TWI826003B - 感測電子裝置 - Google Patents
感測電子裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI826003B TWI826003B TW111135325A TW111135325A TWI826003B TW I826003 B TWI826003 B TW I826003B TW 111135325 A TW111135325 A TW 111135325A TW 111135325 A TW111135325 A TW 111135325A TW I826003 B TWI826003 B TW I826003B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sensing
- electrode
- voltage
- electronic device
- sensing electrode
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100214491 Solanum lycopersicum TFT3 gene Proteins 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 101100214494 Solanum lycopersicum TFT4 gene Proteins 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 1
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 1
- 101000840540 Homo sapiens Iduronate 2-sulfatase Proteins 0.000 description 1
- 101100018419 Hordeum vulgare IDS3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100121695 Leucosceptrum canum GFDPS gene Proteins 0.000 description 1
- 101100491259 Oryza sativa subsp. japonica AP2-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti].[Ti] HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 239000002977 biomimetic material Substances 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 1
- 150000007523 nucleic acids Chemical class 0.000 description 1
- 102000039446 nucleic acids Human genes 0.000 description 1
- 108020004707 nucleic acids Proteins 0.000 description 1
- 210000003463 organelle Anatomy 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000013643 reference control Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YSRUGFMGLKANGO-UHFFFAOYSA-N zinc hafnium(4+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[In+3].[Hf+4] YSRUGFMGLKANGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/28—Provision in measuring instruments for reference values, e.g. standard voltage, standard waveform
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06766—Input circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/30—Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
- G01R31/3004—Current or voltage test
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本公開提供一種感測電子裝置，包含：一基板；一感測陣列，設置於
該基板上，其中，該感測陣列包含一第一感測電極和一第二感測電極；以及一參考電壓控制單元，與該感測陣列電性連接，其中，於一操作區間，該參考電壓控制單元具有一第一電壓，該第一感測電極具有一第二電壓，該第二感測電極具有一第三電壓，其中，該第一電壓與該第二電壓的差值不同於該第一電壓與該第三電壓的差值。
Description
本公開提供一種感測電子裝置，尤指一種可同時感測不同待測物之感測電子裝置。
傳統的感測電子裝置多為單一感測，一次僅能檢測一種待測物。若要檢測多種待測物時，則必須更換感測電子裝置並反覆操作，在操作上較為不便外，也增加了操作時間。此外，待測物檢測後容易吸附於感測電子裝置的感測電極表面難以脫附，導致感測電極壽命縮短。
因此，目前亟需提供一種感測電子裝置，以期望改善傳統感測電子裝置的缺陷。
本公開提供一種感測電子裝置，包含：一基板；一感測陣列，設置於該基板上，其中，該感測陣列包含一第一感測電極和一第二感測電極；以及一參考電壓控制單元，與該感測陣列電性連接，其中，於一操作區間，該參考電壓控制單元具有一第一電壓，該第一感測電極具有一第二電壓，該第二感
測電極具有一第三電壓，其中，該第一電壓與該第二電壓的差值不同於該第一電壓與該第三電壓的差值。
本公開還提供一種感測電子裝置，包含：一基板；以及一感測陣列，設置於該基板上，其中，該感測陣列包含一第一感測電極、一第二感測電極、一第一參考電極和一第二參考電極，該第一感測電極對應該第一參考電極，且該第二感測電極對應該第二參考電極，其中，於一操作區間，該第一參考電極具有一第一電壓，該第二參考電極具有一第二電壓，其中，該第一電壓與該第二電壓相同。
100:基板
11:閘極絕緣層
12:主動層
121:多晶矽層
122:摻雜層
13、14:絕緣層
200:參考電壓控制單元
201:第一參考電壓控制單元
202:第二參考電壓控制單元
301:第一導線
302:第二導線
401、402:驅動單元
500:控制器
Ar:感測陣列
P:感測區域
P1:第一感測區域
P2:第二感測區域
P3:第三感測區域
P4:第四感測區域
TFT:電晶體
TFT1:第一電晶體
TFT2:第二電晶體
TFT3:第三電晶體
TFT4:第四電晶體
SE:感測電極
SE’:感測單元
SE1:第一感測電極
SE2:第二感測電極
SE3:第三感測電極
SE4:第四感測電極
RE:參考電極
RE1:第一參考電極
RE2:第二參考電極
RE3:第三參考電極
RE4:第四參考電極
G:閘極
S:源極
D:汲極
SL:待測溶液
VRE:參考電壓
VSE:電壓
IDS、IDS1、IDS3:電流
V1:第一電壓
V2:第二電壓
V3:第三電壓
Z:法線方向
圖1為本公開之一實施例之感測電子裝置之感測陣列示意圖。
圖2A為本公開之一實施例之感測畫素單元之示意圖。
圖2B為圖2A之線段A-A’之剖面圖。
圖2C為圖2A之線段B-B’之剖面圖。
圖3為本公開之一實施例之感測畫素單元之示意圖。
圖4為本公開之一實施例之感測電子裝置之感測陣列示意圖。
圖5為本公開之一實施例之部分感測電子裝置之電壓對時間之關係圖。
圖6為本公開之一實施例之部分感測電子裝置之電壓對電流之關係圖。
圖7為本公開之一實施例之感測電子裝置之感測陣列示意圖。
圖8為本公開之一實施例之部分感測電子裝置之電流對時間之關係圖。
以下係藉由特定的具體實施例說明本公開之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本公開之其他優點與功效。本公開亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可針對不同觀點與應用，在不悖離本公開之精神下進行各種修飾與變更。
應注意的是，在本文中，除了特別指明者之外，具備「一」元件不限於具備單一的該元件，而可具備一或更多的該元件。再者，說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」及「第二」等之用詞，以修飾申請專利範圍之元件，其本身並不意含或代表該請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。
本公開通篇說明書與後附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「包含」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為...」之意。因此，當本公開的描述中使用術語「包含」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。
於文中，“約”、“大約”、“實質上”、“大致上”的用語通常表示在一給定值或範圍的10%內、5%內、3%之內、2%之內、1%之內或0.5%之內。
在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明“約”、“大約”、“實質上”、“大致上”的情況下，仍可隱含“約”、“大約”、“實質上”、“大致上”的含義。此外，用語“範圍為第一數值至第二數值”、“範圍介於第一數值至第二數值之間”表示所述範圍包含第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與此篇公開所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有一與相關技術及本公開的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在此特別定義。
此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「下方」或「底部」及「上方」或「頂部」，以描述圖式的一個元件對於另一元件的相對關係。能理解的是，如果將圖式的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「下方」側的元件將會成為在「上方」側的元件。當相應的構件(例如膜層或區域)被稱為「設置在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向(orientation)。
須說明的是，下文中不同實施例所提供的技術方案可相互替換、組合或混合使用，以在未違反本公開精神的情況下構成另一實施例。
圖1為本公開之一實施例之感測電子裝置之感測陣列示意圖。本公開之感測電子裝置可應用於自發光裝置、非自發光裝置、天線裝置，但本公開並不限於此。
如圖1所示，本公開之感測電子裝置，包含：一基板100；一感測陣列Ar，設置於基板100上；以及一參考電壓控制單元200，與感測陣列Ar電性連接。其中，感測陣列Ar包含複數個感測區域P，每一感測區域P中可具有一電晶體TFT；一感測電極SE，與電晶體TFT電性連接；以及一參考電極RE，對應於感測電極SE設置，且與一參考電壓控制單元200電性連接。在此，所述「對應」是指當對參考電極RE施加電壓後，可使對應的感測電極SE具有一電壓。在此，所述「電性連接」例如可透過直接接觸或透過導電介質層等導電材料間接接觸，以使彼此電性連接。於本公開中，感測區域P的數量並無特別限制，例如圖1所示之感測陣列Ar包含16個感測區域P，且以4x4的矩陣形式排列，但本公開並不限於此。
再者，如圖1所示，每一電晶體TFT可包含一閘極G，與感測電極SE電性連接；以及一源極S和一汲極D，分別藉由一第一導線301和一第二導線302與驅動單元401、402電性連接，以傳遞或接收信號。舉例而言，驅動單元401可例如為掃描驅動單元(scan driver)，驅動單元402可例如為資料驅動單元(data driver)，但本公開並不限於此。此外，每一感測區域P中的感測電極SE可為相同或不相同，當感測電極SE為不相同時，可同時檢測不同的待測物。於本實施例中，如圖1所示，參考電極RE可鄰近於對應的感測電極SE設置，但本公開並不限於此。
圖2A為本公開之一實施例之感測區域之示意圖。圖2B為圖2A之線段A-A’之剖面圖。圖2C為圖2A之線段B-B’之剖面圖。為了方便說明，圖2A中省略了部分元件，例如閘極G、絕緣層13等。
本公開之感測陣列Ar(如圖1所示)主要是透過電晶體製程技術製備而得，例如薄膜電晶體製程(thin film transistor process，TFT process)，感測陣列Ar設置於一基板100上。如圖2A和圖2B所示，首先，提供基板100，基板100的材料可為一不可撓基板、一可撓性基板、一薄膜或其組合。基板100的材料可包括一石英、一玻璃、一矽晶圓、一藍寶石、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚丙烯(polypropylene,PP)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、或其他塑膠或高分子材料，或前述之組合，但本揭露並不僅限於此。
於基板100上形成一第一導體層，包含一閘極G和一感測電極SE，其中第一導體層可包含單層堆疊或多層堆疊。在此，閘極G和感測電極SE的材料可包含各自獨立為金屬、導電金屬氧化物或其組合，但本公開並不限於此。其中，金屬的例子包含銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、金屬合金、或其組合，但本公開並不限於此。導電金屬氧化物的例子包含氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)或氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)，但本公開並不限於此。此外，可使用相同或不相同的材料/製程來製備閘極G和感測電極SE。於本公開之一實施例中，閘極G和感測電極SE的材料可為氧化銦錫。於本公開之一實施例中，閘極G和感測電極SE的材料可為鈦-鋁-鈦(Ti-Al-Ti)。於本實施例中，雖然圖未示，但在其
他剖面中，感測電極SE可與閘極G電性連接，以將感測電極SE的信號傳送至閘極G。
接著，形成一閘極絕緣層11於導體層上，且閘極絕緣層11設置於閘極G上。在此，閘極絕緣層11的材料可包含氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧化鋁(aluminum oxide)、樹脂(resin)、聚合物(polymer)、光阻(photoresist)或其組合，但本公開並不限於此。
而後，形成一主動層12於閘極絕緣層11上，且主動層12設置於閘極G上，在一基板100的法線方向Z上，主動層12與閘極G至少部分重疊，例如，部分的主動層12與閘極G重疊、主動層12與部分的閘極G重疊、或是主動層12與閘極G彼此重疊。在此，主動層12的材料可包含非晶矽(amorphous silicon，a-Si)、低溫多晶矽(LTPS)、或金屬氧化物。其中，金屬氧化物的例子包含氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)、氧化鋁銦鋅(aluminum indium zinc oxide,AIZO)、氧化鉿銦鋅(hafnium indium zinc oxide,HIZO)、氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化銦鎵鋅錫(indium gallium zinc tin oxide,IGZTO)或氧化銦鎵錫(indium gallium tin oxide,IGTO)，但本公開並不限於此。於本公開之一實施例中，主動層12的材料可為低溫多晶矽。
於本公開中，如圖2B所示，主動層12可包含一多晶矽層121以及一摻雜層122，其中，摻雜層122設置於多晶矽層121上。在此，摻雜層122可為n型非晶矽層，但本公開並不限於此。
接著，於主動層12上形成一第二導體層，第二導體層可包含單層堆疊或多層堆疊，且第二導體層包含一源極S和一汲極D，其中，源極S和汲極D
與主動層12電性連接。在此，第二導體層的材料可包含銅、鎳、金、鋁、鈦、鉻、鉬、鎢、鉑、其合金、或其組合，但本公開並不限於此。
如此形成之電晶體TFT包含：一閘極G；部分閘極絕緣層11，設置於閘極G上；一主動層12，設置於閘極絕緣層11上，且設置於閘極G上；以及一源極S和一汲極D，設置於主動層12上，且分別與主動層12電性連接。此外，如圖2B所示，主動層12更包含一多晶矽層121及一摻雜層122，其中，摻雜層122設置於多晶矽層121上，源極S和汲極D分別對應於摻雜層122設置。
而後，於電晶體TFT上形成一絕緣層13。在此，絕緣層13的材料可包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、樹脂、聚合物、光阻或其組合，但本公開並不限於此。因此，本公開之感測陣列Ar可更包含一絕緣層13，設置於電晶體TFT上。
此外，如圖2B和圖2C所示，感測電極SE上可更設置有一感測單元SE’，用於檢測待測物。在此，感測單元SE’可為生物材料，例如生物組織、微生物、細胞器、細胞感受器、酶、抗體、核酸等、生物衍生材料或仿生材料，但本公開並不限於此。
於本公開中，於基板100上可形成一參考電極RE。更具體地，於本實施例中，如圖2B和圖2C所示，參考電極RE可設置於感測電極SE上，換句話說，於基板100的法線方向Z上，參考電極RE可與感測電極SE重疊。於本公開之其他實施態樣中，一絕緣層14設置在參考電極RE與感測電極SE之間。於本公開之其他實施態樣中，參考電極RE與感測電極SE彼此分離，但本公開並不限於此。然而，於本公開之其他實施態樣中，如圖1所示，參考電極RE可鄰近於感測電極SE設置，換句話說，於基板100的法線方向Z上，參考電極RE不與感測電極
SE重疊。在此，參考電極RE的材料包含銀/氯化銀，但本公開並不限於此。絕緣層14的材料與絕緣層13的材料相似，在此不再贅述。
於本公開中，圖1所示之每個感測區域P可以如圖2A至圖2C所示的感測區域P取代，在此不再贅述。
圖3為本公開之一實施例之感測區域之示意圖。
如圖3所示，於一操作區間，將感測電極SE和參考電極RE與待測溶液SL接觸，由控制器500提供一參考電壓VRE給參考電極RE，此時會使待測溶液SL中的待測物靠近感測電極SE，使感測電極SE連接的閘極G具有一電壓VSE，電壓VSE受到待測溶液SL中不同濃度待測物的影響而變化，電晶體TFT根據電壓VSE的變化產生不同大小的電流IDS，藉由將電流IDS與已知的資料庫比較，來檢測待測物的濃度。此外，藉由將參考電壓VRE與電壓VSE的差值與已知的資料庫比較，例如可檢測不同待測溶液的pH值，但本公開並不限於此。
於本公開之一實施例中，控制器500可提供一負相參考電壓給參考電極RE，此時會強迫感測電極SE上的待測物從感測電極SE上脫附，可用來延長感測電極SE的使用壽命。於本實施例中，雖然圖未示，控制器500可包含圖1所示的參考電壓控制單元200和驅動單元401、402，在此不再贅述。
圖4為本公開之一實施例之感測電子裝置之感測陣列示意圖。其中圖4之感測陣列與圖1相似，除了以下差異。
如圖4所示，本實施之感測陣列Ar包含4個感測區域P1至P4，4個感測區域彼此相鄰，且以2x2的矩陣形式排列，但本公開並不限於此。如圖4所示，感測陣列Ar可包含一第一感測區域P1、一第二感測區域P2、一第三感測區域P3和一第四感測區域P4。第一感測區域P1包含一第一電晶體TFT1；一第一感
測電極SE1，與第一電晶體TFT1電性連接；以及一第一參考電極RE1，對應於第一感測電極SE1設置。第二感測區域P2包含一第二電晶體TFT2；一第二感測電極SE2，與第二電晶體TFT2電性連接；以及一第二參考電極RE2，對應於第二感測電極SE2設置。第三感測區域P3包含一第三電晶體TFT3；一第三感測電極SE3，與第三電晶體TFT3電性連接；以及一第三參考電極RE3，對應於第三感測電極SE3設置。第四感測區域P4包含一第四電晶體TFT4；一第四感測電極SE4，與第四電晶體TFT4電性連接；以及一第四參考電極RE4，對應於第四感測電極SE4設置。其中，第一電晶體TFT1與第三電晶體TFT3電性連接，第二電晶體TFT2與第四電晶體TFT4電性連接；更詳細而言，第一電晶體TFT1的源極S1與第三電晶體TFT3的源極S3電性連接，第二電晶體TFT2的源極S2與第四電晶體TFT4的源極S4電性連接。因此，第一感測區域P1的信號可與第三感測區域P3的信號串聯，第二感測區域P2的信號可與第四感測區域P4的信號串聯，例如可用於放大信號，可提升感測電子裝置的檢測可靠度，但本公開並不限於此。
此外，雖然圖未示，第一感測電極SE1上可設置有一第一感測單元，第二感測電極SE2可上設置有一第二感測單元，其中，第一感測單元不同於第二感測單元。在此，以具有相同填充圖案的感測電極表示為具有相同感測單元的感測電極，以具有不同填充圖案的感測電極表示為具有不相同感測單元的感測電極，更具體地，如圖4所示，第一感測電極SE1的第一感測單元與第二感測電極SE2的第二感測單元不同，而第一感測電極SE1的第一感測單元與第三感測電極SE3的第三感測單元相同，相似地，第一感測電極SE1的第一感測單元與第四感測電極SE4的第四感測單元不同。因此，可用於同時檢測不同的待測物。
如圖4所示，於一操作區間，當參考電壓控制單元200具有一第一電壓，即參考電壓控制單元200提供一第一電壓給第一參考電極RE1和第二參考電極RE2，第一感測電極SE1可具有一第二電壓，第二感測電極SE2可具有一第三電壓，其中第一參考電極RE1鄰近第二參考電極RE2。在此，所述「操作區間」包含將含有待測物的待測溶液與本公開之感測電子裝置接觸，例如將感測電子裝置浸泡到含有待測物的待測溶液中，或將含有待測物的待測溶液滴在感測電子裝置的感測陣列上。在此，所述「具有」是指當提供電壓給參考電極後，會使待測溶液中的待測物靠近感測電極，使對應於參考電極的感測電極連接的閘極具有一電壓。在本公開的其他實施例中，第一參考電極RE1與第二參考電極RE2彼此可間隔設置，也就是說，於操作區間，不同行或不同列之間的參考電極可分別具有第一電壓或另一電壓。透過上述設置，可同時偵測不同待測物或進一步提升偵測靈敏度與可信度，但本公開不限於此。
由於第一感測電極SE1的第一感測單元與第二感測電極SE2的第二感測單元不同，第一感測電極SE1所具有的第二電壓會不同於第二感測電極SE2所具有的第三電壓，因此，第一電壓與第二電壓的差值不同於第一電壓與第三電壓的差值。更具體地，當待測溶液中同時存在兩種待測物，且兩種待測物可分別由第一感測電極SE1和第二感測電極SE2所檢測時，第一電壓分別與第二電壓和第三電壓不同，且第二電壓會不同於第三電壓，因此，第一電壓與第二電壓的差值不等於0，且第一電壓與第三電壓的差值不等於0。或者，當待測溶液中存在一種待測物，且該待測物可由第一感測電極SE1所檢測時，第一電壓與第二電壓不相同，而第一電壓與第三電壓相同，因此，第一電壓與第二電壓的差值不等於0，且第一電壓與第三電壓的差值為0。
此外，如圖4所示，參考電壓控制單元200可包含一第一參考電壓控制單元201；以及一第二參考電壓控制單元202。第一參考電壓控制單元201可與第一參考電極RE1和第二參考電極RE2電性連接，以提供一參考電壓。第二參考電壓控制單元202可與第三參考電極RE3和第四參考電極RE4電性連接，以提供另一參考電壓。於本公開之一實施態樣中，於一操作區間，第一參考電壓控制單元201提供的參考電壓可與第二參考電壓控制單元202提供的另一參考電壓不同，因此，第一參考電極RE1和第二參考電極RE2的電壓可不同於第三參考電極RE3和第四參考電極RE4的電壓。於本公開之另一實施態樣中，於一操作區間，第一參考電壓控制單元201提供的參考電壓可與第二參考電壓控制單元202提供的另一參考電壓相同，因此，第一參考電極RE1和第二參考電極RE2的電壓可與第三參考電極RE3和第四參考電極RE4的電壓相同。在此，所述「電壓相同」是指兩電壓差的絕對值小於或等於0.02V。
此外，於本公開之其他實施態樣中，可使用圖2A至圖2C所示之感測區域P取代圖4中所示之感測區域P1至P4，在此不再贅述。
圖5為本公開之一實施例之部分感測電子裝置之電壓對時間之關係圖。於本實施例中，使用包含圖4之感測陣列的感測電子裝置為例示。在此，填充圖案表示感測電子裝置與待測溶液接觸。
如圖4和圖5所示，當感測電子裝置未與待測溶液接觸且未施加電壓時，第一感測電極SE1、第一參考電極RE1、第二感測電極SE2和第二參考電極RE2的電壓均為0V。當感測電子裝置與待測溶液接觸後，由於感測電極的感測單元會開始吸附待測物，因此，吸附待測物的感測電極會具有一電壓。以本實施例為例，可知待測溶液中含有第一感測電極SE1可檢測出的待測物，而未含
有第二感測電極SE2可檢測出的待測物，因此，當感測電子裝置與待測溶液接觸後，第一感測電極SE1的電壓VSE1不為0V，而第二感測電極SE2的電壓VSE2仍為0V。接著，當提供第一電壓V1給第一參考電極RE1和第二參考電極RE2時，第一感測電極SE1會具有第二電壓V2，第二感測電極SE2會具有第三電壓V3。之後，移除第一電壓V1後，第一參考電極RE1、第二參考電極RE2和未檢測到待測物的第二感測電極SE2的電壓回復到0V，而第一感測電極SE1持續受到待測物的影響，電壓VSE1不為0V。而後，當感測電子裝置與待測溶液未接觸時，第一感測電極SE1的電壓回復到0V，且第一參考電極RE1、第二參考電極RE2和第二感測電極SE2的電壓維持為0V。在此，所述「感測電極的電壓」是指與感測電極電性連接的電晶體的閘極電壓。
由於第一感測電極SE1受到待測物的影響，第二電壓V2會不同於第一電壓V1，因此，第一電壓V1與第二電壓V2的差值△V1不等於0；而第二感測電極SE2未受到待測物的影響，第三電壓V3會與第一電壓V1相同，因此，第一電壓V1與第三電壓V3的差值△V2為0。透過本公開之實施態樣，可達到同一操作區間偵測不同待測物的目標並降低操作時間，但本公開並不限於此。
圖6為本公開之一實施例之部分感測電子裝置之電壓對電流之關係圖。在此，填充線表示感測電子裝置與待測溶液接觸。
如圖6所示，當感測電子裝置與待測溶液接觸後，由於感測電極的感測單元會開始吸附待測物，因此，吸附待測物的感測電極的電壓VSE會大於0V，而該電壓可具有一對應電流IDS。所述「電流」是指與感測電極電性連接的電晶體的源-汲極的電流大小。當對參考電極施加電壓時，所對應的感測電極會
具有電壓，而該電壓可對應一電流，因此，可藉由該電流與已知的資料庫比較，來得知待測物的濃度，但本公開並不限於此。
圖7為本公開之一實施例之感測電子裝置之感測陣列示意圖。其中圖7之感測陣列與圖4相似，除了以下差異。在此，以具有相同填充圖案的感測電極表示為具有相同感測單元的感測電極，以具有不同填充圖案的感測電極表示為具有不相同感測單元的感測電極。
如圖7所示，第一感測電極SE1的第一感測單元與第二感測電極SE2的第二感測單元和第四感測電極SE4的第四感測單元相同，而第一感測電極SE1的第一感測單元與第三感測電極SE3的第三感測單元不同，因此，本公開之感測電子裝置可用於同時檢測不同的待測物。於一操作區間，第一參考電壓控制單元201可提供一參考電壓，第二參考控制單元202可提供另一參考電壓，其中，參考電壓和另一參考電壓可相同或不相同。當待測溶液中含有第一感測電極SE1可檢測出的待測物，而未含有第三感測電極SE3可檢測出的待測物時，其電壓對時間的關係圖與如圖5所示相似，更詳細而言，當第一參考電壓控制單元201提供給第一參考電極RE1的參考電壓與第二參考電壓控制單元202提供給第三參考電極RE3的另一參考電壓相同，且兩者等於第一電壓V1時(如圖5的VRE1和VRE2所示)，第一感測電極SE1會具有第二電壓V2，第三感測電極SE3會具有第三電壓V3(如圖5的VSE2所示)。由於第一感測電極SE1受到待測物的影響，第二電壓V2會不同於第一電壓V1，因此，第一電壓V1與第二電壓V2的差值△V1不等於0V；而第三感測電極SE3未受到待測物的影響，與圖5中的VSE2相似，第三電壓V3會與第一電壓V1相同，因此，第一電壓V1與第三電壓V3的差值△V2為0V，但本公開不限於此。
圖8為本公開之一實施例之部分感測電子裝置之電流對時間之關係圖。於本實施例中，使用包含圖7之感測陣列的感測電子裝置為例示。在此，填充線表示感測電子裝置與待測溶液接觸。
於本實施例中，如圖7和圖8所示，待測溶液中含有第一感測電極SE1可檢測出的待測物，但不含有第三感測電極SE3可檢測出的待測物。當感測電子裝置與待測溶液接觸後，第一感測電極SE1受到待測物的影響，會產生對應的電流IDS1，而第三感測電極SE3未受到待測物的影響，電流IDS3為0A。當對第一參考電極RE1和第三參考電極RE3施加電壓時，第一感測電極SE1和第三感測電極SE3會分別產生對應的電流IDS1和IDS3。移除第一參考電極RE1和第三參考電極RE3的電壓後，第三感測電極SE3的電流IDS3回復到0A，而第一感測電極SE1持續受到待測物的影響，電流IDS1不為0A。而後，當感測電子裝置與待測溶液未接觸時，第一感測電極SE1的電流IDS1回復到0A，且第三感測電極SE3的電流IDS3維持為0A。在此，所述「感測電極的電流」是指與感測電極電性連接的電晶體的源-汲極電流。
如圖7所示，由於第一感測區域P1的第一電晶體TFT1與第三感測區域P3的第三電晶體TFT3為電性連接，更詳細而言，第一電晶體TFT1的源極S1與第三電晶體TFT3的源極S3電性連接。因此，第一感測電極SE1的電流信號可與第三感測電極SE3的電流信號串聯，用於放大信號，其淨電流可如圖8的I1所示。藉由該電流與已知的資料庫比較，來得知待測物的濃度，但本公開不限於此。
以上的具體實施例應被解釋為僅僅是說明性的，而不以任何方式限制本公開的其餘部分，且不同實施例間的特徵，只要不互相衝突均可混合搭配使用。
100:基板
200:參考電壓控制單元
301:第一導線
302:第二導線
401、402:驅動單元
Ar:感測陣列
P:感測區域
TFT:電晶體
SE:感測電極
RE:參考電極
G:閘極
S:源極
D:汲極
Z:法線方向
Claims (9)
- 一種感測電子裝置，包含：一基板；一感測陣列，設置於該基板上，其中，該感測陣列包含一第一感測電極、一第二感測電極和一第一電晶體，該第一電晶體包含一第一閘極，且該第一閘極與該第一感測電極電性連接；以及一參考電壓控制單元，與該感測陣列電性連接，其中，於一操作區間，該參考電壓控制單元具有一第一電壓，該第一感測電極具有一第二電壓，該第二感測電極具有一第三電壓，其中，該第一電壓與該第二電壓的差值不同於該第一電壓與該第三電壓的差值；其中，該操作區間包含將一待測溶液與該感測電子裝置接觸。
- 如請求項1所述之感測電子裝置，其中，該第一感測電極上設置有一第一感測單元，該第二感測電極上設置有一第二感測單元，其中，該第一感測單元不同於該第二感測單元。
- 如請求項1所述之感測電子裝置，其中，該感測陣列包含一第一參考電極，其中該第一參考電極與該參考電壓控制單元電性連接。
- 如請求項1所述之感測電子裝置，其中，該感測陣列包含一第一參考電極和一第二參考電極，該第一感測電極鄰近於該第一參考電極，且該第二感測電極鄰近於該第二參考電極。
- 一種感測電子裝置，包含：一基板；以及 一感測陣列，設置於該基板上，其中，該感測陣列包含一第一感測電極、一第二感測電極、一第一參考電極和一第二參考電極，該第一感測電極鄰近於該第一參考電極，且該第二感測電極鄰近於該第二參考電極，其中，於一操作區間，該第一參考電極具有一第一電壓，該第二參考電極具有一第二電壓，其中，該第一電壓與該第二電壓相同；其中，該操作區間包含將一待測溶液與該感測電子裝置接觸。
- 如請求項5所述之感測電子裝置，其中，該感測陣列包含一第一電晶體，該第一電晶體包含一第一閘極，其中，該第一閘極與該第一感測電極電性連接。
- 如請求項5所述之感測電子裝置，其中，該第一感測電極上設置有一第一感測單元，該第二感測電極上設置有一第二感測單元，其中，該第一感測單元不同於該第二感測單元。
- 如請求項5所述之感測電子裝置，其中，該感測陣列包含一第一電晶體和一第二電晶體，該第一電晶體與該第一感測電極電性連接，該第二電晶體與該第二感測電極電性連接，其中，該第一電晶體與該第二電晶體電性連接。
- 如請求項8所述之感測電子裝置，其中，該第一感測電極上設置有一第一感測單元，該第二感測電極上設置有一第二感測單元，其中，該第一感測單元與該第二感測單元相同。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210291570.5 | 2022-03-23 | ||
| CN202210291570.5A CN116840323A (zh) | 2022-03-23 | 2022-03-23 | 感测电子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202338374A TW202338374A (zh) | 2023-10-01 |
| TWI826003B true TWI826003B (zh) | 2023-12-11 |
Family
ID=88095565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111135325A TWI826003B (zh) | 2022-03-23 | 2022-09-19 | 感測電子裝置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230305037A1 (zh) |
| CN (1) | CN116840323A (zh) |
| TW (1) | TWI826003B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150355257A1 (en) * | 2013-10-31 | 2015-12-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Circuit testing method and circuit testing system |
| CN105988059A (zh) * | 2015-03-26 | 2016-10-05 | 上海纪显电子科技有限公司 | 检测装置及检测方法 |
| CN111133323A (zh) * | 2017-10-18 | 2020-05-08 | 索尼半导体解决方案公司 | 电荷检测传感器和电位测量系统 |
-
2022
- 2022-03-23 CN CN202210291570.5A patent/CN116840323A/zh active Pending
- 2022-09-19 TW TW111135325A patent/TWI826003B/zh active
-
2023
- 2023-02-23 US US18/173,659 patent/US20230305037A1/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150355257A1 (en) * | 2013-10-31 | 2015-12-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Circuit testing method and circuit testing system |
| CN105988059A (zh) * | 2015-03-26 | 2016-10-05 | 上海纪显电子科技有限公司 | 检测装置及检测方法 |
| CN111133323A (zh) * | 2017-10-18 | 2020-05-08 | 索尼半导体解决方案公司 | 电荷检测传感器和电位测量系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230305037A1 (en) | 2023-09-28 |
| CN116840323A (zh) | 2023-10-03 |
| TW202338374A (zh) | 2023-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9502133B2 (en) | Semiconductor device | |
| US8174015B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| US9048163B2 (en) | Transistor, electronic device including transistor, and manufacturing methods thereof | |
| CN100369267C (zh) | 半导体装置及采用其的显示装置 | |
| JP3969702B2 (ja) | センサ・セル、センサ、サンプルを同定する方法、化学センサ、指紋認識装置、バイオセンサの操作方法、及び指紋認識装置の操作方法 | |
| WO2017206414A1 (zh) | 一种在cmos标准工艺下的生物化学传感器 | |
| WO2010125717A1 (ja) | 化学センサ | |
| JP2009287989A (ja) | センサ及びその製造方法 | |
| US20160293613A1 (en) | Semiconductor device | |
| US20170301272A1 (en) | Display device and method of testing the same | |
| EP1675195A3 (en) | Organic thin film transistor for an OLED display | |
| CN104792848A (zh) | 一种基于印刷晶体管的pH检测标签 | |
| US9754978B2 (en) | Semiconductor device with U-shaped active portion | |
| JP2005136028A (ja) | 静電気保護回路およびそれを備えた電子回路 | |
| CN109752423B (zh) | 一种基于有机薄膜晶体管阵列的尿酸传感器及控制方法 | |
| TWI826003B (zh) | 感測電子裝置 | |
| JP2016103577A (ja) | 半導体バイオセンサ装置 | |
| CN114324538A (zh) | 检测器件及其检测方法 | |
| WO2021139050A1 (zh) | 一种阵列基板、膜层应力测试方法和显示面板 | |
| US10937881B2 (en) | Gas sensor and method for making same | |
| CN111521546B (zh) | 一种细胞传感器阵列和细胞检测芯片 | |
| CN114035710B (zh) | 外触发触控传感阵列及其制备方法 | |
| CN211428122U (zh) | 检测结构、阵列基板及显示装置 | |
| Zheng et al. | Physical mechanism of the mechanical bending of high-performance organic TFTs and the effect of atmospheric factors | |
| CN114035711B (zh) | 外触发触控传感阵列及其制备方法 |