TWI826742B - 濺射裝置 - Google Patents
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Abstract
一種濺射裝置，包括：一腔室；一基座，設置於該腔室內，用於承載一待加工工件；一濺射機構，設置於該腔室上，該濺射機構用於該待加工工件的一濺射製程；一頂針機構，設置於該腔室內，該頂針機構用於在該待加工工件進行一回流製程時，將該待加工工件從該基座上頂起並承載該待加工工件；以及一微波加熱機構，設置於該腔室內，該微波加熱機構包括一移動單元和一微波發射器，該微波發射器與該移動單元連接，該移動單元用於在該待加工工件完成該濺射製程且由該頂針機構承載時，將該微波發射器移動至該待加工工件的下方，而加熱該待加工工件。
Description
本發明屬於濺射技術領域，特別是涉及一種濺射裝置。
銅互聯製程是現有技術的晶片後端製造不可或缺的製程，銅互聯製程的方法為，在蝕刻出的孔和通道中先沉積擴散阻擋層，然後再沉積銅籽晶層，最後通過電鍍填充孔道，形成銅互聯線路。然而隨著晶片特徵尺寸的縮小至20nm以下，通孔與溝槽開口與深寬比都將減小到3.8：1，部分層間的通孔（via）甚至能達到7：1或更高，而物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)法沉積銅籽晶層時，在溝槽開口處銅生長較快造成頂部懸凸，隨著深寬比的增加，在後續電鍍過程中，頂部懸凸將提前封口導致無法將溝槽完全填滿，形成空洞，從而影響互聯銅線的電阻，將嚴重的影響晶片的電學性能，甚至造成失效。
作為解決晶片特徵尺寸20nm以下製程的銅回流技術獲得人們的關注，在高溫（通常在300攝氏度以上）的作用下，低溫下PVD沉積的銅的表面移動性和晶粒團聚力都得到增強，在擴散作用和蝕刻出的孔道的毛細作用下，沉積銅薄膜的表面銅原子發生遷移，流入蝕刻出的深孔底部，可以避免溝道中的空洞的產生，且整個回流製程可以由多個循環組合而成，視填充結構而定直至將深孔填充完整。
而現有技術的銅回流技術所採用的的PVD設備通常包括圓環型反應腔體、設置於腔體內用於承載晶片的支撐基座及設置於支撐基座上方的靶材，靶材被密封在真空腔體上，磁控管束縛靶材下方等離子體。濺射時，直流（direct current，DC）電源會施加偏壓至靶材，使其相對於接地的腔體成為負壓，以致氬氣放電而產生等離子體，將帶正電的氬離子吸引至負偏壓的靶材。當氬離子的能量足夠高時，會使金屬原子逸出靶材表面並沉積在晶片上。
為了實現銅回流，通常是在腔室中加入加熱燈管，當沉積薄膜製程後，將基座降至低位，然後頂針將基片抬高到燈管上方，使用燈管對基片進行加熱。
在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：採用上述方案，其所使用的熱輻射方式加熱晶圓升溫速率較慢，加熱效率較低，從而一個回流週期耗時較多（通常在30分鐘以上），如果需要多個銅回流循環，則耗時更長，嚴重影響產率。
因此，急需一種原位銅回流濺射裝置，加快加熱晶圓升溫速率，提高加熱效率，從而降低回流週期的耗時，增加產率。
為解決現有技術中所使用的熱輻射方式加熱晶圓升溫速率都較慢，加熱效率較低的問題，本發明實施例提供了一種濺射裝置。具體的技術方案如下：
第一方面，提供一種濺射裝置，用於對待加工工件進行濺射製程,其中該濺射裝置包括：一腔室；一基座，設置於該腔室內，用於承載一待加工工件；一濺射機構，設置於該腔室上，該濺射機構用於該待加工工件的一濺射製程；一頂針機構，設置於該腔室內，該頂針機構用於在該待加工工件進行一回流製程時，將該待加工工件從該基座上頂起並承載該待加工工件；以及一微波加熱機構，設置於該腔室內，該微波加熱機構包括一移動單元和一微波發射器，該微波發射器與該移動單元連接，該移動單元用於在該待加工工件完成該濺射製程且由該頂針機構承載時，將該微波發射器移動至該待加工工件的下方，而加熱待該加工工件。
在第一方面的第一種可能實現方式中，腔室包括：一濺射腔，用於對該待加工工件進行濺射製程；以及一收納腔，位於該濺射腔的下方且與該濺射腔同軸設置，該微波加熱機構設置於該收納腔內，用於對該待加工工件進行該回流製程，該收納腔與該濺射腔之間具有連通的一通孔，該基座與該通孔對應設置於該收納腔內，且在對該待加工工件進行該濺射製程時，該基座通過該通孔上升至該濺射腔內，在該待加工工件完成該濺射製程後，該基座通過該通孔下降至該收納腔內，對該待加工工件進行該回流製程。
在第一方面的第二種可能實現方式中，該濺射機構包括：一靶材，設置於該腔室頂部;一磁控管，設置於該靶材背面；以及一直流電源，與該靶材連接，用於施加偏壓至該靶材。
在第一方面的第三種可能實現方式中，該頂針機構包括多個頂針，該多個頂針收納於該基座內，且在該待加工工件進行該回流製程時，伸出該基座，將該待加工工件從該基座上頂起並承載該待加工工件。
結合第一方面的第三種可能實現方式，在第一方面的第四種可能實現方式中，該多個頂針由可吸收微波的材質製成。
結合第一方面的第四種可能實現方式，在第一方面的第五種可能實現方式中，該多個頂針均由陶瓷材料製成。
在第一方面的第六種可能實現方式中，該移動單元包括：一旋轉臂，垂直設置於該腔室內，並位於該基座的側邊；以及一傳輸手臂，一端與該旋轉臂連接，該傳輸手臂可通過該旋轉臂帶動而轉動，該微波發射器嵌裝於該傳輸手臂的另一端。
結合第一方面的第六種可能實現方式，在第一方面的第七種可能實現方式中，該微波發射器的電性連接線通過該旋轉臂引出該腔室。
結合第一方面的第六種可能實現方式，在第一方面的第八種可能實現方式中，該傳輸手臂為金屬材質，且該傳輸手臂內還排布有一冷卻水道，用於對該微波發射器進行冷卻。
結合第一方面的第八種可能實現方式，在第一方面的第九種可能實現方式中，該冷卻水道包括一進水管路、一冷卻管路及一出水管路，該進水管路及該出水管路設置於該傳輸手臂內，該冷卻管路的兩端分別與該進水管路及該出水管路連通，該冷卻管路螺旋纏繞於該微波發射器上。
本發明與現有技術相比具有的優點有：本發明的濺射裝置通過微波發射器產生微波，直接作用於待加工件（晶圓）內極性分子而加熱待加工件，待加工件升溫速率快。同時，由於金屬對微波的反射作用，待加工件表面濺射沉積的金屬薄膜可以有效反射從下方發射過來的微波到待加工件中，進一步提高微波利用效率，從而提高加熱效率高，使整個待加工件能夠快速升溫，實現回流製程，從而有效縮短回流製程週期時間，提升生產效率。
以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。
此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。
儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。
本發明的一實施例中，請參考圖1，其示出了本發明一實施例的濺射裝置1的結構示意圖。濺射裝置1用於對待加工工件12進行濺射製程，以一定能量的粒子(離子或中性原子、分子)轟擊靶材11表面，使靶材11近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出靶材11表面，沉積在待加工工件12上。濺射裝置1包括腔室2、基座3、濺射機構4、頂針機構5和微波加熱機構6。
腔室2主要是用於為待加工工件12的濺射製程及回流製程提供容置空間。請再次參考圖1，本實施例公開的腔室2包括濺射腔21和收納腔22，濺射腔21用於對待加工工件12進行濺射製程，濺射腔21內的頂部設置有靶材11，靶材11可以是銅（Cu）、鉭（Ta）、鈦（Ti）或鋁（Al）等濺射材料，但並不以此為限。在進行濺射製程時，將靶材11表面的金屬原子或分子沉積在待加工工件11上，形成覆蓋於待加工件12上的金屬薄膜。
收納腔22位於濺射腔21的下方且與濺射腔21同軸設置，收納腔22用於對待加工工件12進行回流製程。收納腔22與濺射腔21之間具有一連通的通孔23。收納腔22用於待加工件12的回流製程。然腔室2的結構並不局限於此，本技術領域具有通常知識者也可以根據本實施例的教導選擇其他合適的結構的腔室2。本實施例進一步公開的濺射腔21與收納腔22設置於同一腔體24內，該腔體24通常為圓環型反應腔體，但並不以此為限。
基座3設置於腔室2內，用於承載待加工工件12。待加工工件12優選為晶圓，但並不以此為限。請再次參考圖1，本實施例公開的基座3是與通孔23對應設置於收納腔22內的，且基座3優選為陶瓷材質。在對待加工工件12進行濺射製程時，基座3通過通孔23上升至濺射腔21內，從而帶動待加工工件12上升至濺射腔21內，此時的待加工工件12位於靶材11的正下方，對待加工工件12進行濺射製程。在待加工工件12完成濺射製程後，基座3通過通孔23下降至收納腔22內，並帶動待加工工件12下降至收納腔22內，在收納腔22內對加工工件12進行回流製程，但並不以此為限。
濺射機構4設置於腔室2上，並用於待加工工件12的濺射製程。本實施例公開的濺射機構4包括靶材11、磁控管41和直流電源（圖中未示出）。靶材11設置於腔室2頂部，磁控管41設置於靶材11的背面。通常的，磁控管41是設置於腔體24的頂端，但並不以此為限。在本實施例中對於磁控管41的選擇可以沒有特殊要求，參照本技術領域具有通常知識者的常規選擇即可。請再次參考圖1，腔室2呈接地設置，直流電源與腔室2（濺射腔21）內的靶材11連接，直流電源用於施加偏壓至靶材11。
在濺射機構4濺射時，直流電源施加偏壓至靶材11，使其相對於接地的腔室2成為負壓，以致氬氣放電而產生等離子體，將帶正電的氬離子吸引至負偏壓的靶材11，當氬離子的能量足夠高時，會使金屬原子逸出靶材表面，向下運動，沉積於待加工件12的上表面，形成覆蓋於待加工件12上的金屬薄膜，完成磁控濺射製程。然濺射機構4的結構並不局限於此，本技術領域具有通常知識者也可以根據實際濺射需求選擇其他合適的類型的濺射製程。
請再次參考圖1，頂針機構5設置於腔室2內，頂針機構5用於在待加工工件12進行回流製程時，將待加工工件12從基座3上頂起並承載待加工工件12，以方便對待加工件12的背面進行加熱。本實施例公開的頂針機構5包括多個頂針51，多個頂針51收納於基座3內。多個頂針51用於在待加工工件12進行回流製程時，伸出基座3，將待加工工件12從基座3上頂起並承載待加工工件12。然多個頂針51的設置方式並不局限於此，本技術領域具有通常知識者也可以根據本實施例的教導選擇其他合適的設置方式，例如還可以將多個頂針51設置於基座3下方，在待加工工件12進行回流製程時，多個頂針51穿過基座3，將待加工工件12從基座3上頂起並承載待加工工件12。多個頂針51穿過基座3的方式可以是通過多個頂針51上升而穿過基座3，還可以是通過基座3下降而使其穿過基座3，但並不以此為限。
同時，由於金屬材質能夠反射微波，若多個頂針51使用金屬材質製成，其在與待加工件12接觸時，多個頂針51的接觸位置會吸收微波量少，造成待加工件12升溫不均勻，因此本實施例公開的多個頂針51由可吸收微波的材質製成，優選為陶瓷，以避免多個頂針51與待加工件12的接觸位置升溫不均勻的問題。但並不以此為限，本技術領域具有通常知識者也可以根據實際需求選擇其他合適的可吸收微波的材質製成多個頂針51。
在一優選實施例中，請參考圖3，其示出了本發明一實施例的微波發射器62嵌裝於傳輸手臂611及多個頂針51的俯視示意圖。多個頂針51的數量為三個，三個頂針51在頂起待加工件12時，三個頂針51分別頂至靠近待加工件12的側邊的位置，並且三個頂針51分別靠近不同的側邊，以增加其頂起時的穩定性。但並不以此為限，本技術領域具有通常知識者也可以根據實際需求選擇設置對應數量的多個頂針51，例如還可以選擇設置四個、五個及五個以上。
微波加熱機構6設置於腔室2內。請再次參考圖1，本實施例公開的微波加熱機構6是設置於收納腔22內的，但並不以此為限。請參考圖2，其示出了本發明一實施例的濺射裝置1加熱待加工件12時的結構示意圖。微波加熱機構6包括移動單元61及微波發射器62，微波發射器62與移動單元61連接，移動單元61用於在待加工工件12完成濺射製程且由頂針機構5承載時，將微波發射器62移動至待加工工件12的下方，通過微波發射器62向待加工件12發射微波，而加熱待加工工件12，將其加熱至回流溫度，以實現回流製程，該微波通常是指頻率在300-300,000MHz波長在1m以下的電磁波。
本實施例所示的微波發射器62不限於應用於上述實施例所示的磁控濺射後的回流製程制程，也可以應用於其他的濺射製程後的回流製程制程。在本實施例中對於微波發射器62的選擇可以沒有特殊要求，參照本技術領域具有通常知識者的常規選擇即可。
在一優選實施例中，請同時參考圖1、2，移動單元61包括傳輸手臂611和旋轉臂612，旋轉臂612豎直設置於腔室2（收納腔22）內，並位於基座3的側邊，旋轉臂612的旋轉角度優選為90度，但並不以此為限，本技術領域具有通常知識者也可以根據實際情況選擇設置對應的旋轉角度。另外，旋轉臂612的旋轉通常是通過步進馬達（圖中未示出）及對應的驅動結構（例如變速齒輪箱等）驅動其轉動。但並不以此為限，本技術領域具有通常知識者也可以根據現有技術人員的常識選擇其他合適的驅動手段。
傳輸手臂611的一端與旋轉臂612連接。優選的，傳輸手臂611與旋轉臂612垂直連接，其連接方式可以是通過螺栓連接，也可以是通過焊接連接。但並不以此為限。當旋轉臂612轉動時，其可帶動傳輸手臂611以旋轉臂612為旋轉軸心轉動，且傳輸手臂611在轉動時，需要確保其旋轉路徑中不會碰撞到頂針機構5。
請再次參考圖3，微波發射器62嵌裝於傳輸手臂611的另一端，其嵌裝方式可以是，於傳輸手臂611的另一端設置一與微波發射器62對應的嵌入槽，將微波發射器62嵌入該嵌入槽內，以將微波發射器62安裝固定於傳輸手臂611上。但並不以此為限。本實施例進一步公開的微波發射器62的電性連接線通過旋轉臂612引出腔室2，以實現與外部的控制器連接，但並不以此為限。
請參考圖4，其示出了本發明一實施例的微波發射器62移動至待加工件12下方的俯視示意圖。傳輸手臂611轉動帶動微波發射器62轉動，而移動至待加工件12的下方，通過微波發射器62向待加工件12發射微波，而加熱待加工工件12。然移動單元61的結構並不局限於此，本技術領域具有通常知識者也可以根據本實施例的教導選擇其他合適的結構的移動單元61。
由於微波發射器62發射的微波會對陶瓷材質的基座3造成損傷，因此本實施例的傳輸手臂611為金屬材質，以反射微波，保護基座3。同時，由於金屬材質的傳輸手臂611溫升較快、較高，而微波發射器62設置於傳輸手臂611上，在長時間工作下會導致微波發射器62溫度過高，從而導致其失效。因此，請再次參考圖3、4，本實施例在傳輸手臂611內還排布有冷卻水道613，通過水冷對微波發射器62進行冷卻，但並不以此為限。
在一優選實施例中，請參考圖5，其示出了本發明一實施例的傳輸手臂611內冷卻水道613的排布示意圖。冷卻水道613包括進水管路6131、冷卻管路6132及出水管路6133，進水管路6131及出水管路6133設置於傳輸手臂611內，冷卻管路6132的兩端分別與進水管路6131及出水管路6133連通，以通過進水管路6131及出水管路6133對冷卻管路6132進行實時換水，冷卻管路6132螺旋纏繞於微波發射器62上，該纏繞方式可以增大與微波發射器62接觸面積，以增加水冷效率，但並不以此為限。
本實施例的濺射裝置1主要是應用於PVD設備中，用於PVD制程中濺射製程及回流製程。請再次參考圖1，在濺射製程時，將靶材11安裝固定於腔室2（濺射腔21）的頂端，將待加工件12放置於基座3上，基座3上升至濺射腔21，並帶動待加工件12上升至濺射腔21，濺射機構4作用於靶材11，使靶材11表面的使金屬原子或分子逸出，並向下運動，沉積於待加工件12，形成覆蓋於待加工件12上的金屬薄膜。
在回流製程時，基座3下降至收納腔22內，並帶動待加工件12下降至收納腔22內，頂針機構5將待加工工件12從基座3上頂起並承載待加工工件12。請再次參考圖2，旋轉臂612轉動，帶動傳輸手臂611以旋轉臂612為旋轉軸心轉動，帶動微波發射器62轉動，移動至待加工件12的下方，控制微波發射器62產生微波，直接作用於待加工件12內極性分子，而加熱待加工件12，同時，待加工件12的上表面濺射沉積的金屬薄膜可以有效反射從下方發射過來的微波到待加工件12中，進一步提高微波利用效率，從而提高加熱效率高，使整個待加工件12能夠快速升溫，實現回流製程，從而有效縮短回流製程週期時間，提升生產效率。
前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。
1:濺射裝置
2:腔室
3:基座
4:濺射機構
5:頂針機構
6:微波加熱機構
11:靶材
12:待加工件
21:濺射腔
22:收納腔
23:通孔
24:腔體
41:磁控管
51:頂針
611:傳輸手臂
612:旋轉臂
62:微波發射器6
613:冷卻水道
6131:進水管路
6132:冷卻管路
6133:出水管路
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。
圖1是本發明一實施例的濺射裝置的結構示意圖。
圖2是本發明一實施例的濺射裝置加熱待加工件時的結構示意圖。
圖3是本發明一實施例的微波發射器嵌裝於傳輸手臂及多個頂針的俯視示意圖。
圖4是本發明一實施例的微波發射器移動至待加工件下方的俯視示意圖。
圖5是本發明一實施例的傳輸手臂內冷卻水道的排布示意圖。
1:濺射裝置
2:腔室
3:基座
4:濺射機構
5:頂針機構
6:微波加熱機構
11:靶材
12:待加工件
21:濺射腔
22:收納腔
23:通孔
24:腔體
41:磁控管
51:頂針
611:傳輸手臂
612:旋轉臂
62:微波發射器
Claims (8)
- 一種濺射裝置，用於對一待加工工件進行一濺射製程，將一靶材表面的金屬原子或分子沉積在該待加工工件上，其中該濺射裝置包括：一腔室，用於設置該靶材；一基座，設置於該腔室內，用於承載該待加工工件；一濺射機構，設置於該腔室上，該濺射機構用於該待加工工件的該濺射製程；一頂針機構，設置於該腔室內，該頂針機構用於在該待加工工件進行一回流製程時，將該待加工工件從該基座上頂起並承載該待加工工件；以及一微波加熱機構，設置於該腔室內並設置於該基座的側邊，該微波加熱機構包括一移動單元和一微波發射器，該微波發射器與該移動單元連接，該移動單元用於在該待加工工件完成該濺射製程且由該頂針機構承載時，將該微波發射器由沿垂直方向與該基座不重合的區域移至與該基座重合的區域且位於該待加工工件的下方，以使該微波發射器自該待加工工件的下方加熱該待加工工件，該頂針機構包括多個頂針，該多個頂針收納於該基座內，且在該待加工工件進行該回流製程時，伸出該基座，將該待加工工件從該基座上頂起並承載該待加工工件，其中該多個頂針由可吸收微波的材質製成。
- 如請求項1所述的濺射裝置，其中該腔室包括：一濺射腔，用於對該待加工工件進行該濺射製程；以及一收納腔，位於該濺射腔的下方且與該濺射腔同軸設置，該微波加熱機構設置於該收納腔內，用於對該待加工工件進行該回流製程， 該收納腔與該濺射腔之間具有連通的一通孔，該基座與該通孔對應設置於該收納腔內，且在對該待加工工件進行該濺射製程時，該基座通過該通孔上升至該濺射腔內，在該待加工工件完成該濺射製程後，該基座通過該通孔下降至該收納腔內，對該待加工工件進行該回流製程。
- 如請求項1所述的濺射裝置，其中該濺射機構包括：一靶材，設置於該腔室頂部；一磁控管，設置於該靶材背面；以及一直流電源，與該靶材連接，用於施加偏壓至該靶材。
- 如請求項1所述的濺射裝置，其中該多個頂針均由陶瓷材料製成。
- 如請求項1所述的濺射裝置，其中該移動單元包括：一旋轉臂，垂直設置於該腔室內，並位於該基座的側邊；以及一傳輸手臂，一端與該旋轉臂連接，該傳輸手臂可通過該旋轉臂帶動而轉動，該微波發射器嵌裝於該傳輸手臂的另一端。
- 如請求項5所述的濺射裝置，其中該微波發射器的電性連接線通過該旋轉臂引出該腔室。
- 一種濺射裝置，用於對一待加工工件進行一濺射製程，將一靶材表面的金屬原子或分子沉積在該待加工工件上，其中該濺射裝置包括：一腔室，用於設置該靶材；一基座，設置於該腔室內，用於承載該待加工工件；一濺射機構，設置於該腔室上，該濺射機構用於該待加工工件的該濺 射製程；一頂針機構，設置於該腔室內，該頂針機構用於在該待加工工件進行一回流製程時，將該待加工工件從該基座上頂起並承載該待加工工件；以及一微波加熱機構，設置於該腔室內並設置於該基座的側邊，該微波加熱機構包括一移動單元和一微波發射器，該微波發射器與該移動單元連接，該移動單元用於在該待加工工件完成該濺射製程且由該頂針機構承載時，將該微波發射器由沿垂直方向與該基座不重合的區域移至與該基座重合的區域且位於該待加工工件的下方，以使該微波發射器自該待加工工件的下方加熱該待加工工件；其中該移動單元包括：一旋轉臂，垂直設置於該腔室內，並位於該基座的側邊；以及一傳輸手臂，一端與該旋轉臂連接，該傳輸手臂可通過該旋轉臂帶動而轉動，該微波發射器嵌裝於該傳輸手臂的另一端；其中該微波發射器的電性連接線通過該旋轉臂引出該腔室，其中該傳輸手臂為金屬材質，且該傳輸手臂內還排布有一冷卻水道，用於對該微波發射器進行冷卻。
- 如請求項7所述的濺射裝置，其中該冷卻水道包括一進水管路、一冷卻管路及一出水管路，該進水管路及該出水管路設置於該傳輸手臂內，該冷卻管路的兩端分別與該進水管路及該出水管路連通，該冷卻管路螺旋纏繞於該微波發射器上。
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