第二檢測點與第M個第二檢測點之間的水平距離；計算該些第二直線的該些第二平坦度指標f的一第二平均值；當該第二平均值大於一第二閥值時，判斷該基材不合格。
  7. 如請求項6所述的基材平坦度的檢測方法， 還包括：當該第一平均值小於或等於該第一閥值，且該第二平均值小於或等於該第二閥值時，判斷該基材合格。
  8. 如請求項6所述的基材平坦度的檢測方法，其中各該第一直線的長度大於各該第二直線的長度，且N>M。
  9. 如請求項6所述的基材平坦度的檢測方法，其中該第一閥值與該第二閥值皆為2。
  10. 如請求項6所述的基材平坦度的檢測方法，其中相鄰兩該第一檢測點之間的水平距離小於或等於1公分。
TW110114723A 2021-04-23 2021-04-23 基材平坦度的檢測方法 TWI826779B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110114723A TWI826779B (zh) 2021-04-23 2021-04-23 基材平坦度的檢測方法
CN202110961573.0A CN113670235B (zh) 2021-04-23 2021-08-20 基材平坦度的检测方法
US17/689,371 US20220341731A1 (en) 2021-04-23 2022-03-08 Method of inspecting flatness of substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110114723A TWI826779B (zh) 2021-04-23 2021-04-23 基材平坦度的檢測方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202242347A TW202242347A (zh) 2022-11-01
TWI826779B true TWI826779B (zh) 2023-12-21

Family

ID=78544622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110114723A TWI826779B (zh) 2021-04-23 2021-04-23 基材平坦度的檢測方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220341731A1 (zh)
CN (1) CN113670235B (zh)
TW (1) TWI826779B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61178608A (ja) * 1985-02-05 1986-08-11 Mitsubishi Electric Corp 平坦度検出装置
JP2763459B2 (ja) * 1992-08-25 1998-06-11 三菱電機株式会社 平坦度測定装置
JP2006300676A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Nikon Corp 平坦度異常検出方法及び露光装置
JP4797887B2 (ja) * 2006-08-29 2011-10-19 住友金属工業株式会社 板材の平坦度測定方法及び板材の平坦度測定装置
EP1677157B1 (en) * 2004-12-27 2012-06-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness
US8459073B2 (en) * 2009-10-19 2013-06-11 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Method for measuring sheet material flatness and method for producing steel sheet using said measuring method
US20150066425A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Fu Tai Hua Industry (Shenzhen) Co., Ltd. Computing device and method for measuring flatness of object
CN105509661A (zh) * 2015-12-23 2016-04-20 福建工程学院 一种陶瓷砖平面度在线检测方法
JP6588869B2 (ja) * 2016-07-15 2019-10-09 株式会社横河ブリッジ コンクリート床版仕上がり高さ管理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11118466A (ja) * 1997-10-17 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 形状測定方法およびその装置
WO2005059531A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-30 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced roughness metrology
JP5078583B2 (ja) * 2007-12-10 2012-11-21 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション マクロ検査装置、マクロ検査方法
DE112013004463B4 (de) * 2012-09-13 2016-03-17 Hamamatsu Photonics K.K. Verfahren zur Unterscheidung des Differenzierungsgrades von pluripotenten Stammzellen
CN103256916B (zh) * 2013-06-10 2015-07-08 陈磊磊 一种基于最小区域的零件平面度误差评定方法
TWI467129B (zh) * 2014-01-07 2015-01-01 China Steel Corp 鑄嘴平坦度之檢測方法
FR3027391A1 (fr) * 2014-10-17 2016-04-22 Msc & Sgcc Procedes, dispositif et ligne d'inspection pour visualiser la planeite d'une surface de bague de recipient
CN107560550A (zh) * 2017-09-08 2018-01-09 广东工业大学 一种物体表面参数的获取方法及系统
CN110514152A (zh) * 2018-05-21 2019-11-29 北京博清科技有限公司 基于激光扫描的墙面平整度检测方法及系统
CN110411379A (zh) * 2019-07-31 2019-11-05 合肥微澜特网络科技有限责任公司 一种计算机主机箱平整度检测的检测方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61178608A (ja) * 1985-02-05 1986-08-11 Mitsubishi Electric Corp 平坦度検出装置
JP2763459B2 (ja) * 1992-08-25 1998-06-11 三菱電機株式会社 平坦度測定装置
EP1677157B1 (en) * 2004-12-27 2012-06-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness
JP2006300676A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Nikon Corp 平坦度異常検出方法及び露光装置
JP4797887B2 (ja) * 2006-08-29 2011-10-19 住友金属工業株式会社 板材の平坦度測定方法及び板材の平坦度測定装置
US8459073B2 (en) * 2009-10-19 2013-06-11 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Method for measuring sheet material flatness and method for producing steel sheet using said measuring method
US20150066425A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Fu Tai Hua Industry (Shenzhen) Co., Ltd. Computing device and method for measuring flatness of object
TW201514445A (zh) * 2013-08-30 2015-04-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 平面度量測系統及方法
CN105509661A (zh) * 2015-12-23 2016-04-20 福建工程学院 一种陶瓷砖平面度在线检测方法
JP6588869B2 (ja) * 2016-07-15 2019-10-09 株式会社横河ブリッジ コンクリート床版仕上がり高さ管理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113670235B (zh) 2023-06-20
US20220341731A1 (en) 2022-10-27
TW202242347A (zh) 2022-11-01
CN113670235A (zh) 2021-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102071840B1 (ko) 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크, 및 메탈 마스크의 제조 방법
JP2009531269A (ja) ガラスシートにおける歪みの最少化方法
US20200262743A1 (en) High-strength anti-fingerprint glass, preparation method thereof, exterior part of high-strength anti-fingerprint glass, and preparation method thereof
JP5970021B2 (ja) フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、フォトマスクの検査装置、及び表示装置の製造方法
CN106932944A (zh) 一种显示面板及其制作方法
TWI826779B (zh) 基材平坦度的檢測方法
KR20230038500A (ko) 회절, 눈부심 방지 표면 및 얇고, 내구성이 있는 반사 방지 코팅을 갖는 디스플레이 물품
JP2018022512A (ja) タッチセンサフィルムおよびタッチパネル
US20180307350A1 (en) Conductive film and touch panel
TWI611254B (zh) 光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法、光罩之檢查裝置、及顯示裝置之製造方法
TWI604268B (zh) 光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法、光罩之檢查裝置、及顯示裝置之製造方法
JP6613858B2 (ja) Ｅｕｖ用マスクブランク用のガラス基板、ｅｕｖ用マスクブランクの製造方法、およびｅｕｖ用フォトマスクの製造方法
JP5623001B2 (ja) ガラス基板
KR20220131070A (ko) 연성 기판 특성 측정 장치와 이를 구비하는 판별 시스템 및 방법
TWI829590B (zh) 金屬遮罩檢測方法
US20220320438A1 (en) Metal mask and inspecting method thereof
KR20190119432A (ko) 표시 장치용 윈도우 및 그 제조 방법과 표시 장치
Garner et al. Flexible glass substrates for display and lighting applications
WO2023212840A1 (en) Foldable glass element and stack assembly comprising the same
Scarr Use of the least squares line and plane in the measurement of straightness and flatness
CN116259570A (zh) 金属屏蔽补正方法
KR0122331B1 (ko) 최소영역(Minimum Zone)법에 의한 편평도 및 진직도 측정방법
JP2009186934A (ja) マスク測定方法およびマスク製造方法
JP2018146990A (ja) 表示装置製造用フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、及びフォトマスクの検査装置
CN104345510A (zh) 液晶面板以及液晶面板的制造方法