CN104792848A - 一种基于印刷晶体管的pH检测标签 - Google Patents
一种基于印刷晶体管的pH检测标签 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104792848A CN104792848A CN201510036367.3A CN201510036367A CN104792848A CN 104792848 A CN104792848 A CN 104792848A CN 201510036367 A CN201510036367 A CN 201510036367A CN 104792848 A CN104792848 A CN 104792848A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic
- electrode
- transistor
- organic transistor
- ion sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 22
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001486 SU-8 photoresist Polymers 0.000 claims description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 21
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 238000012271 agricultural production Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
本发明涉及基于印刷晶体管的pH传感标签器件，依次包括衬底、离子敏感膜、参比电极、有机晶体管和封装层；有机晶体管按层依次包括栅电极、栅绝缘层、通孔、源电极与漏电极、有机半导体层、半导体保护层，有机晶体管上方为封装层；离子敏感膜、参比电极与有机晶体管的栅电极直接制备在衬底上，而且离子敏感膜一端与有机晶体管的栅电极靠近，离子敏感膜另一端与参比电极靠近且此区域为pH传感标签器件的反应池。pH信号被扩展栅型离子场效应晶体管检测并被反相器电路转化为电压输出信号；标签的工作电压小于5V；所有功能层均采用印刷工艺制作。该标签的不仅生产成本低、产品周期短，而且具有功耗小、柔韧性好等特性。
Description
技术领域
本发明涉及一种化学传感器件，具体涉及一种基于印刷晶体管的pH检测标签及制备，属于印刷/有机电子器件制备技术领域。
背景技术
pH传感器可广泛用于农业生产、化学工程、生物工程、食品生产、环境保护、军事等领域，尤其是物联网、智能监控、云计算等新型应用对可抛式传感标签的需求非常大，因此低成本的可抛式传感标签越来越受到关注。在众多类型的pH传感器中,全固态器件型离子场效应晶体管因具有体积小、灵敏度高、响应快、微型化、易集成的优点，而且兼具电化学和晶体管双重特性可以很容易与外电路匹配，实现在线控制和实时监测。传统的离子场效应晶体管大多是硅基器件，虽然传感性能优异，但是它也存在可定制性差、生产周期长、不便于柔性化以及生产和处理过程中产生一定的环境污染等缺陷。近年来随着有机晶体管技术的突飞猛进，促进了新型离子场效应晶体管的发展。借助低成本印刷技术，基于印刷晶体管的pH传感标签使得满足可柔性化、成本低廉、环保以及适合批量生产等要求的成为可能。然而受制于材料及工艺，印刷晶体管的工作电压通常较高(>40V)，标签供电将是拓宽传感标签实用化的瓶颈之一。另一方面，有机晶体管的工作电流较低的特性对检测电路的要求提出了更高的要求。
发明内容
本发明的目的是，针对现有技术领域的不足，用印刷工艺制作可低电压工作的电压输出型pH传感标签及其制备方法。
本发明技术方案是，基于印刷(有机)晶体管的pH传感标签器件，依次包括衬底(尤其是塑料/纸衬底)、离子敏感膜、参比电极、有机晶体管和封装层；有机晶体管按层依次包括栅电极、栅绝缘层、通孔、源电极与漏电极、有机半导体层、半导体保护层，有机晶体管上方为封装层；离子敏感膜、参比电极与有机晶体管的栅电极直接制备在衬底上，而且离子敏感膜一端与有机晶体管的栅电极靠近，离子敏感膜另一端与参比电极靠近且此区域为pH传感标签器件的反应池。
pH传感标签上的具有两个有机晶体管，二个栅电极在一层，源电极与漏电极在另一层(上层)，有机晶体管均采用底栅底接触型结构；第一有机晶体管的栅电极与离子敏感膜接触，与第二有机晶体管的漏电极电连接，第二有机晶体管的源电极与栅电极电连接；其中第一有机晶体管用于跟离子敏感膜组成扩展栅型离子场效应晶体管以检测pH信号，该有机晶体管与组成反相器的第二有机晶体管用于将pH信号转化为电压输出信号。为实现低操作电压以及兼容印刷工艺，标签上的所有功能层均采用低成本的印刷工艺制作得到。
本发明论的有益效果：本发明提供的pH传感标签具有以下优点：
第一，传感器件工作操作电压低、功耗小，供电源来源广，器件可由如光伏电池、纸电池、无线电波等方式驱动，极大地拓展了标签的应用领域。
第二，使用印刷工艺，产品具有生产成本低、产品周期短等优势。
第三，晶体管以及衬底使用的是有机材质，使得标签具有优异的柔韧性。
总之，本发明所有功能层均采用印刷工艺制作。该标签的不仅生产成本低、产品周期短，而且具有功耗小、柔韧性好等特性，具有广阔的应用前景。
附图说明
图1本发明一个优选实施例中pH传感标签器件叠层结构图；
图2本发明一个优选实施例中pH传感标签器件电路示意图；
图3本发明一个优选实施例中有机晶体管电学特性；图中a、b分别对应VDS和VGS的工作特性；
图4本发明一个优选实施例中扩展栅型离子反应有机晶体管电学特性对被测溶液pH的响应特性；图中a、b分别对应VRE(参比电极电压)和VDS的响应特性。
图5本发明一个优选实施例中扩展栅型离子反应有机晶体管对pH响应的再生特性；
图6本发明一个优选实施例中传感标签的输出特性及再生特性。
具体实施方式
如图所示，1-衬底；2-离子敏感膜；3-参比电极；4-栅电极；5-栅绝缘层；6-通孔(连线)；7-源/漏电极；8-有机半导体层；9-半导体保护层；10-标签封装层；11-反应池。
为更好地理解本发明中的技术方案，下面结合附图对此进行详细的描述。由于所述实施例为较佳实施方式，所述描述是以说明本发明的一般原则为目的而不仅仅限定本发明的范围。
如图1所示，在本发明的一个实施例中，传感标签包括：塑料/纸衬底、参比电极、有机晶体管、离子敏感膜和封装层。有机晶体管采用底栅底接触型结构，自下而上依次为第一层栅电极，第二层栅介质层(设有通孔)，第三层源/漏电极，第四层置于源漏电极间的有机半导体层，第五层有机半导体层保护层。标签上的所有功能层均采用低成本的印刷工艺制作得到。
pH信号被扩展栅型离子场效应晶体管检测并被反相器电路转化为电压输出信号；标签的工作电压小于5V；所有功能层均采用印刷工艺制作。
有机晶体管采用底栅底接触型结构，自下而上依次为第一层栅电极，第二层栅介质层，第三层源/漏电极，第四层置于源漏电极间的有机半导体层，第五层有机半导体层保护层。
有机晶体管的栅介质层厚度大于200nm，有机半导体层为小分子和聚合物的共混体系，有机晶体管的工作电压小于5V。
在本发明中，标签上具有两个有机晶体，其中的一个有机晶体管的栅极跟离子敏感膜连接组成扩展栅型离子场效应晶体管以检测pH信号；该有机晶体管与另外一个有机晶体管组成反相器以将pH信号转化为电压输出信号，以便后续读取电路采集和处理。标签共使用两个有机晶体管，其中的一个有机晶体管的栅极跟离子敏感膜连接组成扩展栅型离子场效应晶体管以检测pH信号，该有机晶体管与另外一个有机晶体管组成反相器以将pH信号转化为电压输出信号。
进一步参照图1，标签经封装后裸露出接触电极(包括有机晶体管的各极、参比电极等)以供电气接触，同时裸露出反应池区域以放置被测液，电学输入信号经过参比电极施加到浸在被测溶液中的离子反应膜上。本发明的一个实施例中电路结构示意图如图2所示。参比电极由Ag/AgCl墨水印刷得到或者由印刷Ag电极经电镀反应得到。半导体保护层能保护有机半导体层免于封装层工艺带来的伤害。标签上裸露于封装层之外的部分仅限于电气接触端子和限制于反应池中的离子敏感膜和参比电极。
本发明的一个优选实施例中，如图1结构，该标签的制作工艺为：在沉积离子敏感膜(采用ITO敏感膜)的PET薄膜衬底上印刷(或打印，印刷可采用丝网印刷等)银电极作为栅电极；印刷Ag/AgCl参比电极；印刷厚度为1um左右的SU8光刻胶作为栅绝缘层并光刻出接触通孔及反应池；印刷银电极作为源/漏电极；印刷100±30纳米厚度左右的有机小分子(TIPS-pentacene)和聚合物材料(Polystyrene)组成的共混体系半导体(现有技术材料)；印刷1±0.2微米厚度的CYTOP作为有机半导体保护层；封装器件并预留反应池。
本发明的上述优选实施例中，有机晶体管的电学转移及输出特性如图3所示，器件具有较低的操作电压(<5V)、高的开关比(106)、无迟滞效应。该有机晶体管跟ITO离子敏感薄膜组成的扩展栅型离子场效应晶体管(即第一有机晶体管)对H+浓度具有很好的响应，如图4所示，在固定参比电极输入电压信号时，有机晶体管的输出电流与被测液的pH相关；同时，器件表现的阈值电压漂移也跟被测液的pH相关。通过具有不同pH的被测液对其反复测试可以看出良好的检测再生特性(如图5所示)。因此，扩展栅型离子场效应晶体管可以很好的将H+浓度转化为可以被电学仪器读取的电学信号。性能参见下表。
表1本发明一个优选实施例中传感标签性能示例
本发明的一个优选实施例中，标签的检测特性如图6所示，被测液中的H+浓度可以通过传感标签的两个晶体管被检测并转化为电压输出信号。该信号经过进一步的校准处理可以较为精确地分析出被测液的pH，如表1所示。因此，本发明可以快速有效地将化学信号直接转化为可被电学仪器读取的电学信号以实现进一步的处理。
Claims (5)
1.基于印刷晶体管的pH传感标签器件，其特征是依次包括衬底、离子敏感膜、参比电极、有机晶体管和封装层；有机晶体管按层依次包括栅电极、栅绝缘层、通孔、源电极与漏电极、有机半导体层、半导体保护层，有机晶体管上方为封装层；离子敏感膜、参比电极与有机晶体管的栅电极直接制备在衬底上，而且离子敏感膜一端与有机晶体管的栅电极靠近，离子敏感膜另一端与参比电极靠近且此区域为pH传感标签器件的反应池。
2.根据权利要求1所述的基于印刷晶体管的pH传感标签器件，其特征是pH传感标签上的具有两个有机晶体管，二个栅电极在一层，源电极与漏电极在上层，有机晶体管均采用底栅底接触型结构；第一有机晶体管的栅电极与离子敏感膜接触，与第二有机晶体管的漏电极电连接，第二有机晶体管的源电极与栅电极电连接；其中第一有机晶体管用于跟离子敏感膜组成扩展栅型离子场效应晶体管以检测pH信号，第一有机晶体管与组成反相器的第二有机晶体管用于将pH信号转化为电压输出信号。
3.根据权利要求1所述的基于印刷晶体管的pH传感标签器件，其特征是衬底是塑料/纸衬底。
4.根据权利要求1所述的基于印刷晶体管的pH传感标签器件，其特征是在PET薄膜衬底上沉积离子敏感膜采用ITO敏感膜。
5.根据权利要求1所述的基于印刷晶体管的pH传感标签器件，其特征是ITO敏感膜上印刷或打印银电极作为栅电极；印刷Ag/AgCl参比电极；印刷厚度为1微米的SU8光刻胶作为栅绝缘层并光刻出接触通孔及反应池；印刷银电极作为源/漏电极；印刷1001±0.2纳米厚度的有机小分子和聚合物材料组成的共混体系半导体；印刷1±0.2微米厚度的CYTOP作为有机半导体保护层；封装器件并预留反应池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510036367.3A CN104792848B (zh) | 2015-01-23 | 2015-01-23 | 一种基于印刷晶体管的pH检测标签 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510036367.3A CN104792848B (zh) | 2015-01-23 | 2015-01-23 | 一种基于印刷晶体管的pH检测标签 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104792848A true CN104792848A (zh) | 2015-07-22 |
| CN104792848B CN104792848B (zh) | 2017-11-24 |
Family
ID=53557827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510036367.3A Expired - Fee Related CN104792848B (zh) | 2015-01-23 | 2015-01-23 | 一种基于印刷晶体管的pH检测标签 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104792848B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105576125A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-05-11 | 南京邮电大学 | 一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法 |
| CN105806913A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-07-27 | 西安电子科技大学 | 具有集成式固态薄膜参比电极的GaN生物传感器及制作方法 |
| CN106018527A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 西安电子科技大学 | 具有集成式固态薄膜Pt参比电极的GaN生物传感器及制作方法 |
| CN106248761A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-12-21 | 严媚 | 一种高灵敏度酸碱值生物传感器芯片 |
| CN110534478A (zh) * | 2018-05-24 | 2019-12-03 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 传感器件及其制作方法 |
| CN114624302A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-14 | 湘潭大学 | 高灵敏度在片集成伪参比栅极的pH传感器及其制备方法 |
| CN115501920A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-12-23 | 中国人民解放军陆军特色医学中心 | 一种有机电化学晶体管增敏的核酸扩增检测微流控芯片制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4269682A (en) * | 1977-12-12 | 1981-05-26 | Kuraray Co., Ltd. | Reference electrode of insulated gate field effect transistor |
| CN1926428A (zh) * | 2004-03-02 | 2007-03-07 | 迈克纳斯公司 | 用于测量生物构造的场效应晶体管 |
| JP2007178134A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Funai Electric Co Ltd | イオンセンサ付フレキシブル基板 |
| CN101430303A (zh) * | 2007-11-07 | 2009-05-13 | 中国科学院电子学研究所 | 一种单层功能膜脲酶生物传感器芯片及制备方法 |
| CN102103119A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 烟台海岸带可持续发展研究所 | 一种气体传感器及其制备方法 |
| CN102466652A (zh) * | 2010-11-19 | 2012-05-23 | 财团法人工业技术研究院 | 血液分析微系统 |
| CN104345084A (zh) * | 2013-07-29 | 2015-02-11 | 霍尼韦尔国际公司 | 带有按图案设置的结合剂的pH传感器 |
| CN104380096A (zh) * | 2012-05-25 | 2015-02-25 | 赫摩迪尔公司 | 具有集成控制装置的isfet传感器 |
-
2015
- 2015-01-23 CN CN201510036367.3A patent/CN104792848B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4269682A (en) * | 1977-12-12 | 1981-05-26 | Kuraray Co., Ltd. | Reference electrode of insulated gate field effect transistor |
| CN1926428A (zh) * | 2004-03-02 | 2007-03-07 | 迈克纳斯公司 | 用于测量生物构造的场效应晶体管 |
| JP2007178134A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Funai Electric Co Ltd | イオンセンサ付フレキシブル基板 |
| CN101430303A (zh) * | 2007-11-07 | 2009-05-13 | 中国科学院电子学研究所 | 一种单层功能膜脲酶生物传感器芯片及制备方法 |
| CN102103119A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 烟台海岸带可持续发展研究所 | 一种气体传感器及其制备方法 |
| CN102466652A (zh) * | 2010-11-19 | 2012-05-23 | 财团法人工业技术研究院 | 血液分析微系统 |
| CN104380096A (zh) * | 2012-05-25 | 2015-02-25 | 赫摩迪尔公司 | 具有集成控制装置的isfet传感器 |
| CN104345084A (zh) * | 2013-07-29 | 2015-02-11 | 霍尼韦尔国际公司 | 带有按图案设置的结合剂的pH传感器 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105576125A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-05-11 | 南京邮电大学 | 一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法 |
| CN105576125B (zh) * | 2016-02-04 | 2018-06-29 | 南京邮电大学 | 一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法 |
| CN105806913A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-07-27 | 西安电子科技大学 | 具有集成式固态薄膜参比电极的GaN生物传感器及制作方法 |
| CN106018527A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 西安电子科技大学 | 具有集成式固态薄膜Pt参比电极的GaN生物传感器及制作方法 |
| CN106018527B (zh) * | 2016-05-17 | 2019-01-08 | 西安电子科技大学 | 具有集成式固态薄膜Pt参比电极的GaN生物传感器及制作方法 |
| CN106248761A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-12-21 | 严媚 | 一种高灵敏度酸碱值生物传感器芯片 |
| CN110534478A (zh) * | 2018-05-24 | 2019-12-03 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 传感器件及其制作方法 |
| CN114624302A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-14 | 湘潭大学 | 高灵敏度在片集成伪参比栅极的pH传感器及其制备方法 |
| CN114624302B (zh) * | 2022-03-28 | 2024-01-26 | 湘潭大学 | 高灵敏度在片集成伪参比栅极的pH传感器及其制备方法 |
| CN115501920A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-12-23 | 中国人民解放军陆军特色医学中心 | 一种有机电化学晶体管增敏的核酸扩增检测微流控芯片制备方法 |
| CN115501920B (zh) * | 2022-09-16 | 2024-04-05 | 中国人民解放军陆军特色医学中心 | 一种有机电化学晶体管增敏的核酸扩增检测微流控芯片制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104792848B (zh) | 2017-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104792848B (zh) | 一种基于印刷晶体管的pH检测标签 | |
| Noh et al. | Key issues with printed flexible thin film transistors and their application in disposable RF sensors | |
| Khodagholy et al. | High transconductance organic electrochemical transistors | |
| CN105954322B (zh) | 一种基于有机薄膜晶体管的生物/化学传感器 | |
| EP3108516B1 (en) | Field-effect sensor and associated methods | |
| KR101359735B1 (ko) | 연장된 게이트 전극이 형성된 전계효과 트랜지스터형 신호변환기를 이용한 투명성 이온 감지 센서칩 및 이의 제조방법 | |
| KR101257221B1 (ko) | 세포 거동의 실시간 광학적 관찰이 가능한 투명성 세포 기반 센서, 이의 제조방법 및 이를 이용한 다중검출 센서칩 | |
| CN104412101B (zh) | 有机薄膜晶体管及其在传感应用中的用途 | |
| US10823697B2 (en) | Thin film transistor, sensor, biological detection device and method | |
| Wang et al. | Electrolyte-gated field effect transistors in biological sensing: a survey of electrolytes | |
| Li et al. | Stable thin-film reference electrode on plastic substrate for all-solid-state ion-sensitive field-effect transistor sensing system | |
| Li et al. | Integrated low voltage ion sensing organic field effect transistor system on plastic | |
| CN109752423B (zh) | 一种基于有机薄膜晶体管阵列的尿酸传感器及控制方法 | |
| Mousavi et al. | Ion‐selective organic electrochemical junction transistors based on poly (3, 4‐ethylenedioxythiophene) doped with poly (styrene sulfonate) | |
| CN114324538A (zh) | 检测器件及其检测方法 | |
| CN101995424A (zh) | 塑料电位离子选择感测器及其制造方法 | |
| Lu et al. | Piezoionic strain sensors enabled by force-voltage coupling from ionogels | |
| CN103822953B (zh) | 背栅式离子敏感场效应晶体管 | |
| CN104132988A (zh) | 一种柔性有机离子敏场效应晶体管的制备方法 | |
| CN103376283A (zh) | 一种离子液体中痕量h2o的检测方法 | |
| CN105552226A (zh) | 一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器 | |
| CN105576125A (zh) | 一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法 | |
| Zoolfakar et al. | Design, fabrication and characterization of conductivity sensor using printed circuit board | |
| TWI826003B (zh) | 感測電子裝置 | |
| CN115096965B (zh) | 薄膜晶体管型生化传感微阵列芯片及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180615 Address after: 430000 China (Hubei) free trade zone, Wuhan area, Zuo Ling Town, Zuo Ling Road, No. 117, Op. Electronic Industrial Park, phase 1 workshop No. two, No. 207. Patentee after: Wuhan Xinqu Chuangrou Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 210046 Jiangsu Nanjing economic and Technological Development Zone Xingke Road 12 purple gold Xingang (Nancy) ke Chuang base 101-3 room. Patentee before: NANJING HUAYIN SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190203 Address after: 430000 Room 727, 7th Floor, Building C4, Future Science and Technology City, 999 High-tech Avenue, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee after: Wuhan Lingzhi Technology Co.,Ltd. Address before: No. 117 Zuoling Road, Zuoling Town, Wuhan Zone, China (Hubei) Free Trade Zone Patentee before: Wuhan Xinqu Chuangrou Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201105 Address after: Room 819-821, 8 / F, building 1, Haizhi center, Cangqian street, Yuhang District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee after: Hangzhou Lingzhi Technology Co.,Ltd. Address before: 430000 Room 727, 7th Floor, Building C4, Future Science and Technology City, 999 High-tech Avenue, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee before: Wuhan Lingzhi Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20171124 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |